CN102863959A - 铕掺杂钼酸钆发光材料、制备方法及其应用 - Google Patents

铕掺杂钼酸钆发光材料、制备方法及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN102863959A
CN102863959A CN2011101915199A CN201110191519A CN102863959A CN 102863959 A CN102863959 A CN 102863959A CN 2011101915199 A CN2011101915199 A CN 2011101915199A CN 201110191519 A CN201110191519 A CN 201110191519A CN 102863959 A CN102863959 A CN 102863959A
Authority
CN
China
Prior art keywords
europium doping
moo
doping gadolinium
luminescent material
gadolinium molydbate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011101915199A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102863959B (zh
Inventor
周明杰
王平
陈吉星
黄辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201110191519.9A priority Critical patent/CN102863959B/zh
Publication of CN102863959A publication Critical patent/CN102863959A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102863959B publication Critical patent/CN102863959B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

一种铕掺杂钼酸钆发光材料，其化学式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中0.002≤x≤0.09。该铕掺杂钼酸钆发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在613nm波长区有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明还提供该铕掺杂钼酸钆发光材料的制备方法铕掺杂钼酸钆发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件。

Description

铕掺杂钼酸钆发光材料、制备方法及其应用
【技术领域】
本发明涉及一种铕掺杂钼酸钆发光材料、其制备方法、铕掺杂钼酸钆发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件。
【背景技术】
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的铕掺杂钼酸钆发光材料，仍未见报道。
【发明内容】
基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铕掺杂钼酸钆发光材料、其制备方法、铕掺杂钼酸钆发光薄膜、其制备方法及使用该铕掺杂钼酸钆发光材料的薄膜电致发光器件。
一种铕掺杂钼酸钆发光材料，其化学式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中0.002≤x≤0.09。
在优选的实施例中，x为0.04。
一种铕掺杂钼酸钆发光材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一、根据Gd2(MoO4)3:xEu3+各元素的化学计量比称取Gd2O3，MoO3和Eu2O3粉体并混合均匀，其中0.002≤x≤0.09；步骤二、将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到所述铕掺杂钼酸钆发光材料。
在优选的实施例中，x为0.04。
在优选的实施例中，步骤二中将混合均匀的粉体在1250℃下烧结3小时。
一种铕掺杂钼酸钆发光薄膜，该铕掺杂钼酸钆发光薄膜的材料的化学通式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中Gd2(MoO4)3是基质，Eu元素是激活元素，0.002≤x≤0.09。
在优选的实施例中，x为0.04。
一种铕掺杂钼酸钆发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤一、根据Gd2(MoO4)3:xEu3+各元素的化学计量比称取Gd2O3，MoO3和Eu2O3粉体并混合均匀在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时制成靶材，其中0.002≤x≤0.09；步骤二、将步骤一中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；步骤三、调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；接着进行制膜，得到薄膜样品；步骤四、将步骤三中得到的薄膜样品于500℃～800℃下真空退火处理1h～3h，得到所述铕掺杂钼酸钆发光薄膜。
在优选的实施例中，步骤一中x为0.04；步骤二中真空度为5.0×10-4Pa；步骤三中，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强2Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为25sccm，衬底温度为500℃；步骤四中，薄膜样品于600℃下真空退火处理2h。
一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为铕掺杂钼酸钆发光材料，该铕掺杂钼酸钆发光材料的化学式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，，其中0.002≤x≤0.09。
上述铕掺杂钼酸钆发光材料(Gd2(MoO4)3:xEu3+)制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在613nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。
【附图说明】
图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图；
图2为实施例1制备的铕掺杂钼酸钆发光薄膜的电致发光谱图；
图3为实施例1制备的铕掺杂钼酸钆发光薄膜的XRD图。
【具体实施方式】
下面结合附图和具体实施例对铕掺杂钼酸钆发光材料、其制备方法、铕掺杂钼酸钆发光薄膜、其制备方法及薄膜电致发光器件进一步阐明。
一实施方式的铕掺杂钼酸钆发光材料，其化学式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中0.002≤x≤0.09，优选的，x为0.04。
该铕掺杂钼酸钆发光材料中Gd2(MoO4)3是基质，Eu元素是激活元素。该铕掺杂钼酸钆发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，613nm波长区有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。
上述铕掺杂钼酸钆发光材料的制备方法，包括以下步骤：
步骤S11、根据Gd2(MoO4)3:xEu3+各元素的化学计量比称取Gd2O3，MoO3和Eu2O3粉体，其中0.002≤x≤0.09。
该步骤中，优选的，x为0.04。
可以理解，该步骤中也可称取Gd2O3，MoO3和Eu2O3粉体并混合均匀，其中Gd2O3的质量百分含量为35％～50％，Eu2O3的质量百分含量为0.1％～4％，余量为MoO3。优选的，Gd2O3的质量百分含量为46％，Eu2O3的质量百分含量为1.8％。
步骤S12、将混合均的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即可得到目标产物。
该步骤中，优选的在1250℃下烧结3小时。
一实施方式的铕掺杂钼酸钆发光薄膜，该铕掺杂钼酸钆发光薄膜的材料的化学通式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中Gd2(MoO4)3是基质，Eu元素是激活元素，0.002≤x≤0.09。
优选的，x为0.04。
上述铕掺杂钼酸钆发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤S21、根据Gd2(MoO4)3:xEu3+各元素的化学计量比称取Gd2O3，MoO3和Eu2O3粉体并混合均匀在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时制成靶材，其中0.002≤x≤0.09。
该步骤中，优选的，x为0.04。
可以理解，该步骤中也可称取Gd2O3，MoO3和Eu2O3粉体并混合均匀，其中Gd2O3的质量百分含量为35％～50％，Eu2O3的质量百分含量为0.1％～4％，余量为MoO3。优选的，Gd2O3的质量百分含量为46％，Eu2O3的质量百分含量为1.8％。
步骤S22、将步骤S21中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa。
该步骤中，优选的，真空度为5×10-4Pa。
步骤S23、调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；接着进行制膜，得到薄膜样品。
该步骤中，优选的，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强2Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为25sccm，衬底温度为500℃。
步骤S24、将步骤S23中得到的薄膜样品于500℃～800℃下真空退火处理1h～3h，得到化学通式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中Gd2(MoO4)3是基质，Eu元素是激活元素，0.002≤x≤0.09。
该步骤中，优选的，薄膜样品在600℃下真空退火处理2h。
请参阅图1，一实施方式的薄膜电致发光器100，该薄膜电致发光器件100包括依次层叠的衬底1、阳极层2、发光层3以及阴极层4，所述发光层3的材料为铕掺杂钼酸钆发光材料，该铕掺杂钼酸钆发光材料的化学式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中0.002≤x≤0.09。
本发明采用磁控溅射设备，利用铕掺杂钼酸钆发光材料制备铕掺杂钼酸钆发光薄膜(Gd2(MoO4)3:xEu3+)，得到薄膜的电致发光谱(EL)中，在613nm波长区有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。
下面为具体实施例。
实施例1
选用纯度为99.99％的粉体，将质量百分含量为46％的Gd2O3，质量百分含量为1.8％的Eu2O3和质量百分含量为52.2％的MoO3，经过均匀混合后，在1250℃下烧结3小时成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带氧化铟锡(ITO)的玻璃衬底并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.0×10-4Pa，氩气的工作气体流量为25sccm，压强调节为2.0Pa，衬底温度为500℃。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火2h，退火温度为600℃。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
本实施例中得到的铕掺杂钼酸钆发光薄膜的化学通式为Gd2(MoO4)3:0.04Eu3+，其中Gd2(MoO4)3是基质，Eu元素是激活元素。
请参阅图2，图2所示为得到的铕掺杂钼酸钆发光薄膜的电致发光谱(EL)。由图2可以看出，电致发光谱中，在613nm波长区有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。
请参阅图3，图3为实施例1制备的铕掺杂钼酸钆发光薄膜的XRD曲线，测试对照标准PDF卡片。从图3中可以看出，大部分为钼酸钆的结晶峰，没有出现掺杂元素以及其它杂质的衍射峰。铕离子替代部分钆离子进入钼酸钆晶格。
实施例2
选用纯度为99.99％的粉体，将质量百分含量为35％的Gd2O3，质量百分含量为4％的Eu2O3和质量百分含量为61％的MoO3，经过均匀混合后，在900℃下烧结5小时制成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0×10-3Pa，氩气的工作气体流量为10sccm，压强调节为0.2Pa，衬底温度为250℃。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火1h，退火温度为500℃。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
本实施例中得到的铕掺杂钼酸钆发光薄膜的化学通式为Gd2(MoO4)3:0.09Eu3+，其中Gd2(MoO4)3是基质，Eu元素是激活元素。
实施例3
选用纯度为99.99％的粉体，将质量百分含量为50％的Gd2O3，质量百分含量为0.1％的Eu2O3和质量百分含量为49.9％的MoO3，经过均匀混合后，在1300℃下烧结0.5小时制成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材，并将靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO的玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0×10-5Pa，氩气的工作气体流量为35sccm，压强调节为4.0Pa，衬底温度为750℃。得到的样品在0.01Pa真空炉中退火3h，退火温度为800℃。然后在发光薄膜上面蒸镀一层Ag，作为阴极。
本实施例中得到的铕掺杂钼酸钆发光薄膜的化学通式为Gd2(MoO4)3:0.002Eu3+，其中Gd2(MoO4)3是基质，Eu元素是激活元素。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种铕掺杂钼酸钆发光材料，其特征在于：其化学式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中0.002≤x≤0.09。
2.根据权利要求1所述的铕掺杂钼酸钆发光材料，其特征在于，x为0.04。
3.一种铕掺杂钼酸钆发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、根据Gd2(MoO4)3:xEu3+各元素的化学计量比称取Gd2O3，MoO3和Eu2O3粉体并混合均匀，其中0.002≤x≤0.09；
步骤二、将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到所述铕掺杂钼酸钆发光材料。
4.根据权利要求3所述的铕掺杂钼酸钆发光材料的制备方法，其特征在于，x为0.04。
5.根据权利要求3所述的铕掺杂钼酸钆发光材料的制备方法，其特征在于，步骤二中将混合均匀的粉体在1250℃下烧结3小时。
6.一种铕掺杂钼酸钆发光薄膜，其特征在于，该铕掺杂钼酸钆发光薄膜的材料的化学通式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中Gd2(MoO4)3是基质，Eu元素是激活元素，0.002≤x≤0.09。
7.根据权利要求6所述的铕掺杂钼酸钆发光薄膜，其特征在于，x为0.04。
8.一种铕掺杂钼酸钆发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、根据Gd2(MoO4)3:xEu3+各元素的化学计量比称取Gd2O3，MoO3和Eu2O3粉体并混合均匀在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时制成靶材，其中0.002≤x≤0.09；
步骤二、将步骤一中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；
步骤三、调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃；接着进行制膜，得到薄膜样品；
步骤四、将步骤三中得到的薄膜样品于500℃～800℃下真空退火处理1h～3h，得到所述铕掺杂钼酸钆发光薄膜。
9.根据权利要求8所述的铕掺杂钼酸钆发光薄膜的制备方法，其特征在于，步骤一中x为0.04；步骤二中真空度为5.0×10-4Pa；步骤三中，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强2Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为25sccm，衬底温度为500℃；步骤四中，薄膜样品于600℃下真空退火处理2h。
10.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为铕掺杂钼酸钆发光材料，该铕掺杂钼酸钆发光材料的化学式为Gd2(MoO4)3:xEu3+，其中0.002＜x＜0.09。
CN201110191519.9A 2011-07-08 2011-07-08 铕掺杂钼酸钆发光材料、制备方法及其应用 Active CN102863959B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110191519.9A CN102863959B (zh) 2011-07-08 2011-07-08 铕掺杂钼酸钆发光材料、制备方法及其应用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110191519.9A CN102863959B (zh) 2011-07-08 2011-07-08 铕掺杂钼酸钆发光材料、制备方法及其应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102863959A true CN102863959A (zh) 2013-01-09
CN102863959B CN102863959B (zh) 2014-02-26

Family

ID=47443092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110191519.9A Active CN102863959B (zh) 2011-07-08 2011-07-08 铕掺杂钼酸钆发光材料、制备方法及其应用

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102863959B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103275715A (zh) * 2013-06-08 2013-09-04 沈阳大学 一种稀土钼酸盐基质红色纳米荧光粉的制备方法
CN107522229A (zh) * 2017-07-24 2017-12-29 桂林理工大学 一种(Y1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
WO2022257148A1 (en) * 2021-06-11 2022-12-15 Dic Corporation Gadolinia particles and method for producing gadolinia particles
CN117801818A (zh) * 2024-03-01 2024-04-02 上海昌赟新能源科技有限公司 一种基于Y3+和Eu3+共掺杂负热膨胀基质的双波长响应红色荧光材料的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5210881A (en) * 1975-07-16 1977-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Fluorescent substances
JP2006114750A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5210881A (en) * 1975-07-16 1977-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Fluorescent substances
JP2006114750A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HE XIANGHONG, ET AL.: "Luminescent properties and application of Eu3+-activated Gd2(MoO4)3 red-emitting phosphor with pseudo-pompon shape for solid-state lighting", 《JOURNAL OF RARE EARTHS》 *
程丽红等: "白光LED用红色发射荧光粉 Gd2(MoO4)3:Eu3+制备与表征", 《中国稀土学报》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103275715A (zh) * 2013-06-08 2013-09-04 沈阳大学 一种稀土钼酸盐基质红色纳米荧光粉的制备方法
CN107522229A (zh) * 2017-07-24 2017-12-29 桂林理工大学 一种(Y1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
CN107522229B (zh) * 2017-07-24 2019-10-11 桂林理工大学 一种(Y1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法
WO2022257148A1 (en) * 2021-06-11 2022-12-15 Dic Corporation Gadolinia particles and method for producing gadolinia particles
CN117801818A (zh) * 2024-03-01 2024-04-02 上海昌赟新能源科技有限公司 一种基于Y3+和Eu3+共掺杂负热膨胀基质的双波长响应红色荧光材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102863959B (zh) 2014-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102863959B (zh) 铕掺杂钼酸钆发光材料、制备方法及其应用
CN102863954B (zh) 铕掺杂铝硅酸钙发光材料、制备方法及其应用
CN102863961B (zh) 铈掺杂硼酸钇铝发光材料、制备方法及其应用
CN102863957B (zh) 锰铬共掺杂钨酸锌发光材料、制备方法及其应用
CN104673298A (zh) 钐掺杂碱土铌锌酸盐发光材料、制备方法及其应用
CN102952545B (zh) 铕掺杂钒酸锶发光薄膜、其制备方法及有机电致发光器件
CN103289692B (zh) 铕铽共掺杂锆磷酸盐发光材料、制备方法及其应用
CN104449685A (zh) 铈掺杂碱土镓酸盐发光材料、制备方法及其应用
CN104178148A (zh) 锑铽共掺杂碱铌酸盐发光材料、制备方法及其应用
CN102863952B (zh) 铕镝共掺杂硫酸钙发光材料、制备方法及其应用
CN103788948A (zh) 铕铽共掺杂稀土硅酸盐发光材料、制备方法及其应用
CN102863956B (zh) 镨掺杂钛酸钡发光材料、制备方法及其应用
CN104342158A (zh) 铕铒双掺杂硒化锌发光材料、制备方法及其应用
CN102863960B (zh) 铕掺杂硼酸钆钙发光材料、制备方法及其应用
CN104178160A (zh) 铈铽双掺杂氮硅镧发光材料、制备方法及其应用
CN103421509B (zh) 铈掺杂钒磷酸钇盐发光材料、制备方法及其应用
CN104342144A (zh) 铕掺杂碱稀土磷酸盐发光材料、制备方法及其应用
CN104650869A (zh) 铕铽共掺杂铝铌酸盐发光材料、制备方法及其应用
CN104650918A (zh) 铕铋共掺杂三族氟化钇发光材料、制备方法及其应用
CN103289682B (zh) 氟铜共掺杂硫化钙发光材料、制备方法及其应用
CN104140817A (zh) 铕铽共掺杂稀土铝酸盐发光材料、制备方法及其应用
CN104342142A (zh) 铈掺杂碱土砷酸盐发光材料、制备方法及其应用
CN103421510B (zh) 锑铽共掺杂碱土卤磷酸盐发光材料、制备方法及其应用
CN104449684A (zh) 铕掺杂碱土铟酸盐发光材料、制备方法及其应用
CN103571468A (zh) 锑铽共掺杂硅铝氮氧化合物发光材料、制备方法及其应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant