CN102681167A - 光学设备、扫描方法、光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光学设备、扫描方法、光刻设备和器件制造方法。所述设备(AS)测量光刻衬底(W)上的标记(202)的位置。测量光学系统包括用于用辐射斑(206)照射标记的照射子系统(504)和用于检测由标记衍射的辐射的检测子系统(580)。倾斜反射镜(562)与标记自身的扫描运动同步地相对于测量光学系统的参考框架(RF)移动辐射斑，以允许获取用于精确的位置测量的更多的时间。反射镜倾斜轴线(568)被沿着反射镜平面与物镜(524)的光瞳面(P)的相交线布置，以最小化扫描的假象。相同的几何布置可以用于其他类型的设备的扫描，例如共焦显微镜(150)。

Description

光学设备、扫描方法、光刻设备和器件制造方法
技术领域
本发明涉及一种光学设备、一种用辐射束扫描物体的方法、一种光刻设备以及一种器件制造方法。本发明可以应用于测量方法中，包括但不限于在光刻设备中使用的测量方法。
背景技术
以光学方式扫描物体的能力可用于许多应用。通过“以光学方式扫描”的申请人要表达的意思是照射和/或检测物体上的点处的辐射或来自所述点的辐射，同时沿着横跨物体的一个或更多的方向扫描所述点。用于光学扫描的示例性应用在于光刻设备的新型对准传感器，在申请人的相关申请US 61444373(den Boef等)中进行了描述。另一示例性应用是共焦显微镜。
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。
为了控制光刻过程以将器件特征精确地放置在衬底上，对准标记通常设置在衬底上，光刻设备包括一个或更多的对准传感器，必须精确地通过所述对准传感器测量衬底上的标记的位置。这些测量所花费的时间与最大化光刻设备的生产量的需要相冲突，否则器件的制造将不是成本有效的。各种类型的对准传感器和标记是已知的，包括例如在专利US 6297876(Bornebroek)，US 6961116(den Boef)和公开专利申请US2009195768A(Bijnen等)中所公开的。在这些例子的每一个中，位置测量通过相对彼此移动衬底和对准传感器而被捕获，且衬底和传感器不必被停止。标记相对于对准传感器的(已知的)位置的位置被通过用光斑扫描标记以光学方式进行测量。(不管是衬底静止而传感器移动，或仅衬底移动，或两者都移动，都可以实现。)对准传感器应当尽可能快地扫描标记，用于优化生产量，但是对速度的这种要求限制了可以获得的位置测量的精度。内在地，更难以在短时间内精确地获取位置。此外，即使测量自身是完全精确的，在短时间内获取的测量也将经受在衬底和对准传感器的定位中的动态定位误差(振动、伺服误差等)造成的扰动的影响。
为了增加获取时间，应当认识到，除传感器自身的扫描之外的对斑的光学扫描将可以有用的。然而，传统的光学扫描机构将增加成本，使传感器变得笨重，和/或导致测量中的错误，使得光学扫描的目的丧失。
发明内容
在第一方面中，本发明的目的是提供一种光学扫描机构，其避免或减少已知机构的一个或更多的缺陷。
在第一方面中，本发明提供了一种光学设备，包括用于在所述设备的光学系统和物体之间传递辐射光线的物镜，所述光学设备还包括至少一个可移动元件，所述可移动元件包括布置在所述光学系统和所述物镜之间的反射镜，用于倾斜和因此改变在所述光线穿过所述物镜时所述光线的方向，其中所述反射镜被限制以关于轴线倾斜，所述轴线定位成大致沿着在所述物镜的光瞳面和所述反射镜的平面之间的相交线。在这一情形中对“反射镜”的参考通常包括反射元件，不论是平面的或弯曲的反射元件。
本发明不限于任何特定类型或目的的光学设备。在下文描述的实施例中，其可以例如是上文所述类型的对准传感器，或其可以是共焦显微镜。
本发明还提供了一种光刻设备，所述光刻设备布置成将图案从图案形成装置转移到衬底上，所述光刻设备包括：衬底台，所述衬底台构造成保持衬底；和对准传感器，所述对准传感器用于测量所述衬底上的标记相对于所述光刻设备中的参考框架的位置，其中所述对准传感器包括根据上文所述的本发明的光学设备，其中所述光刻设备布置成参照利用所述测量设备所测量的所述衬底上的标记的位置来控制图案到所述衬底上的转移。
本发明还提供了一种借助于物镜采用辐射光线扫描物体的方法，所述方法包括以下步骤：将反射镜布置在所述物镜的之前的所述光线的路径中和倾斜所述反射镜以便在所述光线穿过所述物镜时改变所述光线的方向，由此使得所述光线根据所述反射镜的倾斜角射到所述物体的不同部分上，其中所述反射镜被限制成关于轴线倾斜，所述轴线定位成大致沿着在所述物镜的光瞳面和所述反射镜的平面之间的相交线。
本发明还提供了一种制造器件的方法，其中光刻过程被用于将图案从图案形成装置转移到衬底上，其中所述图案到衬底上的转移参照通过包括利用上文阐述的扫描方法来扫描标记的方法所测量的衬底上的标记的位置而进行控制。
附图说明
现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：
图1显示根据本发明的一实施例的包括用于形成测量设备的对准传感器的示例性光刻设备；
图2包括图2(a)和2(b)，显示可以设置在图1中的设备上的衬底上的各种形式的对准标记；
图3是用于扫描对准标记的已知的对准传感器的示意性方块图；
图4包括图4(a)和4(b)；显示在本发明的一实施例中的用于扫描对准标记的新型对准传感器的操作；
图5是显示在图1的光刻设备中的新型对准传感器的光学系统的更加详细的示例性示意图；
图6示出在图5的对准传感器的扫描子系统中的移动反射镜的特定几何布置；
图7是在图5至6中的对准传感器的扫描子系统中的反射镜倾斜角对照时间的图表；
图8是与图5的设备中的移动反射镜相关的倾斜传感器的示意图；
图9是在本发明的可替代的实施例中的形成测量设备的新型共焦显微镜的示意图；和
图10显示(a)用在本发明的一实施例中的移动光学元件的总体化的几何布置和(b)针对不同的倾斜角的光路的性质。
具体实施方式
本发明涉及其原理可以应用以在一系列设备内提供光学扫描功能的机制。在下文的实施例中显示的例子包括例如在光刻设备中的对准传感器和共焦显微镜。可以应用简单的原理以获得在一些其它应用中的非移动照射的优点，依据该简单的原理布置反射镜以关于沿着在反射镜表面的平面和光学系统的光瞳面之间的相交线的轴线倾斜，不限于这些例子。
应用示例：光刻设备
图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括：
-照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
-衬底台(例如晶片台)WTa或WTb，构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和
-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构MT支撑图案形成装置，即承载图案形成装置的重量。支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。参考图10在下文描述一个例子。此处公开的本发明可以以单独的方式使用，但是尤其是它可以在单或多平台设备的曝光前测量阶段中提供额外的功能。
光刻设备还可以是至少一部分衬底可以被相对高折射率的液体(例如水)覆盖、以便填充投影系统和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加至光刻设备中的其它空间，例如在掩模和投影系统之间。在本领域中公知，浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。如在此处所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底等结构必须浸没在液体中，而是意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WTa/WTb，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WTa/WTb的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WTa/WTb保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WTa/WTb沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WTa/WTb同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WTa/WTb相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WTa/WTb进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WTa/WTb的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
光刻设备LA是所谓的双平台类型，其具有两个衬底台WTa和WTb和两个站，即曝光站和测量站，衬底台可以在它们之间更换。在一个衬底台上的一个衬底被在曝光站曝光时，可以将另一衬底装载到测量站中的另一衬底台上，使得可以进行各种预备步骤。预备步骤可以包括使用水平传感器LS映射衬底的表面和使用对准传感器AS测量衬底上的对准标识的位置。这使得相当大地增加设备的生产量。如果位置传感器IF不能在其处于测量站以及处于曝光站的同时测量衬底台的位置，那么可以设置第二位置传感器以使得衬底台的位置可以在两个站被追踪。
所述设备还包括光刻设备控制单元LACU，其控制上述的各个致动器和传感器的所有移动和测量。LACU还包括信号处理和数据处理能力以实施与设备的操作相关的期望的计算。实际上，控制单元LACU将被认为是许多子单元的系统，每个子单元用于处置对设备内的子系统或部件的实时的数据获取、处理和控制。例如，一个处理子系统可以被指定用于衬底定位装置PW的伺服控制。独立的单元甚至可以处理粗致动器和精致动器或不同的轴线。另一单元可以被指定用于对位置传感器IF进行读取。可以通过中央处理单元控制对设备的总控制，该中央处理单元与这些子系统处理单元通信、与操作者通信和与光刻制造过程中涉及的其它设备通信。
图2显示分别用于X位置和Y位置的测量在衬底W上设置的对准标记202、204的例子。在这一例子中的每一标记包括产品层或其它层中形成的一系列条状物，该条状物被施加或蚀刻到衬底中。X方向标记202上的条状物平行于Y轴线，而Y方向标记204的条状物平行于X轴线。对准传感器AS(图1中显示的)用辐射斑206、208光学扫描每一标记，以测量衬底W相对于设备的位置。扫描运动由宽箭头示意性地表示，斑206或208的渐进的位置由点轮廓表示。在对准图案中的条状物的节距典型地远小于待形成在衬底上的产品特征的节距，对准传感器AS使用远大于用于施加图案到衬底上的曝光辐射的辐射波长(或通常是多个波长)。然而，因为大量的条状物允许精确地测量重复图案的相位，所以可以获得精确的位置信息。
可以设置粗标记和精标记，使得对准传感器可以计算哪一图案周期处于给定的位置上以及所述周期内的精确位置(相位)。不同节距的标记也可以用于这一目的。这些技术对本领域技术人员也是公知的，且将不在此处进行详细描述。这样的传感器设计和操作在本领域中是公知的，每一光刻设备具有其自己的传感器设计。为了本发明描述的目的，假定对准传感器AS包括在US 6961116(den Boef)中描述的所述形式的对准系统。图2(b)显示用于类似的对准系统的修改后的标记，其的X和Y位置可以通过单次扫描获得。标记210具有与X和Y轴成45角度布置的条状物。这一组合的X和Y测量可以通过使用在公开专利申请US 2009195768A(US’768，Bijnen等)中描述的技术来进行，通过引用将其全部内容并入本文中。可以注意到，US’768公开了一些实施例，其中X-Y对准标记具有不同节距的多个部分，有些类似于在本申请中新提出的标记。然而，在图2(b)中显示的较简单的标记是在商业实施例中通常使用的形式，可以在US’768的实施例中的不同节距之间观察到的任何波纹效应被固定且没有提供对过程性能的测量。
图3是对准传感器AS的示意方块图。照射源220提供一个或更多个波长的辐射束222，其通过物镜224转向到位于衬底W上的诸如标记202等标记上。如在图2中示意性地显示的，在上述的基于US6961116的本发明的对准传感器的例子中，照射标记202的照射斑206的直径可以略小于标记自身的宽度。
由标记202散射的辐射被物镜224接收，且被准直成携带信息的束226。自参考干涉仪228处理束226且输出分离的束到传感器阵列230上。来自传感器栅格230中的各个传感器的强度信号232被提供至处理单元PU。通过方块228中的光学处理与单元PU中的计算处理的组合，在衬底上的相对于传感器的X和Y位置值被输出。处理单元PU可以与图1中显示的控制单元LACU是独立的，或它们可以共享相同的处理硬件，按照设计选择和便利而定。在单元PU独立的情况下，信号处理的一部分可以在单元PU中进行，另一部分在单元LACU中进行。
如已经提及的，所显示的特定测量仅将标记的位置固定在对应于标记的一个节距的特定范围内。较粗的测量技术与此结合使用以识别正弦波的哪一周期包含标记的位置。以粗和/或精水平的相同的过程可以在不同的波长处进行重复，用于增加精度和用于标记的稳固检测，而不管标记由何材料制造和其位于哪种材料上。波长可以被以光学方式进行多路复用和解复用，以便同时进行处理，和/或它们可以被时分复用。在本发明公开内容中的例子将表示仅在一个波长处的一种测量，本领域技术人员可以轻易地认识到扩展所述教导以提供部分的和稳固的测量设备(对准传感器)所需要的修改。
更详细地参考测量过程，图3中的标记为vW的箭头显示扫描速度，斑206以该扫描速度横穿标记202的长度L。在这一例子中，对准传感器AS和斑206实际上保持静止，而衬底W以速度vW移动。对准传感器可以因此被刚性地和精确地安装至参考框架RF上(图1)，同时有效地沿着与衬底W的移动方向相反的方向扫描标记202。衬底在这一移动中通过将其安装在衬底台WT和衬底定位系统PW上而被控制。如在引述部分讨论的，昂贵的光刻设备所需要的高生产率的要求需要尽可能快速地在衬底上的诸多位置处进行对准标记的测量，其暗示扫描速度vW是快速的，获取每一标记位置可利用的时间TACQ相应地是短的。在最简单的情形下，应用公式TACQ＝L/vW。
不利地，获取时间的缩短可能导致测量位置x和y的不准确。这不仅是因为测量过程自身的困难，而且还是因为获取时间变得太短而不能消除衬底台WT和支撑在其上的衬底W的移动中的动态定位误差。可以被最简单地考虑成振动的这些动态定位误差在本领域中被称作为MSD误差(MSD表示移动标准偏差)。为了消除这些MSD误差，可以重复测量和使用平均结果，但是这使得增加生产量的目的无法达成，这是因为它增加了总的测量时间。总之，竞争因素限制了在已知类型的扫描对准传感器中可以实现的精度。在此处公开的新型的布置中，使斑206进行相对于对准传感器和参考框架的扫描移动，使得在不放慢整个操作的情况下延长获取时间。现在将更详细地描述这一技术。
在图4中，我们看到标记202上的修改后的对准传感器AS的扫描操作的开始(a)和所述扫描操作的结束(b)，其为了简便而使用之前描述的相同的标记。标记的长度也是L，衬底W也在对准系统下面以速度vW移动。然而，在这一修改的操作中，在扫描操作期间在任何给定瞬间由对准传感器读取的照射斑406或更通常地是标记202上的点，被控制以速度vSPOT相对于参考框架RF移动。该斑速度vSPOT略小于衬底速度vW。斑406的该光学扫描移动的效应是有效扫描速度vEFF远小于衬底速度自身，该有效扫描速度是衬底速度vW和斑速度vSPOT之间的差。因此，获取时间TACQ＝L/vEFF大于整个扫描速度所表明的获取时间。这允许在不增加总的测量时间的情况下增加标记202上的位置测量的精度，尤其是消除MSD误差。
当然，对延长获取时间的效应的程度的限制是可利用的或期望的。这些主要依赖于对准传感器光学系统的光学性质，其通常具有足够宽的视场(FOV)以覆盖整个扫描移动，且其必须在横跨所有斑位置上具有特定的均匀、稳定和/或可预测的响应。现在参考图5，描述一种实际的布置。
图5显示修改后的用于实施扫描斑的对准传感器的光学系统500，其的工作原理已经在上文参考图4进行显示和描述。光学系统500是在上述的先前公开US 6961116中描述的系统的修改形式。尤其是与本申请相关的第一修改是上述的扫描照射斑。第二修改是使用特定分段的照射模式，其除了别的以外允许减小对准标记的节距以具有更大的精度，其允许用对准传感器而不是独立的散射仪设备来进行散射测量类型的测量。可以基于另外上述的公开US 2009/195768的公开内容进行另外的修改，使得可以进行X和Y位置的同时测量。为了本发明描述的目的，应当假定仅沿着一个方面进行位置的测量。
为了便于与图3的示意图进行比较，光学系统500的一些部分被用于图3中使用的参考标记相类似的参考标记标识，但是前缀是“5”而不是“2”。因此，我们见到光源520、照射束522、物镜524、携带信息的束526、干涉仪528和检测器530a和530b。来自这些检测器的信号532a和532b被处理单元PU处理，其被适当地修改以实施下文描述的新特征。具有多个分支的光轴O由贯穿光学系统500延伸的虚线表示。以更详细的示意图显示的额外的部件如下。在照射子系统540中，来自源520的辐射经由光纤542传递至其进入包括透镜544和546的光学系统的点。当然，在通过单个元件示意性地显示的每一透镜的情形中，实际的实施例可能实际上包括元件的组，或还可以使用反射光学元件。在透镜544和546之间，束是平行的且穿过平面P’，所述平面P’是物镜524的光瞳面P的后投影。固定的或可配置的照射孔548设置在这一平面中，以允许特定的照射模式，诸如图5中显示的对称的分段式照射图案。标识为a和b的在直径上对置的两个象限在孔图案中是亮的(透明的)，而另外两个象限是暗的(不透明的)。这一类型的孔在专利申请US 2010/201963的散射测量设备中是已知的。这一修改后的照射孔的优点将在下文进一步描述。在被固定的反射镜550衍射和被透镜552准直之后，照射束522被从照射子系统540传递至分束器554，其将照射束522与携带信息的束526分离开，正如在已知的仪器中一样。
然而，与已知对准传感器不同，照射束522和携带信息的束526不是以固定的方式直接穿过对应衬底W的物镜524行进至衬底W和从衬底W离开。相反，在这一修改后的设备中，扫描子系统560介于物镜524和光学系统500的其余部分之间，用于使照射斑506实施除对衬底W自身的扫描运动之外的扫描运动。这一扫描运动是具有速度vSPOT的扫描运动，被显示用于在图4的示意图中的斑406。在这一实施例中扫描子系统560基于移动的具体是倾斜的反射镜562，其将束522和526偏转过小的可变化的角度。反射镜562安装在臂564上，臂564在铰链点568处连接至支撑件566，以便枢转至一角度范围之中的期望角度。可以例如是没有与反射镜562或其支撑件机械接触的磁性致动器的致动器570导致反射镜562移动至期望的角度，以便将斑506移动至扫描移动的期望位置。在本发明的实施例中，臂564和铰链点568与反射镜562一起实施为质量弹簧振动系统，如下文进一步说明的具有固有的共振频率。在这样的实施例中，致动器570可以仅提供在适合的频率处的非常小的能量输入，以导致在相对明确定义的频率处的反射镜的平滑摆动。倾斜传感器572被设置以通过光学测量精确地监控倾斜角。致动器570是在控制器(其可以是单元PU的一部分)的控制之下，其还接收来自倾斜传感器572的信号且与对准传感器的测量操作同步，该测量操作通常包括通过定位子系统PW的衬底台WT的扫描移动。
参考图6-8，在下文进一步描述扫描子系统560的另外的细节。现在参考对携带信息的束526的处理，这以与US 6961116中的已知的对准传感器相同的方式穿入到干涉仪528中。以简单的两维布置显示干涉仪528，但是事实上包括棱镜和其它元件的三维布置，如在之前的专利中描述的。类似地，为了清楚起见，在此省略了作为干涉仪的一部分的偏振元件。如在已知的例子中，自参考干涉仪528的功能是接收携带信息的束526、将其分割成两个相等的部分，相对于彼此将这些部分旋转180°以及再将这些部分组合成出射束582。束582被引导至检测子系统580。透镜584和586与固定的偏转反射镜588一起将所述束经由偏振分束器590传递至检测器530a和530b。
分束器590产生两个彼此反相的干涉图案。因此，如果干涉仪528在检测器530a的一个点处产生相消干涉，那么同时在检测器530b的相应点处具有相长干涉。通过从所述两个检测器减去信号，可以减小共模强度噪声的影响，且因此整体上从对准传感器获得更加精确的输出。
然而，在图3的已知对准传感器中，检测器230放置在对应于衬底W的平面的像平面中，在修改后的光学系统500中的检测器530a和530b定位在平面P”中，所述平面P”与物镜524的光瞳面P是共轭的。在这一例子中，每个检测器530a和530b是图像传感器，例如CCD照相机传感器。在可替代的实施例中，单独的点式检测器可以被设置以替代图像传感器。在任一情形中，在平面P”处的辐射场不是衬底的像，而是与照射孔548共轭的标记202的衍射谱。在这一类型的检测系统中，获得标记202的位置信息所需要的对准信号仍然可以被获得，但是另外地由检测器530a和530b检测到的光瞳图像可以用于分析衬底W上的标记或其它特征的另外的性质，以进行散射测量。例如，可以分析对准和/或重叠目标的不对称性，其便于对例如器件层之间的重叠误差的测量。使用对准传感器测量目标不对称性而不是采用独立的仪器的优点在于，在对准传感器和重叠测量设备之间的定位误差被消除。
尽管由孔548提供的照射图案在图5中具有标识为a和b的亮的象限，但是从通过对准标记202的线沿着给定方向的衍射造成的衍射图案由在548’处的图案表示。在这一图案中，除了标记为a0和b0的零级反射之外，还具有标记为a-1，a+1，b-1和b+1的可见的第一级衍射信号。因为照射孔的其它象限是暗的，更通常的是因为照射图案具有180°的旋转对称性，所以没有衍射级a-1和b+1，意味着它们不与来自照射孔的其它部分的零级或更高级信号重叠。分段式照射图案的所述性质可以被利用以来自衍射光栅(对准标记)的清楚的第一级信号，该衍射光栅的节距是在使用传统的圆对称的照射孔情况下可以被成像的最小节距的一半。该衍射图案548’和它可以被开发用于散射测量的方式在已知的申请US 2010/201963中进行了描述。在对准传感器光学系统500的干涉仪528中，在图5显示的且标记为548”的衍射图案548’的旋转后的副本也被形成且与图案548’混合。这些图案将在对准标记202的扫描期间彼此相互干涉，以便提供位置信号。
关于扫描子系统560，此处显示的特定形式的扫描子系统具有一些有利的特征，其在此处将被描述。
如图5和6所见，倾斜反射镜562的安装的几何构型使得枢转点568定位在与物镜524的光瞳面P相同的平面中。反射镜562的来回倾斜导致在束522进入物镜524时束522的方向偏离且随后导致斑506以期望的速度vSPOT来回扫描运动。更具体地，反射镜562被安装以便关于轴线倾斜，该轴线不在反射镜的主体内，而是位于反射镜562的平面和物镜524的光瞳面P相交所在的线或其靠近。如背景技术部分，期望用于形成照射斑506的光线的方向应当移动以实施扫描速度vSPOT，但是照射孔在后投影平面P’中没有移动。如果反射镜562被关于例如其自身的中心轴线(如与倾斜反射镜公共的轴线)倾斜，那么照射源将在后投影光瞳面P’中来回移动，且将在衬底上导致照射斑的变化的平均的入射角。
通过在衬底上保持正入射角来获得更好的对准精度。为了实现其，传统的方案将是将倾斜反射镜放置在光学系统的共轭光瞳面中，以实现照射斑或视场的扫描运动。然而，在诸如此处显示的对准传感器的实际仪器中，商业上可获得的物镜524通常容纳在紧凑的和整套的子组件中，在光瞳面P处没有可以插入倾斜反射镜或其它移动元件的空间。虽然可以制造定制设计的组件，其包括在光瞳面中的倾斜反射镜，或可以提供另外的光学元件以在光路中的较不拥挤的点处产生共轭光瞳面，但是组装的成本将变得比以前大得多，且精确度可能被折衷。
参考图6，反射镜表面562和光线522的几何构型被显示，首先针对于反射镜的中心或中性位置(标记为562(0))，且之后针对于偏转位置562(θ)，其中反射镜被倾斜以远离入射波522的角度θ，且以枢转点568为中心旋转，其位于与物镜524的光瞳面P相同的平面中。在这一例子中，反射镜的静止位置处于与光瞳面和入射光线方向成45°。虽然图中显示沿着一个方向的角度移动θ，但是在反射镜562经过一角度θ范围来回振荡时，可以沿着反向的方向赋予反射镜(更靠近光线源522)以相同的移动。在虚线圈内的放大细节显示在静止位置和偏离位置由反射镜562反射的光线522的所在区域的几何构型。在一实际实施例中，反射镜偏离通过的角度θ范围可以在毫弧度或数十毫弧度的量级上，使得可以在计算由反射镜的倾斜导致的光路变化中应用“小角度近似”。如在图中所见，光瞳面P和入射光线522的路径间隔开距离D，而反射镜562的默认位置处于45°处，以便以直角偏转光线522。在反射镜倾斜角度θ时，偏离光线522’倾斜角度2θ，但是其与反射镜的交截点也向左偏移距离2θD。因此，偏转光线522与光瞳面P交截所在的点600至少大体上依赖于反射镜倾斜角θ。从其可知，照射孔548的有效位置未变化，尽管光线的方向且因此照射斑506的位置根据角度θ来回移动。(线性速度vSPOT通过物镜524的放大系数与角度2θ相关联。)
图7显示正弦曲线700，其表示在一示例性实施例中反射镜562的倾斜角度θ随着时间t的变化。轨迹线700通常具有正弦曲线形式，原因是倾斜反射镜562和其安装被驱动作为共振振动器，如上文所述。或者说，反射镜以简单的谐波运动倾斜。反射镜振荡的周期标记为TOSC，在振荡的角度θ方面上的振幅是θOSC。这一驱动模式的优点是它需要最小化的能量输入，因此需要在致动器和反射镜机构内的最小的热耗散。这一驱动模式的缺点是具有期望的速度和方向的扫描运动仅以特定的间隔发生，且仅具有有限的线性运动。然而，在精细地设计测量过程的情况下，该测量过程包括将该反射镜振荡与在横跨衬底W扫描一系列的对准标记202期间衬底移动的方式同步，可以选择反射镜振荡的频率，使得在图7中的标记为M1、M2、M3的间隔期间进行对对准标记位置的测量。这些是轨迹线700的一部分，其中反射镜的运动且因此斑506沿着对准标记202的运动是相对线性的和可预测的。扫描测量发生的角度范围被标记为θM，可以在其中使用斑506的扫描运动进行一个测量或多个测量的时间窗口标记为TM。所述设备不限于在该间隔期间测量一个对准标记，但是可能依赖于衬底W上的它们的位置和衬底台WT上的衬底的运动来测量多个标记。图8示意性地显示倾斜传感器572的构造和操作原理。如关于图5所述的，提供倾斜传感器以始终提供对倾斜562的精确测量。这一测量可以被单元PU或其它控制器使用来控制和同步扫描运动、经由致动器570的驱动、在测量周期M1，M2，M3等期间对非线性的校正以及如所期望的其它测量。倾斜传感器572在这一例子中基于公知的相位光栅检测器。来自源802的辐射束800被具有节距PIN的第一相位光栅衍射。可以使用该相位光栅，使得仅在图中标记为+1和-1的第一级光线以任何强度穿过。如图所示，这些光线是发散的。倾斜传感器光学系统806将光线准直，使得它们变成平行的，使得+1和-1级光线在不同的点入射到反射镜562的表面上，所述不同的点分开距离d(作为例子，该距离d可能处于毫米量级上。)衍射的光线被反射返回通过光学系统806，且被聚焦到检测光栅808上。检测光栅808具有节距Pdet，所述节距Pdet是输入光栅804的节距的一半。反射镜562中的倾斜角导致+1和-1衍射级的不同的路径长度，从而影响了在它们被在光栅808处重新组合时它们的相位。检测器810接收穿过检测光栅808的衍射辐射。在反射镜沿一个方向倾斜之后沿另一个方向倾斜时，在检测器810处检测的辐射强度的快速波动允许计算倾斜角的非常小的偏差。通过计算这些变化(条纹计算)，可以在相对宽的倾斜角范围上获得非常高分辨率的倾斜测量。为了获得关于倾斜角的绝对知识，可以并行地设置具有不同节距的多个不同的光栅系统804、808和检测器810。这一消除模糊的方案对本领域技术人员是公知的，将不进一步描述这些细节。
对准传感器变化
虽然在这一示例性实施例中检测器530a和530b被描述为具有横跨它们的区域的像素的图像传感器，但是可替代的实施例是可行的，其中检测器仅设置在光瞳像面P”的区域中的特定点处。尤其是，对准信号可以通过将几个检测器放置在周边位置处而获得，在该周边位置处预期有第一级衍射辐射。可以全部围绕光瞳图像的周边间隔地设置一组检测器，来自适合的检测器的信号可以被选择用于处理以根据标记202是否是沿着X或Y方向或是否是图2(b)中显示的所述类型的X-Y标记而产生位置测量。
本领域技术人员可以在不背离本发明的保护范围的情况下，设想对上述的实施例的诸多修改和变形。例如，如所述的，所显示的对准传感器可能适合于与图2(b)中的标记一起使用以同时获得在X和Y方向上的定位信息。如果期望在这样的实施例中使用分段式照射孔548，那么照射孔548应当被旋转，使得亮的段a和b与X和Y轴成45°，正如标记210中的光栅线(图2(b))也被布置成与X和Y轴成45°一样。
在这一简单的例子中，振荡反射镜562仅在一维尺度上移动斑，仅可以用减小的有效速度扫描标记的一个方向。如果需要两维扫描，可以使用具有正交的枢转轴的两个独立的反射镜，或者一个反射镜可以围绕2个正交枢轴倾斜。本领域技术人员可以将该例子以任何方式延展到两个维度。
如在引述部分和其它部分提及的，在具有扫描照射斑406、506等的对准传感器的情形中公开的特定特征可以在其它的应用中独立使用。在没有任何扫描子系统560的情况下可以在对准传感器中使用分段式孔，其与共轭光瞳面中的检测组合，其为图5的实施例的一特征。如已经提及的，这样的孔的使用允许在对准标记中使用更稠密的光栅线，可能改善了位置精度和/或减小了标记所需要的衬底面积。
应当理解，控制对准传感器、处理由其检测的信号以及从这些信号计算适合用于控制光刻形成图案过程的位置测量的处理单元PU，将通常涉及某种类型的计算机组件，其将不被详细描述。计算机组件可以是在设备外部的专用计算机，它可以是专门用于对准传感器的一个处理单元或多个处理单元，或可替代地，它可以是整体地控制光刻设备的中央控制单元LACU。计算机组件可以被布置成用于加载计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机可执行编码。这可以使得计算机组件在计算机程序产品被下载时控制具有对准传感器AS的光刻设备的上述使用。
尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备可以在制造具有微米尺度、甚至纳米尺度的特征的部件方面有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
应用例子：共焦显微镜
对准传感器是倾斜反射镜的应用，所述倾斜反射镜的枢转轴线被移位以便位于与反射镜相同的平面中和位于使用其光学系统的光瞳面中。该布置具有偏转衬底平面中的照射斑的特殊能力，而不会改变衬底上的平均入射角。可以将这一原理应用到除对准传感器之外的应用中，共焦显微镜是另一例子。
在图9中，在共焦显微镜1500的情形中显示出倾斜反射镜的应用。系统中的许多部件至少在原理上与上文的对准传感器的例子是相同的，诸如物镜1524等部件被以与图5中的对应的部分524相同的方式标号，但是增加了前缀“1”。下述将描述一些主要差别。在如所显示的共焦显微镜中，照射束1522从图中的上方进入到分束器1554中，而携带信息的束1526朝向右手侧从分束器1554出射。当然，所述布局是实际实施的问题，且不会改变操作原理。携带信息的束1526首先聚焦到窄针孔1580上，其又成像到检测器1582上，该检测器记录穿过针孔的辐射的强度。如从共焦显微技术的原理所公知的，针孔1580的功能是选择照射斑1506的位置和深度，来自照射斑的照射将到达检测器1582。检测到的辐射的强度因此依赖于在物镜1524下面的特定位置和深度处的目标结构1202的构成。在两维上的扫描运动被实施，使得由检测器1582检测到的随时间变化的强度信号可以在处理单元1584中被处理以获得目标1202的两维图像。在视图中，显示器1586被馈送以所得的信息以提供图像1588，其以非常高的分辨率显示在期望的深度处的目标1202中的特征。
在显示的例子中，在至少一个方向上对斑的扫描通过振荡反射镜1562来实施，其被以精确地与图3相同的方式安装、驱动和监控，如上文所述。通常，在共焦显微镜的操作中，在一个方向(例如X方向)上的扫描通过对斑1506的一些光学扫描来实施，而在Y方向上的扫描通过在物镜1524下面的目标1202的慢渐进运动来实施。如果通过可移动反射镜的两维扫描是期望的，那么可以使用具有正交枢转轴的两个独立的反射镜，或可以使用关于2个正交枢轴倾斜的一个反射镜。本领域技术人员可以以任何方式将该例子延展到两维。
共焦显微镜中的信号的实施控制和处理的其它特征可能被根据已知的例子改变，且不需要在此详细讨论。
另外的变形
在上述的例子中，振荡反射镜使光路转向经过大约90°的角度，且被以与物镜524或1524的光瞳面成45°的角度安装。将反射镜的枢转轴562/1562放置在物镜524/1524的光瞳面P和反射镜平面的相交处的相同原理可以被扩展至除45°之外的角度。
类似于图6，图10(a)显示一般化的布置，但是角度45°被改变成一般化的角度α。沿着反射镜从枢转轴568至照射光线522的反射点的长度被标识为L，在图6中的例子中α＝45°时，其等于距离D乘以2的平方根。在这一一般化的例子中的各长度和角度之间的关系可以由下述方程来表示，其涉及距离L、距离D和角度α(静止位置)和在振荡条件下的θ(偏差)的方程如下所述：
L = 2 D cos 2 ( θ ) cos ( α ) sin ( 2 α - 2 θ ) . . . ( 1 )
L = D sin ( α ) . . . ( 2 )
dL dθ = 4 D cos ( θ ) cos ( α ) cos ( 2 α - θ ) sin 2 ( 2 α - 2 θ ) . . . ( 3 )
dL dθ | θ = 0 = 4 D cos ( α ) cos ( 2 α ) sin 2 ( 2 α ) . . . ( 4 )
方程(1)是精确长度L的公式，在偏差θ远小于静止角度α的情形中其可以通过方程(2)进行近似。为了确定用于扫描机构设计的最佳角度α，方程(3)表示长度L关于θ的导数。方程(4)表示在θ为零时的L关于θ的导数的特殊情形。
图10(b)是针对于静止角α的不同的值被相对于距离D归一化的方程(4)的绘图。如所见，图表具有拐点，在α值为45°时，拐点处取零值。我们就此推导出，对于α＝45°，距离L对振荡θ的灵敏度将在比对于任何其他角度α更宽范围的θ上被最小化。结果，因为照射源的表观位置的不变性依赖于参考图6显示的分析中的小角度近似，所以静止角度α＝45°对于确保这些近似在可使用的角度范围θ上保持基本上有效。无论如何，使用不同于45°的角度可能是感兴趣的，用于适应特定的布局限制。应当想到，注意到仅几毫弧度或几十毫弧度的振荡对于诸如此处描述的应用等应用情形将是足够的。
尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情形中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。共焦显微方法可以应用于检查在光刻过程中使用的或其产生的物件，还可以用于不限范围的其他检查任务。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有或约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm的范围内的波长)以及粒子束，诸如离子束或电子束。
在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式的光学部件。
尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明包括信号处理和数据处理的步骤，其可以通过包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序，或者具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)来实施。
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。

Claims (15)

1.一种光学设备，包括用于在所述设备的光学系统和物体之间传递辐射光线的物镜，所述光学设备还包括至少一个可移动元件，所述可移动元件包括布置在所述光学系统和所述物镜之间的反射镜，用于倾斜和由此改变所述光线在它们穿过所述物镜时的方向，其中所述反射镜被限制以关于轴线倾斜，所述轴线定位成大致沿着所述物镜的光瞳面和所述反射镜的平面之间的相交线。
2.根据权利要求1所述的光学设备，其中所述可移动元件被安装以便振荡和将重复的扫描运动赋予给所述光线。
3.根据权利要求2所述的光学设备，其中所述可移动光学元件被安装成以共振频率振荡。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光学设备，所述光学设备适合于测量衬底上的标记的位置，所述光学设备包括：
所述光学系统，所述光学系统包括照射子系统和检测子系统，所述照射子系统利用辐射斑借助于所述物镜来照射所述标记，所述检测子系统借助于所述物镜检测被所述标记衍射的辐射；
第一定位子系统，用于控制所述衬底和测量光学系统相对于彼此以第一速度的移动，以便用所述辐射斑扫描所述标记，同时检测和处理表示所述衍射辐射的信号以计算所述标记相对于所述测量光学系统的参考框架的位置；和
所述可移动光学元件，所述可移动光学元件能够与所述第一定位子系统同步操作，用于以第二速度相对于所述测量光学系统的参考框架移动所述辐射斑，所述第一速度和第二速度是相关联的，使得在所述信号被检测时所述斑以第三速度扫描所述标记，所述第三速度比所述第一速度更慢。
5.根据权利要求4所述的光学设备，其中在操作中，所述第一速度和第二速度是平行的，所述第二速度比所述第一速度慢，所述第三速度等于所述第一速度减去所述第二速度。
6.根据权利要求4或5所述的光学设备，其中所述物镜被相对于所述测量光学系统的参考框架固定。
7.根据权利要求4、5或6所述的光学设备，其中所述光学系统包括自参考干涉仪，用于旋转和重新组合所述衍射辐射的两个部分。
8.根据权利要求1、2或3所述的光学设备，包括用于检查物体的共焦显微镜，所述光学设备包括：
所述光学系统，包括照射子系统和检测子系统，所述照射子系统采用辐射斑借助于所述物镜照射物体，所述检测子系统借助于所述物镜检测在所述斑辐射中的特定点处被所述物体反射的辐射；和
所述可移动光学元件，能够操作用于沿着至少第一扫描方向扫描所述辐射斑和所述特定点，以便记录从横跨所述物体的点线检测到的辐射的强度。
9.根据权利要求8所述的光学设备，还包括定位子系统，用于沿着第二扫描方向相对于彼此移动所述物体和所述物镜，以便记录来自横跨所述物体的一系列点线的辐射强度。
10.一种光刻设备，所述光刻设备布置成将图案从图案形成装置转移到衬底上，所述光刻设备包括衬底台和对准传感器，所述衬底台构造成保持衬底，所述对准传感器用于测量所述衬底上的标记相对于所述光刻设备中的参考框架的位置，其中所述对准传感器包括根据权利要求4-7中任一项所述的测量设备，其中所述光刻设备布置成参照利用所述测量设备所测量的所述衬底上的标记的位置来控制图案到所述衬底上的转移。
11.一种借助于物镜采用辐射光线扫描物体的方法，所述方法包括以下步骤：将反射镜布置在所述物镜的之前的所述光线的路径中和倾斜所述反射镜以便在所述光线穿过所述物镜时改变所述光线的方向，由此使得所述光线根据所述反射镜的倾斜角射到所述物体的不同部分上，其中所述反射镜被限制成关于轴线倾斜，所述轴线定位成大致沿着在所述物镜的光瞳面和所述反射镜的平面之间的相交线。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述反射镜被安装以便振荡和将重复的扫描运动赋予所述光线。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述可移动的光学元件被安装和驱动以便以共振频率振荡。
14.根据权利要求11、12或13所述的方法，其中所述扫描被执行作为测量衬底上的标记的位置的过程的一部分。
15.一种制造器件的方法，其中光刻过程被用于将图案从图案形成装置转移到衬底上，其中所述图案到衬底上的转移步骤参照利用根据权利要求14所述的方法所测量的衬底上的标记的位置来进行控制。
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