CN102823003A - 用于光电装置的互连件 - Google Patents

用于光电装置的互连件 Download PDF

Info

Publication number
CN102823003A
CN102823003A CN2011800166158A CN201180016615A CN102823003A CN 102823003 A CN102823003 A CN 102823003A CN 2011800166158 A CN2011800166158 A CN 2011800166158A CN 201180016615 A CN201180016615 A CN 201180016615A CN 102823003 A CN102823003 A CN 102823003A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cross tie
tie part
main body
narrow groove
part main
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011800166158A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102823003B (zh
Inventor
瑞恩·林德曼
凯丝·约翰斯顿
符勝
马修·道森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maikesheng Solar Energy Co ltd
Original Assignee
SunPower Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SunPower Corp filed Critical SunPower Corp
Priority to CN201610076785.XA priority Critical patent/CN105679855B/zh
Publication of CN102823003A publication Critical patent/CN102823003A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102823003B publication Critical patent/CN102823003B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/142Energy conversion devices
    • H01L27/1421Energy conversion devices comprising bypass diodes integrated or directly associated with the device, e.g. bypass diode integrated or formed in or on the same substrate as the solar cell
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/024Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/044PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/052Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

本发明披露了一种用于光电装置的互连件。互连件可以包括应力消除特征部。互连件可以包括L形特征部。

Description

用于光电装置的互连件
技术领域
本发明的实施例涉及再生能源领域,并且具体地说,涉及用于光电装置的互连件。
背景技术
发光二极管(LED)和光伏(PV)装置是光电装置的两种常见的类型。当为制造和发展而评估光电系统(诸如包括LED装置和PV装置的系统等)时,可考虑该系统的热量管理和该系统的组装。例如,装置系统的具有电池互连件的区域是为改进热量管理、应力管理和组装而准备的区域。制造和发展这种系统的挑战包括:对互连件中低阻热路径的可能的需求,以及对与互连件联接的电池的灵活的调节。
附图说明
图1A示出根据本发明实施例的层叠式光伏系统的剖视图。
图1B示出根据本发明实施例的层叠式光伏系统的平面图。
图2示出根据本发明实施例的用于光电装置的互连件的平面图。
图3示出根据本发明实施例的用于光电装置的互连件的突显了竖直凸部的剖视图。
图4示出根据本发明实施例的用于光电装置的互连件的突显了焊剂预型件的等轴视图。
图5示出根据本发明示例性实施例的光电系统的具有内部旁路二极管的一部分的等轴视图。
图6示出根据本发明的实施例的可被分割以提供一对端子互连件的联接式互连件。
具体实施方式
下面对用于光电装置的互连件进行说明。在下述说明中,列举了诸如互连件中应力消除特征部的具体布置等许多具体的细节,以便于提供对本发明实施例的全面的理解。显然,对本领域技术人员来说,可以在没有这些具体细节的情况下实施本发明的实施例。在其他情况下,没有详细描述诸如层叠(层压)技术等公知的制造技术,以避免不必要地使本发明的实施例难以理解。此外,应该理解,图中所示出的各个实施例是示意性地表示的而没有必要按比例绘制。
现在描述用于光电装置的互连件。在一个实施例中,用于光电装置的互连件包括互连件主体,互连件主体包括内表面、外表面、第一端和第二端。互连件还包括在第一端和第二端之间与互连件主体的内表面联接的多个接合焊盘。互连件还包括应力消除特征部,应力消除特征部形成在互连件主体上,应力消除特征部具有多个T形槽,每个T形槽与多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘大致对准,每个T形槽的竖直部分靠近多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘,并且每个T形槽的水平部分远离多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘。
在一个实施例中,用于光电装置的互连件包括内表面、外表面、第一端和第二端。互连件还包括在第一端和第二端之间与互连件主体的内表面联接的多个接合焊盘。互连件还包括特征部,特征部形成在互连件主体中,特征部具有位于互连件主体的第一端的第一L形延伸部和位于互连件主体的第二端的第二L形延伸部,第一L形延伸部和第二L形延伸部中的每一个的水平基部靠近互连件主体的内表面并且远离互连件主体的外表面。
根据本发明的实施例,具有一个或多个应力消除特征部或L形特征部的互连件用于改进光伏系统的可靠性以及降低电池焊接接头、电池互连件以及层叠(in-laminate)旁路二极管中的应力水平。在一个实施例中,在与互连件接合并且密封在光伏层叠制品内的部件里的应力水平降低。在一个实施例中,由于在此描述的互连件的设计解决了暴露于低温的密封剂的大的热膨胀系数和刚度的快速增大的问题,因此新的互连件设计相对于常规的互连件设计作出了改进。
在一个实施例中,设计到互连件中的应力消除特征部用于与互连件连接的全部部件。例如,可以使用与电池互连件一体化的一系列不同结构来降低每个部件连接处的应力以及降低沿着一系列互连件而出现的应力。在一个实施例中,应力消除特征部被设计为允许沿部件因相连的光伏系统的大的温度剧变而将张紧的方向自由运动。
可以典型地预期:密封剂减小了光伏(PV)层叠制品中因密封剂的弹性模量而产生的应力。然而,根据本发明的实施例,在接近室外极限温度的极低温度下或者在无加热的飞机储存间里,密封剂能够接近其玻璃化转变温度。在玻璃化转变温度下,模量可以提高三个数量级。此时,由于密封剂具有非常大的热膨胀系数,因此密封剂变为封装内的应力源(stress driver)。因此,在实施例中,设计并利用应力消除特征部来降低因低温而造成的密封剂变硬和收缩的影响。
与层叠的光伏系统的可靠操作有关的普遍的挑战是:将温度剧变期间产生的热应力最小化。在图1A和图1B中提供了根据本发明实施例的这种层叠式光伏系统的实例。
参考剖视图形式的图1A和平面图形式的图1B,典型的层叠式太阳能电池封装100包括通过金属互连件104而接合的半导体太阳能电池102的阵列,半导体太阳能电池102被封装在位于玻璃覆盖件108与可挠曲聚合物背板110之间的聚合物层106内。为了改善系统的性能,如图1A和图1B所示,太阳能电池封装100上也可以一体化有:位于电池互连件104之间的旁路二级管112,以及散热片114(通过热粘结剂116)。本发明所涉及的层叠式太阳能电池封装可以是诸如在2010年7月27日提交的名称为“具有旁路二极管的光电装置”的转让给太阳能公司的US专利申请12/844,594中描述的层叠式太阳能电池,该专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。
典型地,有赖于作为应力消除特征部的软聚合物密封剂,光伏设计者可以专注于在热剧变期间作为首要应力源的玻璃、铜互连件和硅电池的热膨胀失配。然而,在一个实施例中,在极冷的温度下,密封剂经常达到其玻璃化转变温度,并且刚度模量可以提高两个数量级。除了刚度的快速改变之外,聚合物密封剂可以具有比玻璃和金属大数倍的相对高的热膨胀系数。在这些条件期间,典型的软的密封剂可变成封装中的主应力源。
极冷的温度通常是于夜晚在室外环境中实现的以及在运输期间在无加热的飞机储存间里实现的。根据本发明的示例性实施例,为了初始资格以及提高的可靠性,重要的是使互连件的设计能够减小联接在一起的部件(例如,主要是旁路二极管与电池)上的应力。除了热应力之外,还需要使旁路二极管与安装在层叠式封装的背面的散热片之间的热耦合最大化,以防止在以旁路模式操作时二极管的热失效。
在本发明的一个方面中,通过在每个互连部件上引入若干应力消除特征部以及通过将附加散热表面延伸至散热片下方紧贴二极管连接点的区域,减小了低温以及所有中间范围中由密封剂所引入的应力。例如,图2示出了根据本发明实施例的用于光电装置的互连件的平面图。
参考图2,互连件200包括互连件主体202,互连件主体202具有内表面204、外表面206、第一端208和第二端210。在第一端208和第二端210之间,多个接合焊盘212分别与互连件主体202的内表面204联接。在一个实施例中,如下文中所详述,在互连件主体202中形成有一个或多个应力消除特征部。
再次参考图2,根据本发明的实施例,互连件200的应力消除特征部是窄槽C1,窄槽C1设置在第一端208和第二端210之间的大致正中间的位置。窄槽C1包括开口,开口位于互连件主体202的内表面204上并延伸到互连件主体202内但是并不贯穿互连件主体202的外表面206。
在一个实施例中,特征部C1是在互连件200的中央切割出的窄槽,如果与互连件200刚性连接的两个电池(例如在图2中部分示出的电池250和电池252)旋转以形成有效的V形(见图2中C1下方的箭头),窄槽允许互连件根据需要在互连件的中间平面处弯曲。考虑到互连件沿着电池的线性列的周期性布置(如图1B所示),这种旋转可以是常见的。在一个实施例中,基于电池的预期位移以及在互连件和与电池联接的接合焊盘中的最大允许应力来确定C 1的长度。在一个具体的实施例中,用于12毫米宽的互连件的特征部C1的长度典型地为大约7毫米。然而,如果C1的长度过长,其可能会限制电流流动并增加过量的欧姆损耗。在一个实施例中,基于与冲切或冲压操作相关联的制造公差以及减小窄槽顶端的应力的需求来确定C1的宽度。在一个具体实施例中,特征部C1的典型宽度大致在0.5毫米至1毫米的范围内,并且顶端是半圆形纯圆角以减小应力集中。小的宽度还可以限制欧姆瓶颈(Ohmic bottleneck)的长度,这可以传导一串列电池的全光电流。
再次参考图2,根据本发明的实施例,互连件200的应力消除特征部是多个T形槽C2,每个T形槽C2与多个接合焊盘212中相应的一个接合焊盘大致对准。每个T形槽C2的竖直部分220靠近多个接合焊盘212中相应的一个接合焊盘,并且每个T形槽C2的水平部分222远离多个接合焊盘212中相应的一个接合焊盘。
在一个实施例中,特征部C2是互连件200中的T形槽,该T形槽允许互连件200相对于电池(例如电池250或252)旋转以及法向位移。在极冷的温度下,密封剂可以达到其玻璃化转变温度,由于密封剂高的热膨胀系数,密封剂用作应力源。令人惊讶的是,在这种条件下,密封剂可以拉拽互连件靠近电池。在一个实施例中,特征部C2允许互连件200朝向电池发生小的变形以松弛密封剂中的应变,限制电池-互连件连接处的应力。在一个具体的实施例中,三个与电池连接的连接件(例如,在互连件200的右侧与电池252连接的三个连接件)中的每个连接件为在串列中传导的累积光电流起到大约三分之一的贡献。在这些连接件之间以及这些连接件下方,电流可以基本在互连件200的位于C2特征部下方的较宽部分中流动。在这个具体实施例中,与该特征部相关联的I2R(电阻)损失为低。
再次参考图2,根据本发明的实施例,互连件200的应力消除特征部是竖直凸部C3,竖直凸部C3位于多个接合焊盘212之一与互连件主体202的内表面相联接的位置或位于该位置附近。图3示出根据本发明实施例的用于光电装置的互连件的突显了竖直凸部的剖视图。
参考图3,在一个实施例中,特征部C3是互连件200中的竖直凸部,当互连件200被密封剂390拉拽得靠近电池(例如电池252)时,竖直凸部形成平面外机械联接件。此外,在一个具体实施例中,较薄的区域不但减小了电池252与互连件200之间的应力,还减小了散热片392、电池252以及互连件200之间的高度差,降低了从电池252和与之相连的二极管到周围环境的热阻。
此外,参考图4,在一个实施例中,可以在互连件200的电池接合焊盘212上添加焊接图案499。在一个实施例中,通过在互连件200上预加工焊接焊盘,与在电池-互连件的焊接期间分散焊膏的情况相比,能够通过更紧凑的过程控制更全面地对电池阵列执行串接或接线。
再次参考图2,根据本发明的实施例,互连件200的应力消除特征部是槽D1的组合。D1包括位于靠近互连件200的第二端210并且远离互连件200的第一端208的位置的第一窄槽。第一窄槽包括开口,开口位于互连件主体202的外表面206上并且延伸到互连件主体202内但是并不贯穿互连件主体202的内表面204。D1还包括位于第一窄槽和第二端210之间的第二窄槽。第二窄槽位于内表面204和外表面206之间并且分别与内表面204和外表面206垂直,但是第二窄槽不通往内表面204和外表面206。此外,如图2所示,第二窄槽与多个T形槽当中位于最外侧的T形槽C2的水平部分联接。
在一个实施例中,特征部D1被特别设计为允许互连件200的端部208和端部210延长或缩短,以减小二极管封装上的应力并减小可能在电池阵列的整个长度上出现的任何长范围的应力。在一个具体的实施例中,特征部D 1包括开在互连件200的外侧边缘206的直槽和在每个接合焊盘212处附加于T形槽C2的附加槽。在一个具体的实施例中,特征D1还允许在焊接或接合组装的操作期间二极管与互连件200之间的接合部的膨胀。如果在没有特征部D1的情况下使用焊接步骤来连接二极管,则随着部件从焊接温度冷却下来,应力可能增加。在一个具体的实施例中,对于具有若干互连件和二极管的长串列,该应力是可观的,并且在层压期间将导致二极管的早期失效,以及导致电池从标称位置移位。
在一个实施例中,在电池的标准操作模式下,由于几乎没有电流流过二极管,因此特征部D1对电路具有最小的电冲击。电池连接件取向为使得互连件200的最外侧区域(左端和右端)传导大致三分之一的由电池所产生的累积光电流。结果,实施例中特征部D1附近的I2R损失明显小于如果将该特征部D1设置为更靠近互连件200的中央时特征部D1附近的I2R损失,即便二极管未处于旁路模式,在互连件200的中央也经常流过更大的电流。当二极管处于旁路模式时,串列的全光电流可以从特征部D1及其周围流过。从而,在一个实施例中,D1变为较大的电损失源。然而,与旁路模式下半导体内的能量的其他损失相比,该电损失为小。
再次参考图2,根据本发明的实施例,互连件200包括形成在互连件主体202中的特征部T1。特征部T1包括位于互连件主体202的第一端208的第一L形延伸部,以及位于互连件主体202的第二端210的第二L形延伸部。第一L形延伸部和第二L形延伸部中每一个的水平基部靠近互连件主体202的内表面204并远离互连件主体202的外表面206。
在一个实施例中,特征部T1被设计为增加二极管与部分地在互连件200上延伸的散热片之间的热耦合。例如,图5示出根据本发明示例性实施例的光电系统的具有内部旁路二极管的一部分的等轴视图。
参考图5,在一个实施例中,互连件200的一个(或一对)L形延伸部允许附加散热片392紧贴地鳍式联接至二极管(例如电池500旁路二极管)502,以便为操作在旁路模式下的二极管减小其与周围环境的热梯度。在一个具体的实施例中,二极管502的降低的温度还有助于减小任何因其他局部热点而产生的热应力。在一个实施例中,L形延伸部是用于增大互连件与安装在光电系统上的散热片之间的热耦合的延伸区域。
应当理解,在互连件中可以包括上述特征部和应力消除特征部的不同组合或者甚至单独使用。例如,在一个实施例中,用于光电装置的互连件包括互连件主体,互连件主体包括内表面、外表面、第一端和第二端。多个接合焊盘在第一端和第二端之间与互连件主体的内表面联接。在互连件主体中形成有应力消除特征部。应力消除特征部包括多个T形槽,每个T形槽与多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘大致对准,每个T形槽的竖直部分靠近多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘,并且每个T形槽的水平部分远离多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘。
在另一个实施例中,用于光电装置的互连件包括互连件主体,互连件主体具有内表面、外表面、第一端和第二端。多个接合焊盘在第一端和第二端之间与互连件主体的内表面联接。特征部形成在互连件主体上,特征部包括位于互连件主体202的第一端208的第一L形延伸部,以及位于互连件主体202的第二端210的第二L形延伸部。第一L形延伸部和第二L形延伸部中的每一个的水平基部靠近互连件主体的内表面并远离互连件主体的外表面。
在另一个实施例中,用于光电装置的互连件包括互连件主体,互连件主体具有内表面、外表面、第一端和第二端。多个接合焊盘在第一端和第二端之间与互连件主体的内表面联接。在互连件主体中形成有应力消除特征部,应力消除特征部具有多个T形槽,每个T形槽与多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘大致对准。每个T形槽的竖直部分靠近多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘。每个T形槽的水平部分远离多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘。互连件还包括位于互连件主体的第一端的第一L形延伸部。第二L形延伸部位于互连件主体的第二端。第一L形延伸部和第二L形延伸部中的每一个的水平基部靠近互连件主体的内表面并远离互连件主体的外表面。
在一个实施例中,应力消除特征部还包括第一窄槽,第一窄槽位于第一端和第二端之间的大致正中间的位置。第一窄槽具有开口,该开口位于互连件主体的内表面上并且延伸到互连件主体内但是并不贯穿互连件主体的外表面。应力消除特征部还包括第二窄槽,第二窄槽位于靠近第一端并远离第二端的位置。第二窄槽具有开口,该开口位于互连件主体的外表面上并且延伸到互连件主体内但是并不贯穿互连件主体的内表面。应力消除特征部还包括位于第二窄槽与第一端之间的第三窄槽。第三窄槽位于内表面和外表面之间并且与内表面和外表面垂直,但是第二窄槽不通往内表面和外表面。另外,第三窄槽与多个T形槽中位于最外侧的T形槽的水平部分联接。应力消除特征部还包括竖直凸部,竖直凸部位于多个接合焊盘之一与互连件主体的内表面相联接的位置或者位于该位置附近。
根据本发明的一个实施例,在此涉及的互连件是联接式互连件。如上文结合图2、图4和图5所述,联接式互连件可以用于将两个光电池联接起来。然而,在另一个实施例中,互连件是端子互连件。例如,图6示出根据本发明的实施例的可被分割以提供一对端子互连件的联接式互连件。
参考图6,联接式互连件600包括第一半部602和对称的第二半部604,第二半部604在位置606处与第一半部602相接合。联接式互连件600包括应力消除特征部608以及诸如L形特征部610等上述其他特征部。可以沿着轴线612将联接式互连件600分割开以提供两个端子互连件。
根据上述对图2至图4以及图6的论述,在光电系统中可以包括诸如互连件200或互连件600等多个互连件。从而,根据本发明的一个实施例,光电系统包括多个成对的光电装置。在一个实施例中,每个光电装置是背面接触式太阳能电池。光电系统还包括多个旁路二极管,旁路二极管中的一个或更多个设置在每对光电装置之间。光电系统还包括多个散热单元,散热单元中的一个或更多个设置每个旁路二极管上方并在每个旁路二极管上方延伸。光电系统还包括多个散热片,散热片中的一个或更多个设置在每个散热单元的上方。在一个实施例中,光电系统、互连件或成对的互连件设置在成对的光电装置之间,例如设置在成对的太阳能电池之间。在一个实施例中,互连件中的一个或更多个具有应力消除特征部和L形特征部中一个或更多个,例如上文所述的与互连件200和600相关联的应力消除特征部和L形特征部。
根据本发明的实施例,制造用于光电装置的互连件的方法包括:形成互连件主体,该互连件主体具有内表面、外表面、第一端、第二端以及在第一端和第二端之间与互连件主体的内表面联接的多个接合焊盘。该方法还包括在互连件主体中形成一个或多个应力消除特征部和L形特征部,例如上文所述的与互连件200和600相关联的应力消除特征部和L形特征部。
从而,已披露了用于光电装置的互连件。根据本发明的实施例,用于光电装置的互连件包括应力消除特征部。在一个实施例中,互连件包括具有内表面、外表面、第一端和第二端的互连件主体。多个接合焊盘在第一端和第二端之间与互连件主体的内表面联接。在互连件主体中形成有应力消除特征部。应力消除特征部包括多个T形槽,每个T形槽与多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘大致对准,每个T形槽的竖直部分靠近多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘,并且每个T形槽的水平部分远离多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘。根据本发明另一个实施例,用于光电装置的互连件包括L形特征部。在一个实施例中,互连件包括具有内表面、外表面、第一端和第二端的互连件主体。多个接合焊盘在第一端和第二端之间与互连件主体的内表面联接。特征部形成在互连件主体上,特征部包括位于互连件主体的第一端的第一L形延伸部,以及位于互连件主体的第二端的第二L形延伸部。第一L形延伸部和第二L形延伸部中的每一个的水平基部靠近互连件主体的内表面并远离互连件主体的外表面。

Claims (20)

1.一种用于光电装置的互连件,所述互连件包括:
互连件主体,其包括内表面、外表面、第一端和第二端;
多个接合焊盘,其在所述第一端和所述第二端之间与所述互连件主体的内表面联接;以及
应力消除特征部,其形成在所述互连件主体上,所述应力消除特征部包括多个T形槽,每个T形槽与所述多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘大致对准,每个T形槽的竖直部分靠近所述多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘,并且每个T形槽的水平部分远离所述多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘。
2.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述应力消除特征部还包括窄槽,所述窄槽位于所述第一端和所述第二端之间的大致正中间的位置,所述窄槽包括位于所述互连件主体的内表面上并延伸到所述互连件主体内但并不贯穿所述外表面的开口。
3.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述应力消除特征部还包括:
第一窄槽,其位于靠近所述第一端并且远离所述第二端的位置,所述第一窄槽包括位于所述互连件主体的外表面上并延伸到所述互连件主体内但并不贯穿所述内表面的开口;以及
第二窄槽,其位于所述第一窄槽和所述第一端之间,所述第二窄槽位于所述内表面和所述外表面之间并且与所述内表面和所述外表面垂直,但所述第二窄槽既不通往所述内表面也不通往所述外表面,并且所述第二窄槽与所述多个T形槽中位于最外侧的T形槽的水平部分联接。
4.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述应力消除特征部还包括竖直凸部,所述竖直凸部位于所述多个接合焊盘之一与所述互连件主体的内表面相连接的位置或位于该位置附近。
5.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述应力消除特征部还包括:
第一窄槽,其位于所述第一端和所述第二端之间的大致正中间的位置,所述第一窄槽包括位于所述互连件主体的内表面上并延伸到所述互连件主体内但并不贯穿所述外表面的开口;
第二窄槽,其位于靠近所述第一端并且远离所述第二端的位置,所述第二窄槽包括位于所述互连件主体的外表面上并延伸到所述互连件主体内但并不贯穿所述内表面的开口;
第三窄槽,其位于所述第二窄槽和所述第一端之间,所述第三窄槽位于所述内表面和所述外表面之间并且与所述内表面和所述外表面垂直,但所述第三窄槽既不通往所述内表面也不通往所述外表面,并且所述第三窄槽与所述多个T形槽中位于最外侧的T形槽的水平部分联接;以及
竖直凸部,其位于所述多个接合焊盘之一与所述互连件主体的内表面相联接的位置或者位于该位置附近。
6.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述互连件是联接式互连件。
7.根据权利要求1所述的互连件,其中,所述互连件是端子互连件。
8.一种用于光电装置的互连件,所述互连件包括:
互连件主体,其包括内表面、外表面、第一端和第二端;
多个接合焊盘,其在所述第一端和所述第二端之间与所述互连件主体的内表面联接;以及
特征部,其形成在所述互连件主体中,所述特征部包括位于所述互连件主体的第一端的第一L形延伸部和位于所述互连件主体的第二端的第二L形延伸部,所述第一L形延伸部和所述第二L形延伸部中的每一个的水平基部靠近所述互连件主体的内表面并且远离所述互连件主体的外表面。
9.根据权利要求8所述的互连件,还包括:
应力消除特征部,其包括窄槽,所述窄槽位于所述第一端和所述第二端之间的大致正中间的位置,所述窄槽包括位于所述互连件主体的内表面上并延伸到所述互连件主体内但并不贯穿所述外表面的开口。
10.根据权利要求8所述的互连件,还包括:
应力消除特征部,其包括竖直凸部,竖直凸部位于多个接合焊盘之一与互连件主体的内表面相联接的位置或者位于该位置附近。
11.根据权利要求8所述的互连件,还包括应力消除特征部,所述应力消除特征部包括:
窄槽,其位于所述第一端和所述第二端之间的大致正中间的位置,所述窄槽包括位于所述互连件主体的内表面上并延伸到所述互连件主体内但并不贯穿所述外表面的开口;以及
竖直凸部,其位于所述多个接合焊盘之一与所述互连件主体的内表面相联接的位置或者位于该位置附近。
12.根据权利要求8所述的互连件,其中,所述互连件是联接式互连件。
13.根据权利要求8所述的互连件,其中,所述互连件是端子互连件。
14.一种用于光电装置的互连件,所述互连件包括:
互连件主体,其包括内表面、外表面、第一端和第二端;
多个接合焊盘,其在所述第一端和所述第二端之间与所述互连件主体的内表面联接;
应力消除特征部,其形成在所述互连件主体上,所述应力消除特征部包括多个T形槽,每个T形槽与所述多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘大致对准,每个T形槽的竖直部分靠近所述多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘,并且每个T形槽的水平部分远离所述多个接合焊盘中相应的一个接合焊盘;
第一L形延伸部,其位于所述互连件主体的第一端;以及
第二L形延伸部,其位于所述互连件主体的第二端,所述第一L形延伸部和所述第二L形延伸部中的每一个的水平基部靠近所述互连件主体的内表面并且远离所述互连件主体的外表面。
15.根据权利要求14所述的互连件,其中,所述应力消除特征部还包括窄槽,所述窄槽位于所述第一端和所述第二端之间的大致正中间的位置,所述窄槽包括位于所述互连件主体的内表面上并延伸到所述互连件主体内但并不贯穿所述外表面的开口。
16.根据权利要求14所述的互连件,其中,所述应力消除特征部还包括:
第一窄槽,其位于靠近所述第一端并且远离所述第二端的位置,所述第一窄槽包括位于所述互连件主体的外表面上并延伸到所述互连件主体内但并不贯穿所述内表面的开口;以及
第二窄槽,其位于所述第一窄槽和所述第一端之间,所述第二窄槽位于所述内表面和所述外表面之间并且与所述内表面和所述外表面垂直,但所述第二窄槽既不通往所述内表面也不通往所述外表面,并且所述第二窄槽与所述多个T形槽中位于最外侧的T形槽的水平部分联接。
17.根据权利要求14所述的互连件,其中,所述应力消除特征部还包括竖直凸部,所述竖直凸部位于所述多个接合焊盘之一与所述互连件主体的内表面相连接的位置或位于该位置附近。
18.根据权利要求14所述的互连件,其中,所述应力消除特征部还包括:
第一窄槽,其位于所述第一端和所述第二端之间的大致正中间的位置,所述第一窄槽包括位于所述互连件主体的内表面上并延伸到所述互连件主体内但并不贯穿所述外表面的开口;
第二窄槽,其位于靠近所述第一端并且远离所述第二端的位置,所述第二窄槽包括位于所述互连件主体的外表面上并延伸到所述互连件主体内但并不贯穿所述内表面的开口;
第三窄槽,其位于所述第二窄槽和所述第一端之间,所述第三窄槽位于所述内表面和所述外表面之间并且与所述内表面和所述外表面垂直,但所述第三窄槽既不通往所述内表面也不通往所述外表面,并且所述第三窄槽与所述多个T形槽中位于最外侧的T形槽的水平部分联接;以及
竖直凸部,其位于所述多个接合焊盘之一与所述互连件主体的内表面相联接的位置或者位于该位置附近。
19.根据权利要求14所述的互连件,其中,所述互连件是联接式互连件。
20.根据权利要求14所述的互连件,其中,所述互连件是端子互连件。
CN201180016615.8A 2010-09-29 2011-07-20 用于光电装置的互连件 Active CN102823003B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610076785.XA CN105679855B (zh) 2010-09-29 2011-07-20 用于光电装置的互连件

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/893,765 2010-09-29
US12/893,765 US8426974B2 (en) 2010-09-29 2010-09-29 Interconnect for an optoelectronic device
PCT/US2011/044743 WO2012050652A1 (en) 2010-09-29 2011-07-20 Interconnect for an optoelectronic device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610076785.XA Division CN105679855B (zh) 2010-09-29 2011-07-20 用于光电装置的互连件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102823003A true CN102823003A (zh) 2012-12-12
CN102823003B CN102823003B (zh) 2016-03-09

Family

ID=45869828

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180016615.8A Active CN102823003B (zh) 2010-09-29 2011-07-20 用于光电装置的互连件
CN201610076785.XA Active CN105679855B (zh) 2010-09-29 2011-07-20 用于光电装置的互连件

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610076785.XA Active CN105679855B (zh) 2010-09-29 2011-07-20 用于光电装置的互连件

Country Status (7)

Country Link
US (3) US8426974B2 (zh)
EP (1) EP2622653B1 (zh)
JP (2) JP5846529B2 (zh)
KR (1) KR101779241B1 (zh)
CN (2) CN102823003B (zh)
AU (1) AU2011314342B2 (zh)
WO (1) WO2012050652A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8530990B2 (en) * 2009-07-20 2013-09-10 Sunpower Corporation Optoelectronic device with heat spreader unit
US8636198B1 (en) 2012-09-28 2014-01-28 Sunpower Corporation Methods and structures for forming and improving solder joint thickness and planarity control features for solar cells
JP6352894B2 (ja) * 2015-12-24 2018-07-04 トヨタ自動車株式会社 太陽電池モジュール
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard
CN114203847B (zh) * 2022-02-18 2022-07-15 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种背接触电池连接用异形焊带

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050093128A1 (en) * 2003-09-05 2005-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device, process of producing semiconductor device, and ink jet recording head
US20050268959A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Sunpower Corporation Interconnection of solar cells in a solar cell module
US20080216887A1 (en) * 2006-12-22 2008-09-11 Advent Solar, Inc. Interconnect Technologies for Back Contact Solar Cells and Modules

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3340096A (en) * 1962-02-26 1967-09-05 Spectrolab A Division Of Textr Solar cell array
US3454774A (en) * 1965-09-10 1969-07-08 Globe Union Inc Electrical connector for semiconductor devices
ES491243A0 (es) 1979-05-08 1980-12-16 Saint Gobain Vitrage Procedimiento de fabricacion de paneles de fotopilas solares
US4987474A (en) * 1987-09-18 1991-01-22 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US4927770A (en) 1988-11-14 1990-05-22 Electric Power Research Inst. Corp. Of District Of Columbia Method of fabricating back surface point contact solar cells
US5053083A (en) 1989-05-08 1991-10-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Bilevel contact solar cells
US5011544A (en) 1989-09-08 1991-04-30 Solarex Corporation Solar panel with interconnects and masking structure, and method
US5184019A (en) 1990-03-16 1993-02-02 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Long range alpha particle detector
US5100808A (en) 1990-08-15 1992-03-31 Spectrolab, Inc. Method of fabricating solar cell with integrated interconnect
US5185042A (en) 1991-08-01 1993-02-09 Trw Inc. Generic solar cell array using a printed circuit substrate
US5139427A (en) * 1991-09-23 1992-08-18 Amp Incorporated Planar array connector and flexible contact therefor
US5391235A (en) * 1992-03-31 1995-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module and method of manufacturing the same
US5369291A (en) 1993-03-29 1994-11-29 Sunpower Corporation Voltage controlled thyristor
US5360990A (en) 1993-03-29 1994-11-01 Sunpower Corporation P/N junction device having porous emitter
US5468652A (en) 1993-07-14 1995-11-21 Sandia Corporation Method of making a back contacted solar cell
JP3618802B2 (ja) 1994-11-04 2005-02-09 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
JP3488570B2 (ja) * 1996-03-29 2004-01-19 ローム株式会社 Led発光装置およびこれを用いた面発光照明装置
JP3680490B2 (ja) * 1997-05-29 2005-08-10 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社 可撓性太陽電池モジュール
US5972732A (en) 1997-12-19 1999-10-26 Sandia Corporation Method of monolithic module assembly
US6278054B1 (en) 1998-05-28 2001-08-21 Tecstar Power Systems, Inc. Solar cell having an integral monolithically grown bypass diode
JP2000323208A (ja) 1999-03-10 2000-11-24 Sharp Corp インターコネクタ、その形成方法およびその接合装置
US6274402B1 (en) 1999-12-30 2001-08-14 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6337283B1 (en) 1999-12-30 2002-01-08 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6387726B1 (en) 1999-12-30 2002-05-14 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6423568B1 (en) 1999-12-30 2002-07-23 Sunpower Corporation Method of fabricating a silicon solar cell
US6313395B1 (en) 2000-04-24 2001-11-06 Sunpower Corporation Interconnect structure for solar cells and method of making same
JP2001339091A (ja) 2000-05-29 2001-12-07 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池モジュールとその応力監視方法
US6333457B1 (en) 2000-08-29 2001-12-25 Sunpower Corporation Edge passivated silicon solar/photo cell and method of manufacture
JP4137415B2 (ja) 2000-11-21 2008-08-20 シャープ株式会社 太陽電池セルの交換方法
DE10139441C1 (de) 2001-08-10 2002-10-10 Astrium Gmbh Verfahren zur Reparatur eines Solar-Panels
US6713670B2 (en) 2001-08-17 2004-03-30 Composite Optics, Incorporated Electrostatically clean solar array
KR101252838B1 (ko) 2003-04-04 2013-04-09 비피 코포레이션 노쓰 아메리카 인코포레이티드 태양광 발전기에 대한 성능 모니터
US7378742B2 (en) * 2004-10-27 2008-05-27 Intel Corporation Compliant interconnects for semiconductors and micromachines
DE102004038112B4 (de) 2004-08-05 2006-11-16 Siemens Ag Elektrisches Schaltgerät
DE102004050269A1 (de) 2004-10-14 2006-04-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle
JP4182063B2 (ja) * 2005-01-24 2008-11-19 トヤマキカイ株式会社 リード構造
US7154361B2 (en) 2005-05-04 2006-12-26 General Electric Company Accessories for a rotatable latching shaft of a circuit breaker
US7148774B1 (en) 2005-07-11 2006-12-12 Eaton Corporation Contact assembly
US7732705B2 (en) * 2005-10-11 2010-06-08 Emcore Solar Power, Inc. Reliable interconnection of solar cells including integral bypass diode
JP4986462B2 (ja) * 2006-01-27 2012-07-25 シャープ株式会社 太陽電池ストリングおよびその製造方法、ならびに、その太陽電池ストリングを用いる太陽電池モジュール
US8148627B2 (en) * 2006-08-25 2012-04-03 Sunpower Corporation Solar cell interconnect with multiple current paths
US20090139557A1 (en) * 2007-11-30 2009-06-04 Douglas Rose Busbar connection configuration to accommodate for cell misalignment
US8636198B1 (en) * 2012-09-28 2014-01-28 Sunpower Corporation Methods and structures for forming and improving solder joint thickness and planarity control features for solar cells

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050093128A1 (en) * 2003-09-05 2005-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device, process of producing semiconductor device, and ink jet recording head
US20050268959A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Sunpower Corporation Interconnection of solar cells in a solar cell module
US20080216887A1 (en) * 2006-12-22 2008-09-11 Advent Solar, Inc. Interconnect Technologies for Back Contact Solar Cells and Modules

Also Published As

Publication number Publication date
US8786095B2 (en) 2014-07-22
WO2012050652A1 (en) 2012-04-19
KR20140009976A (ko) 2014-01-23
EP2622653A4 (en) 2016-04-13
CN105679855B (zh) 2017-07-28
EP2622653B1 (en) 2018-12-05
EP2622653A1 (en) 2013-08-07
US20130228906A1 (en) 2013-09-05
JP2013539232A (ja) 2013-10-17
US20140291852A1 (en) 2014-10-02
JP2016054307A (ja) 2016-04-14
KR101779241B1 (ko) 2017-09-18
US9537036B2 (en) 2017-01-03
CN102823003B (zh) 2016-03-09
CN105679855A (zh) 2016-06-15
US20120074576A1 (en) 2012-03-29
AU2011314342A1 (en) 2013-05-02
US8426974B2 (en) 2013-04-23
AU2011314342B2 (en) 2014-07-10
JP5846529B2 (ja) 2016-01-20
JP6159978B2 (ja) 2017-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102823003A (zh) 用于光电装置的互连件
US10483421B2 (en) Solar cell module
US8586857B2 (en) Combined diode, lead assembly incorporating an expansion joint
CN100561756C (zh) 具有光学聚能器的光伏叠层底板
CN103098228B (zh) 用于太阳能电池组件的二极管和散热器
KR102053138B1 (ko) 태양 전지
CN104919597A (zh) 用于太阳能电池串的高效配置
US20120006483A1 (en) Methods for Interconnecting Solar Cells
CN104883124A (zh) 太阳能电池模块
CN107810561A (zh) 太阳能电池的一维金属化
JP5923732B2 (ja) 太陽電池モジュール
US20120312347A1 (en) Solar module and photovoltaic array
CN102376808B (zh) 太阳能电池板
CN102683446A (zh) 太阳能光伏电池组件保护用二极管模块
US20130284232A1 (en) Solar cell module
JP2014175520A (ja) 太陽電池モジュ−ル及びその製造方法
KR101788169B1 (ko) 태양 전지 모듈 및 태양 전지
WO2020001405A1 (zh) 用于太阳能电池组件的保护电路结构件以及太阳能电池组件
CN102782876B (zh) 太阳能电池组件i
CN212851218U (zh) 一种用于led灯连接的pcb板结构
US20210296520A1 (en) Electrically conductive adhesives for solar cell modules
KR101816151B1 (ko) 태양 전지 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220829

Address after: Singapore, Singapore City

Patentee after: Maikesheng solar energy Co.,Ltd.

Address before: California, USA

Patentee before: SUNPOWER Corp.