CN102760749A - 发光器件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种发光器件及其制作方法，涉及光电技术领域，为有效改善发光器件的散热性能，从而延长发光器件的使用寿命而发明。所述发光器件，包括基板，所述基板上设置有发光部，所述发光器件中还集成有半导体热电制冷部，所述半导体热电制冷部设置在所述发光部上；所述半导体制冷部包括冷端和热端，所述冷端靠近所述发光部，所述热端远离所述发光部。本发明可用于多种发光器件中。

Description

发光器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制作方法。
背景技术
有机电致发光二极管OLED(Organic Light-Emitting Diode)被认为是继液晶显示技术之后的最理想的第三代显示技术，在平板显示、照明、显示器背光源等各个领域具有广泛的应用。
OLED中的有机材料对氧气敏感，一旦接触到氧气，易于与氧气发生反应，从而使OLED的性能产生恶化。为了防止这种情况发生，现有技术中，一般使用玻璃对OLED的整个发光部分进行包覆。使用玻璃包覆虽然能够避免OLED中的有机材料与氧气接触，但是，由于OLED本身与包覆的玻璃之间留有缝隙，而且，玻璃本身是不容易导热的材料，因此，OLED通电工作所产生的热量不易于传导出去，易造成OLED过热损坏，影响OLED的使用寿命。
发明内容
本发明实施例的主要目的在于，提供一种发光器件及其制作方法，能够有效改善发光器件的散热性能，从而延长发光器件的使用寿命。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供一种发光器件，包括基板，所述基板上设置有发光部；所述发光器件中还集成有半导体热电制冷部，所述半导体热电制冷部设置在所述发光部上。
另一方面，本发明实施例提供一种上述发光器件的制作方法，包括以下步骤：
在基板上制备发光部；
在所述制备有发光部的基板上，制备半导体热电制冷部；
对所述制备有发光部和半导体热电制冷部的基板进行封装处理。
本发明实施例提供的发光器件及其制作方法，该发光器件中集成有半导体热电制冷部，该半导体热电制冷部利用热电效应原理，在发光部工作时，吸收并释放发光部所产生的热量，降低发光部工作时的温度，因此，能够有效改善发光器件的散热性能，从而延长发光器件的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的发光器件的一种结构示意图；
图2为本发明实施例提供的发光器件的一种结构示意图；
图3(a)-(c)为本发明实施例提供的发光器件中，半导体制冷单元的连接方式的原理示意图；
图4为本发明实施例提供的发光器件的制作方法的流程图；
图5为本发明实施例提供的发光器件为OLED的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种发光器件，如图1所示，本发明实施例提供的发光器件，包括基板1，基板1上设置有发光部2；所述发光器件中还集成有半导体热电制冷部3，半导体热电制冷部3设置在所述发光部2上。
其中，半导体热电制冷部3是一种基于帕尔帖效应(即热电效应)原理、利用半导体热电材料进行制冷的部件，其包括冷端31和热端32，冷端31靠近发光部2，用于吸收发光部2所产生的热量，而热端32远离于发光部2，用于释放冷端31所吸收的热量。
需要说明的是，本发明实施例提供的发光器件，半导体热电制冷部3是集成在发光器件中的，其直接制备在发光部2上，能够获得良好的制冷效果。
本发明实施例提供的发光器件，在发光部2工作时，利用半导体热电制冷部3吸收并释放发光部2所产生的热量，从而降低发光部2工作时的温度，因此，能够有效改善该发光器件的散热性能，从而延长发光器件的使用寿命。
具体的，在本发明的一个实施例中，如图2所示，半导体热电制冷部3包括第一绝缘导热层301、半导体热电堆层302和第二绝缘导热层303；第一绝缘导热层301设置在发光部2上，半导体热电堆层302设置在第一绝缘导热层301上，第二绝缘导热层303设置在半导体热电堆层302上；
其中，半导体热电堆层302中分布有至少一个半导体制冷单元304(虚线框所示)，每个半导体制冷单元304包括金属下电极3041、P型半导体3042、N型半导体3043和金属上电极3044；金属下电极3041设置在第一绝缘导热层301上，P型半导体3042和N型半导体3043设置在金属下电极上3041，金属上电极3044设置在P型半导体的顶部和N型半导体的顶部。
图2所示的实施例中，同一半导体制冷单元304的P型半导体3042的底部和N型半导体3043的底部通过金属下电极3041相连接；当半导体热电堆层302中分布有多个半导体制冷单元304时，金属上电极3044用于相邻半导体制冷单元304之间的连接。
当直流电流由N型半导体3043流向P型半导体3044时，基于帕尔帖效应原理，N型半导体3043与金属下电极3041、以及P型半导体3042与金属下电极3041接触的部位吸热，称为冷端。N型半导体3043与金属上电极3044、以及P型半导体3042与金属上电极3044接触的部位放热，称为热端。图2所示的发光元件工作时，发光部2产生的热量穿过第一绝缘导热层301传递至冷端，冷端将吸收该热量，而热端释放冷端所吸收的热量，所释放的热量穿过第二绝缘导热层303传递至发光元件外部。
优选的，在本发明的一个实施例中，为了有效提高制冷效果，半导体热电堆层302中分布有多个(二个或二个以上)半导体制冷单元304。该多个半导体制冷单元304可呈阵列状分布，并且如图3(a)至图3(c)所示，多个半导体制冷单元304可串联连接、并联连接或串并联组合连接形成多级热电堆，多级热电堆扩大了冷端和热端的面积，制冷效果更好。本实施例通过金属上电极3044实现多个半导体制冷单元304之间的连接。
可以理解的，参见图3(a)，多个半导体制冷单元分布为两列，两列半导体制冷单元串联连接，电流全部通过每一半导体制冷单元而不分流，且流经每一制冷单元的电流均是由N型半导体流向P型半导体。参见图3(b)，多个半导体制冷单元分为两列，两列半导体制冷单元并联连接，电流分流后分别流经两列半导体制冷单元，且流经每一制冷单元的电流均是由N型半导体流向P型半导体。参见图3(c)，串并联组合连接是指既包括列和列串联连接，还包括列和列的并联连接。
需要说明的是，图3(a)至图3(c)仅为多个半导体制冷单元304之间的连接的原理性示意图，并不表示本实施例的半导体制冷单元的个数和真实连接，例如，每列半导体制冷单元可包括一个或多个半导体制冷单元，半导体热电堆层302中可以分布有多列半导体制冷单元。本领域技术人员可根据图3(a)至图3(c)的连接原理，选择半导体制冷单元的个数和/或列数，并通过金属上电极3044实现多个半导体制冷单元的串联、并联或者串并联组合连接，这里不再赘述。
进一步可选的，在本实施例中，同一个半导体制冷单元304的P型半导体3042和N型半导体3043之间，以及相邻半导体制冷单元304之间可设置有绝缘隔离部305，以有效保证半导体制冷单元304的电学性能。
本实施例中，第一绝缘导热层301与第二绝缘导热层302的材料可相同也可不同，由于两者用于传导热量，因此，两者的材料优选为高热导率的无机材料，可选的，第一绝缘导热层301与第二绝缘导热层302的材料均可选自类金刚石、氮化铝、氮化硼、氮化硅、三氧化二铝、氧化镁中的一种。此外，第一绝缘导热层301与第二绝缘导热层302的材料可相同也可不同，可选的，所述第一绝缘导热层与第二绝缘导热层302的厚度为100-5000纳米。
本实施例中，P型半导体3042的材料可选自以下材料中的一种或几种的组合：碲化铋二元固溶体Bi2Te3-Sb2Te3、碲化铋三元固溶体Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3，P型Ag(1-x)Cu(x)Ti Te，YBaCuO超导材料。
本实施例中，N型半导体3043的材料可选自以下材料中的一种或几种的组合：碲化铋二元固溶体Bi2Te3-Bi2Se3，碲化铋三元固溶体Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3，N型Bi-Sb合金，YBaCuO超导材料。
碲化铋三元固溶体相对于碲化铋二元固溶体来讲，提高了固溶体材料的禁带宽度，可以进一步降低晶格热导率。
本实施例中，金属上电极3044和金属下电极3041的材料可相同也可不同，均可选自以下材料中的银、铜、金和铝中的一种，并且两者的厚度可相同也可不同，例如均可为50-1000纳米。
需要说明的是，本发明实施例提供的发光器件可以为OLED、无机发光二极管、有机太阳能电池、无机太阳能电池、有机薄膜晶体管、无机薄膜晶体管和光探测器等，本发明对此不做限定。
相应的，本发明实施例还提供一种上述发光器件的制作方法，如图4所示，包括以下步骤：
步骤10，在基板上制备发光部。
此步骤可与现有技术相同，此处不再赘述。
步骤11，在所述制备有发光部的基板上，制备半导体热电制冷部。
以图2所示的实施例的发光器件的制备为例，本步骤具体包括以下几步：
首选，在所述发光部上，沉积第一绝缘导热层。
具体的，可以采用真空蒸镀、磁控溅射、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、离子团束沉积、金属有机化学气相沉积法、触媒式化学气相沉积、激光脉冲沉积法、脉冲等离子体方法、脉冲激光方法、电子束蒸发、溶胶-凝胶法、喷墨打印、电镀等方式来沉积第一绝缘导热层，本发明对此不做限定。
然后，在所述第一绝缘导热层上，应用遮罩(shadow mask)制程制备金属下电极。
其中，所谓遮罩制程意为通过遮罩露出需要制备金属下电极的位置，而遮挡住其他位置，从而使得金属下电极仅制备在遮罩所露出的位置上，遮罩所遮挡住的位置保持原样。以下用到的其它遮罩制程的原理与此相同。
具体的，金属下电极可以采用真空蒸镀、磁控溅射、离子镀、直流溅射镀膜、射频溅射镀膜、离子束溅射镀膜、离子束辅助沉积、等离子增强化学气相沉积、高密度电感耦合式等离子体源化学气相沉积、离子团束沉积、金属有机化学气相沉积法、触媒式化学气相沉积、激光脉冲沉积法、脉冲等离子体方法、脉冲激光方法、电子束蒸发、溶胶-凝胶法、喷墨打印、电镀等方式进行制备，本发明对此不做限定。
接下来，在所述金属下电极上，应用遮罩制程分别制备P型半导体和N型半导体。
P型半导体和N型半导体的制备顺序不限，可以先行制备P型半导体，然后制备N型半导体，反之亦可。具体可以采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、分子束外延生长(MBE)、磁控溅射(MS)、离子束溅射(IBS)、共蒸发(Co-evaporation)和瞬间蒸发法(Flash evaporation)中的一种或几种方式制备P型半导体和N型半导体，本发明对此不做限定。
接下来，在所述P型半导体和N型半导体上，应用遮罩制程制备金属上电极。金属上电极的制备方式可与金属下电极的制备方式相同，这里不再赘述。
然后，在金属上电极上，沉积第二绝缘导热层。第二绝缘导热层的制备方式可与第一绝缘导热层的制备方式相同，这里不再赘述。
需要说明的是，在本发明的一个实施例中，为了保证发光器件的电学性能，有效避免短路等电学故障，在制备P型半导体和N型半导体之后，制备金属上电极之前，所述制作方法还包括：
应用遮罩制程，在同一个半导体制冷单元的P型半导体和N型半导体之间以及相邻半导体制冷单元304之间沉积绝缘隔离部。
步骤12，对所述制备有发光部和半导体热电制冷部的基板进行封装处理。
可选的，本步骤中可以使用金属箔、玻璃封装盖板、复合薄膜等多种封装方式，还可以使用混合封装方式，混合封装是指同时使用至少两种封装方式进行封装，例如，既使用了金属箔封装，还在金属箔上应用玻璃盖板进行封装。
为了更好的说明本发明实施例提供的发光器件及其制作方法，下面以发光器件为OLED为例进行具体说明。以下的各实施例中，发光器件为OLED，如图5所示，包括基板1，基板1上设置有发光部2，发光部2上设置有半导体热电制冷部3；其中，发光部2包括阳极层20、有机功能层21和金属电极层22，阳极层20设置在基板1上，有机功能层21设置在阳极层20上，金属电极层22设置在有机功能层21上；半导体热电制冷部3的结构与图2所示实施例相同，这里不再赘述，其中第一绝缘导热层301设置在金属电极层22上。
其中，基板1在可见光区域有着良好的透光性能，有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有较好的表面平整性，它可以是玻璃或柔性基片，柔性基片采用聚酯类、聚酞亚胺化合物中的一种材料或者较薄的金属。
阳极层20作为有机发光二极管正向电压的连接层，通常采用无机金属氧化物(如氧化铟锡ITO、氧化锌ZnO等)、有机导电聚合物(如PEDOT:PSS，PANI等)或高功函数的金属材料(如金、铜、银、铂等)。
金属电极层22作为器件负向电压的连接层，通常为低功函数金属材料锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它们与铜、金、银的合金，或者包括一层很薄的缓冲绝缘层(如LiF、MgF2等)和前面所提到的金属或合金。
实施例1
本实施例的OLED，如图5所示，阳极层20为ITO层，金属电极层22为Mg:Ag合金层，第一绝缘导热层301和第二绝缘导热层303为类金刚石层，厚度均为500nm，金属上电极3044和金属下电极3041的材料为Al，厚度为1000nm，P型半导体3042是Bi2Te3-Sb2Te3，N型半导体3043是Bi2Te3-Bi2Se3，厚度均为1500nm。
该OLED的制作方法包括以下步骤：
1、在基板1上依次制备阳极层20、有机功能层21和金属电极层22，以完成发光部2的制备。
2、采用真空磁过滤技术，对制备有阳极层20、有机功能层21和金属电极层22的基板1施加低频率周期性负偏压，室温下，在金属电极层22上沉积类金刚石薄膜(第一绝缘导热层301)。
具体的，制备该类金刚石薄膜的磁过滤等离子体设备中，采用高纯石墨作为阴极，真空室的基础真空在10-3Pa左右，电弧电流70A，电弧电压20V，过滤磁场电流20A，可产生40mT的磁场，使用99.999％的高纯氩气作为工作气体，气体流量控制在1.5sccm，周期性偏压为(0，-50V)，沉积时间为60min，基板1与高纯石墨阴极的距离为30cm。
本步骤制备的类金刚石薄膜的厚度为500nm，表面致密光滑，表面粗糙度小于1nm。
3、在步骤2制备的类金刚石薄膜上，应用遮罩制程，通过磁控溅射法在类金刚石薄膜上制备一层致密的热导率高的Al金属阵列(多个金属下电极3041)。
该Al金属阵列用于连接每一个半导体制冷单元304中的P型半导体与N型半导体。
4、在步骤3制备的Al金属阵列上，应用遮罩制程，通过射频磁控溅射法制备P型半导体阵列(多个P型半导体3042)。
其中，射频磁控溅射的靶材为二元固溶体合金Bi2Te3-Sb2Te3，溅射功率为100W，溅射气压为3Pa(Ar气压)，溅射时间为60min，膜层厚度为1500nm。
5、在步骤3制备的Al金属阵列上，应用遮罩制程，通过射频磁控溅射法制备N型半导体阵列(多个N型半导体3042)。
其中，射频磁控溅射的靶材为二元固溶体合金Bi2Te3-Bi2Se3，溅射功率为120W，溅射气压为2Pa(Ar气压)，溅射时间为40min，膜层厚度为1500nm.
6、应用遮罩制程制备类金刚石膜矩阵，以在同一个半导体制冷单元304的P型半导体与N型半导体间隙中以及相邻半导体制冷单元304之间形成绝缘隔离部。
本步骤中，所采用的工艺参数可以与步骤2相同，当然本领域技术人员也可以选择其它工艺参数，这里不再赘述。
7、应用遮罩制程，通过磁控溅射法在P型半导体阵列和N型半导体阵列上制备Al金属阵列(多个金属上电极3044)。
该Al金属阵列用于连接相邻半导体制冷单元304的相邻的半导体，以使多个半导体制冷单元304串联连接、并联连接或者串并联组合连接。
8、在步骤7制备的Al金属阵列上，制备类金刚石薄膜(第二绝缘导热层303)。
本步骤中，所采用的工艺参数与步骤2相同，这里不再赘述。
进一步的，为了增强密封效果，步骤7和8可多次重复进行，形成多层复合膜结构密封层，即可以继续在步骤8制备的类金刚石膜上再通过磁控溅射制备一层致密的热导率高的Al金属层，与类金刚石膜共同形成密封层，阻隔水氧对OLED器件的侵害，同时还能增加复合密封层的韧性。为了保护制备的金属层，在金属层上再制备一层类金刚石膜，以此循环多次，形成多层复合膜结构密封层。
实施例2
本实施例的OLED，如图5所示，阳极层20为ITO层，金属电极层22为Mg:Ag合金，第一绝缘导热层301和第二绝缘导热层303为氮化铝层，厚度均为500nm，金属上电极3044和金属下电极3041的材料为Al，厚度为1000nm，P型半导体3042是Bi2Te3-Sb2Te3，N型半导体3043是Bi2Te3-Bi2Se3，厚度均为1500nm。
该OLED的制作方法包括以下步骤：
1、在基板1上依次制备阳极层20、有机功能层21和金属电极层22，以完成发光部2的制备。
2、采用射频反应磁控溅射在金属电极层22上生长氮化铝薄膜(第一绝缘导热层301)。
具体的，磁控溅射设备中，工作腔室内真空为3×10-4Pa，溅射靶材为99.99％的Al靶，工作气体为99.99％的Ar和99.99％的N2，工艺过程中始终保持Ar与N2分压比为24∶4，靶基距7.0cm，基板1的温度20℃(室温)，功率为40W，溅射时间为60min。
此外，优选的，在溅射沉积薄膜之前，先以30W的功率对靶材预溅射15min，以清除Al靶材表面的氧化物等杂质。
3、应用遮罩制程，通过磁控溅射法在步骤2制备的氮化铝薄膜上制备一层致密的热导率高的Al金属阵列(多个金属下电极3041)。
4、在步骤3制备的Al金属阵列上，应用遮罩制程，通过射频磁控溅射法制备P型半导体阵列(多个P型半导体3042)。
其中，射频磁控溅射的靶材为二元固溶体合金Bi2Te3-Sb2Te3，溅射功率为100W，溅射气压为3Pa(Ar气压)，溅射时间为60min，膜层厚度为1500nm。
5、在步骤3制备的Al金属阵列上，应用遮罩制程，通过射频磁控溅射法制备N型半导体阵列(多个N型半导体3042)。
其中，射频磁控溅射的靶材为二元固溶体合金Bi2Te3-Bi2Se3，其中溅射功率为120W，溅射气压为2Pa(Ar气压)，溅射时间为40min，膜层厚度为1500nm。
6、应用遮罩制程制备氮化铝薄膜矩阵，以在同一个半导体制冷单元304的P型半导体与N型半导体间隙中以及相邻半导体制冷单元304之间形成绝缘隔离部。
本步骤中，所采用的工艺参数与步骤2相同，当然本领域技术人员也可以选择其它工艺参数，这里不再赘述。
7、应用遮罩制程，通过磁控溅射法在P型半导体阵列和N型半导体阵列上制备Al金属阵列(多个金属上电极3044)。
8、在步骤7制备的Al金属阵列上，制备氮化铝薄膜(第二绝缘导热层303)。
本步骤中，所采用的工艺参数与步骤2相同，这里不再赘述。
同实施例一，步骤7和8可以多次循环重复进行，以形成多层复合膜结构密封层。
实施例3
本实施例的OLED，如图5所示，阳极层20为ITO层，金属电极层22为Mg:Ag合金层，第一绝缘导热层301和第二绝缘导热层303为氧化铝层，厚度均为500nm，金属上电极3044和金属下电极3041的材料为Al，厚度为1000nm，P型半导体3042是Bi2Te3-Sb2Te3，N型半导体3043是Bi2Te3-Bi2Se3，厚度均为1500nm。
该OLED的制作方法包括以下步骤：
1、在基板1上依次制备阳极层20、有机功能层21和金属电极层22，以完成发光部2的制备。
2、在金属电极层22上，采用射频磁控反应溅射制备氧化铝薄膜。
具体的，以高纯Al为靶材，以高纯O2为反应气体，射频功率为200W，溅射气压为0.5Pa，靶基距为70mm，O2气流量为1.0sccm，Ar气流量为10.0sccm，基板温度为室温，沉积薄膜厚度为500nm。
3、在步骤2制备的氧化铝膜上再通过磁控溅射制备一层致密的热导率高的Ag金属层，与氧化铝共同形成密封层，阻隔水氧对OLED器件的侵害，同时还能增加复合密封层的韧性。
为了增强密封效果，步骤3和4可多次重复进行，形成多层复合膜结构密封层(第一绝缘导热层301)。
4、在多层复合膜封装层上通过磁控溅射法应用遮罩(shadow mask)制程制备一层致密的热导率高Al金属的阵列(多个金属下电极3041)。
5、在步骤4制备的Al金属阵列上，应用遮罩制程，通过射频磁控溅射法制备P型半导体阵列(多个P型半导体3042)。
其中，射频磁控溅射的靶材为二元固溶体合金Bi2Te3-Sb2Te3，其中溅射功率为100W，溅射气压为3Pa(Ar气压)，溅射时间为60min，膜层厚度为1500nm。
6、在步骤4制备的Al金属阵列上，应用遮罩制程，通过射频磁控溅射法制备N型半导体阵列(多个N型半导体3042)。
靶材为二元固溶体合金Bi2Te3-Bi2Se3，其中溅射功率为120W，溅射气压为2Pa(Ar气压)，溅射时间为40min，膜层厚度为1500nm。
7、应用遮罩制程制备氧化铝膜矩阵，以在同一个半导体制冷单元304的P型半导体与N型半导体间隙中以及相邻半导体制冷单元304之间形成绝缘隔离部。
本步骤中，所采用的工艺参数可以与步骤2相同，这里不再赘述。
8、应用遮罩制程，通过磁控溅射法在P型半导体阵列和N型半导体阵列上制备Al金属阵列(多个金属上电极3044)。
9、在步骤8制备的Al金属阵列上，制备氧化铝薄膜(第二绝缘导热层303)。
本步骤中，所采用的工艺参数与步骤2相同，这里不再赘述。
10、使用金属箔封装器件。
实施例4
本实施例的OLED，如图5所示，阳极层20为ITO层，金属电极层22为Mg:Ag合金层，第一绝缘导热层301和第二绝缘导热层303为类金刚石层，厚度均为500nm，金属上电极3044和金属下电极3041的材料为Al，厚度为1000nm，P型半导体3042是三元固溶体Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3，N型半导体3043是三元固溶体Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3，厚度均为1500nm。
制备方法类似于实施例3，不同的是制备P型半导体3042和N型半导体3043的材料，这里不再赘述。
对比例1
未集成有半导体热电制冷部的OLED，而发光部采用与前述实施例1至3相同的方法制备。
性能测试
对实施例1、2、3、4及对比例1进行工作温度和寿命测试，得出的测试结果如表一所示：
表一：
Figure BDA00001887732300121
由表一可以看出，本发明实施例提供的OLED，工作温度较低，寿命较长，即能够有效改善发光器件的散热性能，从而延长发光器件的使用寿命。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种发光器件，包括基板，所述基板上设置有发光部，其特征在于，
所述发光器件中还集成有半导体热电制冷部，所述半导体热电制冷部设置在所述发光部上；
所述半导体制冷部包括冷端和热端，所述冷端靠近所述发光部，所述热端远离所述发光部。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述半导体热电制冷部包括第一绝缘导热层、半导体热电堆层和第二绝缘导热层，所述第一绝缘导热层设置在所述发光部上，所述半导体热电堆层设置在所述第一绝缘导热层上，所述第二绝缘导热层设置在所述导体热电堆层上；
所述半导体热电堆层中分布有至少一个半导体制冷单元，每个半导体制冷单元包括金属下电极、P型半导体、N型半导体和金属上电极；
所述金属下电极设置在所述第一绝缘导热层上；
所述P型半导体和N型半导体设置在所述金属下电极上，所述P型半导体的底部和N型半导体的底部通过所述金属下电极相连接；
所述金属上电极设置在所述P型半导体的顶部和所述N型半导体的顶部。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，
所述半导体热电制冷部包括多个半导体制冷单元；
所述多个半导体制冷单元通过所述金属上电极串联连接、并联连接或串并联组合连接。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，同一个所述半导体制冷单元的P型半导体和N型半导体之间，以及相邻的所述半导体制冷单元之间设置有绝缘隔离部。
5.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，
所述发光器件为有机电致发光二极管OLED；
所述发光部包括阳极层、有机功能层和金属电极层；
所述阳极层设置在基板上，所述有机功能层设置在所述阳极层上，所述金属电极层设置在所述有机功能层上；
所述第一绝缘导热层设置在所述金属电极层上。
6.根据权利要求2至5任一项所述的发光器件，其特征在于，
所述P型半导体的材料选自以下材料中的一种或几种的组合：
碲化铋二元固溶体Bi2Te3-Sb2Te3、碲化铋三元固溶体Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3，P型Ag(1-x)Cu(x)Ti Te，YBaCuO超导材料；
所述N型半导体的材料选自以下材料中的一种或几种的组合：
碲化铋二元固溶体Bi2Te3-Bi2Se3，碲化铋三元固溶体Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3，N型Bi-Sb合金，YBaCuO超导材料。
7.一种权利要求1-6任一项所述的发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
在所述基板上制备所述发光部；
在所述制备有所述发光部的基板上，制备所述半导体热电制冷部；
对所述制备有发光部和半导体热电制冷部的基板进行封装处理。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述制备有所述发光部的基板上，制备所述半导体热电制冷部包括：
在所述发光部上，沉积第一绝缘导热层；
在所述第一绝缘导热层上，应用遮罩制程制备金属下电极；
在所述金属下电极上，应用遮罩制程分别制备P型半导体和N型半导体；
在所述P型半导体和N型半导体上，应用遮罩制程制备金属上电极；
在金属上电极上，沉积第二绝缘导热层。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述制备有发光部和半导体热电制冷部的基板进行封装处理包括：
使用金属箔、玻璃封装盖板或复合薄膜对所述制备有发光部和半导体热电制冷部的基板进行封装处理。
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