CN102751446A - 一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法 - Google Patents
一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102751446A CN102751446A CN2012102231707A CN201210223170A CN102751446A CN 102751446 A CN102751446 A CN 102751446A CN 2012102231707 A CN2012102231707 A CN 2012102231707A CN 201210223170 A CN201210223170 A CN 201210223170A CN 102751446 A CN102751446 A CN 102751446A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- coating
- oxide skin
- layer
- organic matter
- resilient coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本发明提供一种封装薄膜，包括至少两个氧化物层和位于相邻所述氧化物层之间的至少一有机物层，在最内层的所述氧化物层和所述有机物层之间设置一缓冲层，所述缓冲层的厚度在50nm-1μm之间。由于在最内层的所述氧化物层和所述有机物层之间设置一缓冲层，并且所述缓冲层的厚度在50nm-1μm之间，因此，当采用溅射方式沉积最内层的氧化物层时，所述缓冲层会对所述溅射离子进行缓冲，不会使得所述溅射离子损伤光电子器件的阴极，提高了光电子器件的使用性能和水氧阻隔能力。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法，属于薄膜封装领域。
背景技术
研究表明，空气中的水汽和氧气等成分对OLED(英文全称为：OrganicLight-Emitting Diode，中文译为：有机发光二极管），OTFT（英文全称为：Organic thin-film transistor，中文译为：有机薄膜晶体管）,DSSC（英文全称为：Dye-sensitized solarcell，中文译为：燃料敏化太阳能电池）等对水氧敏感的光电子器件的寿命影响很大。其主要原因在于（以下用OLED来进行说明）：OLED器件在工作时需要从阴极注入电子，但是水汽容易与空穴传输层以及电子传输层发生化学反应，进而引起OLED器件的失效。因此，需要对OLED进行有效封装，以使器件的各功能层与大气中的水汽和氧气等隔开，以此来提高OLED的使用寿命。
传统的封装方式是在刚性基板上制造电极和各有机功能层，然后加装一盖板，并将基板和盖板用环氧树脂粘接。这样就在基板和盖板之间形成了一个罩子，把器件和空气隔开，空气中的水汽和氧气等只能通过基板和盖板之间的环氧树脂向器件的内部渗透，这种封装方式一定程度上改善了OLED的使用寿命，但是，柔性OLED产品以及柔性太阳能电池产品的出现，对上述传统封装方式提出了很大挑战，柔性OLED产品以及柔性太阳能电池产品要求封装结构对水汽的渗透率低于5×10-6gm-2/d，对氧气的渗透率低于10-5cm3m-2/d，上述封装方式难以满足该要求，从而无法满足柔性封装的要求。
为了满足柔性封装的要求，近年来薄膜封装成为了OLED产品以及太阳能电池等光电子器件封装的首要选择，为了提高薄膜的水氧阻隔能力，多层薄膜封装成为薄膜封装的首要选择，在多层薄膜封装中，所述薄膜从内到外依次包括氧化物层、有机物层、氧化物层等，所述氧化物层一般都是通过溅射沉积形成的氧化物层，在溅射过程中，溅射离子会损伤OLED器件的阴极，导致OLED器件的驱动电压变大，电流效率降低，从而降低了OLED器件的使用性能；同时，阴极损伤后，导致OLED器件的水氧阻隔能力变差。
发明内容
因此，本发明所要解决的技术问题在于提供一种能够防止在溅射过程中对光电子器件的阴极造成损伤的封装薄膜。
为此，本发明提供一种封装薄膜，包括至少两个氧化物层和位于相邻所述氧化物层之间的至少一有机物层，在最内层的所述氧化物层和所述有机物层之间设置一缓冲层，所述缓冲层的厚度在50nm-1μm之间。
所述缓冲层的内部具有若干个均匀和/或非均匀分布的铋(Bi)原子团簇，所述Bi原子团簇至少在一个方向上的长度为5-35nm，相邻所述Bi原子团簇的间隙小于50nm。
若干所述Bi原子团簇均匀分布。
所述Bi原子团簇为球形。
所述缓冲层的内部具有若干个均匀和/或非均匀分布的孔洞，所述孔洞至少在一个方向上的长度为5-35nm，相邻所述孔洞之间的间隙小于50nm。
若干所述孔洞均匀分布。
所述孔洞为球形。
所述缓冲层由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一种或多种复合形成。
所述缓冲层由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一种或多种复合成网状形成。
所述Bi原子团簇4的总的原子体积比占所述缓冲层3的总体积的20-50%。
本发明提供的封装薄膜具有以下优点：
1.本发明提供一种封装薄膜，包括至少两个氧化物层和位于相邻所述氧化物层之间的至少一有机物层，在最内层的所述氧化物层和所述有机物层之间设置一缓冲层，所述缓冲层的厚度在50nm-1μm之间。由于在最内层的所述氧化物层和所述有机物层之间设置一缓冲层，并且所述缓冲层的厚度在50nm-1μm之间，因此，当采用溅射方式沉积最内层的氧化物层时，所述缓冲层会对所述溅射离子进行缓冲，不会使得所述溅射离子损伤光电子器件的阴极，提高了光电子器件的使用性能和水氧阻隔能力。需要说明的是，在本发明的上述技术方案中，上述所述缓冲层的厚度范围是必须的，这主要是基于以下两个方面的考虑：第一、所述缓冲层设置太薄，容易使得所述缓冲效果不明显，从而不能有效地防止溅射离子对阴极造成损伤；第二、所述缓冲层设置太厚，将加大所述缓冲层的制造难度，同时，由于所述缓冲层上叠加有有机物层，将不利于有机物层的完全叠加，因此，本发明的技术方案，在经过反复实验的基础上得出所述缓冲层在上述厚度范围内能够同时满足较佳的缓冲效果并便于制造。
2.本发明提供一种封装薄膜，所述缓冲层的内部分布有若干个均匀和/或非均匀分布的Bi原子团簇，所述Bi原子团簇至少在一方向上的长度为5-35nm，相邻所述Bi原子团簇的间隙小于50nm。Bi原子团簇本身具有较好的量子限制效应，此处，将所述Bi原子团簇的尺寸限制在5-35这一纳米级别，并且所述Bi原子团簇均匀和/或非均匀分布，这使得所述Bi原子团簇的不侵润性较好，从而使得本发明的封装薄膜具有较高的水氧阻隔能力。
3.本发明提供一种封装薄膜，所述缓冲层的内部分布有若干个均匀和/或非均匀分布的Bi原子团簇，所述Bi原子团簇至少在一个方向上的长度为5-35nm，相邻所述Bi原子团簇的间隙小于50nm。所述缓冲层由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一种或多种复合成网状形成。由于Bi原子团簇和Si3N4、SiO2以及TiO2的可湿性不同，在由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一种或多种复合成的缓冲层上按照上述尺寸以及间隙分布所述Bi原子团簇，并形成网络结构，这进一步加大了所述封装薄膜的水氧阻隔能力。
4.本发明提供一种封装薄膜，所述缓冲层的内部分布有若干个均匀和/或非均匀分布的孔洞，所述孔洞至少在一个方向上的尺寸为5-35nm，相邻所述孔洞之间的间隙小于50nm。将所述封装薄膜设置成上述结构使得该封装薄膜具有较高的光透过率，提高了OLED器件的效率。
5.本发明提供一种封装薄膜，所述缓冲层由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一种或多种复合形成。上述材料本身的光学透过率较高，反射率低；并且所述缓冲层的内部分布有若干个均匀和/或非均匀分布的孔洞，所述孔洞至少在一个方向上的尺寸为5-35nm，相邻所述孔洞之间的间隙小于50nm，这两方面相结合使得本发明提供的封装薄膜的光透过率更高，反射率更低，从而更加有利于光提取。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是本发明提供的封装薄膜在封装过程中的结构示意图；
图2是本发明提供的封装薄膜的缓冲层的一种实施例的结构示意图；
图3是本发明提供的封装薄膜的缓冲层的另一种实施例的结构示意图。
图中附图标记表示为：
1-氧化物层；2-有机物层；3-缓冲层；4-Bi原子团簇；5-孔洞；6-有机材料层；7-玻璃基板。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明提供的封装薄膜及封装薄膜的制造方法进行详细的说明。
实施例1
图1显示了本实施例提供的一种封装薄膜用于OLED器件封装过程中的结构示意图，其中，1为氧化物层；2为有机物层；3为缓冲层；4为Bi原子团簇；6为有机材料层；7为玻璃基板，有机材料层6和玻璃基板7形成了需要封装的OLED器件。
图1同时展示了本实施例提供的一种封装薄膜，包括两个成分为Al2O3且厚度为
的氧化物层1和位于相邻所述氧化物层1之间的成分为聚丙烯酸酯且厚度为0.5μm的一有机物层2，在最内层的所述氧化物层1和所述有机物层2之间设置一缓冲层3，所述缓冲层3的厚度为50nm，所述缓冲层的成分为TiO2。
在本实施例中，所述氧化物层1为2个，所述有机物层2为1个，当然，所述氧化物层1也可以设置为三个，相应地所述有机物层2设置为两个，或者所述氧化物层1设置为四个，相应地所述有机物层2设置为三个，依次类推，所述有机物层2的设置层数总是少于所述氧化物层1的设置层数，两者的差值为1层，相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构。
在本实施例中，所述缓冲层3的成分为TiO2，当然，除了TiO2之外，对于实现本发明的目的而言，所述缓冲层3的材料还可以是单独的Si3N4或单独SiO2或单独的其他氧化物，当然，所述缓冲层3的材料还可以是以上三种材料的组合或者以上三种材料中任意两种的组合。
在本实施例中，为了使得所述封装薄膜具有较高的水氧阻隔能力，所述缓冲层3（见图2）的内部分布有若干个均匀分布的Bi原子团簇4，所述Bi原子团簇4的总的原子体积比占所述缓冲层3的总体积的20%，所述Bi原子团簇4在所述缓冲层3上至少在一个方向上的长度为5nm，相邻所述Bi原子团簇4的间隙为30nm。
在本实施例中，所述Bi原子团簇4为球形且均匀分布在所述缓冲层3的内部。当然，为了实现本发明的目的，所述Bi原子团簇4的形状以及是否均匀分布不受限制。本实施例中，为了实现最佳的水氧阻隔效果，所述Bi原子团簇4设置为球形且均匀分布。
在本实施例中，相邻所述Bi原子团簇4之间的间隙为30nm。当然，在此，30nm只是一个最优的实施例，所述Bi原子团簇4之间的间隙在小于50nm时都能实现本发明的目的。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤：
A.在所述有机材料层6上以TiO2和Bi原子团簇4为原料在25℃下采用共溅射的方式形成Bi原子团簇4及所述缓冲层3;
B.在所述缓冲层3上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive s puttering)）的方式形成第一层所述氧化物层1;
C.在所述氧化物层1上以聚丙烯酸酯为原料采用散蒸镀(英文全称为：flash evaporation)的方式形成所述有机物层2;
D.在所述有机物层2上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第二层所述氧化物层1，进而形成实施例的封装薄膜。
实施例2
本实施例提供的一种封装薄膜，包括三个成分为Al2O3且厚度为
的氧化物层1和位于相邻所述氧化物层1之间的成分为聚对二甲苯且厚度为1.0μm的两个有机物层2，在最内层的所述氧化物层1和所述有机物层2之间设置一缓冲层3，所述缓冲层3的厚度为1μm，所述缓冲层的成分为SiO2。
在本实施例中，所述氧化物层1为三个，所述有机物层2为两个，当然，所述氧化物层1也可以设置为两个，相应地所述有机物层2设置为一个，或者所述氧化物层1设置为四个，相应地所述有机物层2设置为三个，依次类推，所述有机物层2的设置层数总是少于所述氧化物层1的设置层数，两者的差值为1层，相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构。
在本实施例中，所述缓冲层3的成分为SiO2，当然，除了SiO2之外，对于实现本发明的目的而言，所述缓冲层3的材料还可以是单独的Si3N4或单独TiO2或单独的其他氧化物，当然，所述缓冲层3的材料还可以是以上三种材料的组合或者以上三种材料中任意两种的组合。
在本实施例中，为了使得所述封装薄膜具有较高的水氧阻隔能力，所述缓冲层3（见图2）的内部分布有若干个均匀分布的Bi原子团簇4，所述Bi原子团簇4的总的原子体积比占所述缓冲层3的总体积的50%，所述Bi原子团簇4在所述缓冲层3上至少在一个方向上的长度为35nm，相邻所述Bi原子团簇4的间隙为20nm。
在本实施例中，所述Bi原子团簇4为球形且均匀分布在所述缓冲层3的内部。当然，为了实现本发明的目的，所述Bi原子团簇4的形状以及是否均匀分布不受限制。本实施例中，为了实现最佳的水氧阻隔效果，所述Bi原子团簇4设置为球形且均匀分布。
在本实施例中，相邻所述Bi原子团簇4之间的间隙为20nm。当然，在此，20nm只是一个优选的实施例，所述Bi原子团簇4之间的间隙在小于50nm时都能实现本发明的目的。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤：
A.在所述有机材料层6上以SiO2和Bi原子团簇4为原料在70℃下采用共溅射的方式形成Bi原子团簇4及所述缓冲层3;
B.在所述缓冲层3上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive s puttering)）的方式形成第一层所述氧化物层1;
C.在所述氧化物层1上以聚对二甲苯为原料采用散蒸镀(英文全称为：flash evaporation)的方式形成第一层所述有机物层2;
D.在所述有机物层2上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactives puttering)）的方式形成第二层所述氧化物层1；依次类推，形成所有氧化物层1和有机物层2，使得相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构，进而形成所述封装薄膜。
实施例3
本实施例提供的一种封装薄膜，包括四个成分为Al2O3且厚度为
的氧化物层1和位于相邻所述氧化物层1之间的成分为聚苯乙烯且厚度为0.7μm的一有机物层2，在最内层的所述氧化物层1和所述有机物层2之间设置一缓冲层3，所述缓冲层3的厚度为100nm，所述缓冲层的成分为Si3N4。
在本实施例中，所述氧化物层1为四个，所述有机物层2为三个，当然，所述氧化物层1也可以设置为三个，相应地所述有机物层2设置为两个，或者所述氧化物层1设置为两个，相应地所述有机物层2设置为一个，依次类推，所述有机物层2的设置层数总是少于所述氧化物层1的设置层数，两者的差值为1层，相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构。
在本实施例中，所述缓冲层3的成分为Si3N4，当然，除了Si3N4之外，对于实现本发明的目的而言，所述缓冲层3的材料还可以是单独的SiO2或单独TiO2或单独的其他氧化物，当然，所述缓冲层3的材料还可以是以上三种材料的组合或者以上三种材料中任意两种的组合。
在本实施例中，为了使得所述封装薄膜具有较高的水氧阻隔能力，所述缓冲层3（见图2）的内部分布有若干个均匀分布的Bi原子团簇4，所述Bi原子团簇4的总的原子体积比占所述缓冲层3的总体积的30%，所述Bi原子团簇4在所述缓冲层3上至少在一个方向上的长度为20nm，相邻所述Bi原子团簇4的间隙为40nm。
在本实施例中，所述Bi原子团簇4为球形且非均匀分布在所述缓冲层3的内部。当然，为了实现本发明的目的，所述Bi原子团簇4的形状以及是否均匀分布不受限制。
在本实施例中，相邻所述Bi原子团簇4之间的间隙为40nm。当然，在此，40nm只是一个优选的实施例，所述Bi原子团簇4之间的间隙在小于50nm时都能实现本发明的目的。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤：
A.在所述有机材料层6上以Si3N4和Bi原子团簇4为原料在50℃下采用共溅射的方式形成Bi原子团簇4及所述缓冲层3;
B.在所述缓冲层3上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive s puttering)）的方式形成第一层所述氧化物层1;
C.在所述氧化物层1上以聚丙烯酸酯为原料采用散蒸镀(英文全称为：flash evaporation)的方式形成所述有机物层2;
D.在所述有机物层2上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第二层所述氧化物层1，依次类推，形成所有氧化物层1和有机物层2，使得相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构，进而形成所述封装薄膜。
实施例4
本实施例提供的一种封装薄膜，包括四个成分为Al2O3且厚度为
的氧化物层1和位于相邻所述氧化物层1之间的成分为聚醚砜且厚度为0.9μm的一有机物层2，在最内层的所述氧化物层1和所述有机物层2之间设置一缓冲层3，所述缓冲层3的厚度为400nm，所述缓冲层3的成分为Si3N4、TiO2和SiO2的混合物，所述Si3N4、TiO2和SiO2的混合物形成网状结构。
在本实施例中，所述氧化物层1为四个，所述有机物层2为三个，当然，所述氧化物层1也可以设置为三个，相应地所述有机物层2设置为两个，或者所述氧化物层1设置为两个，相应地所述有机物层2设置为一个，依次类推，所述有机物层2的设置层数总是少于所述氧化物层1的设置层数，两者的差值为1层，相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构。
在本实施例中，所述缓冲层3的成分为Si3N4、TiO2和SiO2的混合物，当然，对于实现本发明的目的而言，所述缓冲层3的材料还可以是单独的SiO2或单独TiO2或单独的其他氧化物，当然，所述缓冲层3的材料还可以是以上三种材料中任意两种的组合。
在本实施例中，为了使得所述封装薄膜具有较高的水氧阻隔能力，所述缓冲层3（见图2）的内部分布有若干个均匀分布的Bi原子团簇4，所述Bi原子团簇4的总的原子体积比占所述缓冲层3的总体积的40%，所述Bi原子团簇4在所述缓冲层3上至少在一个方向上的长度为10nm，相邻所述Bi原子团簇4的间隙为10nm。
在本实施例中，所述Bi原子团簇4为球形且均匀分布在所述缓冲层3的内部。当然，为了实现本发明的目的，所述Bi原子团簇4的形状以及是否均匀分布不受限制。
在本实施例中，相邻所述Bi原子团簇4之间的间隙为10nm。当然，在此，10nm只是一个优选的实施例，所述Bi原子团簇4之间的间隙在小于50nm时都能实现本发明的目的。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤：
A.在所述有机材料层6上以Si3N4、TiO2、SiO2和Bi原子团簇4为原料在50℃下采用共溅射的方式形成Bi原子团簇4及所述缓冲层3;
B.在所述缓冲层3上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive s puttering)）的方式形成第一层所述氧化物层1;
C.在所述氧化物层1上以聚丙烯酸酯为原料采用散蒸镀(英文全称为：flash evaporation)的方式形成所述有机物层2;
D.在所述有机物层2上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第二层所述氧化物层1，依次类推，形成所有氧化物层1和有机物层2，使得相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构，进而形成所述封装薄膜。
实施例5
本实施例提供的一种封装薄膜，包括两个成分为Al2O3且厚度为
的氧化物层1和位于相邻所述氧化物层1之间的成分为聚脲且厚度为0.2μm的一有机物层2，在最内层的所述氧化物层1和所述有机物层2之间设置一缓冲层3，所述缓冲层3的厚度为700nm，所述缓冲层的成分为TiO2和SiO2的混合物，所述混合物形成网状结构。
在本实施例中，所述氧化物层1为2个，所述有机物层2为1个，当然，所述氧化物层1也可以设置为三个，相应地所述有机物层2设置为两个，或者所述氧化物层1设置为四个，相应地所述有机物层2设置为三个，依次类推，所述有机物层2的设置层数总是少于所述氧化物层1的设置层数，两者的差值为1层，相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构。
在本实施例中，缓冲层3的成分为TiO2和SiO2的混合物，当然，对于实现本发明的目的而言，所述缓冲层3的材料还可以是其他氧化物的组合物或者其他单独的氧化物，例如，Si3N4。
在本实施例中，为了使得所述封装薄膜具有较高的水氧阻隔能力，所述缓冲层3（见图2）的内部分布有若干个均匀分布的Bi原子团簇4，所述Bi原子团簇4的总的原子体积比占所述缓冲层3的总体积的10%，所述Bi原子团簇4在所述缓冲层3上至少在一个方向上的长度为25nm，相邻所述Bi原子团簇4的间隙为25nm。
在本实施例中，所述Bi原子团簇4为球形且均匀分布在所述缓冲层3的内部。当然，为了实现本发明的目的，所述Bi原子团簇4的形状以及是否均匀分布不受限制。本实施例中，为了实现最佳的水氧阻隔效果，所述Bi原子团簇4设置为球形且均匀分布。
在本实施例中，相邻所述Bi原子团簇4之间的间隙为10nm。当然，在此，10nm只是一个最优的实施例，所述Bi原子团簇4之间的间隙在小于50nm时都能实现本发明的目的。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤：
A.在所述有机材料层6上以TiO2、SiO2和Bi原子团簇4为原料在45℃下采用共溅射的方式形成Bi原子团簇4及所述缓冲层3;
B.在所述缓冲层3上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第一层所述氧化物层1;
C.在所述氧化物层1上以聚丙烯酸酯为原料采用散蒸镀(英文全称为：flash evaporation)的方式形成所述有机物层2;
D.在所述有机物层2上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第二层所述氧化物层1，进而形成实施例的封装薄膜。
实施例6
本实施例提供的一种封装薄膜，包括两个成分为Al2O3且厚度为
的氧化物层1和位于相邻所述氧化物层1之间的成分为聚丙烯酸酯聚脲且厚度为0.4μm的一有机物层2，在最内层的所述氧化物层1和所述有机物层2之间设置一缓冲层3，所述缓冲层3的厚度为700nm，所述缓冲层的成分为TiO2和SiO2的混合物，所述混合物形成网状结构。
在本实施例中，所述氧化物层1为2个，所述有机物层2为1个，当然，所述氧化物层1也可以设置为三个，相应地所述有机物层2设置为两个，或者所述氧化物层1设置为四个，相应地所述有机物层2设置为三个，依次类推，所述有机物层2的设置层数总是少于所述氧化物层1的设置层数，两者的差值为1层，相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构。
在本实施例中，缓冲层3的成分为TiO2和SiO2的混合物，当然，对于实现本发明的目的而言，所述缓冲层3的材料还可以是其他氧化物的组合物或者其他单独的氧化物，例如，Si3N4。
在本实施例中，为了提高光提取率，所述缓冲层3的内部具有若干个均匀孔洞5（见图3），所述孔洞5至少在一个方向上的长度为35nm，相邻所述孔洞5之间的间隙为40nm。在此，所述孔洞5的形状以及是否均匀分布不受限制，本实施例中，为了实现最佳的光提取效果，所述孔洞5设置为球形且均匀分布，相邻所述孔洞5之间的间隙为40nm，所述孔洞5的直径为35nm（即至少在一个方向上的长度为35nm）。当然，在此，35nm只是一个最优的实施例，所述孔洞5的直径在5-35nm之间时都能使得本发明提供的封装薄膜具有较高的光提取率。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤：
A.在所述有机材料层6上以TiO2、SiO2和Bi原子团簇4为原料在45℃下采用共溅射的方式形成Bi原子团簇4及所述缓冲层3;
B．以浓度为10%的磷酸对所述缓冲层3进行蚀刻，将Bi原子团簇4蚀刻掉，形成直径为35nm的所述孔洞5，相邻所述孔洞5之间的间隙为40nm；
C.在所述缓冲层3上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive s puttering)）的方式形成第一层所述氧化物层1;
D.在所述氧化物层1上以聚丙烯酸酯为原料采用散蒸镀(英文全称为：flash evaporation)的方式形成所述有机物层2;
E.在所述有机物层2上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第二层所述氧化物层1，进而形成实施例的封装薄膜。
实施例7
本实施例提供的一种封装薄膜，包括三个成分为Al2O3且厚度为
的氧化物层1和位于相邻所述氧化物层1之间的成分为聚丙烯酸酯且厚度为0.5μm的一有机物层2，在最内层的所述氧化物层1和所述有机物层2之间设置一缓冲层3，所述缓冲层3的厚度为1μm，所述缓冲层的成分为TiO2、SiO2以及Si3N4的混合物，所述混合物形成网状结构。
在本实施例中，所述氧化物层1为三个，所述有机物层2为两个，当然，所述氧化物层1也可以设置为两个，相应地所述有机物层2设置为一个，或者所述氧化物层1设置为四个，相应地所述有机物层2设置为三个，依次类推，所述有机物层2的设置层数总是少于所述氧化物层1的设置层数，两者的差值为1层，相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构。
在本实施例中，缓冲层3的成分为TiO2、Si3N4以及SiO2的混合物，当然，对于实现本发明的目的而言，所述缓冲层3的材料还可以是其他氧化物的组合物或者其他单独的氧化物，例如，Si3N4。
在本实施例中，为了提高光提取率，所述缓冲层3的内部具有若干个均匀孔洞5（见图3），所述孔洞5至少在一个方向上的长度为5nm，相邻所述孔洞5之间的间隙为30nm。在此，所述孔洞5的形状以及是否均匀分布不受限制，本实施例中，为了实现较佳的光提取效果，所述孔洞5设置为球形且非均匀分布，相邻所述孔洞5之间的间隙为30nm，所述孔洞5的直径为5nm（即至少在一个方向上的长度为5nm）。当然，在此，5nm只是一个较佳的实施例，所述孔洞5的直径在5-35nm之间时都能使得本发明提供的封装薄膜具有较高的光提取率。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤：
A.在所述有机材料层6上以TiO2、SiO2、Si3N4和Bi原子团簇4为原料在45℃下采用共溅射的方式形成Bi原子团簇4及所述缓冲层3;
B．以浓度为50%的磷酸对所述缓冲层3进行蚀刻，将Bi原子团簇4蚀刻掉，形成直径为5nm的所述孔洞5，相邻所述孔洞5之间的间隙为30nm；
C.在所述缓冲层3上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第一层所述氧化物层1;
D.在所述氧化物层1上以聚丙烯酸酯为原料采用散蒸镀(英文全称为：flash evaporation)的方式形成所述有机物层2;
E.在所述有机物层2上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第二层所述氧化物层1，依次类推，形成所有氧化物层1和有机物层2，使得相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构，进而形成实施例的封装薄膜。
实施例8
本实施例提供的一种封装薄膜，包括三个成分为Al2O3且厚度为
的氧化物层1和位于相邻所述氧化物层1之间的成分为聚丙烯酸酯且厚度为1μm的一有机物层2，在最内层的所述氧化物层1和所述有机物层2之间设置一缓冲层3，所述缓冲层3的厚度为50nm，所述缓冲层的成分为TiO2。
在本实施例中，所述氧化物层1为两个，所述有机物层2为一个，当然，所述氧化物层1也可以设置为三个，相应地所述有机物层2设置为两个，或者所述氧化物层1设置为四个，相应地所述有机物层2设置为三个，依次类推，所述有机物层2的设置层数总是少于所述氧化物层1的设置层数，两者的差值为1层，相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构。
在本实施例中，缓冲层3的成分为TiO2，当然，对于实现本发明的目的而言，所述缓冲层3的材料还可以是其他氧化物的组合物或者其他单独的氧化物，例如，Si3N4。
在本实施例中，为了提高光提取率，所述缓冲层3的内部具有若干个均匀孔洞5（见图3），所述孔洞5至少在一个方向上的长度为20nm，相邻所述孔洞5之间的间隙为10nm。在此，所述孔洞5的形状以及是否均匀分布不受限制，本实施例中，为了实现较佳的光提取效果，所述孔洞5设置为球形且均匀分布，相邻所述孔洞5之间的间隙为10nm，所述孔洞5的直径为20nm（即至少在一个方向上的长度为20nm）。当然，在此，20nm只是一个较佳的实施例，所述孔洞5的直径在5-35nm之间时都能使得本发明提供的封装薄膜具有较高的光提取率。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤：
A.在所述有机材料层6上以TiO2和Bi原子团簇4为原料在45℃下采用共溅射的方式形成Bi原子团簇4及所述缓冲层3;
B．以浓度为30%的磷酸对所述缓冲层3进行蚀刻，将Bi原子团簇4蚀刻掉，形成直径为20nm的所述孔洞5，相邻所述孔洞5之间的间隙为10nm；
C.在所述缓冲层3上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第一层所述氧化物层1;
D.在所述氧化物层1上以聚丙烯酸酯为原料采用散蒸镀(英文全称为：flash evaporation)的方式形成所述有机物层2;
E.在所述有机物层2上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第二层所述氧化物层1，依次类推，形成所有氧化物层1和有机物层2，使得相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构，进而形成实施例的封装薄膜。
实施例9
本实施例提供的一种封装薄膜，包括四个成分为Al2O3且厚度为
的氧化物层1和位于相邻所述氧化物层1之间的成分为聚丙烯酸酯且厚度为0.6μm的三个有机物层2，在最内层的所述氧化物层1和所述有机物层2之间设置一缓冲层3，所述缓冲层3的厚度为700nm，所述缓冲层的成分为SiO2。
在本实施例中，所述氧化物层1为四个，所述有机物层2为三个，当然，所述氧化物层1也可以设置为三个，相应地所述有机物层2设置为两个，或者所述氧化物层1设置为两个，相应地所述有机物层2设置为一个，依次类推，所述有机物层2的设置层数总是少于所述氧化物层1的设置层数，两者的差值为1层，相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构。
在本实施例中，缓冲层3的成分为SiO2，当然，对于实现本发明的目的而言，所述缓冲层3的材料还可以是其他氧化物的组合物或者其他单独的氧化物，例如，Si3N4。
在本实施例中，为了提高光提取率，所述缓冲层3的内部具有若干个非均匀孔洞5（见图3），所述孔洞5至少在一个方向上的长度为15nm，相邻所述孔洞5之间的间隙为25nm。在此，所述孔洞5的形状以及是否均匀分布不受限制，本实施例中，为了实现较佳的光提取效果，所述孔洞5设置为球形且非均匀分布，相邻所述孔洞5之间的间隙为25nm，所述孔洞5的直径为15nm（即至少在一个方向上的长度为15nm）。当然，在此，15nm只是一个较佳的实施例，所述孔洞5的直径在5-35nm之间时都能使得本发明提供的封装薄膜具有较高的光提取率。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤：
A.在所述有机材料层6上以SiO2和Bi原子团簇4为原料在45℃下采用共溅射的方式形成Bi原子团簇4及所述缓冲层3;
B．以浓度为40%的磷酸对所述缓冲层3进行蚀刻，将Bi原子团簇4蚀刻掉，形成直径为15nm的所述孔洞5，相邻所述孔洞5之间的间隙为25nm；
C.在所述缓冲层3上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive s puttering)）的方式形成第一层所述氧化物层1;
D.在所述氧化物层1上以聚丙烯酸酯为原料采用散蒸镀(英文全称为：flash evaporation)的方式形成所述有机物层2;
E.在所述有机物层2上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第二层所述氧化物层1，依次类推，形成所有氧化物层1和有机物层2，使得相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构，进而形成实施例的封装薄膜。
实施例10
本实施例提供的一种封装薄膜，包括四个成分为Al2O3且厚度为的氧化物层1和位于相邻所述氧化物层1之间的成分为聚丙烯酸酯且厚度为0.8μm的三个有机物层2，在最内层的所述氧化物层1和所述有机物层2之间设置一缓冲层3，所述缓冲层3的厚度为400nm，所述缓冲层的成分为Si3N4。
在本实施例中，所述氧化物层1为四个，所述有机物层2为三个，当然，所述氧化物层1也可以设置为三个，相应地所述有机物层2设置为两个，或者所述氧化物层1设置为两个，相应地所述有机物层2设置为一个，依次类推，所述有机物层2的设置层数总是少于所述氧化物层1的设置层数，两者的差值为1层，相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构。
在本实施例中，缓冲层3的成分为Si3N4，当然，对于实现本发明的目的而言，所述缓冲层3的材料还可以是其他氧化物的组合物或者其他单独的氧化物，例如，SiO2。
在本实施例中，为了提高光提取率，所述缓冲层3的内部具有若干个非均匀分布的孔洞5（见图3），所述孔洞5至少在一个方向上的长度为25nm，相邻所述孔洞5之间的间隙为15nm。在此，所述孔洞5的形状以及是否均匀分布不受限制，本实施例中，为了实现较佳的光提取效果，所述孔洞5设置为球形且非均匀分布，相邻所述孔洞5之间的间隙为15nm，所述孔洞5的直径为25nm（即至少在一个方向上的长度为25nm）。当然，在此，25nm只是一个较佳的实施例，所述孔洞5的直径在5-35nm之间时都能使得本发明提供的封装薄膜具有较高的光提取率。
本实施例提供的封装薄膜的制造方法依次包括以下步骤：
A.在所述有机材料层6上以Si3N4和Bi原子团簇4为原料在45℃下采用共溅射的方式形成Bi原子团簇4及所述缓冲层3;
B．以浓度为25%的磷酸对所述缓冲层3进行蚀刻，将Bi原子团簇4蚀刻掉，形成直径为25nm的所述孔洞5，相邻所述孔洞5之间的间隙为15nm；
C.在所述缓冲层3上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive sputtering)）的方式形成第一层所述氧化物层1;
D.在所述氧化物层1上以聚丙烯酸酯为原料采用散蒸镀(英文全称为：flash evaporation)的方式形成所述有机物层2;
E.在所述有机物层2上以Al2O3为原料采用脉冲直流反应溅射(英文全称为：pulsed DC reactive s puttering)）的方式形成第二层所述氧化物层1，依次类推，形成所有氧化物层1和有机物层2，使得相邻所述氧化物层1和所述有机物层2形成叠加结构，进而形成实施例的封装薄膜。
在上述所有实施例1-10中，所述Bi原子团簇是指若干个Bi原子聚集在一起形成的原子团簇。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种封装薄膜，包括至少两个氧化物层（1）和位于相邻所述氧化物层（1）之间的至少一有机物层（2），其特征在于：在最内层的所述氧化物层（1）和所述有机物层（2）之间设置一缓冲层（3），所述缓冲层（3）的厚度在50nm-1μm之间。
2.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于：所述缓冲层（3）的内部分布有若干个均匀和/或非均匀分布的Bi原子团簇（4），所述Bi原子团簇（4）至少在一个方向上的长度为5-35nm，相邻所述Bi原子团簇（4）的间隙小于50nm。
3.根据权利要求2所述的封装薄膜，其特征在于：若干所述Bi原子团簇（4）均匀分布。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的封装薄膜，其特征在于：所述Bi原子团簇（4）为球形。
5.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于：所述缓冲层的内部分布有若干个均匀和/或非均匀分布的孔洞（5），所述孔洞（5）至少在一个方向上的长度为5-35nm，相邻所述孔洞（5）之间的间隙小于50nm。
6.根据权利要求5所述的封装薄膜，其特征在于：若干所述孔洞（5）均匀分布。
7.根据权利要求6所述的封装薄膜，其特征在于：所述孔洞（5）为球形。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的封装薄膜，其特征在于：所述缓冲层（3）由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一种或多种复合形成。
9.根据权利要求8所述的封装薄膜，其特征在于：所述缓冲层（3）由Si3N4、SiO2或者TiO2中的一种或多种复合为网状形成。
10.根据权利要求2-9任一所述的封装薄膜，其特征在于：所述Bi原子团簇4的总的原子体积比占所述缓冲层3的总体积的20-50%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210223170.7A CN102751446B (zh) | 2012-05-31 | 2012-06-29 | 一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210176458.3 | 2012-05-31 | ||
| CN201210176458 | 2012-05-31 | ||
| CN2012101764583 | 2012-05-31 | ||
| CN201210223170.7A CN102751446B (zh) | 2012-05-31 | 2012-06-29 | 一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102751446A true CN102751446A (zh) | 2012-10-24 |
| CN102751446B CN102751446B (zh) | 2015-04-22 |
Family
ID=47031458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210223170.7A Active CN102751446B (zh) | 2012-05-31 | 2012-06-29 | 一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102751446B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104637890A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-20 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种薄膜封装结构 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198217B1 (en) * | 1997-05-12 | 2001-03-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having a protective covering comprising organic and inorganic layers |
| CN101582489A (zh) * | 2009-05-26 | 2009-11-18 | 上海大学 | 有机电致发光器件的复合封装结构和方法 |
| CN201616434U (zh) * | 2009-10-29 | 2010-10-27 | 彩虹集团公司 | 一种有机发光器件的薄膜封装结构 |
-
2012
- 2012-06-29 CN CN201210223170.7A patent/CN102751446B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198217B1 (en) * | 1997-05-12 | 2001-03-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having a protective covering comprising organic and inorganic layers |
| CN101582489A (zh) * | 2009-05-26 | 2009-11-18 | 上海大学 | 有机电致发光器件的复合封装结构和方法 |
| CN201616434U (zh) * | 2009-10-29 | 2010-10-27 | 彩虹集团公司 | 一种有机发光器件的薄膜封装结构 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104637890A (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-20 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种薄膜封装结构 |
| CN104637890B (zh) * | 2013-11-14 | 2017-09-22 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种薄膜封装结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102751446B (zh) | 2015-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101707237B (zh) | 一种柔性有机电致发光器件的封装结构及其封装方法 | |
| CN102971882B (zh) | 光电设备及制造其的方法 | |
| CN102437288A (zh) | 有机电致发光器件的封装结构 | |
| US9945989B2 (en) | Process for producing a scattering layer for electromagnetic radiation and scattering layer for scattering electromagnetic radiation | |
| US20180166653A1 (en) | Organic light-emitting diode device and manufacturing method thereof | |
| CN105280829A (zh) | Qled及其制备方法 | |
| CN107405893A (zh) | 包括亚微米吸收颗粒的阻挡薄膜层压件和包括这种层压件的电子器件 | |
| CN104094438A (zh) | 用于制造光电子器件的方法和光电子器件 | |
| US20140070186A1 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| CN104205395B (zh) | 具有至少一个金属生长层的电子结构以及用于制造电子结构的方法 | |
| CN106463640A (zh) | 光电子器件和用于制造光电子器件的方法 | |
| TW201507137A (zh) | 填充膜與用其製造有機發光顯示設備之方法 | |
| CN112490389A (zh) | 有机发光二极管的封装结构、封装方法和照明装置 | |
| CN107123751A (zh) | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法 | |
| CN109888104A (zh) | 一种基于交错绒面增透结构层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN109713153B (zh) | 有机发光二极管单元、显示面板及其制备方法 | |
| CN102299119A (zh) | 一种光电子器件的封装方法 | |
| CN107154422A (zh) | 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法 | |
| CN102751446A (zh) | 一种封装薄膜及制造该封装薄膜的方法 | |
| US20210202899A1 (en) | Oled display screen, display panel and manufacturing method thereof | |
| CN104716270A (zh) | 一种薄膜封装结构和具有该结构的有机发光装置 | |
| CN109390483A (zh) | 一种显示设备及其制备方法 | |
| CN103730595A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN112349853A (zh) | 电致发光器件及其制备方法和显示装置 | |
| CN103730594A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |