CN102723650A - 一种板对板连接器公端的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种板对板连接器公端的制备方法,包括注塑成型具有凹槽的绝缘本体,凹槽贯穿于绝缘本体的上下表面,用于插接板对板连接器母端,然后根据需要在绝缘本体的选定区域进行金属化,在该选定区域形成金属层,得到具有所需形状的金属端子,即得到所述板对板连接器公端。本发明通过直接在绝缘本体表面金属化形成金属端子,使得金属端子形状、尺寸可控,且与绝缘本体的附着力非常高,使得本发明的板对板连接器公端内金属端子结构稳固,且精度高。另外,金属端子通过金属化完成,无需单独加工,工艺简化。

Description

一种板对板连接器公端的制备方法
技术领域
本发明属于电连接器领域,尤其涉及一种板对板连接器公端的制备方法。
背景技术
在电子工业产品中,常需要对两块平行的电路板进行电性连接,表面安装的板对板连接器应运而生。板对板连接器,一般由公端和母端构成,其内部均设有金属端子;公端金属端子和母端金属端子的一端分别与电路板电连接,另一端彼此电接触,从而实现平行的电路板之间的电连接。
随着各种小型消费电子产品,特别是移动电话的快速发展,板对板连接器愈加趋向小型化方向发展,因此需要对应紧密排列母端与公端。但是由于板对板连接器本身结构很小,因此对公端和母端的良好匹配性提出了较高的要求。另外,公端、母端内金属端子的制造精度要求也相应提高,否则会将降低板对板连接器的良品率。
现有技术中,公端的常用制备方法为先注塑成型绝缘本体,该绝缘本体内部预留通道,然后将金属端子插入通道内,从而在绝缘本体内形成具有所需形状的金属端子,得到板对板连接器公端。该方法中,为了保证金属端子能顺利插入通道内,所以一般采用间隙配合,即预留的通道空间较大,但间隙配合会导致形成的金属端子位置不稳固,在后续使用过程中,公端与母端多次插拔会使金属端子发生松动,导致接触不良。另外,将金属端子插入绝缘本体内,难以保证内部金属端子的准确定位,因此形成的板对板连接器公端内金属端子的精度较低。
为了使金属端子能顺利进入绝缘本体内部,目前也有采用先在绝缘本体上设置凹槽,然后将金属端子压入该凹槽内,然后在凹槽的上方覆盖绝缘后盖,用于固定金属端子并封装所述绝缘本体,形成公端。该方法中,板对板连接器公端仍然通过插入金属端子实现电连接,在外力碰撞或者多次插拔使用仍然会导致金属端子位置发生变化,即公端内金属端子松动,造成与母端配合时保持力不稳定,从而导致板对板连接器接触不良。另外,现有技术中均需单独加工金属端子,由于金属端子的尺寸非常小,加工精度要求较高,难以实现。
发明内容
本发明解决了现有技术中存在的板对板连接器公端制备过程中存在的金属端子容易松动、金属端子加工精度要求高导致板对板连接器公端内金属端子精度低的技术问题。
本发明提供了一种板对板连接器公端的制备方法,包括注塑成型具有凹槽的绝缘本体,凹槽贯穿于绝缘本体的上下表面,用于插接板对板连接器母端,然后根据需要在绝缘本体的选定区域进行金属化,在该选定区域形成金属层,得到具有所需形状的金属端子,即得到所述板对板连接器公端。
本发明提供的制备方法,通过直接注塑成型绝缘本体,然后在绝缘本体上通过选择性直接金属化,在选定区域形成所需图案的金属层,该金属层与绝缘本体的附着力很高,因此能保证金属端子的位置稳定,不会松动。另外,本发明的板对板连接器公端内金属端子是根据需要在绝缘本体上通过选择性金属化完成,其形状和尺寸可控,因此本发明提供的制备方法得到的板对板连接器公端内金属端子的精度明显优于现有技术中直接插入金属端子的方法。另外,本发明中,无需单独加工金属端子,直接通过金属化在绝缘本体内完成,容易控制,工艺简化。   
附图说明
图1是绝缘本体和金属层的结构示意图。
图2是后盖的结构示意图。
图3是板对板连接器公端的结构示意图。   
具体实施方式
本发明提供了一种了板对板连接器公端的制备方法,包括注塑成型具有凹槽的绝缘本体,凹槽贯穿于绝缘本体的上下表面,用于插接板对板连接器母端,然后根据需要在绝缘本体的选定区域进行金属化,在该选定区域形成金属层,得到具有所需形状的金属端子,即得到所述板对板连接器公端。
根据本发明的制备方法,先注塑成型绝缘本体1,绝缘本体1上具有凹槽11。该具有凹槽11的绝缘本体1通过一体注塑成型完成,所采用的成型设备为本领域技术人员所公知,本发明中不再赘述。所述绝缘本体1的材料可采用现有技术中的各种绝缘塑料材料,例如可以选自液晶聚合物基材(LCP)或尼龙基材(PA)。绝缘本体1的注塑成型方法为本领域技术人员所公知,例如可以将原料先通过混配机械制备塑料组合物,然后经过注塑、吹塑、挤出或热压挤出设备,制造出所需形状的绝缘本体。
所述凹槽11的结构和形状为本领域技术人员所公知,贯穿于绝缘本体的上下表面。所述凹槽11用于插接板对板连接器母端,从而通过板对板连接器母端与所述板对板连接器公端的配合使用,实现平行电路板之间的电连接。
然后,根据需要对绝缘本体1的选定区域进行金属化,在该选定区域形成金属层2,得到具有所需形状的金属端子。绝缘本体1上形成金属层2的图案和尺寸可根据实际需要形成,例如可以为简单的二维电路或者复杂的三维立体电路。如图1所示,该金属层2覆盖凹槽11的内表面部分区域和绝缘本体1上表面的部分区域,从而形成三维立体电路,得到具有三维立体结构的金属端子。金属化过程中,可以控制金属化的部位和图案,因此形成的金属端子的精度也很高。另外,金属层2直接在绝缘本体1表面形成,与绝缘本体1的附着力很高,使得金属端子与绝缘本体的保持力较大,在后续板对板连接器公端与母端配合使用过程中,母端多次插拔也不会出现金属端子松动的情况。
对绝缘本体进行金属化的方法可以为物理气相沉积(PVD)或化学镀。
其中,采用化学镀对绝缘本体进行金属化时,由于绝缘本体本身不导电,不具有化学镀活性中心,因此需先对绝缘本体表面的选定区域进行激光活化。所述激光活化的步骤包括:先清洗绝缘本体,然后将绝缘本体置于本领域技术人员常用的粗化液中进行粗化,再用激光照射含有金属化合物的绝缘本体,使照射区域绝缘本体表面产生化学镀活性中心。激光活化完成后,然后对选定区域进行化学镀,进行金属层。优选情况下,若化学镀镀层厚度较小,还可继续进行电镀,得到厚度适宜的金属层,即保证金属端子的机械强度。更优选情况下,为防止公端内的金属端子暴露在空气中被氧化,可采用含有不活泼金属的金属盐溶液作为电镀液,继续镀上一层不活泼金属保护层。
所述物理气相沉积的方法为本领域技术人员所公知,包括在真空条件下,采用物理方法将金属材料气化成气态金属原子,然后通过低压气体或等离子体将气态金属原子沉积于绝缘本体表面的选定区域,从而在该选定区域形成金属层,得到具有特定形状的金属端子。所述物理气相沉积的方法主要包括真空蒸镀、磁控溅射镀膜或电弧等离子体镀。本发明中,优选情况下,通过采用磁控溅射对绝缘本体的选定区域进行金属化。
本发明中,对绝缘本体表面的选定区域进行金属化后,在该选定区域即形成金属层。所述金属层用作板对板连接器公端内的金属端子。因此,金属层的材料可采用现有技术中板对板连接器公端内金属端子常用的各种金属材料,例如可以选自Cu、Al、Au、Ag或其合金。本发明中,对金属层的厚度没有特殊限制。优选情况下,金属层的厚度为0.05-0.12mm。
现有技术中,板对板连接器公端的绝缘本体上还设有后盖,后盖的主要作用是防止插入的金属端子弹出或者松动。本发明中,通过直接在绝缘本体上进行金属化,所以形成的金属端子与绝缘本体的附着力非常高,不会出现金属端子松动的情况,因此本发明中,所述板对板连接器公端可以不含有后盖。
优选情况下,本发明中,也可注塑成型与现有技术中相同的后盖3,其结构如图2所示。在绝缘本体1表面形成金属层2(即金属端子)后,再将该后盖3装配至绝缘本体1上,用于封闭凹槽11,从而保证与现有技术中所述板对板连接器的外观一致性。另一方面,该后盖3装配至绝缘本体1上后,可以有效保护绝缘本体1内的金属层2,防止金属端子被损坏。所述后盖3的材料与绝缘本体1的材料相同。为保证与现有技术中所述板对板连接器的外观一致性,所述后盖3上也可形成有金属层32。在后盖3上形成金属层32的方法,可采用与在绝缘本体1上形成金属层2相同的方法,本发明中没有特殊限定。更优选情况下,所述后盖3的形状与绝缘本体1上凹槽11的形状匹配。
本发明中,将后盖3装配至绝缘本体1上的步骤包括:将后盖3覆盖于绝缘本体1表面,然后进行超声波焊接、热压和/或热熔,使后盖与绝缘本体结合成一体结构。为保证热熔的顺利进行和准确定位,所述绝缘本体1上可设有热熔定位柱12,后盖3上设有热熔定位孔31;所述热熔定位孔31的位置与绝缘本体1上的热熔定位柱12的位置匹配。将后盖3与绝缘本体1装配完整后,即得到图3所示结构的板对板连接器公端。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1. 一种板对板连接器公端的制备方法,包括注塑成型具有凹槽的绝缘本体,凹槽贯穿于绝缘本体的上下表面,用于插接板对板连接器母端,然后根据需要在绝缘本体的选定区域进行金属化,在该选定区域形成金属层,得到具有所需形状的金属端子,即得到所述板对板连接器公端。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述金属化包括对绝缘本体的选定区域进行物理气相沉积或化学镀,在选定区域表面覆盖金属层。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述化学镀包括先对绝缘本体表面的选定区域进行激光活化,形成化学镀活性中心,再进行化学镀形成金属层。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,物理气相沉积包括在真空条件下,采用物理方法将金属材料气化成气态金属原子,然后通过低压气体或等离子体将气态金属原子沉积于绝缘本体表面的选定区域。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述物理气相沉积选自真空蒸镀、磁控溅射镀膜或电弧等离子体镀。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述金属层的金属为Cu、Al、Au、Ag或其合金,金属层的厚度为0.05-0.12mm。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述绝缘本体为液晶聚合物基材或尼龙基材。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,还包括注塑成型后盖,并将所述后盖装配于绝缘本体上用于封闭凹槽的步骤。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述装配包括将后盖覆盖于形成有金属端子的绝缘本体表面,然后进行超声波焊接、热压和/或热熔,使后盖与绝缘本体结合成一体结构。
10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述后盖与凹槽的形状匹配。
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