CN102751977B - 一种自举驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种自举驱动电路，包括图腾柱输出电路，还包括相连接的低压控制高压MOS管电路和开关信号电路，低压控制高压MOS管电路设置在自举驱动电路的输入端，开关信号电路与所述图腾柱输出电路连接。本发明充分利用现有分立元件降低电路成本，使电路的输入输出接口更容易与单片机MCU、TTL器件连接，且成本低廉。
Description
技术领域
本发明涉及功率开关驱动或信号驱动领域，具体是一种自举驱动电路。
背景技术
在自举驱动电路领域，业内普遍采用集成模块完成自举功能，但集成模块（例如IR21系列）价格高，存在不能与单片机MCU、TTL器件直接对接等缺陷。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的缺陷与不足，提供一种自举驱动电路，充分利用现有分立元件降低电路成本，使电路的输入输出接口更容易与单片机MCU、TTL器件连接，且成本低廉。
本发明的目的通过下述技术方案实现：本自举驱动电路，包括图腾柱输出电路，还包括相连接的低压控制高压MOS管电路和开关信号电路，低压控制高压MOS管电路设置在自举驱动电路的输入端，开关信号电路与所述图腾柱输出电路连接。
所述低压控制高压MOS管电路包括MOS管Q3，以及串联在MOS管Q3源极的限流电阻R6；MOS管Q3漏极与开关信号电路连接。
所述MOS管Q3栅极还设有偏置电阻R3和R5，MOS管Q3栅极经偏置电阻R3与自举驱动电路的输入端连接，MOS管Q3栅极经偏置电阻R5接地。
所述开关信号电路包括三极管Q 1；三极管Q 1基极与MOS管Q3漏极连接，三极管Q1集电极与图腾柱输出电路连接。
所述三极管Q1集电极与基极之间设有抗饱和二极管D2。
本发明相对于现有技术具有如下的优点及效果：本电路可做到耐压800V，0-99%的占空比，工作频率100K，驱动电流±500mA，上升沿延迟400nS，下降沿延迟200nS，符合工作在开关频率在0-100KHz开关电源、逆变电源、变频器等的悬浮驱动MOS管、IGBT管的要求。
附图说明
图1是本发明的电路图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示，本发明自举驱动电路设有输入接口input，包括低压控制高压MOS管电路、开关信号电路、图腾柱输出电路和设置在输出端的MOS管Q6。低压控制高压MOS管电路包括MOS管Q3，以及串联在MOS管Q3源极的限流电阻R6；MOS管Q3的栅极还设有偏置电阻R3和R5，栅极经偏置电阻R3与输入接口input连接，经偏置电阻R5接地。开关信号电路包括三极管Q1，及连接在三极管Q1集电极与基极之间的二极管D2；三极管Q1的基极经电阻R2与MOS管Q3的漏极连接。三极管Q1的集电极作为开关信号电路的输出端，经电阻R7与图腾柱输出电路连接。三极管Q5、三极管Q2构成图腾柱输出电路，三极管Q5、三极管Q2的基极相连接，三极管Q5、三极管Q2的发射极相连接后与输出端的MOS管Q6连接。
限流电阻R6的取值决定了三极管Q1导通时的基极电流，从而决定了本发明自举驱动电路的开通与关闭的速度，MOS管Q3的耐压决定了整个电路的耐压，二极管D2是三极管Q1集电极与基极的抗饱和二极管，二极管D2加速了三极管Q1在关闭时的速度。
本电路工作原理如下：脉冲驱动信号经电阻R3输入，当脉冲驱动信号跳变为高电平时，MOS管Q3导通。MOS管Q3导通后，经电阻R2对三极管Q1基极输出电流，电容C1为三极管Q1基极供电，此时三极管Q1导通，电流经三极管Q1集电极和电阻R7到达三极管Q5、三极管Q2基极。此时三极管Q2、三极管Q5的输出为高电平。电容C1作为自举电容，给三极管Q1、三极管Q2和三极管Q5供电，维持了MOS管Q6导通供电的需求。当脉冲驱动信号跳变为低电平时，MOS管Q3截止，三极管Q1因基极无电流流过而关闭，此时三极管Q1集电极也没有电流流过，则三极管Q2、三极管Q5输出为低电平，MOS管Q6关闭。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种自举驱动电路，包括图腾柱输出电路，其特征在于，还包括相连接的低压控制高压MOS管电路和开关信号电路，低压控制高压MOS管电路设置在自举驱动电路的输入端，开关信号电路与所述图腾柱输出电路连接；所述低压控制高压MOS管电路包括MOS管Q3，以及串联在MOS管Q3源极的限流电阻R6；MOS管Q3漏极与开关信号电路连接；所述MOS管Q3栅极还设有偏置电阻R3和R5，MOS管Q3栅极经偏置电阻R3与自举驱动电路的输入端连接，MOS管Q3栅极经偏置电阻R5接地；所述开关信号电路包括三极管Q1；三极管Q1基极与MOS管Q3漏极连接，三极管Q1集电极与图腾柱输出电路连接。
2.根据权利要求1所述的自举驱动电路，其特征在于，所述三极管Q1集电极与基极之间设有抗饱和二极管D2。
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