CN102769433A - 采用nmos调整管的射频功率放大器功率控制电路 - Google Patents

采用nmos调整管的射频功率放大器功率控制电路 Download PDF

Info

Publication number
CN102769433A
CN102769433A CN2012101834904A CN201210183490A CN102769433A CN 102769433 A CN102769433 A CN 102769433A CN 2012101834904 A CN2012101834904 A CN 2012101834904A CN 201210183490 A CN201210183490 A CN 201210183490A CN 102769433 A CN102769433 A CN 102769433A
Authority
CN
China
Prior art keywords
control circuit
power control
nmos
output
pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012101834904A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102769433B (zh
Inventor
苏强
彭振飞
李阳
候阳
奕江涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangzhou Huizhi Microelectronics Co.,Ltd.
Original Assignee
GUANGZHOU HUIZHI MICROELECTRONIC CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GUANGZHOU HUIZHI MICROELECTRONIC CO Ltd filed Critical GUANGZHOU HUIZHI MICROELECTRONIC CO Ltd
Priority to CN201210183490.4A priority Critical patent/CN102769433B/zh
Publication of CN102769433A publication Critical patent/CN102769433A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102769433B publication Critical patent/CN102769433B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

本发明公开了一种面积紧凑的射频功率放大器功率控制电路。在集电极功率控制的射频功放中,集电极的输出电压直接控制了射频输出电压幅度。本发明将通常功率控制中的PMOS型调整管以NMOS管取代,并通过升压型电荷泵电路来提高NMOS调整管的驱动电压。通过提高NMOS管的驱动电压能够提高控制电压的范围。采用NMOS调整管的好处是功率控制电路的输出为低阻抗,补偿电路简单,在不需要外接大的输出电容的情况下能实现稳定的电压输出。其次在具有相同导通能力的情况下NMOS管的面积比同等情况下的PMOS管要小,可以节约芯片面积,降低设计成本。

Description

采用NMOS调整管的射频功率放大器功率控制电路
技术领域
本发明涉及一种减小射频功率放大器功率控制电路面积的方法。
技术背景
在当今的移动通讯系统中,手持移动终端的发射功率需要根据距离基站的距离或者信号强弱来进行动态控制。当采用恒定包络调制时,射频功率放大器一般工作在饱和状态以获得最高的功率效率。饱和状态的功率放大器的功率控制一般采用控制功放电源电压来实现,因为理论上功放的饱和输出电压幅度与功放电源电压幅度成正比。通常设计中采用集电极功率控制方式,即通过控制功放的集电极电压控制输出功率。由于移动设备一般采用电池供电,最高电压一般在3~4V之间。为了满足功放的输出功率指标,功放的电源电压不能太低,因此要求功率控制电路的输入输出电压差尽量小。通常设计中采用PMOS管作为调整管,如图1所示,PMOS管M1的源极与电池输出电压VBAT相连。PMOS管的漏极作为功率控制电路的输出端也就是功放的电压VCC。PMOS管工作在饱和状态,设计中只需0.1~0.2V即可保证PMOS工作在饱和区,因此这种功率控制电路具有较小的输入输出电压差。但是PMOS作为调整管存在如下几个问题:(1)PMOS管的导通特性不如NMOS管,因此当需要输出大电流时,PMOS管的尺寸较大,增加了芯片面积和成本。(2)PMOS管的漏极作为功率控制电路的输出是一个高阻抗节点,因此输出节点对应于一个频率比较低的极点。如果该极点与反馈运放OP1的极点距离太近会因此稳定性问题,为此通常采用米勒补偿即增加电容Cc来达到极点分离的效果。这导致了设计的复杂性增加。(3)采用米勒补偿后的功率控制电路环路带宽较小,当输出负载存在快速变化时,如果LDO环路跟不上负载的变化速度,这将导致输出电压不稳定,这在射频功率放大电路中是不可接受的。因此为了稳定输出电压需要在功率控制电路的输出也就是功放的VCC增加一个到地的输出电容Cload。该电容必须足够大以衰减高频电压纹波。引入电容Cload进一步降低的输出极点的频率,恶化了环路的稳定性。
发明内容
本发明解决的问题是克服在射频功率放大器的功率控制电路中采用PMOS调整管带来的一系列问题。
为了解决上述问题本发明提供的方法是:通过采用NMOS调整管并利用升压电荷泵提高NMOS管驱动电压的方法来提高了NMOS调整管的输出电压。克服了NMOS管输出电压不高的缺点。同时简化了功率控制电路环路的补偿并降低了调整管的尺寸,减小了芯片面积和成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明做进一步的详细的说明:
图1是通常的采用PMOS调整管的功率放大器功率控制电路结构
图2是本发明的采用NMOS调整管的功率放大器功率控制电路结构
具体实施方式
本发明提供了一种以NMOS管作为功率放大器功率控制电路调整管的方法。采用一个升压电荷泵提高NMOS管的驱动电压,克服了采用NMOS调整管的功率控制电路的最高输出电压低的缺点。避免了对功放输出功率的限制。
本发明的一个实施例如图2所示。图中显示了一种功率放大电路的输出级结构,输出级由扼流电感Lc,隔直电容C1,C2,发射极阻抗Ze和放大管Q1组成。功放的输出功率是通过控制功率控制电路的输出电压来完成。功率控制电路的输入电压是电池电压VBAT,功率控制电路的输出电压VCC作为功率放大器的电源电压。图中的反馈网络由电阻R1和R2构成。VCC经电阻R1,R2分压后反馈回误差放大器OP1的反相输入端,误差放大器的正相输入端节参考电压Vref用来调节输出电压。功率控制电路的补偿网络在这里用一个电容Cc来完成。Cc作为补偿电容可以控制功率控制电路环路的主极点,保证环路稳定。PVG(正电压产生器)是由升压电荷泵构成,其作用是将OP1的输出电压抬高,PVG通过电荷泵的升压作用使得输出电压超过电池电压VBAT,PVG的输出驱动NMOS调整管M1,虽然M1的栅源之间至少有一个阈值电压的降低,但是由于M1的栅极电压高于VBAT,因此M1的源极电压Vcc可以接近VBAT,因此功率控制电路的输入输出电压差较小。
由于功率控制电路为NMOS管源极输出因此其输出阻抗低,驱动负载能力强,即使是功放电路由于扼流电感不是无穷大而导致射频信号泄漏到功率控制电路的输出极,功率控制电路的低输出阻抗有助于快速的稳定输出电压。保证功率放大器的输出功率稳定。虽然图2中功率控制电路输出阻抗较低,但是其输出端仍然增加了一个小电容Cout作为输出的稳压电容,该电容相比图1中的输出电容Cload小的多。由于功率控制电路的输出为低阻抗,因此该电容的加入对环路的稳定性并无重大影响。
以图2的电路实习形式,可以根据电路中的电流和电压参数计算调整管的尺寸。假设MOS管的迁移率为U0,栅氧化层厚度为Cox,功率控制电路能提供的最大电流为Imax,要求的输入输出间最小压降为Vdsmin,则根据MOS管饱和区电流公式:
I max = 1 2 × U 0 × Cox × W L × ( Vgs - Vth ) 2
保证MOS管工作在饱和区的最小漏源压Vdsmin约等于栅源电压与阈值电压之差:
Vdsmin≈Vgs-Vth
可以得出所需的晶体管的宽长比为:
W L = 2 × I max U 0 × Cox × Vds min 2
一般的CMOS工艺中NMOS管的迁移率一般的PMOS管的2~3倍,栅氧化层厚度基本相同。因此在相同的输出电流和电压差要求下,NMOS管的尺寸仅仅是PMOS管的三分之一到二分之一大小。因此采用NMOS调整管可以减小芯片面积,降低成本。
综上所述,本发明在射频功率放大器的功率控制电路中采用NMOS调整管以及辅助的升压电荷泵来驱动该调整管的方法来减小调整管的尺寸,同时可以减小功率控制电路的输出电容,简化了环路补偿的复杂度,有效的降低了芯片成本。

Claims (5)

1.一种采用NMOS调整管降低射频功率放大器功率控制电路面积的方法。其特征在于,在射频功率放大器中采用集电极功率控制方式,在功率控制电路中采用NMOS管作为导通管,并通过升压电荷泵来提高NMOS管驱动电压实现高输出电压范围。
2.根据权利要求1所述的功率控制电路,其特征在于功率控制电路输出电压作为射频功率放大器的电源电压。功率控制电路的输出电压控制功率放大器的输出电压幅度,从而控制输出功率大小。
3.根据权利要求1所述的功率控制电路,其特征在于采用NMOS管作为调整管。NMOS调整管的面积小于PMOS调整管的面积,同时由于NMOS调整管面积减小使驱动电路的设计也更易于实现。
4.根据权利要求1所述的功率控制电路,其特征在于采用NMOS管作为调整管,NMOS管的源极输出结构使得功率控制电路的输出阻抗低,输出端的极点频率高,功率控制电路环路的补偿电路得以简化,在误差放大器的输出增加简单的补偿网络即可完成频率补偿。
5.根据权利要求1所述的功率控制电路,其特征在于采用升压电荷泵来提高NMOS调整管的驱动电压,通过提高NMOS管的驱动电压,补偿了NMOS管的栅源电压导致的输出电压下降,提高了功率控制电路的最高输出电压。
CN201210183490.4A 2012-06-06 2012-06-06 采用nmos调整管的射频功率放大器功率控制电路 Active CN102769433B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210183490.4A CN102769433B (zh) 2012-06-06 2012-06-06 采用nmos调整管的射频功率放大器功率控制电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210183490.4A CN102769433B (zh) 2012-06-06 2012-06-06 采用nmos调整管的射频功率放大器功率控制电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102769433A true CN102769433A (zh) 2012-11-07
CN102769433B CN102769433B (zh) 2016-04-27

Family

ID=47096708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210183490.4A Active CN102769433B (zh) 2012-06-06 2012-06-06 采用nmos调整管的射频功率放大器功率控制电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102769433B (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104393859A (zh) * 2014-10-11 2015-03-04 中国电子科技集团公司第三十六研究所 一种电压切换电路
CN104820459A (zh) * 2015-03-18 2015-08-05 北京兆易创新科技股份有限公司 一种ldo电路
CN105183067A (zh) * 2015-08-05 2015-12-23 矽恩微电子(厦门)有限公司 应用电荷泵的高压ldo
CN107040224A (zh) * 2017-05-04 2017-08-11 广州慧智微电子有限公司 一种控制电路及方法
CN108880491A (zh) * 2017-05-10 2018-11-23 三星电机株式会社 具有升压功能的功率放大装置
CN109818588A (zh) * 2017-11-21 2019-05-28 锐迪科微电子(上海)有限公司 一种射频功率放大器模组
CN110165889A (zh) * 2019-05-21 2019-08-23 珠海英搏尔电气股份有限公司 一种低压差稳压电路装置
CN110855253A (zh) * 2018-08-20 2020-02-28 原相科技股份有限公司 放大器电路及转阻放大器电路
CN111033431A (zh) * 2017-10-12 2020-04-17 微芯片技术股份有限公司 用于高速微控制器的片上nmos无电容ldo
CN112327987A (zh) * 2020-11-18 2021-02-05 上海艾为电子技术股份有限公司 一种低压差线性稳压器及电子设备
WO2023097940A1 (zh) * 2021-11-30 2023-06-08 深圳飞骧科技股份有限公司 一种功率放大电路及射频信号的处理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101159412A (zh) * 2006-10-02 2008-04-09 精工电子有限公司 包含升压电路的电子器件
CN101499782A (zh) * 2008-01-28 2009-08-05 民瑞科技股份有限公司 射频功率放大器的输出功率控制的电路设计方法
CN201616811U (zh) * 2010-04-14 2010-10-27 锐迪科创微电子(北京)有限公司 功率控制电路及应用该电路的射频功率放大器模块
WO2011133542A1 (en) * 2010-04-19 2011-10-27 Rf Micro Devices, Inc. Pseudo-envelope following power management system
CN102354242A (zh) * 2011-08-02 2012-02-15 唯捷创芯(天津)电子技术有限公司 一种功率控制电路

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101159412A (zh) * 2006-10-02 2008-04-09 精工电子有限公司 包含升压电路的电子器件
CN101499782A (zh) * 2008-01-28 2009-08-05 民瑞科技股份有限公司 射频功率放大器的输出功率控制的电路设计方法
CN201616811U (zh) * 2010-04-14 2010-10-27 锐迪科创微电子(北京)有限公司 功率控制电路及应用该电路的射频功率放大器模块
WO2011133542A1 (en) * 2010-04-19 2011-10-27 Rf Micro Devices, Inc. Pseudo-envelope following power management system
CN102354242A (zh) * 2011-08-02 2012-02-15 唯捷创芯(天津)电子技术有限公司 一种功率控制电路

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ERICH BAYER ET AL.: "Charge pump with active cycle regulation closing the gap between linear and skip modes", 《POWER ELECTRONICS SPECIALISTS CONFERENCE》, vol. 3, 18 June 2000 (2000-06-18), pages 1497 - 1502 *
MOHAMMAD MAHDI AHMADI ET AL.: "A full cmos voltage regulations circuit for bioimplantable applications", 《CIRCUITS AND SYSTEMS》, vol. 2, 7 August 2002 (2002-08-07), pages 988 - 991, XP010893757, DOI: doi:10.1109/MWSCAS.2005.1594269 *
牟在鑫: "无滤波器立体声音频D类功率放大器专用集成电路的设计与实现", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》, no. 2, 15 February 2009 (2009-02-15) *
程林等: "一种固定关断时间控制模式的升压变换器", 《固体电子学研究与进展》, vol. 31, no. 3, 30 June 2011 (2011-06-30), pages 287 - 290 *

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104393859B (zh) * 2014-10-11 2017-11-17 中国电子科技集团公司第三十六研究所 一种电压切换电路
CN104393859A (zh) * 2014-10-11 2015-03-04 中国电子科技集团公司第三十六研究所 一种电压切换电路
CN104820459A (zh) * 2015-03-18 2015-08-05 北京兆易创新科技股份有限公司 一种ldo电路
CN105183067A (zh) * 2015-08-05 2015-12-23 矽恩微电子(厦门)有限公司 应用电荷泵的高压ldo
CN107040224A (zh) * 2017-05-04 2017-08-11 广州慧智微电子有限公司 一种控制电路及方法
CN107040224B (zh) * 2017-05-04 2023-10-03 广州慧智微电子股份有限公司 一种控制电路及方法
CN108880491B (zh) * 2017-05-10 2022-05-03 三星电机株式会社 具有升压功能的功率放大装置
CN108880491A (zh) * 2017-05-10 2018-11-23 三星电机株式会社 具有升压功能的功率放大装置
CN111033431A (zh) * 2017-10-12 2020-04-17 微芯片技术股份有限公司 用于高速微控制器的片上nmos无电容ldo
CN111033431B (zh) * 2017-10-12 2022-01-14 微芯片技术股份有限公司 用于高速微控制器的片上nmos无电容ldo
CN109818588A (zh) * 2017-11-21 2019-05-28 锐迪科微电子(上海)有限公司 一种射频功率放大器模组
CN109818588B (zh) * 2017-11-21 2023-08-22 锐迪科微电子(上海)有限公司 一种射频功率放大器模组
CN110855253A (zh) * 2018-08-20 2020-02-28 原相科技股份有限公司 放大器电路及转阻放大器电路
CN110165889A (zh) * 2019-05-21 2019-08-23 珠海英搏尔电气股份有限公司 一种低压差稳压电路装置
CN112327987B (zh) * 2020-11-18 2022-03-29 上海艾为电子技术股份有限公司 一种低压差线性稳压器及电子设备
CN112327987A (zh) * 2020-11-18 2021-02-05 上海艾为电子技术股份有限公司 一种低压差线性稳压器及电子设备
WO2023097940A1 (zh) * 2021-11-30 2023-06-08 深圳飞骧科技股份有限公司 一种功率放大电路及射频信号的处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102769433B (zh) 2016-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102769433B (zh) 采用nmos调整管的射频功率放大器功率控制电路
US10903796B2 (en) Voltage generation circuit and related envelope tracking amplifier apparatus
US10491161B2 (en) Apparatus for and method of a supply modulator for a power amplifier
CN100590567C (zh) 快速低压降(ldo)pfet调节器电路
CN103036509B (zh) 适用于低噪声放大器的偏置电路
CN102255526B (zh) 一种ac-dc电源转换芯片及电源转换电路
CN102969765B (zh) 一种恒流恒压充电控制电路
US10171036B2 (en) Power amplification circuit
US11128215B2 (en) Direct current voltage step-down regulation circuit structure
CN104065349A (zh) 射频放大电路以及功率放大模块
JP2015149519A (ja) 電力増幅モジュール
CN103138690A (zh) 一种射频功率放大器中通过偏置电流进行功率补偿的电路
CN105048969A (zh) GaN HEMT偏置电路
CN104063003A (zh) 一种集成摆率增强电路的低功耗无片外电容ldo
CN105094193A (zh) 低压差稳压器
CN104699153A (zh) 低压差线性稳压器
CN103389763A (zh) 一种低压差线性稳压器及其电源抑制比提高方法
CN108021177A (zh) 基于nmos的电压调节器
CN104682727A (zh) 带有电流补偿电路的原边恒压反馈ac/dc转换器
CN103929055A (zh) 一种供电电路和开关电源
CN107994767A (zh) 电压电源
CN202711104U (zh) 一种低压差线性稳压器
CN101958647A (zh) 电源电路及接收设备
CN101833346A (zh) 一种精度和电源抑制比增强的低压差线性稳压器
TWI400592B (zh) 線性穩壓器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 510663 8th floor, building C2, Chuangxin building, No. 182, Kexue Avenue, Huangpu District, Guangzhou, Guangdong

Patentee after: Guangzhou Huizhi Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: 510663 unit c2-307, innovation building, No. 182, science Avenue, Science City, high tech Industrial Development Zone, Guangzhou, Guangdong Province

Patentee before: SMARTER MICROELECTRONICS (GUANG ZHOU) Co.,Ltd.