CN102776570A - 一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法 - Google Patents
一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102776570A CN102776570A CN201110121537XA CN201110121537A CN102776570A CN 102776570 A CN102776570 A CN 102776570A CN 201110121537X A CN201110121537X A CN 201110121537XA CN 201110121537 A CN201110121537 A CN 201110121537A CN 102776570 A CN102776570 A CN 102776570A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- monocrystalline
- brilliant brick
- treatment method
- surface treatment
- mono
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明公开了一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法，依次进行如下步骤：步骤A：对单晶晶砖表面进行机械研磨处理；步骤B：将研磨后的所述单晶晶砖放入盛有酸性腐蚀剂的腐蚀槽中进行腐蚀，去除所述单晶晶砖表面的损伤层；步骤C：将腐蚀后的所述单晶晶砖从所述腐蚀槽移至清洗槽中进行清洗，清洗完成后对其进行烘干。采用本发明提供的单晶晶砖表面处理方法对经线锯切割生成的单晶晶砖表面进行处理，不仅通过机械研磨消除了切割留下的线痕，而且通过酸腐蚀除去了单晶晶砖表面的损伤层，减少了单晶晶砖切片后生成的硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能级半导体单晶硅片加工领域，尤其涉及一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法。
背景技术
在太阳能级半导体单晶硅片加工过程中，经线锯开方生成的单晶晶砖由于表面粗糙，且线痕严重，不能直接对其进行切片。
在对单晶晶砖进行切片之前，需要先对单晶晶砖表面的线痕进行处理，现有技术的单晶晶砖表面线痕的处理方法为：使用金钢石磨轮对单晶晶砖表面进行物理法机械研磨处理，以除去单晶晶砖表面的线痕。然而在处理单晶晶砖表面线痕时会在单晶晶砖表面形成新的损伤层，容易导致切片后单晶硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良，因而使得单晶硅片的边缘不良率较高。
发明内容
为了解决现有技术的上述问题，本发明的目的是提供一种能够有效降低单晶硅片的边缘不良率的太阳能级单晶晶砖表面处理方法
为了实现上述目的，本发明提供了一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法，依次进行如下步骤：
步骤A：对单晶晶砖表面进行机械研磨处理；
步骤B：将研磨后的所述单晶晶砖放入盛有酸性腐蚀剂的腐蚀槽中进行腐蚀，去除所述单晶晶砖表面的损伤层；
步骤C：将腐蚀后的所述单晶晶砖从所述腐蚀槽移至清洗槽中进行清洗，清洗完成后对其进行烘干。
作为优选，所述步骤B中，所述酸性腐蚀剂是硝酸、氢氟酸和具有缓冲腐蚀速率作用的缓冲液的混合物。
作为进一步地优选，所述缓冲液是磷酸或醋酸。
作为进一步地优选，所述酸性腐蚀剂由质量百分比浓度为49％的氢氟酸和质量百分比浓度为68％的硝酸按1∶5的体积比混合后再加入所述缓冲液制成。
作为优选，所述步骤B中，将研磨后的所述单晶晶砖放入盛有酸性腐蚀剂的腐蚀槽中进行腐蚀的反应温度的范围是18～24℃。
作为优选，所述步骤B中，所述腐蚀槽由聚二氟乙烯制成。
作为优选，所述步骤C中，将腐蚀后的所述单晶晶砖从所述腐蚀槽移至清洗槽中所用的时间不超过2秒。
作为优选，所述步骤A进一步包括：
步骤A101：对所述单晶晶砖表面进行机械粗磨；
步骤A102：对粗磨后的所述单晶晶砖表面进行机械精磨。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
采用本发明提供的单晶晶砖表面处理方法对经线锯切割生成的单晶晶砖表面进行处理，不仅通过机械研磨消除了切割留下的线痕，而且通过酸腐蚀除去了单晶晶砖表面的损伤层，减少了单晶晶砖切片后生成的硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良。
附图说明
图1为本发明的太阳能级单晶晶砖表面处理方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例做进一步地详细说明。
图1为本发明的太阳能级单晶晶砖表面处理方法的流程示意图。如图1所示，本发明提供的太阳能级单晶晶砖表面处理方法按照如下步骤进行：
步骤A：对单晶晶砖表面进行机械研磨处理；
步骤B：将研磨后的所述单晶晶砖放入盛有酸性腐蚀剂的腐蚀槽中进行腐蚀，去除所述单晶晶砖表面的损伤层；
步骤C：将腐蚀后的所述单晶晶砖从所述腐蚀槽移至清洗槽中进行清洗，清洗完成后对其进行烘干。
所述步骤A中，利用磨床对所述单晶晶砖表面进行机械研磨处理，以消除所述单晶晶砖在利用线锯开方时留下的线痕，降低单晶晶砖表面的粗糙度；为了使所述单晶晶砖表面的粗糙度在研磨完毕后尽可能小，所述步骤A进一步包括：
步骤A101：对所述单晶晶砖表面进行机械粗磨；
步骤A102：对粗磨后的所述单晶晶砖表面进行机械精磨。
分别使用粗磨设备和精磨设备对所述单晶晶砖表面顺序进行机械粗磨和机械精磨后，单晶晶砖表面粗糙度约为Ry＝1～10um。
所述步骤B中，常用的酸性腐蚀剂由不同比例的硝酸、氢氟酸和具有缓冲腐蚀速率作用的缓冲液混合配制而成。其中，硝酸起氧化作用，用于将硅氧化成氧化硅；氢氟酸用于溶解生成的氧化硅；缓冲液用于缓冲对损伤层进行酸腐蚀的速率。腐蚀速率与酸性腐蚀剂中氢氟酸和硝酸的配比有关，当硝酸浓度较高时，腐蚀速率由氧化物的溶解速率决定；当氢氟酸浓度较高时，腐蚀速率由氧化速率决定。在本实施例中，所述酸性腐蚀剂由质量百分比浓度为49％的氢氟酸和质量百分比浓度为68％的硝酸按1∶5的体积比混合后再加入所述缓冲液制成。腐蚀过程的化学反应方程式为：
Si+2HNO3＝SiO2+2HNO2；
2HNO2＝NO↑+NO2↑+H2O；
SiO2+6HF＝H2SiF6+2H2O；
综合反应式：Si+2HNO3+6HF＝H2SiF6+NO↑+NO2↑+3H2O。
所述缓冲液不仅具有缓冲腐蚀速率的作用，还能改善单晶晶砖表面的湿化程度，避免单晶晶砖表面出现不规则的腐蚀结构。所述缓冲液一般采用磷酸或醋酸，根据添加的缓冲液的量可以调节腐蚀速率，当加入的缓冲液的量较少时，腐蚀速率较快；当加入的缓冲液的量较少时，腐蚀速率较慢。
所述步骤B中，将研磨后的所述单晶晶砖放入盛有酸性腐蚀剂的腐蚀槽中进行腐蚀的反应温度的范围是18～24℃，过高的温度有可能使金属杂质扩散进单晶晶砖中。
所述步骤B中，所述腐蚀槽由聚二氟乙烯(PVDF)制成。
所述步骤C中，腐蚀完成后要快速进行冲洗，将腐蚀后的所述单晶晶砖从所述腐蚀槽移至清洗槽中所用的时间不超过2秒，以避免晶砖表面产生黄斑。
采用本发明提供的单晶晶砖表面处理方法对经线锯切割生成的单晶晶砖表面进行处理，不仅通过机械研磨消除了切割留下的线痕，而且通过酸腐蚀除去了单晶晶砖表面的损伤层，减少了单晶晶砖切片后生成的硅片边缘产生蹦边等缺陷和不良。
以上实施例仅为本发明的示例性实施例，不用于限制本发明，本发明的保护范围由权利要求书限定。本领域技术人员可以在本发明的实质和保护范围内，对本发明做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本发明的保护范围内。
Claims (8)
1.一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法，其特征在于，依次进行如下步骤：
步骤A：对单晶晶砖表面进行机械研磨处理；
步骤B：将研磨后的所述单晶晶砖放入盛有酸性腐蚀剂的腐蚀槽中进行腐蚀，去除所述单晶晶砖表面的损伤层；
步骤C：将腐蚀后的所述单晶晶砖从所述腐蚀槽移至清洗槽中进行清洗，清洗完成后对其进行烘干。
2.根据权利要求1所述的太阳能级单晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述步骤B中，所述酸性腐蚀剂是硝酸、氢氟酸和具有缓冲腐蚀速率作用的缓冲液的混合物。
3.根据权利要求2所述的太阳能级单晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述缓冲液是磷酸或醋酸。
4.根据权利要求2所述的太阳能级单晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述酸性腐蚀剂由质量百分比浓度为49％的氢氟酸和质量百分比浓度为68％的硝酸按1∶5的体积比混合后再加入所述缓冲液制成。
5.根据权利要求1所述的太阳能级单晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述步骤B中，将研磨后的所述单晶晶砖放入盛有酸性腐蚀剂的腐蚀槽中进行腐蚀的反应温度的范围是18～24℃。
6.根据权利要求1所述的太阳能级单晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述步骤B中，所述腐蚀槽由聚二氟乙烯制成。
7.根据权利要求1所述的太阳能级单晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述步骤C中，将腐蚀后的所述单晶晶砖从所述腐蚀槽移至清洗槽中所用的时间不超过2秒。
8.根据权利要求1所述的太阳能级单晶晶砖表面处理方法，其特征在于，所述步骤A进一步包括：
步骤A101：对所述单晶晶砖表面进行机械粗磨；
步骤A102：对粗磨后的所述单晶晶砖表面进行机械精磨。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110121537XA CN102776570A (zh) | 2011-05-11 | 2011-05-11 | 一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110121537XA CN102776570A (zh) | 2011-05-11 | 2011-05-11 | 一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102776570A true CN102776570A (zh) | 2012-11-14 |
Family
ID=47121669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110121537XA Pending CN102776570A (zh) | 2011-05-11 | 2011-05-11 | 一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102776570A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103590113A (zh) * | 2013-11-18 | 2014-02-19 | 银川隆基硅材料有限公司 | 单晶硅位错腐蚀剂及检测方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102021659A (zh) * | 2010-12-10 | 2011-04-20 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 8英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀工艺 |
-
2011
- 2011-05-11 CN CN201110121537XA patent/CN102776570A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102021659A (zh) * | 2010-12-10 | 2011-04-20 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 8英寸轻掺单晶硅片的酸腐蚀工艺 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103590113A (zh) * | 2013-11-18 | 2014-02-19 | 银川隆基硅材料有限公司 | 单晶硅位错腐蚀剂及检测方法 |
| CN103590113B (zh) * | 2013-11-18 | 2016-08-17 | 银川隆基硅材料有限公司 | 单晶硅位错腐蚀剂及检测方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100248113B1 (ko) | 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물 | |
| KR101894603B1 (ko) | 수성 알칼리 에칭 및 세정 조성물 및 실리콘 기판 표면을 처리하는 방법 | |
| KR101922855B1 (ko) | 규소 기판의 표면을 처리하기 위한 수성 알칼리 조성물 및 방법 | |
| CN102021658A (zh) | 重掺单晶硅片先碱腐蚀后酸腐蚀的腐蚀工艺 | |
| CN102254953B (zh) | N型少子寿命大于1000微秒太阳能硅片制造方法 | |
| CN106733876B (zh) | 一种金刚线切割的晶体硅片的清洗方法 | |
| CN107775521A (zh) | 一种太阳能级单晶硅片表面处理方法 | |
| CN107516693A (zh) | 一种晶硅太阳能电池抛光片的加工方法 | |
| CN110281408A (zh) | 一种硅棒的多线切割方法及装置 | |
| CN102446736A (zh) | 一种用hf和冰乙酸配制的腐蚀液去除晶圆边缘氧化膜的方法 | |
| CN106653561B (zh) | 一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法 | |
| CN102776570A (zh) | 一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法 | |
| CN102776573A (zh) | 一种太阳能级多晶晶砖表面处理方法 | |
| CN112382695A (zh) | 一种适用于单晶硅片切割损伤层去除的生产线和方法 | |
| JP2005340643A (ja) | 太陽電池用半導体基板の製造方法 | |
| JP2014192424A (ja) | 太陽電池基板の表面処理方法 | |
| CN102776571A (zh) | 一种太阳能级单晶晶砖表面处理方法 | |
| JP2012114138A (ja) | シリコンウェーハのエピタキシャル成長方法 | |
| CN103021831A (zh) | 一种高少数载流子寿命单晶硅腐蚀片的加工方法 | |
| JP6104192B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| TWI538986B (zh) | 蝕刻液以及矽基板的表面粗糙化的方法 | |
| KR101234574B1 (ko) | 산소 플라즈마를 이용한 유기성 오염물 제거방법 및 이를 이용한 태양전지용 실리콘 웨이퍼 제조 방법 | |
| CN107785455A (zh) | 一种太阳能级多晶硅片表面处理方法 | |
| TW201921707A (zh) | 用於將多結晶之鑽石線鋸切割矽基板的表面紋理化時使用含臭氧之介質的方法及裝置 | |
| CN108130599A (zh) | 一种金刚线切割多晶硅片的预制绒方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C05 | Deemed withdrawal (patent law before 1993) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121114 |