CN102680444B - 一种多晶硅片晶向测试方法 - Google Patents
一种多晶硅片晶向测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102680444B CN102680444B CN201210147178.XA CN201210147178A CN102680444B CN 102680444 B CN102680444 B CN 102680444B CN 201210147178 A CN201210147178 A CN 201210147178A CN 102680444 B CN102680444 B CN 102680444B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal orientation
- image
- region
- silicon chip
- testing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 23
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 description 3
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 3
- 241000184339 Nemophila maculata Species 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003709 image segmentation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
公开了一种多晶硅片晶向测试方法。根据本发明的方法包括：获得硅片的光致发光成像图像；对所述光致发光成像图像进行处理，获得晶粒的成像亮度信息；基于晶粒的亮度信息判断晶粒的晶向。其中，基于以下标准进行判断：各晶向区域中，最亮的区域为<100>晶向，最暗的区域为<111>晶向，其他晶向介于二者之间。
Description
技术领域
本发明涉及多晶（类单晶）硅片晶向的测试方法。本发明使用光致发光成像(Photoluminence，简称PL)技术，快速获得具有不同晶向的晶粒的成像亮度信息，通过亮度差异进行比较，快速判断其晶粒的晶向。
背景技术
太阳能铸锭多晶硅片晶粒一般在1cm左右，单张硅片晶粒数量在500个以上。晶粒之间因晶向的不同，对后续电池工艺的影响也不尽相同。如<100>晶向可通过碱制绒获得高捕光效果的金字塔绒面，而<111>晶向则只能通过酸制绒或其它各向同性的制绒方式来获得绒面。不同的晶粒具有不同的晶向，不同的晶向拥有不同的绒面特性，继而产生了不同的表面复合速率，影响着最终电池的性能参数。因此，通过对整张硅片晶向的准确测试和评估，有利于对电池制备工艺的优化。然而依靠目前的技术水平，尚不能达到对整张硅片晶向准确测量的效果。
目前常用的晶向测试方法主要有两种：
（1）X射线衍射技术（X-Ray diffraction，简称XRD），其束斑直径一般在几个mm，每次只能对硅片的单个晶粒的晶向进行测量，成本高，耗时非常长，完全不能满足行业的需要。
（2）电子背散射衍射分析技术（Electron backscattered selective diffraction，简称EBSD），一般与扫描电镜联用，适合用于微区晶向测试，可以用于面扫描，具有同时能测试多个晶粒的晶向的优点。EBSD制样简单，测试精确，可以用于面扫描，其空间分辨率可达0.1μm，但是测量的范围也仅仅限制在几个cm2，不适合对全尺寸硅片进行快速表征。
发明内容
本发明的目的在于发明一种多晶（类单晶）硅片晶向的快速检测技术，解决当前光伏领域的迫切难题。
为便于更好地理解本发明，首先阐述本发明的科学原理。
硅是一种具有面心立方结构的晶体，两套面心立方点阵在对角线方向平移1/4后嵌套而成。其各个晶向对应的特性差异较大，表1列出了三种常见晶向的原子面密度和悬挂键密度。由表可知，三种晶向的原子面密度和悬挂键密度均是<100>晶向最低，<111>晶向最高。
表1.硅晶体不同晶向表面原子密度
在PL成像照片里，<111>晶向的晶粒由于表面悬挂键密度较高，所以对光激发少子的复合能力也最强，产生的荧光强度也最弱，在PL图像里也最暗。更具体而言，晶向与亮度的对应符合如下规律：最亮区域一般为<100>晶向，最暗区域一般为<111>，其他晶向的亮度处于二者之间。
因此，本发明提出：通过光致发光的检测技术，来实现对多晶（类单晶）硅片晶向的快速检测。具体来说，通过使用光致发光成像技术，可快速获得具有不同晶向的晶粒的成像亮度信息，然后通过亮度差异进行比较，进而快速判断其晶粒的晶向。光致发光成像技术测试速度快(>3000pcs/h)，分辨率较高(可达0.2mm)，可以对整张硅片进行测试。
应当理解，本发明以上的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在为如权利要求所述的本发明提供进一步的解释。
附图说明
包括附图是为提供对本发明进一步的理解，它们被收录并构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施例，并与本说明书一起起到解释本发明原理的作用。附图中：
图1是多晶硅片PL图像。
图2是C区域的微区形貌观察（抛光腐蚀后的光学图片，为位错集聚区）。
图3是PL图像的直方图（平滑后）。
图4是从图1的PL图像低阈值分割出的位错区域（二值化处理后，白色部分为位错密集区）。
图5是从图1的PL图像高阈值分割出的<100>晶向晶粒（二值化处理后，白色部分为<100>晶向区域）。
图6是从图1的PL图像中间阈值分割出的<111>晶向晶粒（二值化处理后，白色部分为<111>晶向区域）。
图7是类单晶PL图像。
图8是类单晶PL图像的对应直方图（平滑后）。
图9是从图7的PL图像阈值分割后<100>晶向占据区域（二值化处理后，白色部分为<100>占据区域）。
图10是从图7的PL图像阈值分割后<111>晶向占据区域（二值化处理后，白色部分为<111>占据区域）。
图11是从图7的PL图像阈值分割后位错区域占据区域（二值化处理后，白色部分为位错聚集区）。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施例，其示例在附图中示出。尽管本发明中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本发明说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本发明。
1、方法概述
根据本发明的方法，可包括以下步骤：
1)用光致发光成像技术获得多晶硅（或其他表现出多晶性质的非单晶晶体硅，例如类单晶）硅片的PL图像。
2)对PL图像进行处理，通过直方图分析获得图像中包含信息数量n（n为高斯峰数目，n＝3）及相应(n-1)个分割阈值。
3)用分割阈值实现图像分割，计算晶粒面积比例。
4)用图像区域所占面积的平均亮度值所占范围来判断区域的晶向。
2、详细实施例
以下结合附图具体描述根据本发明的示例性实施例。
步骤1）用光致发光成像仪获得多晶硅片的光致发光图像（图1所示）。所获得的图像主要存在三种明暗不同的区域（A、B、C），经微区分析，C区域为晶体生长过程中产生的位错团簇，如图2所示。将A和B区域分别裁出进行X射线衍射(XRD)测试，结果表明，扣除位错团簇C区后，亮区域A的晶向为<100>，暗区域B的晶向为<111>。另外，根据微区分析，C区域为晶体生长过程中产生的位错团簇，如图2所示。
光致发光所用的探头为InGaAs晶体，但不限于此。
光致发光所用的激光光源可为904nm，但不限于此，某些情况下更倾向于短波长激光光源，如500nm。
光致发光的曝光时间可为1~50s；优选地，5～30s；更优选地，10～20s。
步骤2）对PL图像进行处理：做图像的直方图（见图3），可以看出直方图由3个高斯峰组成。3个峰对应的图片区域分别是A、B、C。通过拟合获得高斯峰AB之间的谷值th1和高斯峰BC之间的谷值th2。
可选地，在步骤1）中，测试硅片的电阻率（例如用五点法测试硅片的平均电阻率），在步骤2）中对PL图像进行直方图分析之前，先校正电阻率的影响，对图像亮度进行标准化。
步骤3）：用谷值th1和th2作为分割阈值，进行图像分割，并计算其晶粒面积比例。
计算亮度值小于th2的像素数目可以获得位错团簇（C）所占面积（如图4，为了方便观察，对图形进行了二值化处理，白色区域为C区）；
计算亮度值大于th1的像素数目可以获得<100>晶向晶粒（A）所占面积（如图5，为了方便观察，对图形进行了二值化处理，白色区域为A区）；
计算亮度值介于th1和th2之间的像素数目可以获得<111>晶向晶粒（B）所占面积（如图6，为了方便观察，对图形进行了二值化处理，白色区域为B区）。
步骤4）：用图像区域所占面积的平均亮度值所占范围来判断区域的晶向。
上述方面适用于多晶硅，包括光伏领域采用定向凝固或浇注法制备的铸锭多晶硅，同时也适用于准单晶（类单晶）等其它非单晶的晶体硅。
示例实施例1
1)用光致发光成像技术获得一张多晶硅硅片的PL图像（图1），激光光源为904nm，探头为InGaAs晶体，曝光时间为1s。同时五点法测试硅片的平均电阻率。2)先校正电阻率的影响，对图像亮度进行标准化，然后对PL图像进行处理，通过直方图（图3）分析获得图像中包含信息数量n=3（高斯峰数目，图3中有3个）及相应2个分割阈值:th1=360、th2=320。
3)用分割阈值实现图像分割，并计算其晶粒面积比例。其中A所占面积为19.17%（图5），B所占面积为61.21%（图6），C所占面积为19.62%（图4）。
4)用图像区域所占面积的平均亮度值所占范围来判断区域的晶向，其中A的亮度均值为371.1，B的亮度均值343.3，C的亮度均值为292.4。
示例实施例2
1）用光致发光成像技术获得一张准单晶硅片PL图像（图7），激光光源为904nm，探头材质为InGaAs晶体，曝光时间为1s，同时，测试硅片电阻率。
2)已知该晶体为<100>晶向籽晶诱导生长，因此其最大面积晶粒部分为<100>晶向。
3)用电阻率标准化图像亮度后，用直方图（图8）对PL图像信息数量进行评估，分析可知图像中包含信息数量n=3，并需要两个分割阈值，经拟合可知th3=356.7，th4=322。
4)用两个阈值对图像进行分割，并计算其晶粒面积比例以及晶粒平均亮度。经计算，D（图9）所占面积为80.67%，亮度均值为372.5；E（图10）所占面积14.00%，亮度均值为344；F（图11）所占面积为4.56%，亮度均值为296.2。
3、发明的效果
本发明提出了一种快速可行的硅片PL晶向测试方法。本发明创造性地采用光致发光成像技术，对硅片进行PL测试，依靠不同晶向的荧光发光强度的不同来判断晶向。在已经进行的实验中，将本发明的技术整合进入在线检测系统，每张硅片只需1s即可完成测试。
本领域技术人员可显见，可对本发明的上述示例性实施例进行各种修改和变型而不偏离本发明的精神和范围。因此，旨在使本发明覆盖落在所附权利要求书及其等效技术方案范围内的对本发明的修改和变型。
Claims (12)
1.一种硅片晶向测试方法，包括：
a)获得硅片的光致发光成像图像；
b)对所述光致发光成像图像进行处理，获得晶粒的成像亮度信息，该步骤b)包括：对所述光致发光成像图像进行直方图分析，所述直方图为亮度和对应像素数目的直方图；通过直方图分析获得图像中亮度的3个高斯峰，以及相应的第一分割阈值和第二分割阈值，其中第一分割阈值的亮度值大于第二分割阈值；基于所述第一和第二分割阈值对所述光致发光成像图像进行图像分割，得到亮度值大于第一分割阈值的第一图像区域、亮度值在第二分割阈值和第一分割阈值之间的第二图像区域、和亮度值小于第二分割阈值的第三图像区域；以及
c)基于所述第一、第二和第三图像区域的各区域平均亮度值判断晶粒的晶向。
2.如权利要求1所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，所述第一和第二分割阈值通过拟合相邻高斯峰之间的谷值获得。
3.如权利要求1所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，所述步骤b)还包括：
计算所述第一图像区域中的第一像素数目；
计算所述第二图像区域中的第二像素数目，
计算所述第三图像区域中的第三像素数目。
4.如权利要求3所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，所述步骤c)包括：
根据所述第一、第二、和第三像素数目，计算相应图像区域所占面积的平均亮度值。
5.如权利要求4所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，所述步骤c)包括：根据所计算的各区域平均亮度值，基于以下标准判断区域的晶向：在各种晶向区域中，<100>晶向区域最亮，<111>晶向区域最暗，其他晶向区域介于二者之间。
6.如权利要求5所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，将平均亮度值最低的区域判断为位错区域。
7.如权利要求1所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，在步骤b)之前，测试硅片的电阻率信息，并基于电阻率对所述光致发光成像图像的图像亮度进行标准化。
8.如权利要求1所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，在所述步骤a)中，光致发光曝光时间为1～50s，或5～30s，或10～20s。
9.如权利要求1所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，光致发光所用的激光光源波长为904nm、或500nm。
10.如权利要求1所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，光致发光使用短波长激光光源。
11.使用如权利要求1－10中任一项所述的方法，用于测定多晶硅的晶向。
12.使用如权利要求1－10中任一项所述的方法，用于测定类单晶的晶向。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210147178.XA CN102680444B (zh) | 2012-05-11 | 2012-05-11 | 一种多晶硅片晶向测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210147178.XA CN102680444B (zh) | 2012-05-11 | 2012-05-11 | 一种多晶硅片晶向测试方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102680444A CN102680444A (zh) | 2012-09-19 |
| CN102680444B true CN102680444B (zh) | 2014-12-31 |
Family
ID=46812705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210147178.XA Active CN102680444B (zh) | 2012-05-11 | 2012-05-11 | 一种多晶硅片晶向测试方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102680444B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI583941B (zh) * | 2015-10-01 | 2017-05-21 | All Ring Tech Co Ltd | Grain defect detection method and device |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103151283B (zh) * | 2013-02-26 | 2015-06-03 | 常州天合光能有限公司 | 一种多晶硅片晶向的检测方法及检测装置 |
| CN103364704B (zh) * | 2013-06-26 | 2015-10-28 | 常州天合光能有限公司 | 一种多晶硅片开路电压的预测方法 |
| CN103928363B (zh) | 2014-04-11 | 2016-09-07 | 常州天合光能有限公司 | 一种硅片晶向检测方法及检测装置 |
| WO2020252727A1 (en) | 2019-06-20 | 2020-12-24 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Methods for polysilicon characterization |
| CN112098406A (zh) * | 2020-08-04 | 2020-12-18 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种晶体硅晶向的测定方法和应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101210891A (zh) * | 2006-12-27 | 2008-07-02 | 鞍钢股份有限公司 | 一种立方系材料织构的定量测试分析方法 |
| CN101216440A (zh) * | 2008-01-09 | 2008-07-09 | 北京钢研高纳科技股份有限公司 | 取向硅钢[001]晶向偏离角α,β的测定方法 |
| CN101413906A (zh) * | 2008-11-25 | 2009-04-22 | 山东理工大学 | 电子背散射衍射确定未知晶体布拉菲点阵的方法 |
| CN101532970A (zh) * | 2008-03-11 | 2009-09-16 | 宝山钢铁股份有限公司 | 多晶体中各组成晶粒的晶体取向和微观力学性能测定方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4817350B2 (ja) * | 2001-07-19 | 2011-11-16 | 株式会社 東北テクノアーチ | 酸化亜鉛半導体部材の製造方法 |
| US20070040181A1 (en) * | 2002-12-27 | 2007-02-22 | General Electric Company | Crystalline composition, wafer, and semi-conductor structure |
| US8034745B2 (en) * | 2005-08-01 | 2011-10-11 | Amit Goyal | High performance devices enabled by epitaxial, preferentially oriented, nanodots and/or nanorods |
| CN104022056B (zh) * | 2008-03-31 | 2017-04-12 | Bt成像股份有限公司 | 用于晶片成像及处理的方法和设备 |
-
2012
- 2012-05-11 CN CN201210147178.XA patent/CN102680444B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101210891A (zh) * | 2006-12-27 | 2008-07-02 | 鞍钢股份有限公司 | 一种立方系材料织构的定量测试分析方法 |
| CN101216440A (zh) * | 2008-01-09 | 2008-07-09 | 北京钢研高纳科技股份有限公司 | 取向硅钢[001]晶向偏离角α,β的测定方法 |
| CN101532970A (zh) * | 2008-03-11 | 2009-09-16 | 宝山钢铁股份有限公司 | 多晶体中各组成晶粒的晶体取向和微观力学性能测定方法 |
| CN101413906A (zh) * | 2008-11-25 | 2009-04-22 | 山东理工大学 | 电子背散射衍射确定未知晶体布拉菲点阵的方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| ORIENTATION DETERMINATION BY EBSP IN AN ENVIRONMENTAL SCANNING ELECTRON MICROSCOPE;H. Garmestani等;《Scripta Materialia》;19991231;第41卷(第1期);全文 * |
| 晶粒取向和物相组成的电子背散射衍射测定;陈小梅等;《武汉大学学报(自然科学版)》;19990228;第45卷(第1期);全文 * |
| 电子背散射衍射在取向测定和相分析中的应用;王仁卉等;《电子显微学报》;19981231(第5期);全文 * |
| 电子背散射衍射技术及其在材料分析中的应用;王建军等;《理化检验(物理分册)》;20061231;第42卷(第6期);第300-303页的第1-3部分、图1-5 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI583941B (zh) * | 2015-10-01 | 2017-05-21 | All Ring Tech Co Ltd | Grain defect detection method and device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102680444A (zh) | 2012-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102680444B (zh) | 一种多晶硅片晶向测试方法 | |
| CN104022056B (zh) | 用于晶片成像及处理的方法和设备 | |
| Mitchell et al. | On the method of photoluminescence spectral intensity ratio imaging of silicon bricks: Advances and limitations | |
| Gundel et al. | Quantitative carrier lifetime measurement with micron resolution | |
| CN104020148B (zh) | 光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离 | |
| Sekiguchi et al. | Quantitative electron‐beam tester for defects in semiconductors (CL/EBIC/SDLTS system) | |
| Kristensen et al. | A high-accuracy calibration method for temperature dependent photoluminescence imaging | |
| Abbott et al. | Investigation of edge recombination effects in silicon solar cell structures using photoluminescence | |
| Breitenstein et al. | Defect-induced breakdown in multicrystalline silicon solar cells | |
| Needleman et al. | Rapid dislocation‐density mapping of as‐cut crystalline silicon wafers | |
| Parish et al. | Scanning cathodoluminescence microscopy | |
| Marcelot et al. | Plan view and cross-sectional view EBIC measurements: Effect of e-beam injection conditions on extracted minority carrier transport properties | |
| Tanuma et al. | Two-photon-excited, three-dimensional photoluminescence imaging and dislocation-line analysis of threading dislocations in 4H-SiC | |
| Xiao et al. | Near-field transport imaging applied to photovoltaic materials | |
| Nakatani et al. | Observation of polycrystalline solar cell using a laser-SQUID microscope | |
| CN107170692B (zh) | 一种太阳能电池片制绒质量检测方法 | |
| Motz et al. | Development of two-photon excitation time-resolved photoluminescence microscopy for lifetime and defect imaging in thin film photovoltaic materials and devices | |
| Nakatani et al. | Laser-SQUID microscope for noncontact evaluation of solar cell | |
| Nie et al. | Temperature-dependent photoluminescence imaging using non-uniform excitation | |
| Gundel et al. | Recombination activity enhancement by stress in silicon | |
| Pacho et al. | A method to quantify the collective impact of grain boundaries on the internal quantum efficiency of multicrystalline silicon solar cells | |
| Demant | Quality Rating of Silicon Wafers: A Pattern Recognition Approach | |
| Moralejo et al. | Defect recognition by means of light and electron probe techniques for the characterization of mc-Si wafers and solar cells | |
| Trushin et al. | Scanning X-Ray Excited Optical Luminescence Microscopy as a New Tool for the Analysis of Recombination Active Defects in Multi-Crystalline Silicon | |
| Feng et al. | Nondestructive visualization of individual dislocations in 4H-SiC epilayers by micro photoluminescence mapping |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 213031 Tianhe Road, Tianhe PV Industrial Park, Changzhou, Jiangsu Province, No. 2 Patentee after: trina solar Ltd. Address before: 213031 Tianhe Road, Tianhe PV Industrial Park, Changzhou, Jiangsu Province, No. 2 Patentee before: CHANGZHOU TRINA SOLAR ENERGY Co.,Ltd. Address after: 213031 Tianhe Road, Tianhe PV Industrial Park, Changzhou, Jiangsu Province, No. 2 Patentee after: TRINASOLAR Co.,Ltd. Address before: 213031 Tianhe Road, Tianhe PV Industrial Park, Changzhou, Jiangsu Province, No. 2 Patentee before: trina solar Ltd. |