CN102794612B - 一种W/Cu复合构件的制备方法 - Google Patents
一种W/Cu复合构件的制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
一种W/Cu复合构件的制备方法,属于耐高温、耐腐蚀、防辐射复合材料领域。该方法包括W块加工、封焊、热等静压处理。本发明制备的W/Cu复合构件,具有W/Cu界面结合强度高、工艺简单、成本低等优点;主要用于炉体、核、射线屏蔽等方面的材料,尤其是核聚变反应堆中等离子体屏蔽用复合材料。
Description
技术领域
本发明属于耐高温、耐腐蚀、防辐射复合材料领域,特别是涉及一种W/Cu复合构件的制备方法,主要用于炉体、核、射线屏蔽等方面的材料,尤其是核聚变反应堆中面向等离子体用W/Cu复合构件。
背景技术
核聚变反应堆中等离子体温度高达上亿度,离子速度高、冲刷力强,因而核聚变堆中面向等离子体材料要具有耐高温、抗冲刷、导热性能好的特点,常规材料难以满足核聚变堆的使用要求。
前期核聚变反应堆中采用的铍、CFC(石墨)材料由于抗H离子腐蚀能力差,尤其是铍材料有毒,无法满足核聚变反应堆的使用要求,需要选择新的材料。
本发明的W/Cu复合构件为环状结构,可实现冷却介质从W/Cu复合构件的中心孔中流过,增强了W/Cu部件的散热能力,有效降低防护材料的温度。
专利CN200580030241.X中采用钎焊的方法制备W/Cu复合构件,专利JP8-506315采用W+Cu粉末热等静压的方法制备W/Cu复合构件。
本发明的W/Cu复合构件是一种两层或多层结构,通过将W块(Mo块)和铜或铁结合在一起,综合了W的高熔点、耐高温、抗离子冲刷和Cu的优异导热性的优势。由于热等静压作用,进一步提高W/Cu界面结合强度,使W/Cu复合构件具有优良的耐高温、抗热疲劳能力,提高了W/Cu复合构件的导热能力,是新型的热防护用材料,能满足高热负荷的使用环境,尤其是用于核聚变反应堆面向等离子体材料(尤其是核聚变堆偏离器的等离子体防护材料),以及高温炉等设备的热屏蔽材料。
发明内容
本发明目的在于提供一种W/Cu复合构件的制备方法,该方法制备的W/Cu复合构件界面结合强度高、成本低。
本发明的技术方案是通过W块加工(W块的相对密度≥91%)、封焊、热等静压处理等步骤制备W/Cu复合构件,其具体步骤如下:
A、W块加工:采用内圆磨、铣、线切割的一种或几种在W块上加工出W孔;对W孔镀0~0.2mmNi层(W孔没有涂层,或镀≤0.2mmNi层),清洗干净;
B、封焊:按照W/Cu复合构件的结构,将Cu和W块组合在一起,采用电子束焊接、真空钎焊、包套或金属铜包覆的方法进行封焊,在W块或W孔上形成Cu层;
所述的Cu层采用Cu粉末、Cu块、Cu管制备。
所述的真空钎焊是将Cu管和W块组合在一起,在800~1050℃真空钎焊;焊料为Cu基、Ag基或Ni基钎焊。
包套方法:将Cu管和W块组合在一起,放入包套,包套材料采用钢或铜及其合金;在室温~700℃抽真空,封焊;
金属铜包覆方法:将铜放置在W块四周,升温到1090~1400℃使铜液包覆W块;该过程在真空、惰性或还原性气体保护下进行。
所述的惰性、还原性气体为Ar气、H2气、N2气、CO、NH3的一种或几种混合气;
C、热等静压:将封焊后的W/Cu组合件进行热等静压处理,处理温度800~1070℃,压力20~200MPa。
本发明与国外W/Cu复合构件制备技术相比具有界面结合强度高、生产工艺简单,成本低等优点。
附图说明
图1为W/Cu复合构件图。其中,W块 1,Cu层2。
具体实施方式
实施例1:
采用相对密度91%的W块,车加工W孔,孔表面光洁度3.2,将W块、Cu管清洗后,组装在一起,将CuNiMn焊料放置在W/Cu交叉部位,在1000℃真空钎焊30分钟,钎焊好的W/Cu件,在500℃、200MPa热等静压处理2h,机加工后得到W/Cu复合构件。该工艺制备的W/Cu复合构件的界面强度为133Mpa。
实施例2:
采用相对密度95%的W块,车加工W孔,将W块、Cu管清洗后,组装在一起,将Ag-28Cu焊料放置在W、Cu之间,在800℃真空钎焊15分钟,钎焊好的W/Cu件,在700℃、90MPa热等静压处理2h,机加工后得到W/Cu复合构件。该工艺制备的W/Cu复合构件的界面强度为110Mpa。
实施例3:
采用相对密度91%的W块,车加工W孔,孔表面光洁度3.2, Cu管表面化学镀镍0.02mm,将W块、Cu管清洗后,组装在一起,将BNi-2焊料放置在W/Cu交叉部位,在1050℃真空钎焊10分钟,钎焊好的W/Cu件,在800℃、20MPa热等静压处理2h,机加工后得到W/Cu复合构件。该工艺制备的W/Cu复合构件的界面强度为120Mpa。
实施例4:
采用相对密度98%的W块,车加工W孔,孔表面光洁度1.6, Cu管表面化学镀镍0.2mm,将W块、Cu管清洗后,组装在一起,电子束封焊W、Cu两端,将封焊好的W/Cu件,在1070℃、200MPa热等静压处理3h,机加工后得到W/Cu复合构件。该工艺制备的W/Cu复合构件的界面强度为125Mpa。
实施例5:
采用相对密度98%的W块,车加工W孔,孔表面光洁度1.6,将W孔内表面化学镀0.2mmNi层;然后将W块、Cu管清洗后,组装在一起;采用电子束焊接将W、Cu件两端头焊接在一起,将焊接好的W/Cu件,在1070℃热等静压处理2h,机加工后得到W/Cu复合构件。采用该工艺参数制备的W/Cu复合构件界面强度130Mpa。
实施例6:采用相对密度91%的W块,车加工W孔,孔表面光洁度3.2,将W块、Cu管清洗后,组装在一起,装入20#钢制成的包套中,700℃抽真空4h后,封焊,封焊好的W/Cu件包套,在1070℃、100MPa热等静压处理2h,去包套、机加工后得到W/Cu复合构件。采用该工艺参数制备的W/Cu复合构件界面强度70Mpa。
实施例7:
采用相对密度97%的W块,车加工W孔,孔表面光洁度3.2,将W孔内表面化学镀0.02mmNi层;然后将W块、Cu管清洗后,组装在一起,装入铜包套中,室温抽真空1h后,封焊,封焊好的W/Cu件包套,在温度900℃、压力60Mpa热等静压处理2h,去包套、机加工后得到W/Cu复合构件。采用该工艺参数制备的W/Cu复合构件界面强度90Mpa。
实施例8:
采用相对密度91%的W块,磨加工W孔,孔表面光洁度1.6,将W块清洗后, W块与Cu块在真空条件下加热到1400℃,Cu块熔化后用Cu液包裹W块,得到W/Cu复合坯料,然后将W/Cu复合坯料在1050℃、压力150Mpa热等静压处理1h,机加工后得到W/Cu复合构件。采用该工艺参数制备的W/Cu复合构件界面结合强度为146Mpa(铜层断裂)。
实施例9:
采用相对密度99%的W块,磨加工W孔,孔表面光洁度1.6,将W块清洗后, W块与Cu粉在Ar、H2(1:1)混合气保护下异步加热到1090℃,Cu块熔化后用Cu液包裹W块,得到W/Cu复合坯料,然后将W/Cu复合坯料在800℃、压力50Mpa热等静压处理2h,机加工后得到W/Cu复合构件。采用该工艺参数制备的W/Cu复合构件界面结合强度为156Mpa(铜层断裂)。
Claims (2)
1.一种W/Cu复合构件的制备方法,其特征在于,工艺步骤如下:
A、W块加工:采用内圆磨、铣、线切割的一种或几种在W块上加工出W孔;对W孔镀0~0.2mmNi层,清洗干净;所述的W块的相对密度≥91%;
B、封焊:按照W/Cu复合构件的结构,将Cu和W块组合在一起,采用电子束焊接、钎焊封焊、包套或金属铜包覆的方法进行封焊,在W块或W孔上形成Cu层;
钎焊封焊是将Cu管和W块组合在一起,在800~1050℃真空钎焊;焊料为Cu基、Ag基或Ni基钎焊;
C、热等静压:将封焊后的W/Cu组合件进行热等静压处理,处理温度800~1070℃,压力20~200MPa;
所述的Cu层采用Cu粉末、Cu块、Cu管制备;
所述的包套是将Cu管和W块组合在一起,放入包套,包套材料采用钢或铜及其合金;在室温~700℃抽真空,封焊;
所述的金属铜包覆是将铜放置在W块四周,升温到1090~1400℃使铜液包覆W块;该过程在真空、惰性或还原性气体保护下进行。
2.根据权利要求1所述的W/Cu复合构件的制备方法,其特征在于,所述的惰性或还原性气体为Ar、N2、H2、CO气体的一种或几种混合气体。
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