CN102680875B - 从soi pmosfet中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法 - Google Patents
从soi pmosfet中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102680875B CN102680875B CN201210067440.XA CN201210067440A CN102680875B CN 102680875 B CN102680875 B CN 102680875B CN 201210067440 A CN201210067440 A CN 201210067440A CN 102680875 B CN102680875 B CN 102680875B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- threshold voltage
- voltage shift
- effect
- nbti
- soi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公布了一种从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法,用于在SOI PMOSFET器件的栅端和漏端加上应力偏置条件下分离出HCI效应与NBTI效应对器件的阈值电压漂移大小,其特征是,分别在SOI PMOSFET器件的栅端和漏端加上电压,测出其阈值电压漂移量;然后用该阈值电压漂移量减去在相同栅电压下测出的阈值电压漂移量,即可分离出HCI效应与NBTI效应这两种可靠性效应对SOI PMOSFET器件的阈值电压漂移量的不同影响。分离出两种可靠性效应对阈值电压的漂移量大小,能够更好地理解器件在最坏应力偏置条件下的退化机理,以致提出更好的可靠性退化加固方法,同时还能更好地对SOI PMOSFET器件进行建模以及提出更加精确的可靠性寿命预测方法。
Description
技术领域
本发明涉及半导体可靠性研究领域,由于SOI PMOSFET器件的在栅端和漏端加上一定应力条件后产生的自热效应(SHE)会同时诱发热载流子效应(HCI)和负偏压热不稳定效应(NBTI)可靠性问题,这两种可靠性效应会导致器件阈值电压发生漂移,本发明主要涉及针对SOI PMOSFET器件提出一种分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法。
背景技术
随着VLSI技术的飞速发展,硅集成电路工艺已进入以深亚微米乃至超深亚微米特征尺寸为主的产品生产阶段。制造工艺的技术进步极大地提高了VLSI质量和性能,同时大大降低了单个芯片的工艺成本,推动了集成电路产品的普及,带来新的电子信息革命。然而,在器件等比例缩小的同时,工作电压并不能达到相同比例的缩小,所以各种可靠性问题也逐渐变得日趋严重,其中主要包括热载流子效应(HCI)、负偏压热不稳定(NBTI)以及氧化层随时间的击穿(TDDB)等。
SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)MOSFET器件是指在绝缘衬底上形成一层单晶硅薄膜,或是单晶硅薄膜被绝缘层从支撑的硅衬底中分开而形成的材料结构。与传统体硅MOS器件相比,SOI MOSFET器件具有电隔离性能好,寄生电容小,易形成浅结,可以避免闩锁效应,抗辐射能力强等优势。然而,由于SOI MOSFET器件隐埋氧化层的热导率较差,使得器件沟道区晶格温度上升,从而导致器件开态漏端电流下降。
当在SOI PMOSFET器件上施加HCI应力偏置时,需要在器件的栅端和漏端同时加上高于标准工作电压的应力偏置,会导致器件的阈值电压漂移以及最大跨导值的退化。同时,由于SOI PMOSFET器件隐埋氧化层的热导率较差,在HCI应力条件下会导致沟道温度急剧升高,同时在栅端电压的垂直电场作用下发生NBTI效应,导致更大的阈值电压漂移,以致器件性能退化。于是,分离两种可靠性效应对阈值电压漂移大小的影响有助于更好的器件建模与对器件可靠性寿命的预测。
发明内容
本发明的目的在于提供一种SOI PMOSFET器件中在栅端和漏端加上应力偏置下分离出HCI效应与NBTI效应分别对器件阈值电压漂移大小的方法。
本方法的上述目的是通过如下的技术方案实现:
一种从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法,用于在SOIPMOSFET器件的栅端和漏端加上应力偏置条件下分离出HCI效应与NBTI效应对器件的阈值电压偏移大小,其特征是,分别在SOI PMOSFET器件的栅端和漏端加上电压,测出其阈值电压漂移量,此时同时存在HCI效应与NBTI效应;然后用该阈值电压漂移量减去在相同栅电压下测出的阈值电压偏移量,此时只存在NBTI效应,即可分离出HCI效应与NBTI效应这两种可靠性效应对SOI PMOSFET器件的阈值电压漂移量的不同影响;计算公式如下:
在SOI PMOSFET器件NBTI效应过程中,去掉栅端应力后因NBTI效应导致的阈值电压漂移量会有一定的恢复,这是因为被陷阱俘获的空穴在失去垂直电场后有一定的概率脱离陷阱,界面处的悬挂键与H+离子发生钝化作用,减少了对阈值电压的影响。阈值电压的恢复量与本征的NBTI效应造成阈值电压漂移量之间有一定的比率关系,如公式2所示。
其中,ΔV′TH_REC为测试出的SOI PMOSFET器件在HCI应力下阈值电压恢复量。
最后,可以得到 如图2所示。
上述的比率系数R可以通过计算SOI PMOSFET器件单独的NBTI效应后发生的恢复现象导致的阈值电压漂移量得到,NBTI效应为只在栅端加上应力电压。
分离出两种可靠性效应对阈值电压的漂移量大小,能够更好地理解器件在最坏应力偏置条件下的退化机理,以致提出更好的可靠性退化加固方法,同时还能更好地对SOI PMOSFET器件进行建模以及提出更加精确的可靠性寿命预测方法。
附图说明
图1NBTI恢复现象
图2分离HCI与NBTI效应对阈值电压影响的漂移量
具体实施方式
下面用实施案例对本发明作进一步阐释。
实施例选取的SOI PMOSFET为0.18um工艺器件,具体的实施步骤如下:
首先进行单独的NBTI实验,在该尺寸下的SOI器件的栅端加上2.6V应力电压,经过2000s后去掉应力电压,发现去掉NBTI后阈值电压的恢复与实际测出的NBTI造成的阈值电压漂移量之间的比率系数R为0.5左右,即:
然后施加在该尺寸下的SOI器件的栅端和漏端同时加上2.6V应力电压(即为施加HCI应力),经过2000s后去掉两端的应力电压,发现去掉HCI应力后阈值电压的漂移有一定的恢复,根据公式 可以分离出单独的HCI效应与NBTI效应分别对阈值电压漂移量所造成的影响值,最后算出来两者所占的比例分别为76%和24%。
Claims (2)
1.一种从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法,用于在SOIPMOSFET器件的栅端和漏端加上应力偏置条件下分离出HCI效应与NBTI效应对器件的阈值电压漂移大小,其特征是,分别在SOI PMOSFET器件的栅端和漏端加上电压,测出其阈值电压漂移量,此时同时存在HCI效应与NBTI效应;然后用该阈值电压漂移量减去在相同栅电压下测出的阈值电压漂移量,此时只存在NBTI效应,即可分离出HCI效应与NBTI效应这两种可靠性效应对SOI PMOSFET器件的阈值电压漂移量的不同影响;计算公式如下:
2.如权利要求1所述的方法,其特征是,所述的比率系数R通过计算SOI PMOSFET器件在单独的NBTI效应后发生的恢复现象导致的阈值电压漂移量得到,所述NBTI效应为只在栅端加上应力电压。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210067440.XA CN102680875B (zh) | 2012-03-14 | 2012-03-14 | 从soi pmosfet中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210067440.XA CN102680875B (zh) | 2012-03-14 | 2012-03-14 | 从soi pmosfet中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102680875A CN102680875A (zh) | 2012-09-19 |
CN102680875B true CN102680875B (zh) | 2014-06-04 |
Family
ID=46813104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210067440.XA Active CN102680875B (zh) | 2012-03-14 | 2012-03-14 | 从soi pmosfet中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102680875B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103278759B (zh) * | 2013-05-02 | 2016-02-17 | 北京大学 | 分离soi器件中两种效应导致阈值电压漂移的方法 |
JP6677383B2 (ja) * | 2015-03-03 | 2020-04-08 | 天馬微電子有限公司 | 電子回路、走査回路及び表示装置並びに電子回路の寿命延長方法 |
CN111381140B (zh) * | 2018-12-29 | 2022-04-15 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体元件测试方法与设备 |
CN111553121A (zh) * | 2020-05-07 | 2020-08-18 | 大连理工大学 | 一种层次化数字电路可靠性验证方法 |
CN112666440A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 阈值电压的测量方法以及晶圆测试机台 |
CN114210605B (zh) * | 2021-12-15 | 2023-06-23 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 碳化硅功率半导体器件测试方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102073004A (zh) * | 2009-11-25 | 2011-05-25 | 北京大学 | 测试半导体器件可靠性的方法 |
CN102262206A (zh) * | 2011-04-26 | 2011-11-30 | 北京大学 | pMOSFET器件负偏置温度不稳定性寿命预测方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100744264B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-07-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체소자의 제조 방법 |
JP4989261B2 (ja) * | 2007-03-14 | 2012-08-01 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 回路シミュレーション方法 |
-
2012
- 2012-03-14 CN CN201210067440.XA patent/CN102680875B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102073004A (zh) * | 2009-11-25 | 2011-05-25 | 北京大学 | 测试半导体器件可靠性的方法 |
CN102262206A (zh) * | 2011-04-26 | 2011-11-30 | 北京大学 | pMOSFET器件负偏置温度不稳定性寿命预测方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JP特开2008-225961A 2008.09.25 |
刘红侠、郝跃.深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制.《半导体学报》.2005,第26卷(第9期), |
深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制;刘红侠、郝跃;《半导体学报》;20050930;第26卷(第9期);文章第2、3、4部分,图7 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102680875A (zh) | 2012-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102680875B (zh) | 从soi pmosfet中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法 | |
CN103063995B (zh) | 一种预测soi mosfet器件可靠性寿命的方法 | |
US9086448B2 (en) | Method for predicting reliable lifetime of SOI mosfet device | |
CN102621473B (zh) | 一种实时监控nbti效应界面态产生的测试方法 | |
CN105158670A (zh) | 基于集电极漏电流的igbt健康状态监测方法 | |
US6472233B1 (en) | MOSFET test structure for capacitance-voltage measurements | |
CN108318796B (zh) | 一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法 | |
CN102176442B (zh) | 用于测量mos器件hci可靠性的测试结构及方法 | |
CN102169869B (zh) | 用于检测mos器件晶向相关性的可靠性测试结构及方法 | |
US7071044B1 (en) | Method of making a test structure for gate-body current and direct extraction of physical gate length using conventional CMOS | |
US20150219698A1 (en) | Method for separating threshold voltage shifts caused by two effects in soi device | |
JP2014003060A (ja) | 半導体基板の評価方法、評価用半導体基板、半導体装置 | |
US6885214B1 (en) | Method for measuring capacitance-voltage curves for transistors | |
CN105895548A (zh) | 一种基于栅调制产生电流提取mosfet衬底掺杂浓度的方法 | |
CN102236063B (zh) | 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法 | |
Cai et al. | A new technique for mobility extraction in MOSFETs in the presence of prominent gate oxide trapping: Application to InGaAs MOSFETs | |
CN106356313A (zh) | 横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件 | |
US9935021B2 (en) | Method for evaluating a semiconductor wafer | |
Lun et al. | A novel subthreshold slope technique for the extraction of the buried-oxide interface trap density in the fully depleted SOI MOSFET | |
Wei et al. | Extraction method of interfacial injected charges for SiC power MOSFETs | |
CN103824856A (zh) | 一种基于背栅晶体管的抗辐照技术及实现方法 | |
CN101840458B (zh) | 载流子迁移率的提取方法 | |
Mahajan et al. | A critical examination of the TCAD modeling of hot carrier degradation for LDMOS transistors | |
Severi et al. | Accurate channel length extraction by split CV measurements on short-channel MOSFETs | |
CN102306644B (zh) | Soi型mos晶体管的测试结构及其的形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |