CN102800727B - 太阳能电池模块 - Google Patents

太阳能电池模块 Download PDF

Info

Publication number
CN102800727B
CN102800727B CN201110356874.7A CN201110356874A CN102800727B CN 102800727 B CN102800727 B CN 102800727B CN 201110356874 A CN201110356874 A CN 201110356874A CN 102800727 B CN102800727 B CN 102800727B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
adhesive film
substrate
conductive adhesive
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201110356874.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102800727A (zh
Inventor
洪钟泾
金泰润
李恩珠
文世泳
俞在民
禹泰基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN102800727A publication Critical patent/CN102800727A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102800727B publication Critical patent/CN102800727B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

一种太阳能电池模块，其包括：多个太阳能电池，所述多个太阳能电池中的每个包括基板和定位在所述基板上的电极部分；互连器，其用于将所述多个太阳能电池中相邻的太阳能电池彼此电连接；和导电粘合剂膜，其定位在所述电极部分和所述互连器之间。所述导电粘合剂膜将每个太阳能电池的所述电极部分电连接到所述互连器。所述导电粘合剂膜包括在所述导电粘合剂膜、所述电极部分和所述互连器的叠置区域中具有第一厚度的树脂，并且所述导电粘合剂膜具有分散在所述树脂中且具有不规则形状的导电颗粒。

Description

太阳能电池模块
技术领域
本发明的实施方式涉及其中使用互连器将相邻的太阳能电池彼此电连接的太阳能电池模块。
背景技术
使用光电转换效应将光能转换成电能的太阳能发电已经广泛用作获得环保型能量的方法。由于太阳能电池的光电转换效率提高，已在诸如房子之类的处所中安装了使用多个太阳能模块的太阳能发电系统。
在太阳能电池模块中，通过以下方式将太阳能电池产生的电力输出到太阳能电池模块的外部：将与各太阳能电池的阳极和阴极连接的导电元件(例如，互连器)连接到引线以将导电元件延伸到太阳能电池模块的外部，并且将引线连接到接线盒以通过接线盒的电源线提取电流。
发明内容
在一个方面，一种太阳能电池模块，其包括：多个太阳能电池，所述多个太阳能电池中的每个包括基板和定位在所述基板上的电极部分；互连器，其被配置为将所述多个太阳能电池中相邻的太阳能电池彼此电连接；和导电粘合剂膜，其定位在每个太阳能电池的所述电极部分和所述互连器之间，所述导电粘合剂膜将每个太阳能电池的所述电极部分电连接到所述互连器。
所述导电粘合剂膜包括在所述导电粘合剂膜、所述电极部分和所述互连器的叠置区域中具有第一厚度的树脂，并且所述导电粘合剂膜具有分散在所述树脂中的多个导电颗粒，其中，所述导电颗粒中的每个均具有不规则形状。
所述导电颗粒可以具有大于所述第一厚度的厚度。其它导电颗粒具有小于所述第一厚度的厚度，并且所述第一厚度是至少两个叠置的导电颗粒的厚度之和。所述互连器和所述电极部分之间的距离保持为所述第一厚度。
所述基板可以具有大约为80μm至180μm的厚度。
所述树脂的所述第一厚度大约为3μm至15μm，并且所述导电颗粒的厚度大约为3μm至15μm。
所述导电颗粒可以由圆形或椭圆形的涂覆有金属的树脂颗粒形成，所述树脂颗粒含有从铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铁(Fe)、镍(Ni)、铅(Pb)、锌(Zn)、钴(Co)、钛(Ti)和镁(Mg)之中选择的至少一种金属作为主要成分。
当所述导电颗粒由圆形或椭圆形的涂覆有金属的树脂颗粒形成时，可以用涂覆有金属的树脂颗粒的直径或涂覆有金属的树脂颗粒在短轴方向上的直径来表示所述导电颗粒的厚度。
所述导电颗粒可以由原子团(radical)金属颗粒形成，所述原子团金属颗粒含有从铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铁(Fe)、镍(Ni)、铅(Pb)、锌(Zn)、钴(Co)、钛(Ti)和镁(Mg)之中选择的至少一种金属作为主要成分。
所述原子团金属颗粒可以表示其中多个突起物不均匀地形成在具有球状形状的金属颗粒的表面上的颗粒。
当所述导电颗粒由原子团金属颗粒形成时，可以用从将形成在金属颗粒表面上的多个突起物的端部彼此连接的虚线所限定的球状形状测得的最短直径来表示导电颗粒的厚度。
当至少两个原子团金属颗粒堆叠时，可以用至少两个原子团金属颗粒的最短直径之和来表示导电颗粒的厚度。
根据上述构造，导电颗粒直接接触互连器和电极部分中的至少一个。导电颗粒中的一些可以嵌入互连器和电极部分中的至少一个。因此，因为电极部分收集的载流子通过导电颗粒直接迁移到互连器，所以提高了电流传输效率。
互连器可以包括导电金属和焊料，所述导电金属由含有等于或小于大约1000ppm的铅(Pb)的无铅材料形成，所述焊料由涂覆在所述导电金属的表面上的含铅材料形成。另选地，所述互连器可以仅包括由含有等于或小于大约1000ppm的铅(Pb)的无铅材料形成的导电金属。
所述电极部分的表面可以是平坦表面或者具有多个不平坦部分的不平坦表面。
所述电极部分可以包括定位在所述基板的第一表面上的多个第一电极。在这种情形下，所述导电粘合剂膜定位在与所述多个第一电极交叉的方向上，并且覆盖所述多个第一电极中的每个的上表面和两侧以及所述多个第一电极之间的间隔的一部分。
在所述导电粘合剂膜和所述多个第一电极之间的非叠置区域中，所述树脂可以具有大于所述第一厚度的第二厚度。
所述导电颗粒的厚度可以小于所述第二厚度。
所述电极部分可以包括定位在所述基板的第一表面上的多个第一电极以及与所述多个第一电极交叉的多个第一电极集流器。在这种情形下，所述导电粘合剂膜在与所述多个第一电极集流器平行的方向上定位在所述多个第一电极集流器上。
所述电极部分可以包括定位在所述基板的第二表面上的第二电极。所述第二电极可以形成在所述基板的整个第二表面上或者可以形成在所述基板的整个第二表面上除了所述基板的所述第二表面的边缘之外。在这种情形下，所述导电粘合剂膜直接接触所述第二电极。
所述电极部分可以包括定位在所述基板的第二表面上的第二电极和与所述第二电极电连接的第二电极集流器。在这种情形下，所述导电粘合剂膜直接接触所述第二电极集流器。
根据上述构造，移动到所述电极部分(例如，第一电极、第一电极集流器、第二电极或第二电极集流器)的载流子通过导电粘合剂的导电颗粒迁移到互连器。
在这种情形下，因为导电颗粒嵌入在互连器中，所以导电颗粒和互连器之间的接触面积增大。因此，电流传输效率和可靠性提高。
另外，因为使用的是导电粘合剂膜，所以可以在低温下执行固定(tabbing)工艺。
在等于或高于220℃的温度下，执行通过使用助焊剂的焊接方法的相关技术的固定工艺。另一方面，因为使用导电粘合剂膜的固定工艺不使用焊接方法而是使用接合方法，所以可以在等于或低于大约180℃的温度下执行固定工艺。因此，与相关技术的固定工艺相比，可以极大地减少固定工艺中产生的基板翘曲现象。
例如，在使用热空气熔化助焊剂的相关技术的固定工艺中，当基板的厚度大约为200μm时，基板的翘曲量等于或大于大约2.1mm。另一方面，在使用导电粘合剂膜的固定工艺中，基板的翘曲量大约为0.5mm。
可以用基板的第二表面的中间部分和外围部分的高度差来表示基板的翘曲量。
随着基板的厚度减小，基板的翘曲量增大。例如，在相关技术的固定工艺中，基板的厚度大约为80μm，基板的翘曲量等于或大于大约14mm。另一方面，在使用导电粘合剂膜的固定工艺中，基板的翘曲量大约为1.8mm。
当基板的翘曲量超过预定值(例如，大约2.5mm)时，在随后的层压工艺中，在基板中产生裂缝或者在太阳能电池模块中产生气泡。因此，在使用相关技术的固定工艺制造的相关技术的太阳能电池模块中，不可能使用薄基板。
另一方面，与相关技术的固定工艺相比，使用导电粘合剂膜的固定工艺可以极大地减小基板的翘曲量。因此，太阳能电池模块可以使用薄基板。
例如，可以通过使用导电粘合剂膜的固定工艺来制造具有大约为80μm至180μm的厚度的基板。因此，因为基板的厚度减小，所以可以降低材料成本。
在相关技术的固定工艺中，在电极部分和互连器之间的界面处可能出现裂缝，或者在互连器的焊料内部可能出现多种材料之间的剥脱现象。因此，可能降低相关技术的太阳能电池模块的输出。另一方面，由于使用导电粘合剂膜的固定工艺，可以解决这些问题。因此，提高了太阳能电池模块的可靠性。
另外，因为在使用导电粘合剂膜的固定工艺中不使用助焊剂，所以可以均匀保持粘合强度并且可以防止或减少误对准现象。因此，可以防止或减少太阳能电池模块的输出降低。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且并入且构成本说明书的一部分，附图示出本发明的实施方式并且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是根据本发明的示例实施方式的太阳能电池模块的平面图；
图2是图1所示的太阳能电池面板的分解透视图；
图3是图1所示的太阳能电池面板的侧视图；
图4是根据本发明的第一实施方式的太阳能电池面板的分解透视图；
图5至图7是示出图4所示的太阳能电池面板中基板的前表面的各种组装构造的剖视图；
图8是图6所示构造中使用的示例导电颗粒的放大图；
图9至图11是基板前表面的平面图，其示出了定位在图4所示的太阳能电池面板中基板的第一表面上的电极部分的各种构造；
图12是根据本发明的第二实施方式的太阳能电池面板的分解透视图；
图13和图14是示出图12所示的太阳能电池面板中基板的前表面的各种组装构造的剖视图；
图15是基板前表面的平面图，其示出了定位在图12所示的太阳能电池面板中基板的第一表面上的电极部分的各种构造；
图16是示出图12所示的太阳能电池面板的基板后表面的各种组装构造的剖视图；
图17和图18是基板后表面的平面图，其示出了定位在图12所示的太阳能电池面板中基板的第二表面上的电极部分的各种构造；
图19是根据本发明的第三实施方式的太阳能电池面板的平面图；
图20是图19所示的太阳能电池面板的局部剖视图；以及
图21是根据本发明的第四实施方式的太阳能电池面板中使用的HIT(具有本征薄层的异质结)太阳能电池的侧视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图更充分地描述本发明的实施方式，在附图中示出本发明的示例实施方式。然而，本发明可以按许多不同形式实现并且不应该被理解为限于本文阐述的实施方式。
在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的元件。应该理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作在另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上或者也可能存在中间元件。相比之下，当元件被称作“直接”在另一个元件“上”时，不存在中间元件。另外，应该理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作“完全”在另一个元件上时，它可以在另一个元件的整个表面上或者可以不在另一个元件的边缘部分上。
图1是根据本发明的示例实施方式的太阳能电池模块的平面图。图2是图1所示的太阳能电池面板的分解透视图。图3是图1所示的太阳能电池面板的侧视图。
在本发明的示例实施方式中，根据本发明的示例实施方式的太阳能电池模块包括太阳能电池面板100。
如图2中所示，太阳能电池面板100包括：多个太阳能电池110；互连器120，其用于将太阳能电池110彼此电连接；保护层130，其用于保护太阳能电池110；透明构件140，其定位在太阳能电池110的光接收表面上的保护层130上；以及背板150，其定位在与太阳能电池110的光接收表面相对的表面上的保护层130下方，并且由不透明材料形成。
如图1中所示，太阳能电池模块包括：框架200，其容纳通过层压工艺形成一体主体的组件110、120、130、140和150；以及接线盒300，其用于收集太阳能电池110产生的电力。
背板150防止水分或氧气渗入太阳能电池面板100的后表面，由此保护太阳能电池110不受外部环境的影响。背板150可以具有包括防水分/氧气渗入层、防化学腐蚀层、具有绝缘特性的层等的多层结构。
当在保护层130分别定位在太阳能电池110上和下方的状态下执行层压工艺时，保护层130和太阳能电池110形成一体主体。保护层130防止由于水分渗入而导致的金属腐蚀，并且保护太阳能电池110免受冲击影响。保护层130可以由诸如乙烯-醋酸乙烯(EVA)之类的材料形成。可以使用其它材料。
保护层130上的透明构件140例如由具有高透光率以及优异的防损坏性能的钢化玻璃形成。钢化玻璃可以是含有少量铁的低铁钢化玻璃。透明构件140可以具有隆起(embossed)的内表面，以增加光的散射效应。
以下参照图2和图3详细描述根据本发明的示例实施方式的太阳能电池模块中包括的太阳能电池面板的电连接结构。图3是太阳能电池110之间的距离的放大图。太阳能电池110彼此隔开预定距离，例如，少于大约3mm的窄距离。
如图1中所示，太阳能电池面板100中包括的多个太阳能电池110按串的形式布置。串是指按行布置并且彼此电连接的多个太阳能电池110。因此，太阳能电池面板100示出为具有四个串，例如，第一串S1至第四串S4。
使用互连器120将布置在串S1至S4中的每串中的太阳能电池110彼此电连接。
如图5中所示，互连器120可以包括：导电金属122，其由含有等于或小于大约1000ppm的铅(Pb)的无铅材料形成；以及焊料124，其由涂覆在导电金属122表面上的含铅材料形成。另选地，如图6和图7中所示，互连器120可以仅包括由含有等于或小于大约1000ppm的铅的无铅材料形成的导电金属122。
在一个串中，例如，在第一串S1中，使用互连器120将在长度方向上彼此相邻定位的太阳能电池110中的一个太阳能电池110的第一电极集流器114(参照图4和图5)电连接到与这个太阳能电池110相邻的另一个太阳能电池110的第二电极集流器117(参照图4和图5)。
按照与互连器120相同的方式，用于将定位在相邻的串的端部的互连器120彼此连接的引线可以包括：导电金属，其由含有等于或小于大约1000ppm的铅(Pb)的无铅材料形成，以及焊料，其由涂覆在导电金属表面上的含铅材料形成；或者可以仅包括由含有等于或小于大约1000ppm的铅的无铅材料形成的导电金属。
以下参照图4至图7详细描述太阳能电池的电极与互连器之间的连接结构。
图4是根据本发明的第一实施方式的太阳能电池面板的分解透视图。图5至图7是示出图4所示的太阳能电池面板中基板的前表面的各种组装构造的剖视图。
根据本发明的第一实施方式的太阳能电池110包括：基板111；发射极层112，其定位在基板111的第一表面(即，光入射到其上的前表面)处；多个第一电极113和多个第一电极集流器114，其定位在发射极层112上；抗反射层115，其定位在上面没有定位第一电极113和第一电极集流器114的发射极层112上；以及第二电极116和第二电极集流器117，其定位在基板111的第二表面(即，与第一表面相对的后表面)上。
太阳能电池110还可以包括位于第二电极116和基板111之间的背场(BSF，backsurfacefield)层。背场层是用与基板111相同导电类型的杂质比基板111更重地掺杂的区域(例如，p+型区)。背场层用作基板111后表面处的势垒。由此，因为背场层防止或减少了基板111后表面周围的电子和空穴的复合和/或消失，所以太阳能电池110的效率得以提高。
基板111是由第一导电类型(例如，p型)的硅形成的半导体基板，尽管这不是必须的。基板111中使用的硅可以是单晶硅、多晶硅或非晶硅。当基板111是p型时，基板111含有诸如硼(B)、镓(Ga)和铟(In)的III族元素的杂质。
可以为基板111的表面赋予纹理，以形成对应于不平坦表面或具有不平坦特性的带纹理表面。当基板111的表面是带纹理表面时，减少了基板111的光接收表面中的光反射。另外，因为在基板111的带纹理表面上同时执行了光入射操作和光反射操作，所以光被限制在太阳能电池110中。因此，对光的吸收增加，并且太阳能电池110的效率提高。另外，因为入射到基板111上的光的反射损失减少，所以入射到基板111上的光量进一步增加。
发射极层112是用与基板111的第一导电类型相反的第二导电类型(例如，n型)的杂质掺杂的区域。发射极层112与基板111一起形成p-n结。当发射极层112是n型时，可以通过用诸如磷(P)、砷(As)和锑(Sb)之类的V族元素的杂质掺杂基板111来形成发射极层112。
当入射到基板111上的光产生的能量施加到半导体内部的载流子时，电子移动至n型半导体并且空穴移动至p型半导体。因此，当基板111是p型并且发射极层112是n型时，空穴移动至p型基板111并且电子移动至n型发射极层112。
另选地，基板111可以是n型并且可以由不同于硅的半导体材料形成。当基板111是n型时，基板111可以包含诸如磷(P)、砷(As)和锑(Sb)之类的V族元素的杂质。
因为发射极层112与基板111一起形成p-n结，所以当基板111是n型时，发射极层112是p型。在这种情形下，电子移动至基板111并且空穴移动至发射极层112。
当发射极层112是p型时，可以通过用诸如硼(B)、镓(Ga)和铟(In)之类的III族元素的杂质掺杂基板111(或其一部分)来形成发射极层112。
发射极层112上的抗反射层115可以由氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)或二氧化钛(TiO2)形成。抗反射层115减少了入射到太阳能电池110上的光的反射并且增加了预定波长带的选择性，由此提高了太阳能电池110的效率。抗反射层115可以具有大约70nm至80nm的厚度。如果需要的话，可以省略抗反射层115。
发射极层112上的多个第一电极113可以被称作指状电极。第一电极113电连接到发射极层112，并且在相邻的第一电极113彼此隔开的状态下在一个方向上形成。各第一电极113收集移动至发射极层112的载流子(例如，电子)。第一电极113由至少一种导电材料形成。导电材料可以是从由镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、锡(Sn)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、金(Au)及其组合组成的组中选择的至少一种。可以将其它导电材料用于第一电极113。
例如，第一电极113可以由Ag膏形成。在这种情形下，可以在使用丝网印刷法将Ag膏涂覆在抗反射层115上并且在大约750℃至800℃的温度下煅烧基板111的工艺中将第一电极113电连接到发射极层112。通过在煅烧工艺中使用Ag膏中的蚀刻成分蚀刻抗反射层115、然后使Ag膏中的Ag颗粒与发射极层112接触来执行第一电极113和发射极层112之间的电连接。蚀刻成分可以是氧化铅。
至少两个第一电极集流器114在与第一电极113交叉的方向上形成在发射极层112上。第一电极集流器114电连接并物理连接到发射极层112和第一电极113。因此，第一电极集流器114将从第一电极113迁移的载流子(例如，电子)输出到外部装置。第一电极集流器114由至少一种导电材料形成。用于第一电极集流器114的导电材料可以是从由Ni、Cu、Ag、Al、Sn、Zn、In、Ti、Au及其组合组成的组中选择的至少一种。可以使用其它导电材料。
可以在将导电材料涂覆在抗反射层115上、进行图案化并煅烧的工艺中将第一电极113和第一电极集流器114电连接到发射极层112。
如图5中所示，第一电极集流器114的表面可以是具有多个不平坦部分的不平坦表面。另选地，如图6中所示，第一电极集流器114的表面可以是平坦表面。按照与第一电极集流器114相同的方式，第一电极113的表面可以是具有多个不平坦部分的不平坦表面或平坦表面。
第二电极116形成在基板111的第二表面(即，基板111的后表面)上。第二电极116收集移动至基板111的载流子(例如，空穴)。第二电极116可以形成在基板111的整个第二表面上，形成在基板111的整个第二表面除了其边缘之外的部分上，或者形成在基板111的整个第二表面除了第二电极集流器117的形成区域之外的部分上。
第二电极116由至少一种导电材料形成。导电材料可以是从由Ni、Cu、Ag、Al、Sn、Zn、In、Ti、Au及其组合组成的组中选择的至少一种。可以将其它导电材料用于第二电极116。
第二电极集流器117在与第一电极113交叉的方向上定位在与第二电极116相同的表面上。即，第二电极集流器117形成在与前面的电极集流器114相同的方向上。第二电极集流器117电连接到第二电极116。因此，第二电极集流器117将从第二电极116迁移的载流子(例如，空穴)输出到外部装置。第二电极集流器117由至少一种导电材料形成。导电材料可以是从由Ni、Cu、Ag、Al、Sn、Zn、In、Ti、Au及其组合组成的组中选择的至少一种。可以使用其它导电材料。
导电粘合剂膜160在与第一电极集流器114平行的方向上定位在第一电极集流器114上。另外，导电粘合剂膜160定位在第二电极集流器117上。
图4示出一个导电粘合剂膜160定位在基板111的第一表面和第二表面中的每个上。然而，具有与互连器120相同数量的导电粘合剂膜160可以定位在基板111的第一表面和第二表面中的每个上。
如图5和图6中所示，导电粘合剂膜160包括树脂162和分散在树脂162中的多个导电颗粒164。树脂162的材料不受具体限制，只要它具有粘合性质即可。优选地，但并非必须的，热固性树脂用于树脂162，以提高粘合可靠性。热固性树脂可以使用从环氧树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂和聚碳酸酯树脂之中选择的至少一种。
树脂162还可以包含不同于热固性树脂的成分，例如，固化剂和固化促进剂。例如，树脂162可以包含诸如硅烷基偶联剂、钛酸基偶联剂和铝酸基偶联剂的重整(reform)材料，以提高第一电极集流器114和互连器120之间的粘合强度以及第二电极集流器117和互连器120之间的粘合强度。树脂162可以包含诸如磷酸钙和碳酸钙的，以提高导电颗粒164的分散性。树脂162可以包含诸如丙烯酸橡胶、硅橡胶和聚氨酯橡胶的橡胶成分，以控制弹性模量。
在树脂162和第一电极集流器114之间的叠置区域中，树脂162具有第一厚度T1。互连器120和第一电极集流器114之间的距离保持为第一厚度T1。第一厚度T1可以大致为3μm至15μm。导电颗粒164的材料不受具体限制，只要它具有导电性。
如图5至图7中所示，导电颗粒164可以包括具有大于第一厚度T1的厚度的第一导电颗粒164a和具有小于第一厚度T1的厚度的第二导电颗粒164b。
换句话讲，导电粘合剂膜160可以包括分散在第一树脂162中的多个第一导电颗粒164a和多个第二导电颗粒164b。另选地，导电粘合剂膜160可以仅包括第一导电颗粒164a或者可以仅包括第二导电颗粒164b。
当导电粘合剂膜160仅包括第一导电颗粒164a时，第一电极集流器114收集的载流子可以平稳地(smoothly)迁移至互连器120，这是因为各第一导电颗粒164a的厚度大于第一厚度T1。
另一方面，当导电粘合剂膜160仅包括第二导电颗粒164b时，至少两个第二导电颗粒164b必须在第一电极集流器114和互连器120之间彼此垂直叠置，如图6和图7中所示。因此，在这种情形下，第一电极集流器114收集的载流子可以平稳地迁移至互连器120。
因此，优选地，但并非必须的，导电颗粒164的厚度大于树脂162的第一厚度T1。
在本发明的实施方式中，当导电粘合剂膜160包括第一导电颗粒164a时，导电颗粒164的厚度表示第一导电颗粒164a的厚度。当导电粘合剂膜160仅包括第二导电颗粒164b时，导电颗粒164的厚度表示叠置的第二导电颗粒164b的厚度之和。
如图8中所示，第一导电颗粒164a的厚度S1可以大致为3μm至15μm。
如图5中所示，第一导电颗粒164a和第二导电颗粒164b可以由涂覆有金属的树脂颗粒形成，所述树脂颗粒含有在铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铁(Fe)、镍(Ni)、铅(Pb)、锌(Zn)、钴(Co)、钛(Ti)和镁(Mg)之中选择的至少一种金属作为主要成分。另选地，如图6中所示，第一导电颗粒164a和第二导电颗粒164b可以由金属颗粒形成，所述金属颗粒含有图5所示的金属作为主要成分。
如图5中所示，当导电颗粒164由涂覆有金属的树脂颗粒形成时，导电颗粒164可以具有圆形或椭圆形。另选地，如图6中所示，当导电颗粒164由金属颗粒形成时，导电颗粒164可以具有原子团形状。在本发明的实施方式中，原子团形状是指不规则形状。例如，具有原子团形状的导电颗粒164可以具有不规则表面，并且这种不规则表面还可以具有突起和/或凹陷，或者具有从表面(包括不规则表面)向外径向延伸的突起或延伸。各导电颗粒164中可以具有多个突起和/或凹陷，并且各导电颗粒164上的这些突起和/或凹陷的高度和深度可能有所不同。
在本发明的实施方式中，具有原子团形状的导电颗粒164表示多个突起物不均匀地形成在具有如同球形形状的金属颗粒的表面上的颗粒。
当第一导电颗粒164a由具有圆形或椭圆形的涂覆有金属的树脂颗粒形成时，可以用涂覆有金属的树脂颗粒的直径或涂覆有金属的树脂颗粒在短轴方向上的直径表示第一导电颗粒164a的厚度S1。
当第二导电颗粒164b按照与第一导电颗粒164a相同的方式由具有圆形或椭圆形的涂覆有金属的树脂颗粒形成时，可以用涂覆有金属的树脂颗粒的直径或涂覆有金属的树脂颗粒在短轴方向上的直径表示第二导电颗粒164b的厚度。
另外，当如图8中所示第一导电颗粒164a由原子团形状的金属颗粒(原子团金属颗粒)形成时，可以用第一导电颗粒的关于在接触最上面点的上切线和接触最下面点的下切线之间测得的垂直线的最短直径来表示第一导电颗粒164a的厚度S1。在本发明的实施方式中，上切线和下切线可以平行于基板。在本发明的另一个实施方式中，可以用从将金属颗粒表面上形成的多个突起物的端部彼此连接的虚线所形成的球状形状测得的最短直径来表示第一导电颗粒164a的厚度S1。
当第二导电颗粒164b按照与第一导电颗粒164a相同的方式由原子团金属颗粒形成时，可以用第二导电颗粒的关于在接触最上面点的上切线和接触最下面点的下切线之间测得的垂直线的最短直径来表示第二导电颗粒164b的厚度。在本发明的实施方式中，上切线和下切线可以平行于基板。在本发明的另一个实施方式中，可以用从将金属颗粒表面上形成的多个突起物的端部彼此连接的虚线所形成的球状形状测得的最短直径来表示第二导电颗粒164b的厚度。
由原子团金属颗粒形成的第一导电颗粒164a与第一电极集流器114和/或互连器120之间的接触面积大于由涂覆有金属的树脂颗粒形成的第一导电颗粒164a与第一电极集流器114和/或互连器120之间的接触面积。因此，可以降低接触电阻。
优选地，但并非必须的，考虑到树脂162固化之后的连接可靠性，分散在树脂162中的导电颗粒164的成分量是基于导电粘合剂膜160的总量的大约0.5％至20％。
当导电颗粒164的成分量小于大约0.5％时，因为第一电极集流器114和导电粘合剂膜160之间的物理接触面积减小，所以电流不能平稳地流动。当导电颗粒164的成分量大于大约20％时，因为树脂162的相对量减小，所以粘合强度可能降低。
导电粘合剂膜160在与第一电极集流器114平行的方向上附着于第一电极集流器114。另外，导电粘合剂膜160在与第二电极集流器117平行的方向上附着于第二电极集流器117。
固定工艺包括：预接合工艺，其用于预先将导电粘合剂膜160接合到太阳能电池的第一电极集流器114；以及最终接合工艺，其用于将导电粘合剂膜160接合到互连器120。
当使用导电粘合剂膜160执行固定工艺时，固定工艺的加热温度和压力不具体受限，只要它们在能够确保电连接和保持粘合强度的范围内。
例如，可以将预接合工艺中的加热温度设置成等于或小于大约100℃，并且可以将最终接合工艺中的加热温度设置成树脂162的固化温度，例如，大约140℃至180℃。
另外，可以将预接合工艺中的压力设置为大约1MPa。可以将最终接合工艺中的压力设置成能够将第一电极集流器114、第二电极集流器117和互连器120充分附着到导电粘合剂膜160的范围，例如，大约2MPa至3MPa。在这种情形下，可以设置最终接合工艺中的压力，使得第一电极集流器114和互连器120之间的距离保持为第一厚度T1，并且具有比第一厚度T1大的厚度S1的第一导电颗粒嵌入在第一电极集流器114和/或互连器120中。
可以将预接合工艺中进行加热和施加压力所需的时间设置在大约5秒内。可以将最终接合工艺中进行加热和施加压力所需的时间设置成第一电极集流器114、第二电极集流器117、互连器120等不会由于加热而受损或变形的程度，例如，大约10秒。
基板可能由于预接合工艺和最终接合工艺中施加的热而翘曲。
[表1]
以上的表1表示根据本发明的实施方式的使用导电粘合剂膜的固定工艺以及使用热空气的相关技术的固定方法中基于基板的厚度T3(参照图4)的基板的翘曲量。在表1中，基板的厚度T3表示从基板的后表面到发射极层的厚度。
如表1中所示，在使用热空气熔化助焊剂的相关技术固定方法中，当基板的厚度大约为200μm时，基板的翘曲量等于或大于大约2.1mm。另一方面，在根据本发明的实施方式的固定方法中，基板的翘曲量大约为0.5mm。
在本发明的实施方式中，可以用基板后表面的中间部分和外围部分的高度差表达基板的翘曲量。
随着基板的厚度减小，基板的翘曲量增大。例如，在相关技术的固定方法中，基板的厚度大约为80μm，基板的翘曲量等于或大于大约14mm。另一方面，在根据本发明的实施方式的固定方法中，基板的翘曲量大约为1.8mm。
根据表1中所示的结果，在根据本发明的实施方式的固定方法中当基板厚度大约为80μm时产生的基板翘曲量类似于在相关技术的固定方法中当基板厚度大约为200μm时产生的基板翘曲量。
当基板的翘曲量超过预定值(例如，大约2.5mm)时，在随后的层压工艺中，在基板中产生裂缝或者在太阳能电池模块中产生气泡。因此，在使用相关技术的固定方法制造的相关技术的太阳能电池模块中，不可能使用薄基板。
另一方面，与相关技术的固定方法相比，根据本发明的实施方式的使用导电粘合剂膜的固定方法可以极大地减小基板的翘曲量。因此，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块可以使用薄基板。
例如，可以通过根据本发明的实施方式的使用导电粘合剂膜的固定方法来制造具有大约为80μm至180μm的厚度T3的基板111。因为随着基板的厚度减小，材料成本可降低，所以根据本发明的实施方式的基板111的厚度T3可以等于或小于大约180μm。
在使用导电粘合剂膜160将第一电极集流器114附着于互连器120的状态下，第一导电颗粒164a和互连器120之间的接触面和/或第一导电颗粒164a和第一电极集流器114之间的接触面可以是不平坦的表面。
即，如图5和图6中所示，第一导电颗粒164a中的一些嵌入在互连器120中。第一导电颗粒164a和互连器120之间的接触面基本上与嵌入在互连器120中的第一导电颗粒164a的一部分的表面形状相同。
当互连器120包括导电金属122和焊料124时，第一导电颗粒164a中的一些可以嵌入在互连器120的焊料124中或者可以嵌入在互连器120的焊料124和导电金属122中。
在这种情形下，如图5中所示，因为在固定工艺期间施加的压力，所以第一导电颗粒164a可能变成椭圆形状，并且可以嵌入在互连器120中。另选地，即使在固定工艺期间施加了压力，第一导电颗粒164a也可以保持圆形形状，并且可以嵌入在互连器120中。第一导电颗粒164a的形状可以根据第一导电颗粒164a的硬度和/或强度与互连器120的硬度和/或强度之间的差异而有所不同。
第一电极集流器114的表面可以是如图5中所示的具有多个不平坦部分的不平坦表面，或者可以是如图6中所示的平坦表面。因为在本发明的此实施方式中第一电极集流器114的硬度和/或强度大于第一导电颗粒164a的硬度和/或强度，所以第一导电颗粒164a没有嵌入在第一电极集流器114中。
当第一电极集流器114的硬度和/或强度类似于或小于第一导电颗粒164a的硬度和/或强度时，第一导电颗粒164a中的一些可嵌入在第一电极集流器114中。
第二导电颗粒164b分散在树脂162中。因为第二导电颗粒164b的厚度小于第一导电颗粒164a的厚度(即树脂162的第一厚度T1)，所以树脂162中的第二导电颗粒164b不接触第一电极集流器114和互连器120或者可以接触第一电极集流器114和互连器120之一。另外，如图6中所示，至少两个第二导电颗粒164b可彼此垂直堆叠。通过第二导电颗粒164b的原子团形状可以增强至少两个第二导电颗粒的堆叠。
根据上述连接结构，移动到第一电极集流器114的载流子通过第一导电颗粒164a直接迁移到互连器120。因此，电流的传输效率得以提高。
第一导电颗粒164a和第二导电颗粒164b可以按物理方式接触与第一导电颗粒164a和第二导电颗粒164b相邻的组件。
根据上述结构，移动到第一电极集流器114的载流子中的一些通过导电颗粒164直接迁移到互连器120。因为第一导电颗粒164a和互连器120之间的接触面积增大，所以电流平稳地流动。
另外，移动到第一电极集流器114的载流子中的一些跳过第二导电颗粒164b并移动到互连器120。
相邻的第一导电颗粒164a和第二导电颗粒164b可以彼此物理接触，使得移动到第一电极集流器114的载流子充分迁移到互连器120。另外，至少两个第一导电颗粒164a可以定位在第一电极集流器114上。
对于示出第一电极集流器114、导电粘合剂膜160和互连器120之间的连接结构的图5和图6的描述可以同样应用于第二电极集流器117、导电粘合剂膜160和互连器120之间的连接结构。
第一电极集流器114、导电粘合剂膜160和互连器120中每个的宽度可以有所不同。
例如，如图5和图6中所示，第一电极集流器114、导电粘合剂膜160和互连器120的宽度可以基本上彼此相等。
另选地，如图7中所示，导电粘合剂膜160的宽度可以大于互连器120的宽度和第一电极集流器114的宽度。在这种情形下，导电粘合剂膜160可以覆盖第一电极集流器114的一面或两面或者至少其一部分。
另选地，或者另外地，导电粘合剂膜160中的一部分可以附着于基板111的表面，即第一电极集流器114的与抗反射层115的表面相距一致距离的面的一部分。
互连器120的宽度和第一电极集流器114的宽度可以大于导电粘合剂膜160的宽度。
如上所述，第一电极集流器114、导电粘合剂膜160和互连器120中每个的宽度可以按各种方式来变化。
第一电极集流器114、导电粘合剂膜160和互连器120的宽度之间的关系可以同样应用于第二电极集流器117、导电粘合剂膜160和互连器120的宽度之间的关系，而不是只应用于第一电极集流器114。
即使互连器120是由无铅材料形成的，也通过使用具有上述结构的导电粘合剂膜160来令人满意地执行互连器120和第一电极集流器114之间的连接以及互连器120和第二电极集流器117之间的连接。
导电粘合剂膜160可以用于将互连器120连接到引线。
以下参照图9至图11描述第一电极集流器114的结构。
图4示出具有线形的第一电极集流器114。
另选地，如图9中所示，第一电极集流器114可以具有包括多个开口114a的线形。另选地，如图10中所示，第一电极集流器114可以具有曲折图案。另选地，如图11中所示，第一电极集流器114可以具有与第一电极113相同的宽度。其它形状和/或图案也是可能的。
因为导电粘合剂膜160的树脂162附着于基板111的表面，所以具有上述结构的第一电极集流器114的接触可靠性得以提高。
以下参照图12至图18描述根据本发明的第二实施方式的太阳能电池面板。
图12是根据本发明的第二实施方式的太阳能电池面板的分解透视图。图13和图14是示出图12所示的太阳能电池面板中基板的前表面的各种组装构造的剖视图。图15是基板前表面的平面图，其示出了定位在图12所示的太阳能电池面板中基板的第一表面上的电极部分的各种构造。
图16是示出图12所示的太阳能电池面板的基板后表面的各种组装构造的剖视图。图17和图18是基板后表面的平面图，其示出了定位在图12所示的太阳能电池面板中基板的第二表面上的电极部分的各种构造。
根据本发明的第一实施方式的太阳能电池面板中包括的各太阳能电池同时包括第一电极集流器114和第二电极集流器117。另一方面，根据本发明的第二实施方式的太阳能电池面板中包括的各太阳能电池不同时包括第一电极集流器和第二电极集流器。
即，根据本发明的第二实施方式的太阳能电池具有不包括集流器的非汇流条(non-busbar)结构。因为非汇流条结构的太阳能电池可能减少了用于形成集流器的金属材料(例如，银(Ag))的量，所以可以降低制造成本。
然而，不包括集流器的太阳能电池的载流子迁移效率可能低于包括集流器的太阳能电池的载流子迁移效率。但是，根据本发明的第二实施方式的太阳能电池面板可以获得与相关技术的太阳能电池相同水平的效率，在相关技术的太阳能电池中，通过使用导电粘合剂膜利用助焊剂对集流器和互连器执行固定工艺。
根据本发明的第二实施方式的太阳能电池110包括：基板111；发射极层112，其定位在第一表面上，即，基板111的前表面上；多个第一电极113，其定位在发射极层112上；抗反射层115，其定位在上面没有定位第一电极113的发射极层112上；第二电极116，其定位在第二表面上，即，与基板111的第一表面相对的后表面上；以及背场(BSF)层118，其定位在第二电极116和基板111之间。
多个导电粘合剂膜160在与多个第一电极113交叉的方向上定位在发射极层112上。另外，多个导电粘合剂膜160在与多个第一电极113交叉的方向上定位在第二电极116上。
图12示出一个导电粘合剂膜160定位在基板111的前表面和后表面中的每个上。然而，可以在基板111的前表面和后表面中的每个上定位与互连器120的数量相同的数量的导电粘合剂膜160。例如，可以在基板111的前表面和后表面中的每个中使用三个或四个导电粘合剂膜160。
基板111的前表面上的导电粘合剂膜160在与多个第一电极113交叉的方向上附着于每个第一电极113的一部分。因此，导电粘合剂膜160的一部分直接接触各第一电极113的一部分，并且导电粘合剂膜160的剩余部分直接接触抗反射层115。
结果，导电粘合剂膜160在导电粘合剂膜160和第一电极113之间的叠置区域中在宽度方向上覆盖各第一电极113的上表面和各第一电极113的两侧。另外，导电粘合剂膜160覆盖第一电极113之间的间隔。
在本发明的实施方式中，各第一电极113可以包括附着于导电粘合剂膜160的第一部分113a和没有附着于导电粘合剂膜160的第二部分113b。
互连器120的一部分附着于导电粘合剂膜160的前表面，所述前表面在与导电粘合剂膜160的形成方向相同的方向上附着于第一电极113的第一部分113a。互连器120没有附着于与第一部分113a附着的导电粘合剂膜160的剩余部分附着于与相邻的太阳能电池110的第二电极116附着的导电粘合剂膜160。
在本发明的第二实施方式中，按照与第一实施方式相同的方式，在通过导电粘合剂膜160将第一电极113附着于互连器120的状态下，导电粘合剂膜160的第一导电颗粒164a可嵌入在第一电极113和/或互连器120中。
导电粘合剂膜160的没有与第一电极113的第一部分113a附着的剩余部分直接接触发射极层112上的抗反射层115。
导电粘合剂膜160可以具有大于第一电极113的突出厚度的厚度，使得导电粘合剂膜160和互连器120充分地彼此附着。
即，在导电粘合剂膜160和第一电极113之间的叠置区域中，树脂162具有第一厚度T1，但在导电粘合剂膜160和第一电极113之间的非叠置区域中，可以具有大于第一厚度T1的第二厚度T2。在这种情形下，如图13中所示，因为第一电极113的原因，所以导电粘合剂膜160的前表面具有高度差(或凸块)。另选地，如图14中所示，导电粘合剂膜160的前表面形成平坦表面，并且在导电粘合剂膜160中不存在高度差(或凸块)。
当导电粘合剂膜160的前表面是平坦表面时，因为互连器120没有高度差，所以互连器120和导电粘合剂膜160令人满意地彼此附着。
在图12至图14所示的太阳能电池中，第一电极113的第一部分113a的宽度W1基本上等于第一电极113的第二部分113b的宽度W2。另选地，第一部分113的宽度W可以不同于第二部分的宽度。
如图15中所示，第一电极113的第一部分113a的宽度W1可以大于第一电极113的第二部分113b的宽度W2。当第一部分113a的宽度W1大于第二部分113b的宽度W2时，导电粘合剂膜160和第一电极113之间的粘合强度提高，导电粘合剂膜160和第一电极113之间的接触电阻减小。因此，可以防止或减少太阳能电池面板输出降低。第一电极113的第一部分113a可以部分地用作集流器。
仅有定位在多个第一电极行的预定行上的第一电极113可以是那些包括具有大于第二部分113b的宽度W2的宽度W1的第一部分113a的第一电极。定位在剩余行上的第一电极113可以包括与第二部分113b具有相同宽度的第一部分113a。例如，如图15中所示，定位在偶数行上的第一电极113可以包括具有大于第二部分113b的宽度W2的宽度W1的第一部分113a，并且定位在奇数行上的第一电极113可以包括与第二部分113b具有相同宽度的第一部分113a。
第一部分113a以基于第一电极113的垂直对称方式形成并且在第一电极113的长度方向上具有预定长度L1。可以基于导电粘合剂膜160的宽度合适地选择第一部分113a的预定长度L1，以提高或最大化导电粘合剂膜160和第一电极113之间的粘合强度，并且减小导电粘合剂膜160和第一电极113之间的接触电阻。
当导电粘合剂膜160的宽度小于大约1mm时，接触电阻增大。当导电粘合剂膜160的宽度大于大约20mm时，光接收面积减小。因此，优选地，但并非必须的，导电粘合剂膜160的宽度大约为1mm至20mm。
定位在奇数行或者所有行上的第一电极113可以包括具有大于第二部分113b的宽度W2的宽度W1的第一部分113a。
相邻的第一部分113a可以彼此相对地突出，或者可以突出以彼此面对。相邻的第一部分113a可以全部在同一方向上突出，如，全部朝向图15的上部突出。
在第二实施方式中，第二电极116由铝(Al)形成。因此，可以通过将铝膏涂覆在基板111的整个后表面上并且煅烧Al膏形成第二电极116。
所使用的Al膏包括铝粉和氧化铋作为主要成分，基于激光衍射法，铝粉和氧化铋中的每个在颗粒分布中具有等于或小于大约10μm的中值粒径D50。Al膏可以包括铋酸盐玻璃粉和有机载体，铋酸盐玻璃粉和有机载体中的每个具有等于或小于大约580℃的玻璃软化温度。
铝粉是指含有铝作为主要成分的颗粒的聚集体，并且除了铝之外可以包含少量杂质。
中值粒径D50是指当在对应粉末的颗粒分布中总体积大约为50％时的直径。可以基于激光衍射法，使用各种颗粒分布测量装置来容易地测量中值粒径D50。
优选地，但并非必须的，构成铝粉的颗粒具有球形。然而，铝粉的颗粒可以采用诸如薄片形和非均匀形状之类的其它形状。
优选地，但并非必须的，铝粉的量是基于铝膏总量的大约65％至85％，铋酸盐玻璃粉中的氧化铋的量等于或超过基于铋酸盐玻璃粉总量的大约40％。
铋酸盐玻璃粉的例子包括含有氧化铋、三氧化二硼(B2O3)和氧化锌(ZnO)作为主要成分的玻璃粉、含有氧化铋、三氧化二硼(B2O3)和氧化硅作为主要成分的玻璃粉和含有氧化铋、氧化硅和氧化铅作为主要成分的玻璃粉。另外，铋酸盐玻璃粉还可以含有氧化钡(BaO)和二氧化硅(SiO2)。
具有上述构造的铋酸盐玻璃粉的量可以是基于铝膏总量的大约1％至10％。
有机载体不具体受限，只要它可以充分分散铝粉和铋酸盐玻璃粉。有机载体可以是具有高沸点的有机溶剂中的至少一种，如，乙二醇、二甘醇衍生物(乙二醇醚类衍生物)、甲苯和二甲苯。
有机载体的量可以是基于铝膏总量的大约10％至30％。
可以通过将由此制造出的铝膏涂覆在基板111的整个后表面上(在这种情形下，可以排除基板111的后表面的边缘)、在合适的温度(例如，室温或大约100℃)下干燥所涂覆的铝膏、并且在合适的加热条件下(例如，在大约700℃至800℃的温度下)使用煅烧炉来加热(或煅烧)经干燥的铝膏来制造第二电极116。在煅烧铝膏的同时，形成背场层118。
如图16中所示，当使用铝膏制造第二电极116时，在基板111的表面上形成高密度铝层116a并且在高密度铝层116a的表面上形成低密度铝层116b。另外，在低密度铝层116b的表面上形成氧化铝层。另选地，在低密度铝层116b的表面中存在杂质。
当第二电极116的表面处存在氧化铝层或杂质时，导电粘合剂膜160和第二电极116之间的粘合强度会降低。因此，在将导电粘合剂膜160附着于第二电极116之前，可以对第二电极116执行表面处理。
可以通过使用气体(例如，空气或诸如氮气之类的惰性气体)或纯水的清洁工艺或者使用辊的研磨工艺对第二电极116执行表面处理。
当对第二电极116执行表面处理时，低密度铝层116b可连同第二电极116的表面中存在的氧化铝层或杂质一起被去除。
将导电粘合剂膜160附着于具有上述构造的第二电极116。第二电极116包括与导电粘合剂膜160附着的第一部分116c和与第一部分116c相邻的第二部分116d。因此，导电粘合剂膜160直接接触第二电极116的第一部分116c。
因为第二电极116是使用铝膏形成的，所以第一部分116c和第二部分116d包含相同的材料。
互连器120的一部分附着于导电粘合剂膜160的后表面，所述后表面在与导电粘合剂膜160的形成方向相同的方向上附着于第二电极116的第一部分116c。互连器120没有附着于与第一部分116c附着的导电粘合剂膜160的剩余部分电连接到相邻太阳能电池110的第一电极113。
按照与第一实施方式相同的方式，在用导电粘合剂膜160将第二电极116附着于互连器120的状态下，一部分第一导电颗粒164a可以嵌入在第二电极116和/或互连器120中。
可以仅在第二电极116的附着于导电粘合剂膜160的第一部分116c上执行对第二电极116的表面处理，用于去除第二电极116的表面中存在的氧化铝层和/或杂质。在这种情形下，高密度铝层116a的表面上的低密度铝层116b连同氧化铝层和/或杂质一起被去除。
因此，如图16中所示，第二电极116的第一部分116c可以仅由高密度铝层116a形成，并且第二电极116的第二部分116d可以由高密度铝层116a、低密度铝层116b和氧化铝层形成。因此，第一部分116c的厚度小于第二部分116d的厚度。
当第一部分116c的厚度小于第二部分116d的厚度时，如图16所示的实线所示，导电粘合剂膜160的宽度可以等于或小于第一部分116c的宽度。在图16所示的结构中，导电粘合剂膜160直接接触第一部分116c，但是不直接接触第二部分116d。在这种情形下，导电粘合剂膜160的宽度可以等于或大于互连器120的宽度。另选地，导电粘合剂膜160的宽度可以小于互连器120的宽度。
另外，如图16所示的虚线所示，导电粘合剂膜160的宽度可以大于第一部分116c的宽度。在这种情形下，导电粘合剂膜160的宽度可以等于或大于互连器120的宽度。另选地，导电粘合剂膜160的宽度可以小于互连器120的宽度。
即使第二电极116不包括低密度铝层116b，第二电极116的表面中存在的氧化铝层也可以被去除。因此，第一部分116c和第二部分116d之间可能产生微小的厚度差。
另外，当对第二电极116的整个表面执行表面处理时，第一部分116c和第二部分116d都仅由高密度铝层116a形成。因此，第一部分116c和第二部分116d具有基本相同的厚度。在这种情形下，导电粘合剂膜160的宽度基本上等于第一部分116c的宽度。
如图17中所示，第二电极116可以形成在基板111的整个后表面上除去基板111的边缘的部分。
在这种情形下，导电粘合剂膜160的长度可以等于第一部分116c的长度L2和第二部分116d的长度L3、比第一部分116c的长度L2和第二部分116d的长度L3略短或者比第一部分116c的长度L2和第二部分116d的长度L3略长。
如图18中所示，第一部分116c的长度L2可以比第二部分116d的长度L3短。
在这种情形下，因为导电粘合剂膜160的长度比第一部分116c的长度L2长，所以通过使导电粘合剂膜160的至少一端直接接触第一部分116c外部的基板111，可以增大粘合强度。
另外，导电粘合剂膜160的长度可以基本上等于第二部分116d的长度L3。另选地，导电粘合剂膜160的长度可以基本上等于第一部分116c的长度L2或者比第一部分116c的长度L2短。
如图18中所示，可以在第二电极116的第一部分116c的一部分中形成暴露基板111的孔图案P。在图18所示的结构中，因为导电粘合剂膜160直接接触孔图案P中的基板111，所以导电粘合剂膜160的粘合强度增大。
图18示出在行方向上(即，在图18中的横向方向)上彼此平行定位的孔图案P。另选地，孔图案P可以不在行方向上彼此平行，并且可以不均匀地定位。
在图18所示的结构中，移动到第二电极116的载流子通过导电粘合剂膜160的第一导电颗粒和第二导电颗粒迁移到互连器。因此，因为用于将移动到第二电极116的载流子迁移到互连器的第二电极集流器不是必须的，所以形成第二电极集流器所需的工艺和成本可降低。
导电粘合剂膜160可以在直接接触基板后表面的状态下被定位。在这种情形下，第二电极116可以包括多个电极部分，这多个电极部分以预定间隙彼此隔开。这些电极部分之间的间隙可以暴露基板的后表面，使得导电粘合剂膜160可以直接接触基板的后表面。
可以通过将含有导电材料的导电膏涂覆在基板的整个后表面上、干燥和煅烧导电膏、并且去除用于形成导电粘合剂膜的位置处存在的导电膏来制造这多个电极部分。基板的整个后表面可以包括排除掉基板后表面的边缘的部分。
根据上述方法，当煅烧导电膏时，杂质注入到基板中。因此，在基板的整个后表面处形成背场层。
如上所述，当第二电极包括多个电极部分时，使用多个电极部分的粘合强度优于使用导电粘合剂膜的粘合强度。因为难以通过第二电极表面上形成的氧化物层将导电粘合剂膜附着于第二电极的后表面。
因此，如上所述，多个电极部分被定位成彼此以均匀间隙分隔开，并且导电粘合剂膜附着于通过间隙暴露的基板后表面。因此，可以得到优于使用导电粘合剂膜的粘合强度的粘合强度。
导电粘合剂膜的厚度可以基本上等于或略大于第二电极的各电极部分的厚度。另选地，导电粘合剂膜的厚度可以小于第二电极的各电极部分的厚度。互连器的宽度可以基本上等于或大于间隙的宽度。
可以使用不同于上述方法的方法来制造包括电极部分的第二电极116。
例如，可以使用其中已填充了间隙的掩模来制造包括电极部分的第二电极116，而不用执行形成间隙的单独工艺。
然而，在这种情形下，在煅烧导电膏的工艺期间形成的背场层118可以具有与第二电极116相同的图案。即，背场层118可以仅形成在电极部分的形成区域中，并且背场层118可以不形成在已形成间隙的基板区域中。
图19是根据本发明的第三实施方式的太阳能电池面板的平面图。图20是图19所示的太阳能电池面板的局部剖视图。
本发明的第三实施方式中使用的太阳能电池是薄膜太阳能电池，并且使用导电粘合剂膜将定位在薄膜太阳能电池最外侧的电极附着于引线。
根据本发明的第三实施方式的薄膜太阳能电池面板包括基板111a和定位在基板111a上的多个薄膜太阳能电池100a。
基板111a包括发电区和定位在发电区边缘处的边缘区域。多个薄膜太阳能电池100a定位在发电区中。
多个薄膜太阳能电池100a中的每个包括顺序堆叠在基板111a上的第一电极113a、光电转换单元119和第二电极116a。
第一电极113a可以由金属氧化物形成，例如，由从二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡(ITO)之中选择的至少一种材料形成。另选地，第一电极113a可以由通过将至少一种杂质与金属氧化物混合而得到的混合物形成。
定位在第一电极113a上的光电转换单元119将入射到基板111a的光入射表面上的光转换成电流。光电转换单元119可具有单结结构、双结结构或三结结构。在本发明的实施方式中，光电转换单元119可以具有另外的结结构。
当光电转换单元119具有双结结构或三结结构时，可以在光电转换单元119之间形成反射层。光电转换单元119可以采用其它结构。
定位在光电转换单元119上的第二电极116a可以由从金(Au)、银(Ag)和铝(Al)之中选择的一种金属形成。第二电极116a电连接到相邻的薄膜太阳能电池100a的第一电极113a。例如，与边缘区域相邻的最外侧薄膜太阳能电池100a的第二电极116a电连接到与最外侧薄膜太阳能电池100a相邻的薄膜太阳能电池100a的第一电极113a。因此，多个薄膜太阳能电池100a彼此串联电连接。
引线LW定位在与边缘区域相邻的位置处定位的薄膜太阳能电池100a上。导电粘合剂膜160定位在引线LW和第二电极116a之间。
用保护层(例如，覆盖薄膜太阳能电池的乙烯-醋酸乙烯(EVA))覆盖包括具有上述结构的多个薄膜太阳能电池的薄膜太阳能电池模块。保护层部分地叠置基板111a的边缘区域中的框架。
如上所述，框架和基板111a可以彼此叠置边缘区域的宽度。因此，框架将入射到基板111a的光入射表面上的光屏蔽了其与基板111a叠置的宽度。
本发明的第三实施方式描述了通用的薄膜太阳能电池模块。另外，根据本发明的第三实施方式的薄膜太阳能电池可以是包含四种或更多种元素的薄膜太阳能电池，例如，CIGS(铜/铟/镓/硫)薄膜太阳能电池。根据本发明的第三实施方式的导电粘合剂膜160可以用在具有各种结构的薄膜太阳能电池中。
图21是根据本发明的第四实施方式的太阳能电池面板中使用的HIT(具有本征薄层的异质结)太阳能电池的侧视图。
根据本发明的第四实施方式的HIT太阳能电池100b包括：第一导电类型的半导体基板111b；本征半导体层112b，其定位在半导体基板111b的第一表面上；第二导电类型的氢化非晶硅(a-Si)层112c，其定位在本征半导体层112b上；透明导电氧化物(TCO)层115b，其定位在氢化a-Si层112c上；第一电极113b，其定位在TCO层115b上；本征半导体层112b’，其定位在半导体基板111b的第二表面上；第一导电类型的非晶硅层112c’，其定位在本征半导体层112b’上；TCO层115b’，其定位在非晶硅层112c’上；以及第二电极116b，其定位在TCO层115b’上。
HIT太阳能电池100b还包括与第一电极113b交叉的第一电极集流器114b和与第二电极116b交叉的第二电极集流器117b。
第一电极集流器114b和第二电极集流器117b可以被制造成分别比第一电极113b和第二电极116b宽(参照图4)。另选地，第一电极集流器114b和第二电极集流器117b可以制造成使得它们的宽度分别基本上等于第一电极113b和第二电极116b(参照图11)。
另外，第一电极集流器114b和第二电极集流器117b可以在它们分别没有物理连接到第一电极113b和第二电极116b的状态下形成。因为第一电极113b和第一电极集流器114b电连接到TCO层115b并且第二电极116b和第二电极集流器117b电连接到TCO层115b’，所以即使第一电极集流器114b和第二电极集流器117b分别没有物理连接到第一电极113b和第二电极116b，第一电极集流器114b和第二电极集流器117b也可以收集载流子。出于这个原因，第一电极集流器114b和第二电极集流器117b均可以包括在对应电极的倾斜方向上定位的多个电极集流器。
虽然已参照实施方式的多个示例性实施方式描述了这些实施方式，但是应该理解，本领域的技术人员可以设计将落入本公开的原理范围内的众多其它修改例和实施方式。更具体来讲，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置的各种变型和修改是可能的。除了组成部件和/或布置的变型和修改之外，对于本领域的技术人员来说，另选的用途也将是显而易见的。
本申请要求于2011年5月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0049975的优先权和权益，该申请的全部内容在此以引用方式并入本文。

Claims (15)

1.一种太阳能电池模块，所述太阳能电池模块包括：
多个太阳能电池，所述多个太阳能电池中的每个包括基板和定位在所述基板上的电极部分；
互连器，所述互连器被配置为将所述多个太阳能电池中相邻的太阳能电池彼此电连接；以及
导电粘合剂膜，所述导电粘合剂膜定位在每个太阳能电池的电极部分以及所述互连器之间，所述导电粘合剂膜被配置为将每个太阳能电池的所述电极部分电连接到所述互连器，所述导电粘合剂膜包括在所述导电粘合剂膜、所述电极部分和所述互连器的叠置区域中具有均匀的第一厚度的树脂，并且所述导电粘合剂膜具有分散在所述树脂中的多个导电颗粒，
其中，所述导电颗粒包括具有比所述树脂的所述均匀的第一厚度大的厚度的第一导电颗粒和具有比所述树脂的所述均匀的第一厚度小的厚度的多个第二导电颗粒，
其中，所述第一导电颗粒和所述第二导电颗粒由具有原子团形状的金属颗粒形成，所述原子团形状表示多个突起物不均匀地形成在具有如同球形形状的金属颗粒的表面上的颗粒，
其中，所述第一导电颗粒嵌入在所述互连器中，
其中，所述第一导电颗粒与所述互连器之间的接触面基本上与嵌入在所述互连器中的所述第一导电颗粒的一部分的表面形状相同，
其中，所述第二导电颗粒中的至少两个第二导电颗粒在所述叠置区域中叠置，叠置的至少两个第二导电颗粒的厚度之和大于所述树脂的所述均匀的第一厚度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述互连器和所述电极部分之间的距离保持为所述第一厚度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述基板具有80μm至180μm的厚度。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述树脂的所述第一厚度为3μm至15μm，并且所述导电颗粒的厚度为3μm至15μm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述导电颗粒由金属颗粒形成，所述金属颗粒含有从铜（Cu）、银（Ag）、金（Au）、铁（Fe）、镍（Ni）、铅（Pb）、锌（Zn）、钴（Co）、钛（Ti）和镁（Mg）之中选择的至少一种金属作为主要成分。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述第一导电颗粒中的一些进一步嵌入所述电极部分中。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述互连器包括导电金属和焊料，所述导电金属由含有等于或小于1000ppm的铅（Pb）的无铅材料形成，所述焊料由涂覆在所述导电金属的表面上的含铅材料形成。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述互连器包括由含有等于或小于1000ppm的铅（Pb）的无铅材料形成的导电金属。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述电极部分的表面是平坦表面或者具有多个不平坦部分的不平坦表面。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述电极部分包括定位在所述基板的第一表面上的多个第一电极，并且
其中，所述导电粘合剂膜定位在与所述多个第一电极交叉的方向上，并且覆盖所述多个第一电极中的每个的上表面和两侧以及所述多个第一电极之间的间隔的一部分。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池模块，其中，在所述导电粘合剂膜和所述多个第一电极之间的非叠置区域中，所述树脂具有大于所述第一厚度的第二厚度。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池模块，其中，所述导电颗粒的厚度小于所述第二厚度。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述电极部分包括定位在所述基板的第一表面上的多个第一电极以及与所述多个第一电极交叉的多个第一电极集流器，并且
其中，所述导电粘合剂膜在与所述多个第一电极集流器平行的方向上定位在所述多个第一电极集流器上。
14.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述电极部分包括定位在所述基板的第二表面上的第二电极，并且
其中，所述导电粘合剂膜直接接触所述第二电极。
15.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述电极部分包括定位在所述基板的第二表面上的第二电极和与所述第二电极电连接的第二电极集流器，并且
其中，所述导电粘合剂膜直接接触所述第二电极集流器。
CN201110356874.7A 2011-05-26 2011-11-11 太阳能电池模块 Expired - Fee Related CN102800727B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0049975 2011-05-26
KR1020110049975A KR101732633B1 (ko) 2011-05-26 2011-05-26 태양전지 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102800727A CN102800727A (zh) 2012-11-28
CN102800727B true CN102800727B (zh) 2016-01-27

Family

ID=44970920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110356874.7A Expired - Fee Related CN102800727B (zh) 2011-05-26 2011-11-11 太阳能电池模块

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20110315188A1 (zh)
EP (1) EP2528109B1 (zh)
KR (1) KR101732633B1 (zh)
CN (1) CN102800727B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130096823A (ko) 2012-02-23 2013-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
JP6249304B2 (ja) * 2013-02-26 2017-12-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
JP6326890B2 (ja) * 2013-04-30 2018-05-23 日立化成株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
JP2015050412A (ja) * 2013-09-04 2015-03-16 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール、太陽電池及びその製造方法
KR101419035B1 (ko) * 2013-10-25 2014-07-16 주식회사 에스에너지 후면 전극형 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
KR102175893B1 (ko) 2014-02-24 2020-11-06 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈의 제조 방법
JP6445911B2 (ja) * 2014-04-02 2018-12-26 積水化学工業株式会社 バックコンタクト方式の太陽電池モジュールの製造方法
JP2015233129A (ja) * 2014-05-12 2015-12-24 積水化学工業株式会社 バックコンタクト方式の太陽電池モジュール用の導電ペースト、並びにバックコンタクト方式の太陽電池モジュール及びその製造方法
AU2015279582A1 (en) * 2014-06-27 2017-01-12 The Administrators Of The Tulane Eductional Fund Infrared transmissive concentrated photovoltaics for coupling solar electric energy conversion to solar thermal energy utilization
JP2016178303A (ja) * 2015-03-18 2016-10-06 積水化学工業株式会社 太陽電池モジュール用導電材料及び太陽電池モジュール
KR101739404B1 (ko) * 2015-08-07 2017-06-08 엘지전자 주식회사 태양 전지 패널
CN106571412B (zh) * 2015-10-12 2018-05-01 Lg电子株式会社 用于附接太阳能电池板的互连器的设备和方法
JP6506404B2 (ja) * 2015-10-16 2019-04-24 三菱電機株式会社 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法
JP2017163161A (ja) * 2017-06-07 2017-09-14 日立化成株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
US11764392B2 (en) 2018-03-01 2023-09-19 Analog Devices, Inc. Battery assembly and method of manufacturing the same
CN115498055A (zh) * 2022-09-28 2022-12-20 晶科能源(海宁)有限公司 光伏组件及光伏组件制备方法
US12074245B1 (en) * 2023-05-08 2024-08-27 Jinko Solar Co., Ltd. Method for manufacturing photovoltaic module and photovoltaic module

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5328520A (en) * 1992-02-24 1994-07-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar cell with low resistance linear electrode
CN1147157A (zh) * 1995-06-28 1997-04-09 佳能株式会社 光电池及其制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4113981A (en) * 1974-08-14 1978-09-12 Kabushiki Kaisha Seikosha Electrically conductive adhesive connecting arrays of conductors
US4729809A (en) * 1985-03-14 1988-03-08 Amp Incorporated Anisotropically conductive adhesive composition
DE69526287T2 (de) * 1994-01-27 2002-10-31 Loctite (Ireland) Ltd., Dublin Zusammenstellungen und methoden zur anordnung anisotropisch leitender bahnen und verbindungen zwischen zwei sätzen von leitern
KR100273499B1 (ko) * 1995-05-22 2001-01-15 우찌가사끼 이사오 배선기판에전기접속된반도체칩을갖는반도체장치
JP3379456B2 (ja) * 1998-12-25 2003-02-24 ソニーケミカル株式会社 異方導電性接着フィルム
GB2365816B (en) * 2000-08-09 2002-11-13 Murata Manufacturing Co Method of bonding conductive adhesive and electrode,and bonded structure
US20050115602A1 (en) * 2003-11-28 2005-06-02 Kyocera Corporation Photo-electric conversion cell and array, and photo-electric generation system
CN103360976B (zh) * 2006-04-26 2016-08-03 日立化成株式会社 粘接带及使用其的太阳能电池模块
CN103068182B (zh) * 2006-08-29 2015-10-28 日立化成株式会社 导电性粘结薄膜和太阳能电池模块
JP5230089B2 (ja) * 2006-09-28 2013-07-10 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JP2008135654A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
WO2008139994A1 (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Hitachi Chemical Company, Ltd. 導電体接続用部材、接続構造及び太陽電池モジュール

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5328520A (en) * 1992-02-24 1994-07-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar cell with low resistance linear electrode
CN1147157A (zh) * 1995-06-28 1997-04-09 佳能株式会社 光电池及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2528109B1 (en) 2015-12-16
KR101732633B1 (ko) 2017-05-04
KR20120131651A (ko) 2012-12-05
US20110315188A1 (en) 2011-12-29
CN102800727A (zh) 2012-11-28
EP2528109A1 (en) 2012-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102800727B (zh) 太阳能电池模块
JP6224307B2 (ja) 太陽電池モジュール
KR101077504B1 (ko) 태양전지 모듈
JP2013077821A (ja) 太陽電池モジュール
US9698291B2 (en) Solar cell panel and method for manufacturing the same
EP2535950B1 (en) Solar cell module
KR20120086959A (ko) 태양전지 패널
US9231128B2 (en) Solar cell module
US9148961B2 (en) Solar cell panel
KR101044606B1 (ko) 태양전지 패널
US20110139210A1 (en) Solar cell panel
US8975507B2 (en) Solar cell module
CN102376794B (zh) 太阳能电池板
KR101694553B1 (ko) 태양 전지 모듈
JP5977165B2 (ja) 光電変換素子
KR101235339B1 (ko) 태양전지 모듈
KR101692561B1 (ko) 태양전지 패널
KR101798148B1 (ko) 태양전지 모듈
JP2013074047A (ja) 光電変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160127

Termination date: 20191111