CN206506453U - 一种有源整流控制电路及电源设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例提供一种有源整流控制电路，包括整流桥，所述整流桥包括多个二极管，所述控制电路还包括K个MOS管，所述K为大于或等于1的整数，所述K个MOS管分别与所述多个二极管中至少一个二极管并联，且每个MOS管与输入电源的一端连接，所述控制电路还包括K个驱动电路，所述K个驱动电路分别对应于所述K个MOS管，且每个驱动电路的第一端、第二端及第三端分别与对应的MOS管的栅极、源极及漏极连接，每个驱动电路用于根据所述电源控制对应的MOS管的导通与截止。本实用新型通过检测输入电源与MOS管连接一端的正负，控制对应MOS管的导通或截止，提高了有源整流桥的可靠性。

Description

一种有源整流控制电路及电源设备

技术领域

本实用新型涉及有源整流技术领域，特别涉及一种有源整流控制电路及电源设备。

背景技术

有源整流技术中，由整流桥或二极管组合构成的传统有源整流桥，因其电路简单和成本低的优点被广泛应用于交流电源的整流中。随着有源整流技术的发展，利用MOS管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体型场效应管)的导通电阻小的优点，在传统有源整流桥中采用MOS管与二极管并联，控制MOS管的开通与关断，实现MOS管代替二极管整流，对于降低二极管整流引起的损耗，提升电源效率具有明显的贡献。

在目前的有源整流桥中，将整流桥臂的4个二极管分别与4个MOS管并联，通过检测电压的正反向，对相应的MOS管进行导通与截止，实现桥式有源整流。但是，当电网侧因浪涌或雷击等引起有源整流桥的输入电源的电压发生畸变时，容易引起MOS管作出误动作，从而降低了有源整流桥的可靠性。

可见，目前的有源整流桥存在可靠性低的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种有源整流控制电路及电源设备，解决了有源整流桥存在可靠性低的问题。

为了达到上述目的，本实用新型实施例提供一种有源整流控制电路，包括整流桥，所述整流桥包括多个二极管，所述控制电路还包括K个MOS管，所述K为大于或等于1的整数，所述K个MOS管分别与所述多个二极管中至少一个二极管并联，且每个MOS管与输入电源的一端连接，所述控制电路还包括K个驱动电路，所述K个驱动电路分别对应于所述K个MOS管，且每个驱动电路的第一端、第二端及第三端分别与对应的MOS管的栅极、源极及漏极连接，每个驱动电路用于根据所述输入电源控制对应的MOS管的导通与截止。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：通过设置与整流桥中每一二极管并联的每一MOS管对应的一个驱动电路，通过驱动电路检测输入电源与驱动电路对应的MOS管连接一端的正负，控制对应的MOS管的导通或截止，能够有效避免因输入电源的电压发生畸变引起MOS管发生误动作，从而提高了有源整流桥的可靠性。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种有源整流控制电路的结构图；

图2为本实用新型提供的另一种有源整流控制电路的结构图；

图3为本实用新型提供的另一种有源整流控制电路的结构图；

图4为本实用新型提供的另一种有源整流控制电路的结构图；

图5为本实用新型提供的另一种有源整流控制电路的结构图；

图6为本实用新型提供的另一种有源整流控制电路的结构图。

具体实施方式

为使本实用新型要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

如图1所示，本实用新型实施例提供一种有源整流控制电路，包括整流桥，所述整流桥包括多个二极管，所述控制电路还包括K个MOS管，所述K为大于或等于1的整数，所述K个MOS管分别与所述多个二极管中至少一个二极管并联，且每个MOS管与输入电源的一端连接，所述控制电路还包括K个驱动电路，所述K个驱动电路分别对应于所述K个MOS管，且每个驱动电路的第一端、第二端及第三端分别与对应的MOS管的栅极、源极及漏极连接，每个驱动电路用于根据所述输入电源控制对应的MOS管的导通与截止。

其中，整流桥中至少存在一个二极管与一个MOS管并联，且该MOS管对应连接一个驱动电路。例如：如图1所示，整流桥由二极管D3、二极管D4、二极管D5和二极管D6组成，且整流桥中只有下桥臂的二极管D3与MOS管Q4并联，且MOS管Q4的栅极、漏极和源极均分别与驱动电路的第一端、第二端和第三端连接，该驱动电路根据输入电源V1控制对应的MOS管Q4的导通或截止。

可选的，如图2所示，当所述K个MOS管包括第一上桥MOS管Q2时，所述第一上桥MOS管Q2与所述整流桥中上桥臂的一个二极管D4并联，所述第一上桥MOS管Q2的源极连接输入电源V1的一端，所述K个驱动电路包括第一上管驱动电路11，所述第一上管驱动电路11的第一端、第二端及第三端分别与所述第一上桥MOS管Q2的栅极、源极及漏极连接，所述第一上管驱动电路11用于根据所述输入电源V1控制所述第一上桥MOS管Q2的导通与截止。

其中，可选的，上述第一上管驱动电路11包括：

第一驱动电源V2，所述第一驱动电源V2的负极接地；

第一二极管D1，所述第一二极管D1的正极与所述第一驱动电源V2的正极连接，负极通过第一电容C1与所述第一上桥MOS管Q2的源极连接；

第二二极管D2，所述第二二极管D2的负极与所述第一上桥MOS管Q2的漏极连接，所述第二二极管D2的正极通过第一电阻R2与所述第一二极管D1的负极连接；

第一三极管Q1，所述第一三极管Q1的集电极与所述第一上桥MOS管Q2的栅极连接且通过第二电阻R1与所述第一二极管D1的负极连接，其基极通过第三电阻R3与所述第二二极管D2的正极连接，其发射极与所述第一上桥MOS管Q2的源极连接。

需要说明的是，上述第一上管驱动电路11还可以包括两端分别与第一三极管Q1的基极和发射极连接的第三电容C3，进一步提升该有源电路的可靠性。

另外，上述有源整流控制电路还可以包括电阻R4和电阻R5，电阻R4连接于第一上桥MOS管Q2的栅极和第一三极管Q1的集电极之间，电阻R5连接于第一上桥MOS管Q2的栅极和输入电源V1的N端之间。

其中，上述第一上桥MOS管Q2的源极与输入电源V1的N端连接，当N端输出电压为正电压时，第二二极管D2导通，对第一三极管Q1产生钳位，使第一三极管Q1截止，第一上桥MOS管Q2的驱动电压正常而导通；当N端输出电压为负电压时，第二二极管D2截止，第一三极管Q1导通，第一上桥MOS管Q2的驱动电压拉低，使第一上桥MOS管Q2截止，从而保证上桥MOS管有效的导通和截止，提高该有源整流桥的可靠性。

可选的，如图3所示，当所述K个MOS管包括第一下桥MOS管Q4时，所述第一下桥MOS管Q4与所述整流桥中下桥臂的一个二极管D3并联，所述第一下桥MOS管Q4的漏极连接输入电源V1的一端且源极接地，所述K个驱动电路包括第一下管驱动电路12，所述第一下管驱动电路12的第一端、第二端及第三端分别与所述第一下桥MOS管Q4的栅极、源极及漏极连接，所述第一下管驱动电路12用于根据所述输入电源V1控制所述第一下桥MOS管Q4的导通与截止。

其中，可选的，上述第一下管驱动电路12包括：

第二驱动电源V3，所述第二驱动电源V3的负极与所述第一下桥MOS管Q4的源极并联接地；

第三二极管D8，所述第三二极管D8的负极与所述第一下桥MOS管Q4的漏极并联接入所述输入电源V1一端，正极通过第四电阻R7与所述第二驱动电源V3的正极连接；

第二三极管Q3，所述第二三极管Q3的集电极与所述第一下桥MOS管Q4的栅极连接且通过第五电阻R8与所述第二驱动电源V3的正极连接，其基极通过第六电阻R6与所述第三二极管D8的正极连接，其发射极与所述第一下桥MOS管Q4的源极连接。

需要说明的是，上述第一下管驱动电路12还可以包括两端分别与第二三极管Q3的基极和发射极连接的电容C4，以及分别与第二三极管Q3的发射极和第二驱动电源V3的正极连接的电容C5，进一步提升该有源电路的可靠性。

另外，上述有源整流控制电路还可以包括电阻R9和电阻R10，电阻R10连接于第一下桥MOS管Q4的栅极和第二三极管Q3的集电极之间，电阻R9连接于第一下桥MOS管Q4的栅极和地之间。

其中，上述第一下桥MOS管的漏极与输入电源V1的N端连接，当N端的输出电压为正电压时，第三二极管D8截止，第二三极管Q3导通，第一下桥MOS管Q4的驱动电压被拉低而截止；当N端的输出电压为负电压时，第三二极管D8导通，第二三极管Q3因驱动被第三二极管D8钳位而截止，第一下桥MOS管Q4的驱动电压正常而导通，从而保证下桥MOS管有效的导通与截止，提升有源整流桥的可靠性。

可选的，如图4所示，所述K个MOS管包括第一上桥MOS管Q2和第一下桥MOS管Q4，所述第一上桥MOS管Q2与所述整流桥中上桥臂的一个二极管D4并联，所述第一下桥MOS管Q4与所述整流桥中下桥臂的一个二极管D3并联，所述第一上桥MOS管Q2的源极与所述第一下桥MOS管Q4的漏极并联接入所述输入电源V1的一端，所述K个驱动电路包括第一上管驱动电路11及第一下管驱动电路12，所述第一上管驱动电路11的第一端、第二端及第三端分别与所述第一上桥MOS管Q2的栅极、源极及漏极连接，所述第一上管驱动电路11用于根据所述驱动电源控制所述第一上桥MOS管Q2的导通与截止；所述第一下管驱动电路12的第一端、第二端和第三端分别与所述第一下桥MOS管Q4的栅极、源极和漏极连接，且所述第一下管驱动电路12的第四端与所述第一上管驱动电路的第四端连接，所述第一下管驱动电路12用于根据所述输入电源V1控制所述第一下桥MOS管Q4的导通与截止，所述有源整流控制电路还包括：

第一上管互锁电路21，所述第一上管互锁电路21的第一端和第二端分别与所述第一上桥MOS管Q2的栅极和源极连接，第三端与所述第一上管驱动电路11的第四端连接；

第一下管互锁电路22，所述第一下管互锁电路22的第一端和第二端分别与所述第一下桥MOS管Q4的栅极和源极连接，第三端与所述第一上管互锁电路21的第四端连接；

其中，所述第一上管互锁电路21和所述第一下管互锁电路22用于控制所述第一上桥MOS管Q2和所述第一下桥MOS管Q4，使一个导通时另一个截止。

其中，上述第一上管驱动电路11与图2所示的结构相同，上述第一下管驱动电路12与第一上管驱动电路11共用同一驱动电源，即第二三极管Q3的集电极通过第五电阻R8与第一上管驱动电路11的第一驱动电源V2连接，上述第一下管驱动电路12的其余结构与图2所示的结构相同，在此不再进行赘述。

其中，可选的，上述第一上管互锁电路21可以包括光耦合器U1，所述光耦合器U1中二极管的正极与所述第一二极管D1的正极并联接入所述第一驱动电源V2的正极，负极与所述第一下管互锁电路22的第三端连接，所述光耦合器U1中光敏三极管的集电极和发射极分别与所述第一上桥MOS管Q2的栅极和源极连接。需要说明的是，上述第一上管互锁电路21还可以包括连接于所述光耦合器U1中二极管的正极与第一二极管D1的正极之间的电阻R22，当然，所述电阻R22也可以与所述光耦合器U1中二极管的负极连接，实现对光耦合器U1中二极管的限流。

可选的，上述第一下管互锁电路22可以包括第三三极管Q9，所述第三三极管Q9的集电极和发射极分别与所述第一下桥MOS管Q4的栅极和源极连接，基极与所述光耦合器U1中二极管的负极连接。需要说明的是，上述第一下管互锁电路22还可以包括并联于所述第三三极管Q9的基极与发射极之间的电容C7和电阻R24，以及两端分别与所述第三三极管Q9的基极和所述光耦合器U1中二极管的负极连接的电阻R25。

其中，通过上述光耦合器U1中二极管的负极与第三三极管Q9的基极连接并输入第一驱动信号，当该第一驱动信号为高电平时，第三三极管Q9导通，第一下桥MOS管Q4的电压被拉低而截止，此时第一上桥MOS管Q2电压正常而导通；当该第一驱动信号为低电平时，光耦合器U1导通，第一上桥MOS管Q2的电压被拉低而截止，此时第一上桥MOS管Q2电压正常而导通，从而实现第一上桥MOS管Q2和第一下桥MOS管Q4一个导通时，另一个截止。

可选的，如图5所示，所述K个MOS管可以包括第一下桥MOS管Q4和第二下桥MOS管Q5，所述第一下桥MOS管Q4与所述整流桥中下桥臂的第一下桥二极管D3并联，所述第二下桥MOS管Q5与所述整流桥中下桥臂的第二下桥二极管D5并联，所述第一下桥MOS管Q4的漏极与所述第二下桥MOS管Q5的漏极分别与所述输入电源V1的两端连接，且所述第一下桥MOS管Q4的源极与所述第二下桥MOS管Q5的源极并联接地，所述驱动电路包括第一下管驱动电路12及第二下管驱动电路13，所述第一下管驱动电路12的第一端、第二端和第三端分别与所述第一下桥MOS管Q4的栅极、源极和漏极连接，用于根据所述输入电源V1控制所述第一下桥MOS管Q4的导通与截止；所述第二下管驱动电路13分别与所述第二下桥MOS管Q5的源极、栅极及漏极连接，用于根据所述输入电源V1控制所述第二下桥MOS管Q5的导通与截止，所述有源整流控制电路还包括：

第一下管互锁电路22，所述第一下管互锁电路22的第一端和第二端分别与所述第一下桥MOS管Q4的栅极和源极连接，第三端与所述第二下桥MOS管Q5的栅极连接；

第二下管互锁电路23，所述第二下管互锁电路23的第一端和第二端分别与所述第二下桥MOS管Q5的栅极和源极连接，第三端与所述第一下桥MOS管Q4的栅极连接；

其中，所述第一下管互锁电路22和所述第二下管互锁电路23用于控制所述第一下桥MOS管Q4和所述第二下桥MOS管Q5，使一个导通时另一个截止。

其中，第二下管驱动电路13可以是具有与第一下管驱动电路12相同的结构，第二下管驱动电路13包括驱动电源V4、三极管Q6、二极管D12、电阻R13、R19和R20，驱动电源V4的负极与第二下桥MOS管Q5的漏极并联接地，正极与二极管D12的负极连接；三极管Q6的基极通过电阻R20与二极管D12的正极连接，集电极与第二下桥MOS管Q5的栅极连接且通过电阻R13与驱动电源V4连接，发射极接地；电阻R19的两端分别连接驱动电源V4的正极和二极管D12的正极。另外，第二下管驱动电路13还可以包括电容C11和C12，电容C11的两端分别与三极管Q6的基极和地连接；电容C12的两端分别与驱动电源V4的正极和地连接。

上述第二下管互锁电路23具有与第一下管互锁电路22相同的结构，包括三极管Q10，三极管Q10的集电极和发射极分别与第二下桥MOS管Q5的栅极和源极连接的三极管Q6，基极与第一下桥MOS管Q4的栅极连接，还可以包括并联与三极管Q10的发射极和基极之间的电阻R27和电容C13，以及两端分别与三极管Q10的基极和第一下桥MOS管Q4的栅极连接的分压电阻R26。另外，所述第一下管互锁电路22中第三三极管Q9的基极与第二下桥MOS管Q5的栅极连接。

另外，上述有源整流控制电路还可以包括电阻R11和电阻R12，电阻R12连接于第二下桥MOS管Q5的栅极和三极管Q6的集电极之间，电阻R11连接于第二下桥MOS管Q5的栅极和输入电源V1的N端之间。

其中，当第一下桥MOS管Q4导通时，其栅极输入的驱动信号为高电平，第二下管互锁电路23中三极管Q10导通，第二下桥MOS管Q5的电压被拉低而截止；当第一下桥MOS管Q4截止时，其栅极输入的驱动信号为低电平，三极管Q10截止，第二下桥MOS管Q5的电压正常而导通；同理，也可以根据第二下桥MOS管Q5的驱动信号控制的导通或截止，从而实现第一下桥MOS管Q4和第二下桥MOS管Q5一个导通时，另一个截止，提高有源整流桥的可靠性。

可选的，如图6所示，所述K个MOS管包括第一上桥MOS管Q2、第二上桥MOS管Q8、第一下桥MOS管Q4和第二下桥MOS管Q5，所述第一上桥MOS管Q2和所述第二上桥MOS管Q8分别与所述整流桥中上桥臂的两个二极管D4和D6一一并联，所述第一下桥MOS管Q4和所述第二下桥MOS管Q5分别与所述整流桥中下桥臂的两个二极管D3和D5一一并联，所述第一上桥MOS管Q2的源极和所述第一下桥MOS管Q4的漏极并联接入所述输入电源V1的一端，所述第二上桥MOS管Q8的源极和所述第二下桥MOS管Q5的漏极并联接入所述输入电源V1的另一端，所述K个驱动电路包括第一上管驱动电路11、第二上管驱动电路14、第一下管驱动电路12和第二下管驱动电路13，所述第一上管驱动电路11的第一端、第二端及第三端分别与所述第一上桥MOS管Q2的栅极、源极及漏极连接，所述第一上管驱动电路11用于根据所述输入电源V1控制所述第一上桥MOS管Q2的导通与截止；所述第二上管驱动电路14的第一端、第二端及第三端分别与所述第二上桥MOS管Q8的栅极、源极及漏极连接，所述第二上管驱动电路14用于根据所述输入电源V1控制所述第二上桥MOS管Q8的导通与截止；所述第一下管驱动电路12的第一端、第二端和第三端分别与所述第一下桥MOS管Q4的栅极、源极和漏极连接，且所述第一下管驱动电路12的第四端与所述第一上管驱动电路11的第四端连接，所述第一下管驱动电路12用于根据所述输入电源V1控制所述第一下桥MOS管Q4的导通与截止；所述第二下管驱动电路13的第一端、第二端和第三端分别与所述第二下桥MOS管Q5的栅极、源极和漏极连接，且所述第二下管驱动电路13的第四端与所述第二上管驱动电路14的第四端连接，所述第二下管驱动电路13用于根据所述输入电源V1控制所述第二下桥MOS管Q5的导通与截止，所述有源整流控制电路还包括：

第一上管互锁电路21，所述第一上管互锁电路21的第一端和第二端分别与所述第一上桥MOS管Q2的栅极和源极连接，第三端与所述第一上管驱动电路11的第四端连接；

第二上管互锁电路24，所述第二上管互锁电路24的第一端和第二端分别与所述第二上桥MOS管Q8的栅极和源极连接，第三端与所述第二上管驱动电路14的第四端连接；

第一下管互锁电路22，所述第一下管互锁电路22的第一端和第二端分别与所述第一下桥MOS管Q4的栅极和源极连接，第三端与所述第一上管互锁电路21的第四端以及所述第二下桥MOS管Q5的栅极连接；

第二下管互锁电路23，所述第二下管互锁电路23的第一端和第二端分别与所述第二下桥MOS管Q5的栅极和源极连接，第三端与所述第二上管互锁电路24的第四端以及所述第一下桥MOS管Q4的栅极连接；

其中，所述第一上管互锁电路21、所述第二上管互锁电路24、第一下管互锁电路22和所述第二下管互锁电路23，用于控制所述第一上桥MOS管Q2与第二下桥MOS管Q5同时导通或截止，或者所述第二上桥MOS管Q8与第一下桥MOS管Q4同时导通或截止，且使所述第一上桥MOS管Q2与第一下桥MOS管Q4一个导通时，另一个截止。

其中，上述第二上管驱动电路14可以具有与第一上管驱动电路11相同的结构，包括驱动电源、三极管Q7、二极管D10、二极管D11、电容C8以及电阻R15、R16和R17，三极管的基极通过电阻R17与二极管D10的正极连接，集电极与第二上桥MOS管Q8的栅极连接且通过电阻R16与二极管D11的负极连接，电阻R15的两端分别与二极管D10的正极和二极管D11的负极连接，电容C8与第二上桥MOS管Q8的源极连接，二极管D10的负极与第二上桥MOS管Q8的漏极连接；驱动电源可以为与第二下管驱动电路13共用的驱动电源V4，二极管D11的正极与驱动电源V4的正极连接。另外，该第二上管驱动电路14还可以包括连接与三极管Q7的基极与输入电源L端之间的电容C10。

上述第二上管互锁电路24的结构与第一上管互锁电路21的结构相同，包括光耦合器U2，光耦合器U2中二极管的正极与二极管D11的正极并联接入驱动电源V4的正极，负极与第一下桥MOS管Q4的漏极连接；光耦合器U2中光敏三极管的集电极和发射极分别与第二上桥MOS管的栅极和漏极连接。另外，上述第二上管互锁电路24还可以包括连接于光耦合器U2中二极管的正极与驱动电源V4之间的电阻R23，当然，电阻R23也可以与光耦合器U2中二极管的负极连接，实现限流作用。

需要说明的是，上述有源整流控制电路还可以包括电阻R14和电阻R18，电阻R14连接于第二上桥MOS管Q8的栅极和三极管Q7的集电极之间，电阻R18连接于第二上桥MOS管Q8的栅极和输入电源V1的L端之间。

其中，上述有源整流控制电路中，当输入电源V1的N端的输出电压为正电压时，第一上桥MOS管Q2导通，同时第一下桥MOS管Q4截止，此时L端的输出电压为负电压，第二上桥MOS管Q8截止，同时第二下桥MOS管Q5导通；当输入电源V1的N端的输出电压为负电压时，第一上桥MOS管Q2截止，同时第一下桥MOS管Q4导通，此时L端的输出电压为正电压，第二上桥MOS管Q8导通，同时第二下桥MOS管Q5截止，从而实现所述第一上桥MOS管Q2与第二下桥MOS管Q5同时导通或截止，或者所述第二上桥MOS管Q8与第一下桥MOS管Q4同时导通或截止，且使所述第一上桥MOS管Q2与第一下桥MOS管Q4一个导通时，另一个截止。

本实用新型实施例，通过设置与整流桥中每一二极管并联的每一MOS管对应的一个驱动电路，通过驱动电路检测输入电源与驱动电路对应的MOS管连接一端的正负，控制对应的MOS管的导通或截止，能够有效避免因输入电源的电压发生畸变而引起MOS管作出误动作，从而提高了有源整流桥的可靠性。

本实用新型实施例中，上述任意一种实施例可以应用到电源设备上。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种有源整流控制电路，包括整流桥，所述整流桥包括多个二极管，所述控制电路还包括K个MOS管，所述K为大于或等于1的整数，所述K个MOS管分别与所述多个二极管中至少一个二极管并联，且每个MOS管与输入电源的一端连接，其特征在于，所述控制电路还包括K个驱动电路，所述K个驱动电路分别对应于所述K个MOS管，且每个驱动电路的第一端、第二端及第三端分别与对应的MOS管的栅极、源极及漏极连接，每个驱动电路用于根据所述输入电源控制对应的MOS管的导通与截止。

2.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，当所述K个MOS管包括第一上桥MOS管时，所述第一上桥MOS管与所述整流桥中上桥臂的一个二极管并联，所述第一上桥MOS管的源极连接输入电源的一端，所述K个驱动电路包括第一上管驱动电路，所述第一上管驱动电路的第一端、第二端及第三端分别与所述第一上桥MOS管的栅极、源极及漏极连接，所述第一上管驱动电路用于根据所述输入电源控制所述第一上桥MOS管的导通与截止；或者

当所述K个MOS管包括第一下桥MOS管时，所述第一下桥MOS管与所述整流桥中下桥臂的一个二极管并联，所述第一下桥MOS管的漏极连接输入电源的一端且源极接地，所述K个驱动电路包括第一下管驱动电路，所述第一下管驱动电路的第一端、第二端及第三端分别与所述第一下桥MOS管的栅极、源极及漏极连接，所述第一下管驱动电路用于根据所述输入电源控制所述第一下桥MOS管的导通与截止。

3.如权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述K个MOS管包括第一上桥MOS管和第一下桥MOS管，所述第一上桥MOS管与所述整流桥中上桥臂的一个二极管并联，所述第一下桥MOS管与所述整流桥中下桥臂的一个二极管并联，所述第一上桥MOS管的源极与所述第一下桥MOS管的漏极并联接入所述输入电源的一端，所述K个驱动电路包括第一上管驱动电路及第一下管驱动电路，所述第一上管驱动电路的第一端、第二端及第三端分别与所述第一上桥MOS管的栅极、源极及漏极连接，所述第一上管驱动电路用于根据所述输入电源控制所述第一上桥MOS管的导通与截止；所述第一下管驱动电路的第一端、第二端和第三端分别与所述第一下桥MOS管的栅极、源极和漏极连接，且所述第一下管驱动电路的第四端与所述第一上管驱动电路的第四端连接，所述第一下管驱动电路用于根据所述输入电源控制所述第一下桥MOS管的导通与截止，所述有源整流控制电路还包括：

第一上管互锁电路，所述第一上管互锁电路的第一端和第二端分别与所述第一上桥MOS管的栅极和源极连接，第三端与所述第一上管驱动电路的第四端连接；

第一下管互锁电路，所述第一下管互锁电路的第一端和第二端分别与所述第一下桥MOS管的栅极和源极连接，第三端与所述第一上管互锁电路的第四端连接；

其中，所述第一上管互锁电路和所述第一下管互锁电路用于控制所述第一上桥MOS管和所述第一下桥MOS管，使一个导通时另一个截止。

4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述K个MOS管包括第一下桥MOS管和第二下桥MOS管，所述第一下桥MOS管与所述整流桥中下桥臂的第一下桥二极管并联，所述第二下桥MOS管与所述整流桥中下桥臂的第二下桥二极管并联，所述第一下桥MOS管的漏极与所述第二下桥MOS管的漏极分别与所述输入电源的两端连接，且所述第一下桥MOS管的源极与所述第二下桥MOS管的源极并联接地，所述驱动电路包括第一下管驱动电路及第二下管驱动电路，所述第一下管驱动电路的第一端、第二端和第三端分别与所述第一下桥MOS管的栅极、源极和漏极连接，用于根据所述输入电源控制所述第一下桥MOS管的导通与截止；所述第二下管驱动电路分别与所述第二下桥MOS管的源极、栅极及漏极连接，用于根据所述输入电源控制所述第二下桥MOS管的导通与截止，所述有源整流控制电路还包括：

第一下管互锁电路，所述第一下管互锁电路的第一端和第二端分别与所述第一下桥MOS管的栅极和源极连接，第三端与所述第二下桥MOS管的栅极连接；

第二下管互锁电路，所述第二下管互锁电路的第一端和第二端分别与所述第二下桥MOS管的栅极和源极连接，第三端与所述第一下桥MOS管的栅极连接；

其中，所述第一下管互锁电路和所述第二下管互锁电路用于控制所述第一下桥MOS管和所述第二下桥MOS管，使一个导通时另一个截止。

5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述K个MOS管包括第一上桥MOS管、第二上桥MOS管、第一下桥MOS管和第二下桥MOS管，所述第一上桥MOS管和所述第二上桥MOS管分别与所述整流桥中上桥臂的两个二极管一一并联，所述第一下桥MOS管和所述第二下桥MOS管分别与所述整流桥中下桥臂的两个二极管一一并联，所述第一上桥MOS管的源极和所述第一下桥MOS管的漏极并联接入所述输入电源的一端，所述第二上桥MOS管的源极和所述第二下桥MOS管的漏极并联接入所述输入电源的另一端，所述K个驱动电路包括第一上管驱动电路、第二上管驱动电路、第一下管驱动电路和第二下管驱动电路，所述第一上管驱动电路第一端、第二端及第三端分别与所述第一上桥MOS管的栅极、源极及漏极连接，所述第一上管驱动电路用于根据所述输入电源控制所述第一上桥MOS管的导通与截止；所述第二上管驱动电路额第一端、第二端及第三端分别与所述第二上桥MOS管的栅极、源极及漏极连接，所述第二上管驱动电路用于根据所述输入电源控制所述第二上桥MOS管的导通与截止；所述第一下管驱动电路的第一端、第二端和第三端分别与所述第一下桥MOS管的栅极、源极和漏极连接，且所述第一下管驱动电路的第四端与所述第一上管驱动电路的第四端连接，所述第一下管驱动电路用于根据所述输入电源控制所述第一下桥MOS管的导通与截止；所述第二下管驱动电路的第一端、第二端和第三端分别与所述第二下桥MOS管的栅极、源极和漏极连接，且所述第二下管驱动电路的第四端与所述第二上管驱动电路的第四端连接，所述第二下管驱动电路用于根据所述输入电源控制所述第二下桥MOS管的导通与截止，所述有源整流控制电路还包括：

第一上管互锁电路，所述第一上管互锁电路的第一端和第二端分别与所述第一上桥MOS管的栅极和源极连接，第三端与所述第一上管驱动电路的第四端连接；

第二上管互锁电路，所述第二上管互锁电路的第一端和第二端分别与所述第二上桥MOS管的栅极和源极连接，第三端与所述第二上管驱动电路的第四端连接；

第一下管互锁电路，所述第一下管互锁电路的第一端和第二端分别与所述第一下桥MOS管的栅极和源极连接，第三端与所述第一上管互锁电路的第四端以及所述第二下桥MOS管的栅极连接；

第二下管互锁电路，所述第二下管互锁电路的第一端和第二端分别与所述第二下桥MOS管的栅极和源极连接，第三端与所述第二上管互锁电路的第四端以及所述第一下桥MOS管的栅极连接；

其中，所述第一上管互锁电路、所述第二上管互锁电路、第一下管互锁电路和所述第二下管互锁电路，用于控制所述第一上桥MOS管与第二下桥MOS管同时导通或截止，或者所述第二上桥MOS管与第一下桥MOS管同时导通或截止，且使所述第一上桥MOS管与第一下桥MOS管一个导通时，另一个截止。

6.如权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述第一上管驱动电路包括：

第一驱动电源，所述第一驱动电源的负极接地；

第一二极管，所述第一二极管的正极与所述第一驱动电源的正极连接，负极通过第一电容与所述第一上桥MOS管的源极连接；

第二二极管，所述第二二极管的负极与所述第一上桥MOS管的漏极连接，所述第二二极管的正极通过第一电阻与所述第一二极管的负极连接；

第一三极管，所述第一三极管的集电极与所述第一上桥MOS管的栅极连接且通过第二电阻与所述第一二极管的负极连接，其基极通过第三电阻与所述第二二极管的正极连接，其发射极与所述第一上桥MOS管的源极连接。

7.如权利要求6所述的电路，其特征在于，所述第一上管互锁电路包括光耦合器，所述光耦合器中二极管的正极与所述第一二极管的正极连接，负极与所述第一下管互锁电路的第三端连接，所述光耦合器中光敏三极管的集电极和发射极分别与所述第一上桥MOS管的栅极和源极连接。

8.如权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第一下管驱动电路包括：

第二驱动电源，所述第二驱动电源的负极与所述第一下桥MOS管的源极并联接地；

第三二极管，所述第三二极管的负极与所述第一下桥MOS管的漏极并联接入所述电源的一端，正极通过第四电阻与所述第二驱动电源的正极连接；

第二三极管，所述第二三极管的集电极与所述第一下桥MOS管的栅极连接且通过第五电阻与所述第二驱动电源的正极连接，其基极通过第六电阻与所述第三二极管的正极连接，其发射极与所述第一下桥MOS管的源极连接。

9.如权利要求8所述的电路，其特征在于，所述第一下管互锁电路包括第三三极管，所述第三三极管的集电极和发射极分别与所述第一下桥MOS管的栅极和源极连接，基极与所述第一上管互锁电路的第四端连接。

10.一种电源设备，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的有源整流控制电路。