CN102859478A - 用于感测装置的集成无源电路元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供电容感测装置，其包括：导电迹线的感测图案，其设置在基底表面上；和第一无源电路元件，其包含设置在基底的同一表面上的金属导体。在一些实施例中，第一无源电路元件是电子电路的部件，其可以是例如低通滤波器。所提供的电容感测装置在例如当装配到电子装置上使用的投射式触摸屏显示面板时是有用的。

Description

用于感测装置的集成无源电路元件
技术领域
提供可以用于触摸屏显示器中的感测装置。
背景技术
触摸屏传感器可以检测施用至触摸屏显示器表面的物体（例如手指或触笔）的位置或位于触摸屏显示器表面附近的物体的位置。这些传感器可以沿着显示器表面（例如，在平坦的矩形显示器的平面内）检测物体的位置。触摸屏传感器的例子包括电容传感器、电阻式传感器和投射式电容传感器。这类传感器可以包括覆盖显示器的透明导电元件。导电元件可以与使用电信号探测导电元件的电子组件结合使用，以便确定靠近或接触显示器的物体的位置。
触摸屏传感器可用于电子装置例如：移动电话、个人数字助理(PDA)、膝上型计算机中并且用作计算机系统的界面。最近，已开发出投射式电容触摸传感器技术，其允许用户用不止一个手指与触摸传感器进行互动。可以测量在例如传感器栅格上的每个单独点处的电容改变，以精确确定一个或多个手指的一个或多个触摸位置。但投射式电容触摸传感器依赖于传感器中电容的极小改变。投射式电容触摸传感器的灵敏度可能受到来自例如传感器附近的显示装置或来自该装置外部的电磁辐射的杂散电磁辐射（例如，电磁干扰，EMI）的影响。
因此，需要这样的投射式电容传感器，其高度响应于用户的输入，但可以抵抗来自杂散电场的干扰。需要这样的投射式电容传感器，其十分紧凑、透明并且可以在多种的环境中使用。最后，需要这样的投射式电容传感器，其在价格、制备方法和电子有效面积方面是经济的。
发明内容
一种在电容传感器、尤其是投射式电容触摸传感器（如触摸屏传感器）中建立适应力的方法（如EMI容限）是将无源电路元件与电容传感器集成。所谓与电容传感器集成，意味着无源电路元件作为电容感测元件被支承在同一基底上。如下所述，集成无源电路元件可以起到一个或多个目的。通常，无源电路元件可以被集成到传感器基底上，以便最小化在任何相关的柔性电路或印刷电路板包装上分立电路元件的数目。所述相关的柔性电路或印刷电路板包装可以与电容传感器结合以构造电容触摸感测系统。如本文所述，无源电路元件的集成对于投射式电容触摸传感器特别有用，例如根据对邻近导电感测元件（如，存在于单独层例如层合叠堆的基底上的导电感测元件；或存在于例如层合叠堆中单个绝缘基底的相对两面上的导电感测元件）之间的互电容的测量的多触点投射式电容传感器。
在一个方面，提供一种电容传感器，所述电容传感器包括：基底，其具有表面；导电迹线的感测图案，其设置在所述基底的所述表面上；和第一无源电路元件，其包含设置在所述基底的同一表面上的金属导体。所述基底可以对可见光是透明的并且可以是聚合物的。导电迹线的感测图案和第一无源电路元件可以包括相同的导电材料。所述无源电路元件可以是电阻器、电容器或电感器。所述传感器可以具有另外的电路元件，所述另外的电路元件可以被布置为形成电子电路例如低通滤波器、高通滤波器或带通滤波器。所有的上述无源电路元件均可以不含任何透明导电的金属氧化物（TCO；例如，铟锡氧化物，ITO）或透明导电聚合物。
在另一方面，提供一种制备电容传感器的方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包含设置于其上的金属涂层；以及蚀刻所述金属，以形成设置在所述基底上的由导电金属迹线构成的感测图案；以及包含设置在所述基底的同一表面上的金属导体的至少一个无源电路元件。所述方法还可以包括在所述蚀刻步骤之前使油墨压模的凸起结构接触所述金属涂层。油墨压模可以包括自组装单层形成分子。
在本公开中：
“邻近”指彼此接近的层—其间有三个或更少的层；
“导电的”是指体积电阻率介于约10-6至1欧姆-cm之间的材料；
“将集成”或“集成”指将无源电路元件或电容感测元件直接放置或设置在基底的表面上；集成无源电路元件与分立无源电路元件大不相同，所述分立无源电路元件是例如必须接合至基底并电连接到基底（例如，焊料接合或引线键合）的片状电阻器或片状电容器；
“无源电路元件”指不含半导体材料作为其构造一部分的电路的元件；
“网状结构”指导电迹线的二维网，例如，彼此正交伸展以产生矩形（如方形）网格的迹线；
“导电迹线”指导电材料的图案中的窄线性图案元件；例如，长度100微米且宽度2微米的导线；
“触摸传感器或感测”或“触摸屏”指可以通过用一个或多个身体部位（即一个或多个手指）物理或近程触摸（非直接—干扰电场）来激活的传感器元件；和
“非导电的”和“绝缘的”可互换地使用，并且所述术语是指大体上不导电的材料，例如，体电阻率为至少106Ω-cm，优选地至少108Ω-cm，更优选地至少1012Ω-cm的材料；
本文所公开的所提供的电容传感器和方法可以用于组装投射式电容传感器，所述投射式电容传感器高度响应于用户的输入但可以抵抗来自杂散电场（如由EMI施加的场）的干扰。根据本发明的投射式电容传感器可以抵抗来自任何电子装置的干扰，所述投射式电容传感器是所述电子装置的一部分。例如，当被包括作为移动电话或个人数字助理装置的一部分时，根据本发明的触摸屏可以抵抗干扰。所提供的方法和由此制作的电容传感器可以十分紧凑、透明并且可以用于各种各样的电磁环境中。就价格和工艺而言，所述方法是十分经济的。
以上内容并非意图描述本发明每种实施方式的每一个公开实施例。附图说明和随后的具体实施方式更具体地对示例性实施例进行了举例说明。
附图说明
图1示出位于触摸屏感测区域内的对可见光透明的导电区域的透视图。
图2为可用于所提供的电容传感器中的电阻器元件的示意图。
图3a为可用于所提供的电容传感器中的电容元件的示意图。
图3b为图3a的一部分的分解图。
图4为可用于所提供的电容传感器中的电感元件的示意图。
图5为RC低通滤波器的电路图。
图6为RL低通滤波器的电路图。
图7为LC低通滤波器的电路图。
图8为所提供的电容传感器的实施例的示意图。
具体实施方式
在下面的描述中，参考形成本说明书的一部分的附图，并且其中以图示方式示出了若干具体实施例。应当理解，在不脱离本发明的范围或精神的前提下，可以设想到其他的实施例并可以进行实施。因此，以下的具体实施方式不应被理解成具有限制性意义。
除非另外指明，否则本说明书和权利要求中使用的表示特征尺寸、数量和物理特性的所有数字均应该理解为在所有情况下均是由术语“约”来修饰的。因此，除非有相反的说明，否则上述说明书和所附权利要求书中列出的数值参数均是近似值，根据本领域的技术人员利用本文所公开的教导内容寻求获得的所需特性，这些近似值可以改变。通过端值表示的数值范围包括该范围内的所有数字（如，1到5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5）以及该范围内的任何范围。
提供了电容传感器，其包括将无源电路元件集成在（例如）基底上，所述基底包括设置在其上的可用于触摸显示器的透明或不可见电容感测元件。所提供的电容传感器可以包括接触传感器和近程传感器，如使用投射式电容触摸(PCTT)技术的那些传感器。具有较高精确度和灵敏度的电容传感器利用投射式电容触摸技术。投射式电容触摸技术是一种电容技术，其允许比标准接触或电容传感器技术进行更准确和更灵活的操作。通常，可以通过使一个或多个导电层图案化来制成投射式电容触摸传感器。例如，可以通过在单独基底上形成绝缘透明导电条并且将两个具有导电条的基底层合在正交取向的相应层上，产生采取XY阵列传感器（或矩阵传感器）形式的投射式电容触摸屏传感器。相应层合层上覆盖的导电条将通过绝缘材料彼此电绝缘。或者，通过在同一绝缘基底的相对两面上形成绝缘透明导电条，使基底一面上的导电条与另一面上的导电条正交取向，可以产生XY阵列传感器。在第三实施例中，可以通过按以下模式将绝缘基底的一个表面上的透明导电材料图案化来产生XY阵列传感器：在第一方向上在绝缘基底上形成透明导电材料第一条（例如，平行的）；在至少第二方向上形成的第二条将与第一条交叉的那些区域中，将绝缘材料（例如，印刷的电介质或由光刻限定的电介质）沉积在第一条的透明导电材料上方；在第二方向（例如，与第一条正交的方向）上形成透明导电材料的第二条，其中，在第一条是沉积的绝缘材料的区域中，第二条覆盖第一条。如本领域已知的，对于任何上述XY阵列传感器，所述条可以包括沿着所述条的垫区域（例如，菱形或方形垫）。
透明导电条可以包括具有呈网状结构形式的导电迹线（例如，金属迹线）的条。呈网状结构形式的导电迹线可以通过以下方式形成：对导电材料（例如，金属）的第一层进行蚀刻图案化，接着形成绝缘沉积物，接着在一个或多个绝缘沉积物上形成导电桥，从而形成如以上在第三XY阵列实施例中所描述的电极网格图案。或者，呈网状结构形式的导电迹线可以通过以下方式形成：在绝缘基底上印刷导电材料（例如，金属）的第一图案，接着形成绝缘沉积物，并且接着在一个或多个绝缘沉积物上形成导电桥，从而形成如以上在第三XY阵列实施例中所描述的电极网格图案。或者，XY阵列传感器可以通过以下方式形成：用平行条（或者称为线条或径迹）来对导电材料的两个单独的、垂直层进行蚀刻图案化以形成所述网格。投射式电容触摸传感器公开于例如美国专利公布No.2009/0073135（Lin等人）、No.2009/0219257（Frey等人）和PCT公布No.WO 2009/154812（Frey等人）中。
上述XY阵列传感器构成电容器的网格，其中，各电容器产生于第一条之一与第二条之一之间的每个相交处。可以在这种成对的电绝缘条之间施加电压，从而导致根据所述条之间的电容（互电容或跨越电容）的储存电荷积聚，所述电荷（及其相关的电场）大部分隔离在与靠近相交点的区域。手指或导电触笔接近传感器的表面时会改变局部静电场。可以测量网格上每个单个点处的电容改变以准确测定触摸位置。网格的使用允许对不止一个手指进行定位，这有时称为多触点操作。操作的近程方法允许在无直接接触的情况下进行操作，使得导电层可以被另外的保护绝缘层涂覆，并且甚至在屏幕保护器下、或在防风雨和防破坏玻璃后面操作。
所提供的将无源电路元件集成到触摸传感器（如触摸屏传感器）的基底上的构思在电容传感器设计或构造方面不受限制（即不限于XY阵列设计或构造的传感器）。将无源电路元件集成到触摸传感器的基底上可以对其他设计(例如基于互电容的设计)的触摸传感器得到类似有益效果，在所述基于互电容的设计中，电容器由基底表面上的同一平面中的邻近但绝缘的导电元件形成。优选的采用集成无源电路元件的触摸检测传感器（如触摸屏传感器）为XY阵列设计传感器。
将无源电路元件集成到触摸传感器（如触摸屏传感器）的基底上的本发明公开构思在被测量的电容的起源方面不受任何方式的限制（即不限于互电容测量传感器系统）。将无源电路元件集成到触摸传感器的基底上会对其中进行自电容（或对地电容）测量的传感器系统得到类似有益效果。这类传感器系统可以包括XY阵列设计的传感器。或者，这类传感器系统可以包括具有电容垫阵列的设计的传感器，所述电容垫可存在于一个平面中并且可单独由自电容测量电子器件寻址。包括采用集成无源电路元件的传感器的典型触摸检测系统传感器（如触摸屏传感器系统）为测量互电容变化的系统。测量互电容变化的系统和测量自电容变化的系统包括例如在美国专利No.5,841,078（Miller等人）中所述的那些。
如已所描述的，将无源电路元件与电容触摸传感器的触摸感测元件（例如以滤波电路的形式）集成到同一基底上的主要有益效果在于，降低在感测性能中将被电磁干扰(EMI)损害或减弱的电容触摸传感器及其相关的控制器电子器件的敏感度。一个对触摸传感器的干扰的常见来源是与所述传感器结合的显示器。因此，触摸显示器领域中通常将透明导电材料（如支承在透明基底上的铟锡氧化物)的屏蔽层放置在显示器和触摸传感器之间。当前描述的电容传感器的一个优点在于它们可以允许在不需要EMI屏蔽件的情况下结合传感器和显示器。
所提供的电容传感器可以具有通过设计其上所包括的导电迹线来设计的电学和光学性质。所提供的传感器包括具有表面的基底。导电迹线的感测图案设置于邻近基底的表面。所述基底可以是透明基底，例如玻璃、聚合物、陶瓷或对可见光透明的任何其他基底。如本文所用，“对可见光透明”是指对可见光的至少一种偏振态的透射水平为至少60%的透射率，其中透射百分比被归一化为入射光（任选为偏振光）的强度。在可见光透明的含义内，透过至少60%入射光的制品将包括微观结构（如具有最小尺寸的点、方形或线条，如宽度介于0.5微米和10微米之间、或介于1微米和5微米之间），所述微观结构局部阻挡光，达到小于80%的透射率（如0%）；然而，在这类情况下，对于包括所述微观结构并且测量宽度为微观结构最小尺寸的1000倍的大致等轴区域，平均透射率大于60%。
或者，对于某些应用，基底在可见光光谱的某些区域内可以是不透明的。对所述基底的唯一要求是，其具有能够支承导电迹线的感测图案的表面。因此，其自身可以是非导电的，并且其应该具有导电迹线可以位于其上的表面。在一些实施例中，可以将一至三个额外层施加于基底和导电迹线图案之间。例如，平滑基底表面的钝化层可以存在于基底和导电迹线图案之间。在这些情况下，所述基底可以导电或可以不导电，但其上直接设置有导电迹线图案的层需要是非导电的。
邻近基底表面设置的导电迹线的感测图案可以包括任选可以为透明的微图案。对可见光透明的导体微图案尤其可用于与电子显示器结合的投射式电容触摸屏传感器。作为投射式电容触摸屏传感器的部件，对可见光透明的导电微图案可用于实现高触摸灵敏度、多触点检测和触笔输入。
图1示出位于触摸屏面板的触摸感测区域105内的导电的可见光透明区域101的透视图。导电的可见光透明区域101包括可见光透明基底130，其具有设置在可见光透明基底130之上或之内的导电迹线140的感测图案和表面120。导电迹线140的感测图案设置在基底130上。可见光透明基底130包括132并且是电绝缘的。可见光透明基底130可由任何可用的电绝缘材料（例如，如玻璃或聚合物）形成。用于光透明基底130的可用聚合物的例子包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯萘(PEN)和聚酰亚胺(PI)。导电图案140可由多个线性金属结构形成。在一些实施例中，位于触摸屏面板的触摸感测区域内的导电可见光透明区域101包括两层或更多层各具有导电迹线140的图案的可见光透明基底130。
导电迹线140的感测图案沉积在基底130的表面120上。在图1所示的实施例中，传感器将与显示器接合以形成触摸屏显示器或触摸面板显示器，基底130是对可见光透明的并且大体上为平面的。基底和传感器可以大体为平面和柔性的。所谓对可见光透明是指可通过触摸传感器查看显示器提供的信息（如文本、图像或数字）。可以实现包括沉积金属（如果将金属沉积成适当的微图案，甚至可以包括沉积厚度足以阻挡光线的金属）形式的导体的触摸传感器的可见性和透明性。
导电微图案140包括至少一个对可见光透明的导电区域，该区域覆盖提供信息的显示器的可见部分。所谓“对可见光透明的导电”是指可透过导电微图案区域观看显示器的该部分，并且该微图案的区域在图案的平面内导电，或换句话说，沿着导电微图案沉积到其上并与其相邻的基底的主表面导电。典型的导电微图案包括具有二维网状结构（如，方形网格、矩形（非方形）网格或正六边形网络）的区域，其中，导电迹线限定了网状结构内封闭的开放区域，该区域未沉积与网状结构迹线电接触的导体。本文中将开放空间及其边缘处的相关导电迹线称为单元(cell)。网状结构单元的其他可用几何形状包括随机单元形状和不规则多边形。在一些实施例中，可位于触摸屏面板的触摸感测区域内的对可见光透明的导电区域可以包括两层或更多层各具有导电微图案的可见光透明基底。
在一些实施例中，限定感测图案的导电迹线可以被设计成在大于五个相邻单元（通常是四个相邻单元，三个相邻单元或甚至两个相邻单元）的组合边缘长度的距离内不包括大致直的区段。通常，限定微图案的迹线可以被设计成在大于单个单元的边缘长度的距离内不包括直的区段。因此，在一些实施例中，限定微图案的迹线在长距离（如10厘米、1厘米或甚至1毫米）内不是直的。具有如上所述最短长度的直线区段的图案尤其可用于触摸屏传感器，其优点是最大限度减少对显示器可见度的干扰。
在考虑到导体材料的光学性质和电学特性的情况下，可设计导电迹线的感测图案的二维几何形状（即在平面内的图案的几何形状或沿着基底主表面的图案的几何形状），以实现触摸屏传感器中可用的特定透明导电性质。例如，尽管导体材料的连续（未图案化）沉积物或涂层具有按其体电阻率除以其厚度计算得到的薄层电阻，但在所提供的传感器中，也可以通过使导体微图案化来设计出不同的薄层电阻水平。
在一些实施例中，导电迹线的二维感测图案被设计成在传感器的导电区域（如对可见光透明的导电区域）内实现各向异性薄层电阻。所谓“各向异性薄层电阻”是指当沿两个正交方向测量或建模时，导电迹线的感测图案的薄层电阻的大小不同。在其他实施例中，导电迹线的二维图案可以被设计成在传感器的导电区域（如对可见光透明的导电区域）内实现各向同性薄层电阻。所谓“各向同性薄层电阻”是指如由两个方向的宽度恒定的迹线形成的方形格栅的情况，当沿着平面内任意两个正交方向测量或建模时，导电迹线的图案的薄层电阻的大小基本相同。
用于实现传感器的透明度以及透过传感器的显示器可见度的合适的导体微图案可具有某些属性。首先，在透过其观察显示器的导电微图案的区域中，被导体遮挡的传感器面积比率可以小于50%、或小于25%、或小于20%、或小于10%、或小于5%、或小于4%、或小于3%、或小于2%、或小于1%、或在0.25%至0.75%的范围内、或小于0.5%。
导电微图案或导电微图案区域的开放区域比率（或开放区域或“开放区域百分比”）是指未被导体遮挡的微图案面积或微图案区域面积的比例。开放区域等于1减去被导体遮挡的面积比率，并且可以便利且互换地表达为小数或百分比。被导体遮挡的面积比率可与微图案化导体的线条密度互换使用。微图案化导体可与导电微图案互换使用。因此，对以上段落中给定的被导体遮挡的比率的值，开放区域值大于50%、大于75%、大于80%、大于90%、大于95%、大于96%、大于97%、大于98%、大于99%、99.25%至99.75%、99.8%、99.85%、99.9%甚至99.95%。在一些实施例中，导体微图案（如，对可见光透明的导电区域）的区域中的开放区域介于80%和99.5%之间，在其他实施例中介于90%和99.5%之间，在其他实施例中介于95%和99%之间，在其他实施例中介于96%和99.5%之间，在其他实施例中介于97%和98%之间，并且在其他实施例中高达99.95%。关于可用光学性质（如导电图案元件的高透射率和不可见性）和电学性质的可再生实现，使用实用的制备方法，开放区域的典型值介于90%和99.5%之间，介于95%和99.5%之间，或甚至介于95%和99.95%之间。
为了将对于显示器像素图案的干扰减至最小并避免使用者或观看者裸眼看到图案元件（如，导体线条），导电图案元件的最小尺寸（如，线条或导电迹线的宽度）可以小于或等于大约50微米、或小于或等于大约25微米、或小于或等于大约10微米、或小于或等于大约5微米、或小于或等于大约4微米、或小于或等于大约3微米、或小于或等于大约2微米、或小于或等于大约1微米、或小于或等于大约0.5微米。
在一些实施例中，导电图案元件的最小尺寸可以在0.5微米和50微米之间，在其他实施例中在0.5微米和25微米之间，在其他实施例中在1微米和10微米之间，在其他实施例中在1微米和5微米之间，在其他实施例中在1微米和4微米之间，在其他实施例中在1微米和3微米之间，在其他实施例中在0.5微米和3微米之间，并且在其他实施例中在0.5微米和2微米之间。关于可用光学特性（如，高透射率和裸眼对导电图案元件的不可见性）和电学特性的可再生实现，并且考虑到使用实用制造方法方面的约束，导电图案元件的最小尺寸的典型值可以在0.5微米和5微米之间，在1微米和4微米之间，甚至在1微米和3微米之间。
通常，所沉积的导电材料可能不合需要地降低触摸传感器的透光率。基本上，只要有导电材料沉积的地方，就使用者的可见度而言，显示器可以被遮挡。因导电材料造成的衰减程度可能与导体微图案内被导体覆盖的传感器或传感器区域的面积比率成比例。
通常，可期望透明的触摸屏传感器呈现较低的雾度值。雾度是指与光通过介质时的散射有关的性质，如用Haze-Gard仪器(Haze-Gardplus，得自马里兰州哥伦比亚的毕克-加特纳(BYK Gardner))测量。在一些实施例中，触摸屏传感器可以呈现小于10%、在一些实施例中小于5%、在一些实施例中小于4%、在一些实施例中小于3%、在一些实施例中小于2%的雾度。本发明公开了可以实现包括导体微图案的区域的高透射（也称为可见光透射率）、低雾度和低导体迹线可见度的所需组合的实施例。导体微图案当用作触摸屏传感器感测区域或显示区域的一部分时，如当微图案覆盖显示器的可见区域时尤其可用。
在一些实施例中，为了在即使薄层电阻不均匀分布的情况下（如源自导电材料的不均匀网状结构）也产生在整个可见显示区上具有均匀透光率的对可见光透明的显示传感器，传感器可以包括添加到导体微图案上的隔离的导体沉积物，该沉积物用于保持整个图案上的透光率的均匀度。这种绝缘的导体沉积物没有连接到传感器的驱动装置（如电路或计算机），因而不起电气作用。例如，对于包括第一区域和第二区域的金属导体微图案，其中第一区域具有由线宽为3微米、间距为200微米的正方形网格组成的网状结构（3%的区域被金属遮挡，即开放区域为97%），第二区域具有由线宽为3微米、间距为300微米的正方形网格组成的网状结构（2%的区域被金属遮挡，即开放区域为98%），通过在图案中间距为300微米网格区域的每一个开放单元内增加100个等间距的3微米×3微米金属导体正方形，可以使第一区域和第二区域都具有均匀的平均透光率。这100个3微米×3微米的正方形（900平方微米）遮挡每一个300微米×300微米单元（90000平方微米）的另外的1%的面积，因而使第二区域的平均透光率等于第一区域的平均透光率。可在相邻透明导电区域之间的空间区域（如包括二维网格或网络形式的微图案化导体的相邻透明导电区域）内增加类似的绝缘的金属结构，以便在整个传感器（包括透明导电区域和它们之间的空间）上保持均匀的透光率。除了绝缘的导体正方形之外，其他用于定制光学均匀度的有用的绝缘导体沉积物还包括圆形和线条。该电隔离的沉积物的最小尺寸（如，正方形结构的边长、圆形结构的直径或线性结构的宽度）可小于10微米、小于5微米、小于2微米或甚至小于1微米。
关于可用光学特性（如导电图案元件的高透射率和不可见性）的可再生实现而言，使用实用的制备方法，电隔离的沉积物的最小尺寸通常可以在0.5和10微米之间，在0.5和5微米之间，在0.5和4微米之间，在1和4微米之间并且甚至在1和3微米之间。在一些实施例中，电隔离的导体沉积物的布置方式可以被设计成不具备周期性。不具备周期性通常用于限制与下面的显示器的周期性像素图案之间不利的可见相互作用。对于具有沉积物并且缺乏连接到解码或信号发生和/或处理电子器件的微图案元件的整个区域而言，要使电绝缘的导体沉积物整体缺乏周期性，只需要所述沉积物的至少一部分的本来周期性的布置出现个别中断。这种电隔离的导体沉积物可说成具有非周期性布置方式，或者可说成电绝缘的导体沉积物的非周期性布置。在一些实施例中，电隔离的导体沉积物可以被设计成缺乏间距小于10微米的直的平行边缘，如边缘长度为5微米的正方形沉积物的相对面将会出现的情况。所述隔离的导体沉积物可以被设计成缺乏间隔小于5微米、4微米、优选3微米或甚至2微米的直的、平行边缘。缺乏直的平行边缘的电隔离的导体沉积物的例子有椭圆形、圆形、五边形、七边形和三角形。将电隔离的导体沉积物设计成没有直的平行边缘可以起到使光衍射伪像最小的作用，这种伪像会干扰集成了传感器的显示器的可见性。
导电微图案对光学均匀度的影响可以量化。例如，如果将传感器进而导体微图案与显示器可见区域重叠的总面积分段成1毫米×1毫米区域的阵列，则在典型传感器包括的导体微图案中，这些区域当中没有一个被遮挡的面积比率与所有区域的平均值之差大于75%。通常，没有一个被遮挡的面积比率与所有区域的平均值之差大于50%。通常，没有一个被遮挡的面积比率与所有区域的平均值之差大于25%。另外，通常，没有一个被遮挡的面积比率与所有区域的平均值之差大于10%。如果将传感器进而导体微图案与显示器可见区域重叠的总面积分段成5毫米×5毫米区域的阵列，则在典型传感器可以包括的导体微图案中，这些区域当中没有一个被遮挡的面积比率与所有区域的平均值之差大于50%。通常，没有一个被遮挡的面积比率与所有区域的平均值之差大于50%。另外，通常，没有一个被遮挡的面积比率与所有区域的平均值之差大于25%。甚至更通常，没有一个被遮挡的面积比率与所有区域的平均值之差大于10%。
可用于形成导电迹线的感测图案的金属例子包括金、银、钯、铂、铝、铜、镍、锡、合金以及它们的组合。在一些实施例中，导体是透明的导电氧化物。导体的厚度可以在5纳米和5微米之间、或在10纳米和500纳米之间、或在15纳米和250纳米之间。在多个实施例中，导体的厚度小于1微米。如本领域已知的那样，导体的理想厚度可以从所需薄层电阻开始计算，并考虑感测图案的几何形状（进而考虑其对平面内的载流横截面的影响）以及导体的体电阻。对于具有复杂几何形状的感测图案，本领域存在可用于计算薄层电阻的计算方法，如有限差分法或有限元法，本文称为对感测图案属性进行建模。可使用多种技术测量薄层电阻，其中包括本领域已知的四点探针技术和非接触涡电流法。
用于所提供电容传感器的导电迹线的感测图案可以通过任何合适的图案化方法来生成，如包括采用蚀刻的光刻法或采用电镀的光刻法的方法（参见例如美国专利No.5,126,007(Smulovich)；No.5,492,611（Sugama等人）；No.5,512,131（Kumar等人）；和No.6,775,907（Boyko等人））。另外，导体图案可以利用其他示例性方法来生成，所述方法例如激光固化掩蔽（固化金属薄膜上的掩模层，并随后蚀刻）；喷墨印刷（供后续金属电镀的掩蔽材料或种子材料）；凹版印刷（供后续金属电镀的种子材料）；微-复制（在基底中形成微槽，然后用供后续金属电镀的导电材料或种子材料填充）；或，微接触印刷（在基底表面上压印或转动印刷自组装单层(SAM)图案）。利用大量的、高分辨率印刷方法通常允许精确设置导电元件，还允许按适合市售显示器像素的比例（伪随机地）改变导电迹线，以限制原本会出现的光学异常（例如，莫尔条纹图案）。
本文所述某些实施例可以采用比利用透明导体的现有传感器透光率更高的平侧“线状”导体。在一些实施例中，这些平侧“线状”导体提供了比现有圆形导线解决方案更大的可量测性，并且更容易控制导体的布置方式。本文所述微导体包括最大横截面尺寸为10微米或更小的导体。对于许多传感器应用而言，典型的是小于3微米。利用掩蔽和蚀刻的方法通常产生低纵横比（0.05至0.5μm厚×1μm至10μm宽）的微导体。微复制槽可产生高达大于1:1的较高纵横比的微导体。
激光固化掩蔽可以用于通过用紫外线激光选择性地固化图案来生成导电迹线的图案。该方法通常适用于基于薄膜（例如PET）或玻璃的基底。激光固化掩蔽法的例子为：
用金属电镀基底（例如，将银或铜溅射涂布至玻璃或PET膜上）；将可UV固化掩蔽油墨均匀涂布到电镀基底上，（例如，旋涂和浸涂）；用激光固化所印刷油墨的一部分来在触摸传感器的有源区域中形成导电迹线，并且还可以固化（较宽的）将电极与连接器焊盘互连的线（激光的束宽可以由于光掩模而减小）；去除未固化的油墨；并且通过蚀刻
从所述基底去除除了掩蔽油墨下的图案以外的电镀金属。
可采用喷墨印刷和种子油墨电镀，使用相对宽的种子油墨（催化剂油墨）线来印刷所需图案，然后用UV激光器（类似于上述激光固化掩蔽法）选择性地固化，以形成微导电迹线的图案。该方法的基底可以为薄膜（例如PET）或玻璃。喷墨印刷法使所用的油墨量最少，因此当油墨（例如，种子油墨）昂贵时是可用的。如果油墨成本相对低，则可用均匀涂布整个基底的另一种方法（例如，旋涂或浸涂）代替喷墨印刷。
凹版印刷需要将有待印刷的图像“蚀刻”到在筒上旋转的金属板内。当筒旋转时，蚀刻表面被油墨所填充，然后当填充油墨的蚀刻板和被印刷的薄膜彼此接触时，油墨就会在薄膜表面上沉积。种子油墨（或催化剂油墨）可以通过上述方法中的任何一种印刷。印刷和固化后，可将油墨与金属（例如铜）化学镀到一起，从而导致高导电率。种子油墨制造商包括英国剑桥的导电油墨技术公司(Conductive InkjetTechnology)（卡柯洛公司(Carclo)的分公司）和英格兰法恩伯勒的奎奈蒂克公司(QinetiQ Company)。新墨西哥州阿尔伯克的卡伯可印刷电子器件和显示器公司(Cabot Printable Electronics and Displays)制造可喷墨印刷的银导电油墨。
微复制是可以用于形成导电迹线的图案的另一种方法。微复制的沟槽可以被种子油墨填充并随后被电镀以使得它们导电。或者，可用本身导电的油墨填充沟槽，从而无需电镀工艺。第三种替代形式是用金属涂布基底，然后掩蔽在凹槽（底部）中的金属的一部分，然后蚀刻掉未掩蔽的金属（参见，例如PCT专利公布No.WO 2010/002679（Stay等人）和No.WO 2010/002519（Moran等人））。可以改变沟槽的实际形状，以优化提供最低光学干扰水平的横截面形状和尺寸，同时仍确保高导电率和高生产产量。
填充后的微复制沟槽会形成(相对于掩蔽金属薄膜)具有高纵横比横截面的导体。这样可以在光学可见度最低的情况下实现最高的导电率（观察方向狭窄的横截面）。填充微复制沟槽的方法和具有高纵横比的沟槽的理想形状在共同授让的美国专利公布No.2007/0160811（Gaides等人）中有所描述。
微接触印刷是可以用于形成导电迹线的图案的又一种方法。微接触印刷是将自组装单分子层(SAM)图案压印或旋转印刷到基底表面上。该方法具有若干技术上重要的特征，包括形成非常微小比例的图案（如十分之一微米大小的特征尺寸）以及图案化单层向金属、陶瓷和聚合物的图案化扩展的能力。在示例性微接触印刷法中，基底被涂布金属（例如，将银或铜溅射涂布或电镀到玻璃或PET膜上）；将自组装单层掩模压印到电镀基底上；并且，通过蚀刻去除除了在掩模下的图案之外的涂布在基底上的金属。如本领域已知的，微接触印刷可与金属沉积法结合使用，以产生添加的图案化方法（例如，包括化学镀）。
通常，可以使用印刷方法制造集成无源电路元件。可以使用微接触印刷方法来制造它们。微接触印刷是用凸纹图案化的弹性体压模将自组装单层(SAM)图案化转印至基底。SAM可以按照压模的高凸纹图案被转印至基底。在薄膜金属上的微接触印刷SAM可以用作抗蚀刻层。例如在特征结构尺寸（如迹线宽度）为一微米或更小的情况下，薄膜金属导体的高分辨率图案化会是可能的。通过微接触印刷然后蚀刻来对薄膜金属进行减成图案化在美国专利No.5,512,131（Kumar等人）中有所描述。
基于极小比例导体微图案的透明或不可见触摸感测元件（如用于触摸显示器的）和本文所述的无源电路元件可以通过微接触印刷加上蚀刻工艺来同时加工。基于极小比例导体微图案的透明或不可见触摸感测元件（如用于触摸显示器的）在例如美国专利公布No.2009/219257（Frey等人）中有所描述。使用微接触印刷方法来制造透明或不可见触摸感测元件在例如美国专利公布No.2009/0218310（Zu等人）中有所描述。上述出版物中所述的导体、基底和方法的细节可以用于构造根据本发明的具有集成无源电路元件的电容传感器。在一些实施例中，基于极小比例导体微图案（如金属网状结构微图案）的透明或不可见触摸感测元件（如用于触摸显示器的）、本文所述的无源电路元件和互连结构（如信号布线和接触焊盘）可以优选在单个导电材料图案化周期中由相同导电材料同时制造。所谓单个图案化周期，意思是产生导电材料的第一图案的一系列步骤。单个导电材料图案化周期的例子是：a)在平面绝缘基底（如聚合物膜）的主表面的整个区域上沉积导电材料涂层；b)在导电材料涂层的表面上微接触印刷自组装单层(SAM)图案掩模，产生导电材料涂层的SAM涂布区域和导电材料涂层的暴露区域；c)通过湿化学蚀刻从暴露区域中去除导电材料涂层，而不从SAM涂布区域中去除导电材料涂层。单个导电材料图案化周期的另一个例子是：a)在平面绝缘基底（如聚合物膜）的主表面的整个区域上沉积导电材料涂层；b)在导电材料涂层上沉积光致抗蚀剂的涂层（如通过喷涂、浸涂、旋涂、或模具涂布）：c)透过光掩模将光致抗蚀剂暴露于光的图案；d)将光致抗蚀剂显影，产生导电材料涂层的光致抗蚀剂涂布区域和导电材料涂层的暴露区域；e)通过湿化学蚀刻从暴露区域中去除导电材料，而不从光致抗蚀剂涂布区域中去除导电材料。单个导电材料图案化周期的另一个例子是：照相凹版印刷导电材料油墨例如金属纳米粒子油墨（例如银纳米粒子油墨），然后进行热处理（如烘箱加热或红外灯曝光）。呈信号布线形式的互连结构的例子包括线性导电图案元件，所述线性导电图案元件从适用于将柔性电路引线附连至基于极小比例导体微图案的透明或不可见触摸感测元件（如用于触摸显示器的）的接触焊盘引出。信号布线的宽度可以在5微米和250微米之间，优选地在7.5微米和100微米之间，更优选地在10微米和50微米之间，最优选地在15微米和25微米之间。
所提供的电容传感器具有第一无源电路元件，第一无源电路元件包括与导电迹线的感测图案设置（集成）在基底同一表面上的金属导体。无源电路元件由电阻器(R)、电容器(C)和电感器(L)组成。无源电路元件可以按各种方式结合，以过滤或改变经过所述电路的电子信号。
图2是可以使用上文公开的微接触印刷方法由金属导体制造的电阻器(R)元件的实施例的示意图。电阻器元件200包括202和204两个电极（末端)。这些电极可以足够大，以在电阻器被装配到电子电路中时足以连接至这种电路中的其他元件。连接到各电极202和204的是固体导电部分206，其充当各电极与电阻网状结构元件208任一侧的电连接器。薄膜金属的网状结构元件208可以设计成产生可预测电阻值。例如，包含六个2微米直径×500微米长且各迹线之间10微米的导电迹线的铜网状结构元件可以提供约13Ω的电阻。通过改变网状结构元件的尺寸和厚度，可以生成电阻值为约10Ω至约10kΩ、或约25Ω至约5kΩ的电阻器。
图3a是可以用在所提供的电容传感器的实施例中的电容元件的示意图。电容元件300为平面或交指电容器。端子302和302连接至梳状导电元件308，这些梳状导电元件308未被电连接，而是互相交指。图3b是电容元件300的一部分的分解图。图3b示出具有朝向端子304（分解图中未示出）从其伸出的梳状元件312的端子302。图3b还示出位于梳状元件312之间但未触及梳状元件312的梳状元件314。梳状元件314被连接至端子304。交指的几何形状提供大量的电荷存储容量。例如，如果图3a中所示电容元件具有5微米的导电迹线和5微米的迹线间间隔，那么如果电容器的面积为1mm2，则所述电容器可以具有约1.5至约2.0皮法拉的电容值。如果电容器的面积为1cm2，则电容器可以具有约150至约200皮法拉的电容值。典型的电容值范围为约0.25至约250皮法拉或约1至约200皮法拉。在一些实施例中，构成交指电容器的梳状元件的迹线在2微米和25微米之间，优选地在3微米和20微米之间，更优选地在5微米和15微米之间。作为上述交指电容器的替代形式，本发明的某些集成电容器为平行板电容器。平行板电容器包括下电极、电介质层和上电极。可用的电介质的例子包括可印刷聚合物、溶胶凝胶金属氧化物和阳极氧化物。可用的电介质厚度的例子包括在0.05微米和20微米之间，优选地在0.1微米和10微米之间，最优选地在0.25微米和5微米之间的厚度。
图4是可以用在所提供的电容传感器的实施例中的电感元件的示意图。电感器400包括外电极402和内电极406。导电迹线410连接外电极402和内电极406并且遵循所示的大体上螺旋的路径。如所示地，电介质408设置在导电迹线410上方，以允许导电跳线407将内电极406连接至外电极404，以便于当将电感器400装配到电路中时进行连接。电介质408将导电跳线407与导电迹线410隔离。
测定螺旋电感器的电感系数的简单公式为
L=μon2r=1.2×10-6n2r
其中n为匝数并且r为半径。半径为线圈中部所测量。例如，使用n=6和r=180微米，L经计算为约0.008微亨(μH)。在类似空间中放置更多线圈将使电感值增大。例如，以100微米内半径开始并之后使用5微米线材和5微米间隔，25匝将产生电感值为约0.181μH的电感器。
图5至图7是可以使用例如所述那些电阻、电容和电感元件的组合制成的简单低通滤波器的电路图。图5是RC低通滤波器的示意图。滤波器500使电子信号输入502经过具有平行电容元件512的系列电阻元件510，以产生经过滤的信号输出504。低通滤波器的截止频率可以由电阻元件510和电容元件512的电阻值和电容值来确定。
以类似方式，图6是RL低通滤波器的示意图。滤波器600使电子信号输入602经过系列电阻元件610和系列电感元件614，以产生经过滤的信号输出604。低通滤波器的截止频率可以由电阻元件610和电感元件614的电阻值和电感值来确定。
图7是LC带通滤波器的示意图。滤波器700使电子信号输入702经过系列电容的元件712和系列电感元件714，以产生经过滤的信号输出704。低通滤波器的带通频率可以由电容元件712和电感元件714的触摸电容值和电感值（在其电场附近、周围、或之内）确定。
图8是所提供的电容传感器的实施例的示意图。图8示出电容传感器800。传感器800包括具有表面的基底803。导电迹线802的感测图案与低通滤波器804一起设置在基底的表面上。低通滤波器804包括设置在所示基底的表面上的至少第一无源电路元件。在图8所示的实施例中，检测电子器件806不位于基底803上。
本发明还涉及用于将信息或指令触摸输入电子装置（如计算机、移动电话等）内的接触传感器或近程传感器。这些传感器对可见光透明，并且可以与显示器直接组合使用，覆盖显示元件，并且与显示器驱动装置接口（作为“触摸屏”传感器）。传感器元件可以具有片状形式并且可以包括至少一个电绝缘的可见光透明基底层，所述基底层支承以下中的一者或多者：i)导电材料（如金属），其为网状结构，被图案化至具有两个不同网状结构设计的基底表面的两个不同区域上，以生成具有不同的有效薄层电阻值的两个区域，其中所述区域中的至少一个为位于传感器的触摸感测区域内的透明导电区域；ii)导电材料（如金属），其被图案化至呈网状结构几何形状的基底表面上，以生成位于传感器的触摸感测区域内并且表现出各向异性有效薄层电阻的透明导电区域；和/或iii)导电材料（如金属），其被图案化至有效电连续透明导电区域内的呈网状结构几何形状的基底表面上，所述几何形状在所述区域内改变，在至少一个方向上生成局部有效薄层电阻的不同值（如连续改变透明导电区域的薄层电阻），其中所述区域位于触摸传感器的感测区域内。
触摸传感器的感测区域是旨在覆盖的传感器区域或覆盖信息显示器可见部分的区域，该区域对可见光透明，以便允许看到信息显示器。信息显示器的可观看部分是指信息显示器的具有可变信息内容的部分，例如显示器“屏幕”的被像素（如液晶显示器的像素）占据的部分。可以集成本发明的传感器的可用显示器的实例包括液晶显示器、阴极射线管显示器、等离子体显示面板和有机发光二极管显示器。
在另一方面，提供制备电容传感器的方法，其包括提供含有设置于其上的金属涂层的基底。以上已描述所述基底和所述金属涂层组件。所述方法还包括：蚀刻所述金属，以形成设置在基底上的导电金属迹线构成的感测图案。包括金属导体的至少一个无源电路元件设置在基底的同一表面上。所提供的方法还可以包括在蚀刻所述金属涂层之前使油墨压模的凸起结构接触金属涂层。油墨压模可以包括自组装单层形成分子。
通过以下实例进一步说明了本发明的目的和优点，但是这些实例中叙述的特定材料及其用量、以及其他条件和细节不应理解为对本发明进行不当限制。
实例
使用微接触印刷和蚀刻，将无源电路元件集成到透明聚合物膜基底上。
实例1-7–集成电阻器
通过以下步骤将电阻器元件集成到聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET,MELINEX ST504膜，得自特拉华州维明顿的杜邦公司(E.I.du Pont deNemours,Wilmington,Delaware)）膜基底上：i)通过热蒸镀用金属薄膜（3纳米铬附着层，然后是100纳米的银）涂布PET基底；ii)将烷硫醇（正十八硫醇，得自俄勒冈州波特兰的梯希爱美国公司(TCI America,Portland,Oregon)）自组装单层的图案微接触印刷（10秒）至银表面上；湿化学蚀刻所述金属，以便在印刷的自组装单层的图案中产生集成电阻器。湿化学蚀刻剂为20mM硝酸铁（威斯康星州密尔沃基的奥德里奇化学公司(Aldrich Chemical Company,Milwaukee,Wisconsin)）和30mM硫脲（威斯康星州密尔沃基的奥德里奇化学公司）的水溶液。
使用含有硅片上的光致抗蚀剂图案的母板（用标准技术制造），由聚二甲基硅氧烷（PDMS,SYLGARD 184，密歇根州米德兰的道康宁公司(Dow Corning,Midland,Michigan)）模制所述印刷压模。所述压模包括在多个电阻器的所需图案中的凸起结构的凸纹图案。通过在印刷之前与烷硫醇的乙醇溶液(10mM)接触17.5小时，将压模上油墨。
参见图2，各电阻器包括两个电极（末端）和电阻网状结构元件。在各情况下测量电阻网状结构元件，电极之间的长度为大约30毫米，并且宽度为大约1毫米。对于实例1-7中的每个，用不同设计制造电阻网状结构元件。实例1-7的所有电阻网状结构元件由布置成方格网形式的导电金属迹线构成，但方格网具有不同尺寸。更具体地讲，方格网在其标称迹线宽度和其标称开孔方面有所变化。开孔是指在未被金属覆盖的电阻网状结构元件区域内的面积分数。表1提供实例1-7的集成电阻器的标称迹线宽度和标称开孔，以及在制造后每次测得的实际电阻。
表1
测得的集成电阻器电阻
实例8-13-集成电容器
通过以下步骤将电容器元件集成到聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET,MELINEX ST504，得自特拉华州维明顿的杜邦公司）膜基底上：i)通过热蒸镀用金属薄膜（3纳米铬附着层，然后是70纳米的金）涂布PET基底；ii)将烷硫醇（正十八硫醇，得自俄勒冈州波特兰的梯希爱美国公司；或正二十烷硫醇，得自英国西米德兰的西布拉米奇的罗宾逊兄弟公司(Robinson Brothers,West Bromwich,West Midlands,UnitedKingdom)）自组装单层的图案微接触印刷（10秒）至金表面上；湿化学蚀刻所述金属，以便在印刷的自组装单层的图案中产生集成电阻器。湿化学蚀刻为大约5体积%的6N盐酸的水溶液、大约5体积%的水性15重量%过氧化氢溶液和大约90体积%的5重量%的硫脲水溶液（所有试剂可购自威斯康星州密尔沃基的奥德里奇化学公司）。
使用包括光致抗蚀剂图案的母板（用标准技术制造），由聚二甲基硅氧烷（PDMS,SYLGARD 184，得自密歇根州米德兰的道康宁公司）模制所述印刷压模。所述压模包括在多个电容器的所需图案中的凸起结构的凸纹图案。在印刷之前，通过与烷硫醇的乙醇溶液（正十八硫醇，10mM；正二十烷硫醇，5mM）接触，将所述压模上油墨。实例13使用正二十烷硫醇。参见图3，各电容器包括连接至交指梳状导体元件的两个端子。各个情况下的交指电容器包括覆盖方形形式的交指电容器区域的梳状元件。对于实例8-13中的每个，用不同设计制造电容器元件。实例8-13的所有电容器元件由布置成交指梳状元件形式的导电金属迹线构成，但所述电容器具有不同组合的面积、梳状元件迹线宽度和梳状元件间距。表2提供实例8-13的集成电容器的标称梳状元件迹线宽度、标称梳状元件间距和电容器面积，以及在制造之后每次测得的实际电容。
表2
交指电容器的电容
不偏离本发明的范围和精神的前提下，对本发明的各种改进和改变对于本领域技术人员将是显而易见的。应当理解，本发明不旨在不恰当地限于本文提供的示例性实施例和实例，这些实例和实施例仅以举例的方式提出，而且本发明的范围旨在仅受以下权利要求书的限制。在本公开中引用的所有参考文献的全部都以引证的方式并入本申请。

Claims (19)

1.一种电容传感器，所述电容传感器包括：
基底，具有表面；
金属导电迹线构成的触摸感测图案，设置在所述基底的所述表面上；以及
第一无源电路元件，包括设置在所述基底的同一表面上的金属导体。
2.根据权利要求1所述的电容传感器，其中所述基底包括对可见光透明的基底。
3.根据权利要求2所述的电容传感器，其中所述基底包含透明聚合物。
4.根据权利要求1所述的电容传感器，其中所述金属导电迹线构成的所述感测图案和所述第一无源电路元件的所述金属导体包括相同的材料。
5.根据权利要求1所述的电容传感器，其中所述金属导电迹线构成的所述感测图案的厚度和所述第一无源电路元件的所述金属导体的厚度大体上相同。
6.根据权利要求1所述的电容传感器，其中所述第一无源电路元件包括含有金属迹线的电阻器、电容器或电感器。
7.根据权利要求6所述的电容传感器，其中所述第一无源电路元件包括电阻器，所述电阻器包括金属迹线构成的网状结构。
8.根据权利要求7所述的电容传感器，其中所述网状结构包括宽度小于约2微米的金属迹线。
9.根据权利要求6所述的电容传感器，其中所述电阻器具有约1Ω至约1,000Ω的电阻。
10.根据权利要求6所述的电容传感器，其中所述电容器具有约1皮法拉至约200皮法拉的电容值。
11.根据权利要求6所述的电容传感器，其中所述电感器具有约0.01亨至约1.00亨的电感值。
12.根据权利要求1所述的电容传感器，还包括一个或多个另外的无源电路元件，所述另外的无源电路元件包括设置在所述基底的同一表面上的金属导体。
13.根据权利要求12所述的电容传感器，其中所述一个或多个另外的无源电路元件形成电子电路的至少一部分。
14.根据权利要求13所述的电容传感器，其中所述电子电路用作低通滤波器、高通滤波器或带通滤波器。
15.根据权利要求4所述的电容传感器，其中所述低通滤波器大体上滤掉高于约100kHz的高频率。
16.根据权利要求1所述的电容传感器，其中所述金属导电迹线、所述无源电路元件的金属导体或这两者包含铜、银、金或它们的组合。
17.一种制备电容传感器的方法，所述方法包括：
提供基底，所述基底包含设置于其上的金属涂层；以及
蚀刻所述金属，以形成设置在所述基底上的由导电金属迹线构成的触摸感测图案；以及包含设置在所述基底的同一表面上的金属导体的至少一个无源电路元件。
18.根据权利要求17所述的制备电容传感器的方法，还包括在蚀刻所述金属涂层之前使油墨压模的凸起结构接触所述金属涂层。
19.根据权利要求18所述的制备电容传感器的方法，其中所述油墨压模包含自组装单层形成分子。
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