CN102692751A - 一种广视角液晶显示器件及其制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开涉及液晶显示技术，尤其涉及一种广视角液晶显示器件及其制作工艺。该广视角液晶显示器件，包括上基板和下基板，所述上基板和所述下基板之间封装有液晶，其特征在于，所述上基板与液晶的接触面之间和/或所述下基板与液晶的接触面之间设置有一离子阻挡层。该广视角液晶显示器件制作工艺在其广视角TFT-LCD制作工艺中，在投入液晶盒单元之前，在下基板与液晶的接触面和/或上基板与液晶的接触面之间制作一离子阻挡层。本发明在基板与液晶之间增加离子阻挡层，可减少盒内离子渗透入液晶中，减少液晶中离子的数量，降低LCD出现残影的风险。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器件，尤其涉及一种广视角液晶显示器件及其制作工艺，可以有效地降低液晶显示器件出现残影的风险。
背景技术
目前，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，为平面超薄的显示设备，它由一定数量的彩色或黑白像素组成，放置于光源或者反射面前方，其主要原理是以电流刺激液晶分子产生点、线、面配合背部灯管构成画面。广视角液晶显示器(如薄膜晶体管显示器，Thin film transistor liquid crystal display，简称TFT-LCD)即从多角度都能清晰地看到显示图像，这种广视角液晶显示器产品市场需求广阔，已成为掌上电脑、智能手机等电子产品的主流配件。目前，客户对广视角液晶显示器产品的性价比要求越来越高，市场竞争也越来越激烈，因而性价比更有优势的产品必将受到市场的欢迎，而对于生产厂家来说，高良品率、高性能、低成本无疑会提高产品竞争力和核心竞争力。
在使用液晶显示器的时候，可能会发现画面切换之时，前一个画面不会立刻消失，而是慢慢不见的现象，称这种现象叫做液晶显示器“残影”现象。液晶显示器件的高低温(常温)残影现象，特别是高温残影现象，一直是困扰LCD制造行业的难点问题。因为，盒内离子渗透到液晶内，在长时间通电后，离子会在盒内形成一个附加的弱电场；所以，在切换到灰阶画面后，该弱电场会对液晶分子施加作用，从而导致目视时可见前一个固定点亮时的画面，即残影现象。残影的出现，导致视觉效果变差，较大地影响了产品的性能。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种广视角液晶显示器件及其制作工艺，可以降低残影发生的风险。
为解决以上技术问题，本发明提供的技术方案是，一种广视角液晶显示器件，包括上基板和下基板，所述上基板和所述下基板之间封装有液晶，所述上基板与液晶的接触面之间和/或所述下基板与液晶的接触面之间设置有一离子阻挡层。
较优地，所述离子阻挡层为OC材料离子阻挡层，所述OC材料离子阻挡层厚度为1.0um-3.0um。
较优地，所述离子阻挡层为PI材料离子阻挡层，所述PI材料离子阻挡层厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。
较优地，所述离子阻挡层为SiO2材料离子阻挡层，所述SiO2材料离子阻挡层厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。
在此基础上，本发明相应提供一种广视角液晶显示器件制作工艺，在其广视角TFT-LCD制作工艺中，在投入液晶盒单元之前，在下基板与液晶的接触面和/或上基板与液晶的接触面之间制作一离子阻挡层。
较优地，采用OC材料制作离子阻挡层，其厚度为1.0um-3.0um。
较优地，采用OC材料制作离子阻挡层的具体步骤为：通过旋涂或线涂OC，然后依次进行光刻胶的涂胶、显影、刻蚀和剥离，再在单个面板的对应位置形成OC图案。
较优地，采用PI材料制作离子阻挡层，其厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。
较优地，采用PI材料制作离子阻挡层的具体步骤为：通过移印方式涂布PI，然后进行预固化和主固化，再在单个面板的对应位置形成PI。
较优地，采用SiO2材料制作离子阻挡层，其厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。
较优地，采用SiO2材料制作离子阻挡层的具体步骤为：通过移印方式涂布SiO2，然后进行预固化和主固化，再在单个面板的对应位置形成SiO2图案
与现有技术相比，本发明在基板与液晶之间增加了一层离子阻挡层，可以减少盒内离子渗透入液晶中，从而减少液晶中离子的数量，由此大大降低LCD出现残影的风险，提高了产品的性能，具有较好的市场前景。
附图说明
图1是本发明广视角液晶显示器件较优实施例的结构示意图；
图2是本发明广视角液晶显示器件制作工艺较优实施例的流程图。
图1～图2中，有关附图标记如下：
1、偏光片；2、ITO层；3、玻璃基板；4、RGB层；5、O/C层；6、PI层；7、BM层；8、离子阻挡层；9、支撑物；10、液晶；11、环氧框；12、离子阻挡层；13、PI层；14、驱动IC；15；玻璃基板；16、偏光片。
具体实施方式
本发明较优实施例的基本构思是，在广视角液晶显示器(如TFT-LCD)的制作流程增加离子阻挡层，以减少盒内离子渗透入液晶中，从而减少液晶中离子的量，大大降低LCD出现残影的风险。
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
参见图1，表示本发明广视角液晶显示器件较优实施例的结构示意图。该广视角液晶显示器件从上至下看，主要包括偏光片1、ITO层2、玻璃基板3、RGB层4、O/C层5、PI层6、BM层7、离子阻挡层8、Photo spacer(支撑物)9、液晶10、环氧框11、离子阻挡层12、PI层13、驱动IC 14、玻璃基板15及偏光片16等部件，其中：部件1～8位于CF侧(彩色滤光片侧)，即上基板(CF板)一侧；部件12～16位于TFT侧(薄膜晶体管侧)，即下基板一侧(ARRAY板，阵列板)。
如图1所示，所述部件1～16中的主要部件功能为：PI层6、13主要起到液晶定向功能；环氧框11(或其它封装胶)密封功能；BM层(挡光层)7主要其防止漏光功能；CF/TFT偏光片1、16主要产生偏光功能；CF/TFT玻璃基板3、15作用为提供附着平台；RGB层4产生颜色；ITO层2防止静电；Photo spacer 9起到支撑盒厚作用；液晶10控制光线；O/C层5增加平坦性；离子阻挡层8、12可为OC、PI和SiO2，目的是阻挡离子进入液晶层5内。较优地，该OC材料离子阻挡层厚度为1.0um-3.0um；PI材料或SiO2离子阻挡层材料厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。
该实施例中，在上、下基板与液晶之间增加了一层离子阻挡层，由此可以减少盒内离子渗透入液晶中，从而减少液晶中离子的数量，由此大大降低LCD出现残影的风险，提高了产品的性能，具有较好的市场前景。
以上对本发明广视角液晶显示器件的结构进行了详尽的说明。在此基础上，本发明实施例相应提供一种广视角液晶显示器件制作工艺，可以有效降低LCD出现残影的风险，以下具体描述。
参见图2，表示本发明广视角液晶显示器件制作工艺较优实施例的流程图，该制作工艺主要沿用传统的广视角TFT-LCD的制作流程。在该广视角TFT-LCD的制作流程中：在投入CELL(液晶盒单元)前，在下基板(ARRAY板)和/或上基板(CF板)上先制作一层离子阻挡层(步骤S201)；然后，投入液晶盒单元，完成后续广视角TFT-LCD制作流程(步骤S202)。该离子阻挡层的材料包括但不限于OC、PI或SiO2，其结构及位置具体如图1所示。
该广视角液晶显示器件制作工艺中，离子阻挡层的具体制作过程应遵照以下要求：
(1)工艺步骤：OC主要是通过Spin(旋涂)或Slit(线涂)涂布OC，然后依次进行光刻胶的涂胶、显影、刻蚀和剥离，在单个PANEL(面板)的对应位置形成OC图案；PI和SiO2则是通过移印方式进行涂布，然后进行预固化和主固化，在单个PANEL的对应位置形成PI和SiO2图案。
(2)工艺参数：OC膜厚一般要求在1.0um-3.0um的范围内；PI和SiO2的膜厚一般要求在500A-1500A的范围内，位置要求覆盖整个AA区(基板与液晶的接触面)。
本实施例中，在基板与液晶之间增加了一层离子阻挡层，该离子阻挡层包括但不限于OC，PI和SiO2材料。该离子阻挡层可有效阻挡TFT-LCD盒内离子渗透到液晶中，从而能有效解决了TFT-LCD的高低温(常温)残影问题。
经已有实验验证，通过本发明广视角液晶显示器件制作工艺的应用，可将广视角TFT-LCD提高到70℃，8小时，点亮固定棋盘格画面，无残影现象的水平。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本发明的限制，本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种广视角液晶显示器件，包括上基板和下基板，所述上基板和所述下基板之间封装有液晶，其特征在于，所述上基板与液晶的接触面之间和/或所述下基板与液晶的接触面之间设置有一离子阻挡层。
2.如权利要求1所述的广视角液晶显示器件，其特征在于，所述离子阻挡层为OC材料离子阻挡层，所述OC材料离子阻挡层厚度为1.0um-3.0um。
3.如权利要求1所述的广视角液晶显示器件，其特征在于，所述离子阻挡层为PI材料离子阻挡层，所述PI材料离子阻挡层厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。
4.如权利要求1所述的广视角液晶显示器件，其特征在于，所述离子阻挡层为SiO2材料离子阻挡层，所述SiO2材料离子阻挡层厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。
5.一种广视角液晶显示器件制作工艺，其特征在于，在其广视角TFT-LCD制作工艺中，在投入液晶盒单元之前，在下基板与液晶的接触面和/或上基板与液晶的接触面之间制作离子阻挡层。
6.如权利要求5所述的广视角液晶显示器件制作工艺，其特征在于，采用OC材料制作离子阻挡层，其厚度为1.0um-3.0um。
7.如权利要求6所述的广视角液晶显示器件制作工艺，其特征在于，采用OC材料制作离子阻挡层的具体步骤为：通过旋涂或线涂OC，然后依次进行光刻胶的涂胶、显影、刻蚀和剥离，再在单个面板的对应位置形成OC图案。
8.如权利要求5所述的广视角液晶显示器件制作工艺，其特征在于，采用PI材料制作离子阻挡层，其厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。
9.如权利要求8所述的广视角液晶显示器件制作工艺，其特征在于，采用PI材料制作离子阻挡层的具体步骤为：通过移印方式涂布PI，然后进行预固化和主固化，再在单个面板的对应位置形成PI。
10.如权利要求5所述的广视角液晶显示器件制作工艺，其特征在于，采用SiO2材料制作离子阻挡层，其厚度为500A-1500A，并覆盖基板与液晶的接触面。
11.如权利要求8所述的广视角液晶显示器件制作工艺，其特征在于，采用SiO2材料制作离子阻挡层的具体步骤为：通过移印方式涂布SiO2，然后进行预固化和主固化，再在单个面板的对应位置形成SiO2图案。
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