CN102751378A - 一种选择性扩散的实现方式 - Google Patents

一种选择性扩散的实现方式 Download PDF

Info

Publication number
CN102751378A
CN102751378A CN201210205973XA CN201210205973A CN102751378A CN 102751378 A CN102751378 A CN 102751378A CN 201210205973X A CN201210205973X A CN 201210205973XA CN 201210205973 A CN201210205973 A CN 201210205973A CN 102751378 A CN102751378 A CN 102751378A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mould
diffusion
silicon chip
regions
realizing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210205973XA
Other languages
English (en)
Inventor
张学玲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd
Original Assignee
Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd filed Critical Changzhou Trina Solar Energy Co Ltd
Priority to CN201210205973XA priority Critical patent/CN102751378A/zh
Publication of CN102751378A publication Critical patent/CN102751378A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及一种选择性扩散的实现方式,先根据电池片表面栅线图形设计模具的图形,使电池片中电极部分对应重扩散区域,对应模具中的凹进区出区域,电极之间为浅扩散区域,对应模具中凸出区域;然后用悬涂机器在表面悬涂含掺杂剂的溶胶凝胶源,用模具压制硅片,压制后,硅片表面悬涂的掺杂源将是凹凸不平的形状,模具中凹进去的部分对应为掺杂较多的地方,为重扩散区,模具中凸出来的部分对应掺杂源较少区域,为浅扩散区,这样就实现图形转移。本发明大大降低了由于网版变形等导致的印刷偏移,提升产线良率,比较容易实现产业化。

Description

一种选择性扩散的实现方式
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池工艺,尤其是一种选择性扩散的实现方式。
背景技术
目前的选择性扩散的实现方式很多都与丝网印刷有关,如采用SiO2掩膜,Merck浆料开槽的方式、innovolight的硅墨水方式,此种方式受网版变形等因素影响大,容易导致后期丝网印刷电极无法对准,严重影响效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:提出一种重复性良好的选择性扩散的实现方式。
本发明所采用的技术方案为:一种选择性扩散的实现方式,包括以下步骤:
1)根据电池片表面栅线图形设计模具的图形;
2)清洗硅片,抛光或制绒;
3)用悬涂机器在硅片表面悬涂含掺杂剂的扩散源;所述的扩散源具有一定的流动性,可以为溶胶凝胶源或其他弹性源。
4)用制作好的模具压制硅片,将模具上的图形转移至硅片表面;
5)烘干硅片表面的弹性源;
6)硅片进入高温扩散设备进行扩散。
具体的说,本发明所述的步骤1)中的模具图形的制法为:电池片中的电极部分为重扩散区域,对应模具的凹区域;电极之间为浅扩散区域,对应模具的凸区域。所述的步骤4)中模具压制硅片,硅片表面悬涂的扩散源呈凹凸状;凸状区域为重扩散区域,凹状区域为浅扩散区域。
本发明所述的模具材料可以是高强度的塑料,或陶瓷,由于强度高,模具不易变形,与后期的丝网印刷电极比较容易对准。
本发明的有益效果是:本发明大大降低了由于网版变形等导致的印刷偏移,提升产线良率,比较容易实现产业化。
具体实施方式
现在实施例对本发明作进一步详细的说明。
一种选择性扩散的实现方式,包括以下步骤:
1)根据电池片表面栅线图形设计模具的图形;电池片中的电极部分为重扩散区域,对应模具的凹区域;电极之间为浅扩散区域,对应模具的凸区域;
2)清洗硅片;
3)用悬涂机器在硅片表面悬涂含掺杂剂的溶胶凝胶源。
4)用制作好的模具压制硅片,硅片表面悬涂的扩散源呈凹凸状;凸状区域为重扩散区域,凹状区域为浅扩散区域。将模具上的图形转移至硅片表面;
5)烘干硅片表面的溶胶凝胶源;
6)硅片进入高温扩散设备进行扩散。
以上说明书中描述的只是本发明的具体实施方式,各种举例说明不对本发明的实质内容构成限制,所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式做修改或变形,而不背离发明的实质和范围。

Claims (4)

1.一种选择性扩散的实现方式,其特征在于包括以下步骤:
1)根据电池片表面栅线图形设计模具的图形;
2)清洗硅片,抛光或制绒;
3)用悬涂机器在硅片表面悬涂含掺杂剂的扩散源;
4)用制作好的模具压制硅片,将模具上的图形转移至硅片表面;
5)烘干硅片表面的扩散源;
6)硅片进入高温扩散设备进行扩散。
2.如权利要求1所述的一种选择性扩散的实现方式,其特征在于:所述的步骤1)中的模具图形的制法为:电池片中的电极部分为重扩散区域,对应模具的凹区域;电极之间为浅扩散区域,对应模具的凸区域。
3.如权利要求1所述的一种选择性扩散的实现方式,其特征在于:所述的步骤3)中的扩散源为溶胶凝胶源。
4.如权利要求1所述的一种选择性扩散的实现方式,其特征在于:所述的步骤4)中模具压制硅片,硅片表面悬涂的扩散源呈凹凸状;凸状区域为重扩散区域,凹状区域为浅扩散区域。
CN201210205973XA 2012-06-20 2012-06-20 一种选择性扩散的实现方式 Pending CN102751378A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210205973XA CN102751378A (zh) 2012-06-20 2012-06-20 一种选择性扩散的实现方式

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210205973XA CN102751378A (zh) 2012-06-20 2012-06-20 一种选择性扩散的实现方式

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102751378A true CN102751378A (zh) 2012-10-24

Family

ID=47031405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210205973XA Pending CN102751378A (zh) 2012-06-20 2012-06-20 一种选择性扩散的实现方式

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102751378A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109509812A (zh) * 2018-11-14 2019-03-22 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池发射极的制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1435728A (zh) * 2002-01-31 2003-08-13 惠普公司 利用间隔体技术的纳米尺寸压印模
CN101179100A (zh) * 2007-01-17 2008-05-14 江苏林洋新能源有限公司 一种大面积低弯曲超薄型双面照光太阳能电池制作方法
CN101740659A (zh) * 2008-11-06 2010-06-16 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 埋栅太阳能电池的制造方法
CN102216851A (zh) * 2008-12-04 2011-10-12 Asml荷兰有限公司 压印光刻设备和方法
CN102306686A (zh) * 2011-09-30 2012-01-04 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳电池一步选择性扩散方法及所用网版

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1435728A (zh) * 2002-01-31 2003-08-13 惠普公司 利用间隔体技术的纳米尺寸压印模
CN101179100A (zh) * 2007-01-17 2008-05-14 江苏林洋新能源有限公司 一种大面积低弯曲超薄型双面照光太阳能电池制作方法
CN101740659A (zh) * 2008-11-06 2010-06-16 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 埋栅太阳能电池的制造方法
CN102216851A (zh) * 2008-12-04 2011-10-12 Asml荷兰有限公司 压印光刻设备和方法
CN102306686A (zh) * 2011-09-30 2012-01-04 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳电池一步选择性扩散方法及所用网版

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109509812A (zh) * 2018-11-14 2019-03-22 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池发射极的制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11476373B2 (en) Solar cell superfine electrode transfer thin film, manufacturing method and application method thereof
TW200629416A (en) Semiconductor device and fabrication method thereof
CN103985770B (zh) 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法
CN101339966A (zh) 太阳能电池的后制绒生产工艺
CN103311381A (zh) 发光二极管封装结构的制造方法
TW200614384A (en) Impurity introducing method
CN105576134A (zh) 一种双介孔层钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105047765A (zh) 用于钝化发射极背面接触晶硅太阳电池的返工工艺
CN102751378A (zh) 一种选择性扩散的实现方式
RU2013134467A (ru) Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент
CN101339965A (zh) 晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法
CN204109533U (zh) 一种铝背场网版
CN206098422U (zh) 一种用于异质结太阳能电池制备的载板
CN102903786A (zh) 一种新型超浅结晶体硅太阳能电池
CN101388421A (zh) 太阳电池磷浆的使用方法
CN106784144A (zh) 一种掩膜法制绒和刻槽填栅电极太阳能电池的制备方法
CN208141354U (zh) 曲面触控屏油墨贴覆结构
CN204838400U (zh) 一种直发器发热组件
CN102683487A (zh) 一种p型晶硅太阳电池双面扩散方法
CN206271730U (zh) 一种湿法制绒机台使用的滚轮装置
CN207052595U (zh) 一种叠加式瞬态抑制二极管
CN206283479U (zh) 一体化晶体谐振器
CN105017848A (zh) 一种硅墨水及制备方法和制备晶体硅电池发射极的方法
CN101478012B (zh) 膜渗透太阳能电池扩散工艺
CN105633195A (zh) 一种太阳电池光诱导电镀方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20121024