CN102681333A - 多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法，可以快速计算任意平面波入射时的近场分布。步骤1、将掩模分区构造对应的二维平面，并离散化；步骤2、求解四个光栅区的托普勒兹Toeplitz矩阵；步骤3、求解矩阵对角矩阵K_x、K_y及入射区矩阵Y_I、Z_I；步骤4、求解每层光栅的特征矩阵；步骤5、利用增强透射矩阵法，求解第四层光栅中的常数矩阵；步骤6、求解第四层光栅中各个衍射级次的电磁场振幅；步骤7、求解掩模近场的复振幅分布及光强分布。

Description

多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法

技术领域

本发明涉及一种多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法，属于光刻分辨率增强技术领域。

背景技术

半导体产业的飞速发展，主要得益于微电子技术的微细加工技术的进步，而光刻技术是芯片制备中最关键的制造技术之一。由于光学光刻技术的不断创新，它一再突破人们预期的光学曝光极限，使之成为当前曝光的主流技术。

光刻系统主要分为：照明系统(光源)、掩模、投影系统及晶片四部分。光入射到掩模上发生衍射，衍射光进入投影系统后在晶圆上干涉成像，再经过显影和蚀刻处理后，就将图形转移到晶圆上。

为了更好地理解光刻中发生的一些现象，对实际操作进行理论指导。需要模拟仿真光在整个系统中的传播。目前光刻仿真已经成为发展、优化光刻工艺的重要工具。这里我们重点研究光在线条/空间(Line/Space，LS)结构掩模中的传播。

模拟仿真掩模衍射主要有两种方法：基尔霍夫方法(Kirchhoff approach)及严格的电磁场方法(Rigorous electromagnetic field)。Kirchhoff方法将掩模当成无限薄的，透过电场的幅值、相位直接由掩模布局(mask layout)决定。在二元掩模(binary masks，BIM)中，透光区域的光强为1，相位为0，不透光区域光强为0。在交替相移掩模(alternating phase shiftmasks，Alt.PSM)中，透光区域的刻蚀区透过强度为1，相位为π，透光区域的非刻蚀区透过强度为1，相位为0，不透光区域的透过强度都为0。Kirchhoff方法的主要特点是掩模不同区域的强度、相位变化很陡直。

当掩模特征尺寸远大于波长，且厚度远小于波长时候，光的偏振特性不明显，此时Kirchhoff近似是十分精确的。随着光刻技术发展到45nm时，掩模的特征尺寸接近光源波长(ArF)，且掩模厚度也达到波长量级，光波的偏振效应十分明显。再加上采用大数值孔径(Numerical Aperture，NA)的浸没式光刻，掩模导致的偏振效应十分显著，进而影响成像质量。这时必须采用严格的电磁场模型来模拟掩模的衍射。

严格的电磁场模型完全考虑了掩模的3D(Three Dimensional)效应及材料的影响。采用的数值方法主要包括：时域有限差分法(finite-difference time domain method，FDTD)、严格耦合波法(rigorous coupled wave analysis，RCWA)、波导法(the waveguide method，WG)及有限元法(finite element methods，FEM)。FDTD中，将麦克斯韦(Maxwell)方程在空间、时间上进行离散化，这些离散化的方程对时间进行积分就得到了掩模衍射场，解的精度取决于离散化时步长的大小。RCWA及WG是将掩模电磁场、介电常数进行Fourier级数展开得到特征值方程，再通过求解特征值方程得到问题的解，解的精度取决于Fourier展开时的阶数。FEM比较复杂，理解起来也很困难，并不十分流行。通过这些严格的电磁场模型，要么得到掩模近场的幅值、相位，要么直接得到远场衍射光的幅值、相位。

现有技术(J.Opt.Soc.Am.A，1995，12：1077-1086)公开了一种利用多层近似的方法模拟TM偏振入射任意面形介质光栅的衍射特性，其只给出了如何求解光栅的衍射效率，描述了光栅的远场特性，而有时候我们更关心掩模的近场分布特性。这里我们给出一种多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法。

发明内容

本发明提供一种多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法，该方法可以快速计算任意平面波(任意入射角、任意方位角及任意偏振角)入射时的近场分布。

实现本发明的技术方案如下：

多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法，包括以下步骤：

步骤1、将掩模分区构造对应的二维平面，并离散化：首先将掩模分解为六个区域，其中包含四个光栅层，每一层为交替排列的两种材料，然后构造对应的二维平面，最后将这四个二维平面进行离散化；第四层是电介质，且周期是前两层的二倍。

步骤2、求解四个光栅区的托普勒兹Toeplitz矩阵：首先对四个光栅区的介电常数、介电常数倒数进行Fourier级数展开，然后在进行求解四个光栅区的Toeplitz矩阵；

步骤3、求解分别由各衍射级次波矢量沿x轴分量、沿y轴分量组成的对角矩阵K_x、K_y，及各衍射级次波矢量沿z轴分量组成的对角矩阵Y_I、Z_I：首先根据布洛开(Floquet)条件，求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向、法向的分量，其中i为(-∞，+∞)之间的整数；然后求解矩阵K_x、K_y，最后求解矩阵Y_I、Z_I；

步骤4、求解每层光栅的特征矩阵；

步骤5、利用增强透射矩阵法，求解第四层光栅中的常数矩阵；

步骤6、求解第四层光栅中各个衍射级次的电磁场振幅；

步骤7、求解掩模近场的复振幅分布及光强分布。

步骤1中分析时采用Cr/MoSi Alt.PSM，前三层的材料为Cr或MoSi，属于有损材料。

步骤7中求解分布包括以下步骤：

步骤701：求解掩模近场电场沿着法向的分量S_4，z；

步骤702：求解掩模近场电场分量E_x的复振幅分布；

步骤703：求解掩模近场电场分量E_y的复振幅分布；

步骤704：求解掩模近场电场分量E_z的复振幅分布；

步骤705：利用掩模近场电场分量E_x、E_y、E_z的复振幅分布，得到掩模近场光强分布，即 $I=E_x{E}_x^{*}+E_y{E}_y^{*}+E_z{E}_z^{*}.$

本发明的有益效果：

本发明提供的一种多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法，可以快速计算任意平面波(任意入射角、任意方位角及任意偏振角)入射时的近场分布。只需获得最后一层光栅的常数矩阵，就能求解得到掩模的近场分布，而不需先求解得到掩模出射区的衍射场。对于含有L层光栅的掩模来说，求解掩模出射区的衍射场需L个连乘矩阵，而本发明只需(L-1)个连乘矩阵，减小了计算量。另外，利用增强透射矩阵法求解第L层光栅中的常数矩阵，也避免了数值不稳定等问题。

附图说明

图1为多吸收层一维光掩模(交替相移L/S掩模)及入射光示意图；

图2求解多吸收层一维光掩模(交替相移L/S掩模)近场分布的流程图；

图3各光栅层对应的二维平面，(a)前三层光栅对应的二维平面，(b)第四层光栅对应的二维平面；

图4TE偏振光正入射多吸收层交替相移L/S结构掩模时，出射面(x-y)上的光强分布；

图5TM偏振光正入射多吸收层交替相移L/S结构掩模时，出射面(x-y)上的光强分布；

图6非偏振光正入射多吸收层交替相移L/S结构掩模时，出射面(x-y)上的光强分布。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进行进一步详细说明。

多吸收层一维光掩模及入射光示意图如图1所示，光栅的上下表面分别是两种不同的材料，折射率分别为n_I、n_II。光栅平面的法线方向沿着z轴，光栅矢量(the grating vector)沿x轴，栅条沿着y轴，且x、y、z符合右手法则。此处的一维光掩模以交替相移L/S掩模为例，主要分为吸收层、相移层。前两层材料一般都为Cr，厚度分别为d₁(d₁＝z₁-z₀)，d₂(d₂＝z₂-z₁)，但折射率、消光系数等不同。第三层(z₂＜z＜z₃)一般为MoSi，厚度为d₃＝z₃-z₂。第四层为相移区，其刻蚀深度为d₄，以实现180°的相移。第一、二、三层为有损介质，其周期、占空比相同，分别为Λ₁、f₁。第四层为电介质，周期为前两层的二倍，即Λ₄＝2Λ_l。顶层(l′＝0)、底层(l′＝5)是分别是入射区、出射区，且沿着z轴的负向、正向是无限扩展的。

一个TE偏振(电场垂直于入射平面)，或TM偏振(磁场垂直于入射平面)的平面波以角度θ入射在掩模上，然后发生衍射。方位角(入射平面与x轴夹角)为φ，偏振角(入射电场矢量与入射平面的夹角)为ψ，ψ＝90°当对应于TE偏振光，ψ＝0°对应于TM偏振光。

求解多吸收层一维光掩模(交替相移L/S掩模)近场分布的流程如图2所示。

步骤1.将掩模分区构造对应的二维平面，并离散化。

步骤101：将掩模分解为六个区域，其中包含四个光栅层，每一层都应该是交替排列的两种材料，如图1所示。分析时采用Cr/MoSi Alt.PSM，前三层的材料为Cr或MoSi，属于有损材料。第四层是电介质，且周期是前两层的二倍。

步骤102：构造对应的二维平面，其中前三层光栅的二维分布如图3(a)所示，第四层光栅的二维分布如图3(b)所示。图3(a)、(b)中所计算区域的大小相同，具体坐标为：x∈[-x₄，x₄]，y∈[-P_y，P_y]。在x轴方向上，图3(b)中所示基底刻蚀区的周期是图3(a)中所示吸收层周期的二倍。

步骤103：将这四个二维平面进行离散化。x轴上-x₄到x₄之间，以1为间隔进行取样，并给每个点赋予具体坐标值。y轴上-P_y到P_y之间，以1为间隔进行取样，并给每个点赋予具体坐标值。这样就将四个二维平面进行离散化，且都对应具体的坐标。

步骤2.求解四个光栅区的Toeplitz矩阵。

步骤201：对四个光栅区的介电常数、介电常数倒数进行Fourier级数展开。

介电常数的Fourier展开式为： ${\mathrm{\ϵ}}_l\left(x\right)=\underset{h=-\∞}{\overset{\∞}{\mathrm{\Σ}}}{\mathrm{\ϵ}}_{l,h}\exp (j2\mathrm{\πhx}/\mathrm{\Λ})(l=\mathrm{1,2,3,4})---\left(1\right)$

其中ε_l，h是第l层光栅相对介电常数第h个Fourier分量。

介电常数倒数的Fourier展开式为： $1/{\mathrm{\ϵ}}_l\left(x\right)=\underset{h=-\∞}{\overset{\∞}{\mathrm{\Σ}}}{\stackrel{\‾}{\mathrm{\ϵ}}}_{l,h}\exp (j2\mathrm{\πhx}/\mathrm{\Λ})(l=\mathrm{1,2,3,4})---\left(2\right)$

由于四层光栅的周期不同，级数展开时应选取四层光栅周期的最小公倍数，即Λ＝Λ₄。

步骤202：求解四个光栅区的Toeplitz矩阵：每层光栅的介电常数、介电常数倒数的谐波分量(harmonic components)组成的Toeplitz矩阵分别为E_l、A_l(l＝1，2，3，4)，且都是(n×n)的矩阵，n为电磁场展开时保留的谐波数。E_l的元素(i，p)等于ε_l，i-p，A_l的元素(i，p)等于

步骤3.求解矩阵K_x、K_y及Y_I、Z_I

步骤301：根据布洛开(Floquet)条件，求解第i(i为(-∞，+∞)之间的整数)个衍射级次的波矢量沿着切向、法向的分量。

波矢量沿着切向，即x、y轴的分量为 $\left\{\begin{array}{c}{k}_{\mathrm{xi}}=k_o[n_I\sin \mathrm{\θ}\cos \mathrm{\φ}-i({\mathrm{\λ}}_0/\mathrm{\Λ})]\\ k_y=k_o{n}_I\sin \mathrm{\θ}\sin \mathrm{\φ}\end{array}\right.---\left(3\right)$

其中k_o，λ₀是入射光波在真空中的波矢量、波长，n₁是入射区的折射率，θ是入射角。波矢量沿着法向的分量为：

其中I、II分别表示入射区、透射区(掩模基底区)。注意这里的周期该是四层光栅周期的最小公倍数。

步骤302：求解矩阵K_x、K_y。K_x，K_y都是对角矩阵，矩阵维度为(n×n)，对角元素(i，i)分别为k_xi/k_o、k_y/k_o。

步骤303：求解矩阵Y_I、Z_I、Y_I、Z_I为对角矩阵，对角元素分别为(k_I，zi/k_o)，

步骤4.求解每层光栅的特征矩阵

$\left\{\begin{array}{c}{F}_l=[K_y^2+K_x^2-E_l]\\ G_l=[K_x{E}_l^{-1}{K}_x{A}_l^{-1}+K_y^2-A_l^{-1}]\end{array}\right.(l=\mathrm{1,2,3,4})---\left(5\right)$

特征矩阵F_l的特征矢量矩阵、特征值的正平方根分别为W_l，1、q_l，1m。特征矩阵G_l的特征矢量矩阵、特征值的正平方根分别为W_l，2、q_l，2m。

步骤5.利用增强透射矩阵法，求解第四层光栅中的常数矩阵

利用增强透射矩阵法，入射区与第四层光栅电磁场之间的表达式为：

$\left[\begin{array}{c}\sin \mathrm{\ψ}{\mathrm{\δ}}_{i0}\\ j\sin \mathrm{\ψ}{n}_I\cos \mathrm{\θ}{\mathrm{\δ}}_{i0}\\ -j\cos \mathrm{\ψ}{n}_I{\mathrm{\δ}}_{i0}\\ \cos \mathrm{\ψ}\cos \mathrm{\θ}{\mathrm{\δ}}_{i0}\end{array}\right]+\left[\begin{array}{cc}I& 0\\ -j{Y}_I& 0\\ 0& I\\ 0& -j{Z}_I\end{array}\right]R=\left[\begin{array}{c}{f}_I\\ g_I\end{array}\right]{[M}_I]---\left(6\right)$

其中

$\left[\begin{array}{c}{f}_l\\ g_l\end{array}\right]M_l=\left[\begin{array}{cccc}{V}_{l,\mathrm{ss}}& V_{l,\mathrm{sp}}& V_{l,\mathrm{ss}}{X}_{l,1}& V_{l,\mathrm{sp}}{X}_{l,2}\\ W_{l,\mathrm{ss}}& W_{l,\mathrm{sp}}& -W_{l,\mathrm{ss}}{X}_{l,1}& -W_{l,\mathrm{sp}}{X}_{l.2}\\ W_{l.\mathrm{ps}}& W_{l.\mathrm{pp}}& -W_{l,\mathrm{ps}}{X}_{l.1}& -W_{l.\mathrm{pp}}{X}_{l.2}\\ V_{l.\mathrm{ps}}& V_{l.\mathrm{pp}}& V_{l.\mathrm{ps}}{X}_{l.1}& V_{l.\mathrm{pp}}{X}_{l.2}\end{array}\right]\left[\begin{array}{c}I\\ b_l{a}_l^{-1}{X}_l\end{array}\right]M_l---\left(7\right)$

$X_l=\left[\begin{array}{cc}{X}_{l,1}& 0\\ 0& X_{l,2}\end{array}\right]---\left(8\right)$

$\left[\begin{array}{c}{a}_l\\ b_l\end{array}\right]={\left[\begin{array}{cccc}{V}_{l,\mathrm{ss}}& V_{l,\mathrm{sp}}& V_{l,\mathrm{ss}}& V_{l,\mathrm{sp}}\\ W_{l,\mathrm{ss}}& W_{l,\mathrm{sp}}& -W_{l,\mathrm{ss}}& -W_{l,\mathrm{sp}}\\ W_{l,\mathrm{ps}}& W_{l,\mathrm{pp}}& -W_{l,\mathrm{ps}}& -W_{l,\mathrm{pp}}\\ V_{l,\mathrm{ps}}& V_{l,\mathrm{pp}}& V_{l,\mathrm{ps}}& V_{l,\mathrm{pp}}\end{array}\right]}^{-1}\left[\begin{array}{c}{f}_{l+1}\\ g_{l+1}\end{array}\right]---\left(9\right)$

$\left[\begin{array}{c}{f}_4\\ g_4\end{array}\right]=\left[\begin{array}{cccc}{V}_{4,\mathrm{ss}}& V_{4,\mathrm{sp}}& V_{4,\mathrm{ss}}{X}_{\mathrm{4,1}}& V_{4,\mathrm{sp}}{X}_{\mathrm{4,2}}\\ W_{4,\mathrm{ss}}& W_{4,\mathrm{sp}}& -W_{4,\mathrm{ss}}{X}_{\mathrm{4,1}}& -W_{4,\mathrm{sp}}{X}_{\mathrm{4,2}}\\ W_{4,\mathrm{ps}}& W_{4,\mathrm{pp}}& -W_{4,\mathrm{ps}}{X}_{\mathrm{4,1}}& -W_{4,\mathrm{pp}}{X}_{\mathrm{4,2}}\\ V_{4,\mathrm{ps}}& V_{4,\mathrm{pp}}& V_{4,\mathrm{ps}}{X}_{\mathrm{4,1}}& V_{4,\mathrm{pp}}{X}_{\mathrm{4,2}}\end{array}\right]---\left(\text{10}\right)$

$M=a_3^{-1}{X}_3{a}_2^{-1}{X}_2{a}_1^{-1}{X}_1{M}_1---\left(11\right)$

其中

$\left\{\begin{array}{c}{V}_{l,\mathrm{ss}}=F_c{V}_{l,11}\\ W_{l.\mathrm{ss}}=F_c{W}_{l,1}+F_s{V}_{l.21}\\ V_{l,\mathrm{sp}}=F_c{V}_{l.12}-F_s{W}_{l.2}\\ W_{l.\mathrm{sp}}=F_s{V}_{l.22}\end{array}\right.$ $\left\{\begin{array}{c}{W}_{l,\mathrm{pp}}=F_c{V}_{l,22}\\ V_{l.\mathrm{pp}}=F_c{W}_{l,2}+F_s{V}_{l.12}\\ W_{l,\mathrm{ps}}=F_c{V}_{l.21}-F_s{W}_{l.1}\\ V_{l.ps}=F_s{V}_{l.11}\end{array}\right.$ $\left\{\begin{array}{c}{V}_{l.11}=A_l^{-1}{W}_{l,1}{Q}_{l,1}\\ V_{l,12}=(k_y/k_0)A_l^{-1}{K}_x{W}_{l,2}\\ V_{l,21}=(k_y/k_0)B_l^{-1}{K}_x{E}_l^{-1}{W}_{l,1}\\ V_{l,22}=B_l^{-1}{W}_{l,2}{Q}_{l,2}\end{array}\right.---\left(12\right)$

且

Q_l，1、Q_l，2都是第l层光栅的对角矩阵，其对角元素分别为q_l，1m、q_l，2m。X_l，1、X_l，2也是第l层光栅的对角矩阵，其对角元素分别为exp(-k₀q_l，1md_l)、exp(-k₀q_l，2md_l)。F_s、F_c同样也是对角矩阵，对角元素为

R为中间变量，

为第四层光栅中的常数矩阵。当i＝0，δ_i0＝1；i≠0，δ_i0＝0。

步骤6.求解第四层光栅中各个衍射级次的电磁场振幅，第四层光栅中电场沿着x、y轴的分量为S_4，x、S_4，y，磁场沿着x、y轴的分量为U_4，x、U_4，y：

$\left[\begin{array}{c}{S}_{4,x}\\ S_{4,y}\\ U_{4,x}\\ U_{4,y}\end{array}\right]=\left[\begin{array}{cccc}0& 0& W_{\mathrm{4,2}}{X}_{\mathrm{4,2}}& W_{\mathrm{4,2}}\\ V_{\mathrm{4,11}}{X}_{\mathrm{4,1}}& V_{\mathrm{4,11}}& V_{\mathrm{4,12}}{X}_{\mathrm{4,2}}& V_{\mathrm{4,12}}\\ -W_{\mathrm{4,1}}{X}_{\mathrm{4,1}}& W_{\mathrm{4,1}}& 0& 0\\ -V_{\mathrm{4,21}}{X}_{\mathrm{4,1}}& V_{\mathrm{4,21}}& -V_{\mathrm{4,22}}{X}_{\mathrm{4,2}}& V_{\mathrm{4,22}}\end{array}\right]\·M---\left(13\right)$

步骤7.求解掩模近场的复振幅分布及光强分布

步骤701：求解掩模近场电场沿着法向的分量S_4，z

$S_{4,z}=\frac{1}{j}(K_y{U}_{4x}-K_x{U}_{4y})---\left(14\right)$

步骤702：求解掩模近场电场分量E_x的复振幅分布。图3(b)中任一点(x，y)电场分量E_x的复振幅分布为：E_x＝S_4，xexp[-jk_o(K_xx+K_yy)]。然后再由此求解图3(b)中其他坐标点的复振幅分布，即得到掩模近场E_x的复振幅分布。

步骤703：求解掩模近场电场分量E_y的复振幅分布。图3(b)中任一点(x，y)电场分量E_y的复振幅分布为：E_y＝S_4，yexp[-jk_o(K_xx+K_yy)]。然后再由此求解图3(b)中其他坐标点的复振幅分布，即得到掩模近场E_y的复振幅分布。

步骤704：求解掩模近场电场分量E_z的复振幅分布。图3(b)中任一点(x，y)电场分量E_z的复振幅分布为：E_z＝S_4，zexp[-jk_o(K_xx+K_yy)]。然后再由此求解图3(b)中其他坐标点的复振幅分布，即得到掩模近场E_z的复振幅分布。

步骤705：利用掩模近场电场分量E_x、E_y、E_z的复振幅分布，得到掩模近场光强分布，即 $I=E_x{E}_x^{*}+E_y{E}_y^{*}+E_z{E}_z^{*}$

本发明计算了多吸收层Cr/MoSi Alt.PSM线条/空间(Line/Space)的结构中，TE、TM偏振光，及非偏振光正入射多吸收层交替相移L/S结构掩模时，出射面(x-y)上的光强分布。其中顶层Cr折射率、消光系数及厚度分别为1.871、1.13及20nm。底层Cr折射率、消光系数及厚度分别为1.477、1.762及40nm。MoSi折射率、消光系数及厚度分别为2.343、0.586及68nm，掩模线宽为180nm，掩模周期为360nm。这里分析的是1∶1的密集线条，占空比为0.5。图4TE偏振光正入射多吸收层交替相移L/S结构掩模时，出射面(x-y)上的光强分布，图5TM偏振光正入射多吸收层交替相移L/S结构掩模时，出射面(x-y)上的光强分布，图6非偏振光正入射多吸收层交替相移L/S结构掩模时，出射面(x-y)上的光强分布。

虽然结合附图描述了本发明的具体实施方式，但是对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明的前提下，还可以做若干变形、替换和改进，这些也视为属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、将掩模分区构造对应的二维平面，并离散化：首先将掩模分解为六个区域，其中包含四个光栅层，每一层为交替排列的两种材料，然后构造对应的二维平面，最后将这四个二维平面进行离散化；第四层是电介质，且周期是前两层的二倍；

步骤2、求解四个光栅区的托普勒兹Toeplitz矩阵：首先对四个光栅区的介电常数、介电常数倒数进行Fourier级数展开，然后在进行求解四个光栅区的Toeplitz矩阵；

步骤3、求解分别由各衍射级次波矢量沿x轴分量、沿y轴分量组成的对角矩阵K_x、K_y，及各衍射级次波矢量沿z轴分量组成的对角矩阵Y_I、Z_I：首先根据布洛开(Floquet)条件，求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向、法向的分量，其中i为(-∞，+∞)之间的整数；然后求解矩阵K_x、K_y，最后求解矩阵Y_I、Z_I；

步骤4、求解每层光栅的特征矩阵；

步骤5、利用增强透射矩阵法，求解第四层光栅中的常数矩阵；

步骤6、求解第四层光栅中各个衍射级次的电磁场振幅；

步骤7、求解掩模近场的复振幅分布及光强分布。

2.如权利要求1所述的多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法，其特征在于，步骤1中分析时采用Cr/MoSi Alt.PSM，前三层的材料为Cr或MoSi，属于有损材料。

3.如权利要求1或2所述的多吸收层一维光掩模近场分布的计算方法，其特征在于，步骤7中求解分布包括以下步骤：

步骤701：求解掩模近场电场沿着法向的分量S_4，z；

步骤702：求解掩模近场电场分量E_x的复振幅分布；

步骤703：求解掩模近场电场分量E_y的复振幅分布；

步骤704：求解掩模近场电场分量E_z的复振幅分布；

步骤705：利用掩模近场电场分量E_x、E_y、E_z的复振幅分布，得到掩模近场光强分布，即 $I=E_x{E}_x^{*}+E_y{E}_y^{*}+E_z{E}_z^{*}.$

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