CN102719891B - 一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法 - Google Patents
一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102719891B CN102719891B CN201110162483.1A CN201110162483A CN102719891B CN 102719891 B CN102719891 B CN 102719891B CN 201110162483 A CN201110162483 A CN 201110162483A CN 102719891 B CN102719891 B CN 102719891B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- hydrofluoric acid
- tungstic oxide
- oxide crystal
- tungsten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 207
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 119
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 92
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 12007-10-2 Chemical compound [W].[W]=[B] OFEAOSSMQHGXMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims abstract description 11
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims abstract description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 12
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract 1
- BVDPFTQTMQKPGQ-UHFFFAOYSA-N ethanol hydrofluoride Chemical compound F.CCO BVDPFTQTMQKPGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 5
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000007540 photo-reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- FWFGVMYFCODZRD-UHFFFAOYSA-N oxidanium;hydrogen sulfate Chemical compound O.OS(O)(=O)=O FWFGVMYFCODZRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明涉及三氧化钨晶体领域，具体为一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，通过湿化学过程以硼化钨为前驱体水热生长晶面暴露比例不同三氧化钨晶体，能够解决针对不同的反应体系提供具有不同的氧化还原能力的三氧化钨光催化剂的问题。将前驱体装入有硝酸水溶液的反应釜中，经加热处理，可得到{002}晶面占优的三氧化钨晶体。将前驱体装入有氢氟酸水溶液或氢氟酸乙醇溶液或氢氟酸水、乙醇混合溶液的反应釜中，经加热处理，可得到氢钨青铜立方晶体，氢钨青铜晶体经空气中热处理，可得到{002}、{200}、{020}晶面比例相等的三氧化钨晶体。从而，制备出具有规则形貌的、晶面比例不同的、具有很好光解水产氧能力的三氧化钨晶体。
Description
技术领域
本发明涉及三氧化钨晶体领域，具体为一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，通过湿化学过程以硼化钨为前驱体水热生长晶面比例不同三氧化钨晶体。
背景技术
由于三氧化钨具有合适的带隙(2.5～2.8eV)、高的耐酸性和高的热稳定性，其做为一种n型半导体材料引起了广泛的关注和深入的研究。三氧化钨光催化剂除了应用于光催化分解水外，还广泛应用于光降解、太阳能电池、光电化学、光致变色以及气体传感器等领域。因为光催化反应主要在半导体材料的表面进行，所以通过研究半导体材料不同晶面的催化活性来找到提高其光催化效率的途径是近年来研究的重点。近年来，虽然合成出了片状、棒状、线状、花状等各种形貌的三氧化钨晶体，但是鲜见有形貌规则的、某些晶面暴露的三氧化钨晶体被制备出来，这也就限制了三氧化钨不同晶面上催化活性的深入研究，从而阻碍了一条提高其光催化效率的重要途径。
发明内容
本发明的目的在于提供了一种三氧化钨晶体晶面可控生长制备方法，能够解决针对不同的反应体系提供具有不同的氧化还原能力的三氧化钨光催化剂的问题，可以制备出具有形貌规则的、某些晶面暴露的三氧化钨晶体。
本发明的技术方案是：
本发明提供一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，以未经任何处理的商用硼化钨(WBx，0＜x＜5)为前驱体，将其放入装有硝酸水溶液的反应釜中，反应釜密封后，放入烘箱加热处理，取出反应样品，用去离子水清洗并烘干，就可在硝酸体系中得到(002)晶面占优的三氧化钨晶体；或以未经任何处理的商用硼化钨(WBx，0＜x＜5)为前驱体，将其放入装有氢氟酸水溶液或氢氟酸的乙醇溶液或氢氟酸的水、乙醇混合溶液的反应釜中，反应釜密封后，放入烘箱加热处理，取出反应样品，用去离子水清洗并烘干，再在空气中热处理就可在氢氟酸体系中得到三种晶面比例相等的三氧化钨晶体。其中，具体的特征在于：
1、前驱体为表面光滑的具有不规则形貌，尺寸为100～5000nm大小的粉体商用硼化钨(WBx，0＜x＜5)的一种。
2、反应釜材质为不锈钢、铝合金、铜和钽的一种，内胆为聚四氟乙烯和高密度聚乙烯的一种。
3、所述硝酸水溶液中，硝酸的摩尔浓度为0.05～5M；所述氢氟酸水溶液或氢氟酸的乙醇溶液或氢氟酸的水、乙醇混合溶液中，氢氟酸的摩尔浓度为0.01M～3M，乙醇与水的体积比在0～1之间。
4、硝酸体系中，硼化钨的质量与硝酸水溶液体积之间的比例为1g/20mL～1g/1000mL；氢氟酸体系中，硼化钨的质量与氢氟酸水溶液或氢氟酸的乙醇溶液或氢氟酸的水、乙醇混合溶液的体积之间的比例为1g/20mL～1g/1000mL。
5、所述放入烘箱加热处理时，加热温度为100～300℃，加热时间为2h～48h。
6、所述用去离子水清洗后烘干时，烘干温度为60～100℃。
7、在硝酸水溶液的环境中所得为(002)晶面占优的三氧化钨晶体，形貌为块状体，尺度约为100～2000nm；在氢氟酸水溶液或氢氟酸的乙醇溶液或氢氟酸的水、乙醇混合溶液的环境中所得为三种晶面比例相等的氢钨青铜(H0.23WO3)晶体，再500～1000℃空气中热处理1～3h就可得三种晶面比例相等的三氧化钨晶体，形貌为立方体，尺度约为600～2000nm。
本发明中，晶面比例是指晶面占总面积的比例。
本发明的设计思想如下：
三氧化钨晶体不同晶面上的能带结构不同，导致其不同晶面上的氧化还原反应能力不同。合成的三氧化钨晶体由于晶面暴露比例不同，其氧化还原能力会有差异，从而能够解决针对不同的反应体系提供具有不同的氧化还原能力的三氧化钨光催化剂的问题。将前驱体装入有硝酸水溶液的反应釜中，经加热处理，可得到(002)、(020)和(200)晶面暴露的三氧化钨晶体，该晶体暴露的三种晶面的比例分别为75％、10％和15％(称之为(002)晶面占优的三氧化钨晶体)。将前驱体装入有氢氟酸水溶液或氢氟酸乙醇溶液或氢氟酸水、乙醇混合溶液的反应釜中，经加热处理，可得到(002)、(020)和(200)晶面暴露的氢钨青铜(H0.23WO3)晶体，氢钨青铜晶体经空气中热处理，可得到(002)、(020)和(200)晶面暴露的三氧化钨晶体，该晶体暴露的三种晶面的比例均为33.3％(称之为三种晶面比例相等的三氧化钨晶体)。(002)晶面占优的三氧化钨晶体形貌为块状体，尺度约为100～2000nm，该三氧化钨块状体具有很好的光解水产氧能力，并且展现出一定的光还原二氧化碳的能力。三种晶面比例相等的三氧化钨晶体形貌为立方体，尺度约为600～2000nm，该三氧化钨立方体展现出高于(002)晶面占优的三氧化钨晶体的光解水产氧能力。
本发明的优点及有益效果是：
1、本发明是一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，在硝酸水溶液的环境中可获得(002)晶面占优的三氧化钨晶体；在氢氟酸水溶液或氢氟酸乙醇溶液或氢氟酸水、乙醇混合溶液的环境中可获得三种晶面比例相等的三氧化钨晶体。
2、本发明方法可以任何形貌、任何尺寸的商用硼化钨为前驱体。
3、本发明方法所形成的不同晶面暴露的三氧化钨晶体形貌均一、暴露晶面比例可控，有利于开展三氧化钨晶体不同晶面上催化活性的研究。
4、本发明方法获得的不同晶面暴露的三氧化钨晶体是单晶的，粒径大小可控。
总之，制备出具有规则形貌的、晶面暴露比例不同的三氧化钨晶体，对于材料合成本身及随后的晶面催化活性的研究都有重要的意义。对材料合成而言，在本发明中为合成晶面暴露比例不同的三氧化钨晶体应用了硝酸水溶液、氢氟酸水溶液、氢氟酸乙醇溶液和氢氟酸水、乙醇混合溶液；同样，在盐酸、硫酸水溶液或盐酸、硫酸水与其它有机溶剂形成的混合液中，也可形成有某些晶面暴露的三氧化钨晶体。对三氧化钨不同晶面催化活性的研究而言，三氧化钨晶体不同暴露晶面上有着不同的电子结构和原子结构，而由于合成的三氧化钨晶体晶面暴露比例不同，从而导致其光氧化还原能力有差异。这也使得对三氧化钨光催化活性的认识提高到表面电子和原子水平，从而为此后的以三氧化钨为基的光催化材料或光催化器件的设计提供理论和实验依据。
附图说明
图1.氢钨青铜晶体和三氧化钨晶体的SEM照片；其中，(a)图是三种晶面比例相等的氢钨青铜晶体的SEM照片；(b)图是三种晶面比例相等的单颗粒氢钨青铜晶体的SEM照片；(c)图是三种晶面比例相等的三氧化钨晶体的SEM照片；(d)图是三种晶面比例相等的单颗粒三氧化钨晶体的SEM照片；(e)图是(002)晶面占优的三氧化钨晶体的SEM照片；(f)图是(002)晶面占优的三氧化钨晶体高倍数下的SEM照片。
图2.三氧化钨晶体的TEM照片；其中，(a)图是三种晶面比例相等的三氧化钨晶体的TEM照片；(b)图是三种晶面比例相等的三氧化钨晶体的HETEM照片，其中插图为颗粒的衍射斑点照片；(c)图是(002)晶面占优的三氧化钨晶体的TEM照片；(d)图是(002)晶面占优的三氧化钨晶体的HETEM照片，其中插图为颗粒的衍射斑点照片。
图3.三氧化钨晶体的XPS曲线；其中，(a)图是三种晶面比例相等的三氧化钨晶体的XPS曲线；(b)图是(002)晶面占优的三氧化钨晶体的XPS曲线。
图4.三种晶面比例相等的三氧化钨晶体的XRD和Raman曲线；其中，(a)图是XRD图谱；(b)图是Raman图谱。
图5.(002)晶面占优的三氧化钨晶体的XRD和Raman曲线；其中，(a)图是XRD图谱；(b)图是Raman图谱。
图6.不同条件下制备的三种晶面比例相等的三氧化钨晶体的SEM照片；具体制备条件见实施例2～5。
具体实施方式
下面结合实施例来详细说明本发明。
实施例1
称取未经任何处理的商用硼化钨粉体150mg(本实施例中，硼化钨粉体的尺寸为800nm，化学式WBx，x＝1)，将其放入装有8mL的2M氢氟酸水、乙醇混合溶液的(水、乙醇体积比为3∶4)、以聚四氟乙烯为内衬的80mL不锈钢反应釜中。反应釜密封后，放入烘箱在190℃加热处理36h，取出反应样品，用去离子水清洗并在80℃烘干，得到三种晶面比例相等的氢钨青铜(H0.23WO3)晶体，再700℃空气中热处理2h就可得到三种晶面比例相等的三氧化钨晶体。
如图1(a)、(b)、(c)、(d)所示，水热形成的氢钨青铜晶体具有完整的立方体形貌，颗粒尺寸为2000nm。经热处理所得的三氧化钨晶体仍然保持完整的立方体形貌，只是棱角处要圆滑一些，颗粒尺寸为2000nm。
如图2(a)、(b)所示，所得三氧化钨晶体的暴露晶面为(002)、(020)、(200)晶面，颗粒衍射斑点证明所得三氧化钨晶体是单晶的。
如图3(a)所示，所得晶体是有完整比例的三氧化钨(WO3)。
如图4所示，XRD和Raman光谱表明所得晶体为单斜晶系的三氧化钨。
实施例2
称取未经任何处理的商用硼化钨粉体100mg(本实施例中，硼化钨粉体的尺寸为800nm，化学式WBx，x＝1)，将其放入装有22mL的2M氢氟酸水、乙醇混合溶液的(水、乙醇体积比为1∶1)、以聚四氟乙烯为内衬的80mL不锈钢反应釜中。反应釜密封后，放入烘箱在190℃加热处理24h，取出反应样品，用去离子水清洗并在80℃烘干，再700℃空气中热处理2h就可得到三种晶面比例相等的三氧化钨晶体。
如图6(a)所示，在此条件下合成的三氧化钨晶体具有完整的立方体形貌，颗粒的尺寸为1000nm。
实施例3
称取未经任何处理的商用硼化钨粉体300mg(本实施例中，硼化钨粉体的尺寸为800nm，化学式WBx，x＝1)，将其放入装有22mL的2M氢氟酸水、乙醇混合溶液的(水、乙醇体积比为1∶1)、以聚四氟乙烯为内衬的80mL不锈钢反应釜中。反应釜密封后，放入烘箱在190℃加热处理24h，取出反应样品，用去离子水清洗并在80℃烘干，再700℃空气中热处理2h就可得到三种晶面比例相等的三氧化钨晶体。
如图6(b)所示，在此条件下合成的三氧化钨晶体有一些团聚，使得形成的立方体相互交叉在一起，颗粒的尺寸为2000nm。
实施例4
称取未经任何处理的商用硼化钨粉体150mg(本实施例中，硼化钨粉体的尺寸为800nm，化学式WBx，x＝1)，将其放入装有22mL的2M氢氟酸水溶液的、以聚四氟乙烯为内衬的80mL不锈钢反应釜中。反应釜密封后，放入烘箱在190℃加热处理24h，取出反应样品，用去离子水清洗并在80℃烘干，再700℃空气中热处理2h就可得到三种晶面比例相等的三氧化钨晶体。
如图6(c)所示，在此条件下合成的三氧化钨晶体具有较完整的立方体形貌，稍有团聚，颗粒的尺寸为600nm。
实施例5
称取未经任何处理的商用硼化钨粉体150mg(本实施例中，硼化钨粉体的尺寸为800nm，化学式WBx，x＝1)，将其放入装有22mL的2M氢氟酸乙醇溶液的、以聚四氟乙烯为内衬的80mL不锈钢反应釜中。反应釜密封后，放入烘箱在190℃加热处理24h，取出反应样品，用去离子水清洗并在80℃烘干，再700℃空气中热处理2h就可得到三种晶面比例相等的三氧化钨晶体。
如图6(d)所示，在此条件下合成的三氧化钨晶体有一些团聚，使得形成的立方体相互交叉在一起，且表面圆滑，颗粒的尺寸为1000nm。
实施例6
称取未经任何处理的商用硼化钨粉体100mg(本实施例中，硼化钨粉体的尺寸为800nm，化学式WBx，x＝1)反应釜中。反应釜密封后，放入烘箱在190℃加热处理12h，取出反应样品，用去离子水清洗并在80℃烘干，就可得到(002)晶面占优的三氧化钨晶体。
如图1(e)、(f)所示，水热形成的三氧化钨晶体具有规则的块状形貌，颗粒尺寸为100～2000nm。。
如图2(c)、(d)所示，所得三氧化钨晶体的暴露晶面为(002)、(200)和(020)晶面，该晶体暴露的三种晶面的比例分别为：(002)晶面75％、(020)晶面10％和(200)晶面15％，颗粒衍射斑点证明所得三氧化钨晶体是单晶的。
如图3(b)所示，所得晶体是有完整比例的三氧化钨(WO3)。
如图5所示，XRD和Raman光谱表明，所得晶体为单斜晶系的三氧化钨。
实施例结果表明，本发明通过有效设计并使用湿化学过程制备了(002)晶面占优或三种晶面比例相等的三氧化钨晶体，并将它们用于光解水产氧和光还原二氧化碳中，其中三种晶面比例相等的三氧化钨晶体表现出了比(002)晶面占优的三氧化钨晶体更优异的光解水产氧性能，而(002)晶面占优的三氧化钨晶体表现出了三种晶面比例相等的三氧化钨晶体所没有的光还原二氧化碳性能。结果充分展示了三氧化钨不同晶面上的氧化还原能力的差异性，因而可根据不同的反应要求，提供相应的具有某些晶面占优的三氧化钨光催化剂，从而使得以三氧化钨为光催化剂的反应体系的建立更有针对性，提高其光催化效率。
Claims (8)
1.一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，其特征在于：以未经任何处理的商用硼化钨WB为前驱体，将其放入装有硝酸水溶液的反应釜中，反应釜密封后，放入烘箱加热处理，取出反应样品，用去离子水清洗并烘干，从而在硝酸体系中得到（002）晶面占优的三氧化钨晶体；或以未经任何处理的商用硼化钨为前驱体，将其放入装有氢氟酸水溶液或氢氟酸的乙醇溶液或氢氟酸的水、乙醇混合溶液的反应釜中，反应釜密封后，放入烘箱加热处理，取出反应样品，用去离子水清洗并烘干，在空气中热处理，从而在氢氟酸体系中得到三种晶面比例相等的三氧化钨晶体。
2.按照权利要求1所述的三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，其特征在于：所述前驱体为具有不规则形貌，尺寸为100～5000 nm大小的粉体商用硼化钨WB。
3.按照权利要求1所述的三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，其特征在于：所述反应釜的材质为不锈钢、铝合金、铜和钽的一种，内胆为聚四氟乙烯和高密度聚乙烯的一种。
4.按照权利要求1所述的三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，其特征在于：所述硝酸水溶液中，硝酸的摩尔浓度为 0.05～5 M；所述氢氟酸水溶液或氢氟酸乙醇溶液或氢氟酸水、乙醇混合溶液中，氢氟酸的摩尔浓度为0.01 M～3 M，乙醇与水的体积比在0～1之间。
5.按照权利要求1所述的三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，其特征在于：所述硝酸体系中，硼化钨的质量与硝酸水溶液体积之间的比例为1 g / 20 mL～1 g / 1000 mL；所述氢氟酸体系中，硼化钨的质量与氢氟酸水溶液或氢氟酸的乙醇溶液或氢氟酸的水、乙醇混合溶液的体积之间的比例为1 g / 20 mL～1 g / 1000 mL。
6.按照权利要求1所述的三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，其特征在于：所述放入烘箱加热处理时，加热温度为100～300 ℃，加热时间为2 h～48 h。
7.按照权利要求1所述的三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，其特征在于：所述用去离子水清洗后烘干时，烘干温度为60～100 ℃。
8.按照权利要求1所述的三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法，其特征在于：在硝酸水溶液的环境中所得为（002）晶面占优的三氧化钨晶体，形貌为块状体，尺度为100～2000 nm；在氢氟酸水溶液或氢氟酸的乙醇溶液或氢氟酸的水、乙醇混合溶液的环境中所得为三种晶面比例相等的氢钨青铜晶体，再500～1000 ℃空气中热处理1～3h得三种晶面比例相等的三氧化钨晶体，形貌为立方体，尺度为600～2000 nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110162483.1A CN102719891B (zh) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110162483.1A CN102719891B (zh) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102719891A CN102719891A (zh) | 2012-10-10 |
| CN102719891B true CN102719891B (zh) | 2014-09-03 |
Family
ID=46945748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110162483.1A Active CN102719891B (zh) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102719891B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104341007B (zh) * | 2013-07-23 | 2016-11-16 | 财团法人工业技术研究院 | 红外吸收材料、其制造方法、以及包含其的隔热结构 |
| TWI522319B (zh) * | 2013-07-23 | 2016-02-21 | 財團法人工業技術研究院 | 紅外光吸收材料、其製造方法、以及包含其之隔熱結構 |
| US9434652B2 (en) | 2013-07-23 | 2016-09-06 | Industrial Technology Research Institute | Infrared absorption material, method for fabricating the same, and thermal isolation structure employing the same |
| CN103708558B (zh) * | 2013-12-31 | 2015-09-09 | 大连工业大学 | CsxWOyFz粉体及其制备方法 |
| CN104562177B (zh) * | 2015-02-10 | 2016-10-12 | 哈尔滨工业大学 | 一种五氧化二钒/氧化钨共沉积立方晶的制备方法 |
| CN106082344B (zh) * | 2016-06-15 | 2017-10-31 | 中国科学技术大学 | 一种用于光催化有氧偶联的缺陷态三氧化钨的制备方法 |
| CN107973346B (zh) * | 2018-01-18 | 2019-09-13 | 福州大学 | 一种可见光辅助制备纯氢钨青铜的方法 |
| CN117205919B (zh) * | 2023-11-09 | 2024-03-05 | 潍坊学院 | 具有全光谱光热co2催化加氢活性的催化剂及其制备方法与应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1830813A (zh) * | 2006-02-15 | 2006-09-13 | 太原理工大学 | 一种纳米三氧化钨微晶的制备方法 |
| CN1974890A (zh) * | 2006-11-24 | 2007-06-06 | 大连理工大学 | 一种多孔状三氧化钨纳米材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7591984B2 (en) * | 2003-07-28 | 2009-09-22 | Los Alamos National Security, Llc | Preparation of tungsten oxide |
-
2011
- 2011-06-14 CN CN201110162483.1A patent/CN102719891B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1830813A (zh) * | 2006-02-15 | 2006-09-13 | 太原理工大学 | 一种纳米三氧化钨微晶的制备方法 |
| CN1974890A (zh) * | 2006-11-24 | 2007-06-06 | 大连理工大学 | 一种多孔状三氧化钨纳米材料及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102719891A (zh) | 2012-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102719891B (zh) | 一种三氧化钨晶体晶面可控生长的制备方法 | |
| Liu et al. | Titanium dioxide crystals with tailored facets | |
| CN104496461B (zh) | 立方状二氧化钛/二维纳米碳化钛复合材料的制备方法 | |
| Chai et al. | Template-free hydrothermal synthesis of ZnIn2S4 floriated microsphere as an efficient photocatalyst for H2 production under visible-light irradiation | |
| CN104941674B (zh) | 一种活性炭上负载磷化钴的催化剂及其制备方法和应用 | |
| EP3617146A1 (en) | Linear porous titanium dioxide material and preparation and use thereof | |
| Li et al. | Structure-dependent electrocatalytic properties of Cu2O nanocrystals for oxygen reduction reaction | |
| Ming et al. | Fine control of titania deposition to prepare C@ TiO 2 composites and TiO 2 hollow particles for photocatalysis and lithium-ion battery applications | |
| CN104628042A (zh) | 一种多孔氧化铁纳米棒阵列的制备方法 | |
| CN101949054B (zh) | 一种单晶锐钛矿二氧化钛膜的制备方法 | |
| CN104148054B (zh) | 一种钒酸铋纳米棒束的制备方法 | |
| CN103320856B (zh) | 一种无氟单晶TiO2纳米薄膜的制备方法 | |
| CN102631907B (zh) | 一种{001}面暴露的具有氧缺陷的可见光二氧化钛纳米片的合成工艺 | |
| Wang et al. | Pn heterostructured TiO2/NiO double-shelled hollow spheres for the photocatalytic degradation of papermaking wastewater | |
| CN103014829A (zh) | 制备富含{001}／{010}／{101}晶面锐钛矿TiO2单晶的方法 | |
| Cheng et al. | Facile synthesis of morphology-controlled Co3O4 nanostructures through solvothermal method with enhanced catalytic activity for H2O2 electroreduction | |
| CN106475111A (zh) | 一种Co3O4@MnO2核壳结构多孔纳米柱材料及其制备方法 | |
| CN107540014A (zh) | 一种异质种子中孔单晶金红石二氧化钛可控生长制备方法 | |
| CN104588040A (zh) | 一种光催化剂及其制备方法 | |
| Li et al. | The high surface energy of NiO {110} facets incorporated into TiO2 hollow microspheres by etching Ti plate for enhanced photocatalytic and photoelectrochemical activity | |
| CN108246241A (zh) | 一种由螺旋状g-C3N4/ZnO复合纳米棒组装的海胆型超结构材料 | |
| CN109295487A (zh) | 用于水体污染物去除的三维二氧化钛光电极的制备 | |
| Zhou et al. | Synthesis of ZnO/Ti 2 C composites by electrostatic self-assembly for the photocatalytic degradation of methylene blue | |
| Yang et al. | Facile fabrication of hierarchical micro-meso-macro porous metal oxide with high photochemical and electrochemical performances | |
| CN102828227B (zh) | 一种制备富含{010}/{101}晶面锐钛矿TiO2单晶的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |