非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备
技术领域
本发明涉及一种非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,属于非平衡磁控溅射沉积技术领域。
背景技术
现在很多材料在使用前都需要进行镀膜处理。现在几乎任何材料都可以通过真空镀膜技术涂覆到其他材料表面上,为真空镀膜技术在各种工业领域中的应用开辟了更加广阔的前景。在材料表面上,堵上一层薄膜,就能使该中材料具有许多新的物力和化学性能。真空下制备薄膜,环境清洁,膜不易受污染,可获得致密性好、纯度高、膜厚均匀的涂层。磁控溅射真空镀膜溅射出来的粒子能量为几十电子伏特,粒子能量大,因而薄膜与基体结合较好,薄膜致你度较高;溅射后沉积速率高,基体温升小;可以沉积高熔点金属、合金及化合物材料,溅射范围广;能实现大面积靶材的溅射沉积,且沉积面积大、均匀性好;操作简单,工艺重复性好,易于实现工艺控制自动化。这些更为磁控溅射提供了非常客观的发展前景。
薄膜沉积技术主要包括化学气相沉积和物力气相沉积,化学气相沉积由于沉积温度高,使其应用受到了一定的限制,物力气相沉积由于沉积温度低,可应用的基材范围广,薄膜质量也相对易于控制;物力气相沉积主要包括真空镀膜和溅射沉积,溅射方式有射频溅射、三极溅射和磁控溅射,磁控溅射相对于其它两种溅射方式有较高的镀膜速率,磁控溅射从最初的常见磁控、平衡磁控发展到分平衡磁控,目前非平衡磁控与多源闭合磁场结合,使真空室的离子体密度得到提高,离子轰击效果增强,可获得更佳的镀膜质量。
但是在实际工作中对氩气和氮气的气体流量不易掌控,而气分压大小是影响薄膜质量和附着速率的重要因素。溅射压力较小时,溅射出来的原子和气体分子的碰撞次数减少,损失能量较小,可以提高沉积原子与基本的扩散能力,从而提高薄膜的致密度和附着性;如果溅射气体压力过小,导致溅射靶材原子数目过少,薄膜沉积速率降低,起辉不足;如果溅射气压过高,靶材原子与气体碰撞次数增加,损失能量过多,造成沉积基体的靶材原子能量过低,影响膜层的致敏性和附着力。以往通常是经过实验分析后,手动调节气体流量控制器,并不能完全精确的调节出气体通入后压力在一个最佳状态。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,它设有气体流量反馈系统,通过辉光放电的光谱信号来确定反应气体浓度,分析、判断出气体流量速率的调整范围,精确的对气体流量控制器进行调整,使通入气体压力保持在最佳状态,保证薄膜的致密度和附着性。
本发明的技术方案:一种非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,包括真空腔和控制柜,真空腔下方设有真空控制柜,控制柜上设有手动操作界面和全自动操作界面,真空腔上设有侧开式炉门,真空控制柜后方设有氩气瓶和氮气瓶,真空控制柜后面设有气体压力表,还内设有气体流量反馈系统与气体压力表相连。由于设有气体流量反馈系统,可以通过辉光放电的光谱信号来确定气体浓度,分析、判断出气体流量速率的调整范围,精确的对气体流量控制器进行调整,使通入气体压力在一个合适的范围内,保证薄膜的致密度和附着性。
前述的非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备中,真空控制柜上设有惰性气体流量计和单色仪,真空腔上方设有真空计。由于设有单色仪可以监控真空室内溅射出的金属,给出信号控制反应气体的流量;由于设有真空计可以将真空室的真空信号传递给真空议。
前述的非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备中,手动操作界面上设有真空议、气体流量控制器、反映气体控制器、手动与自动切换开关和偏压检测器。
前述的非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备中,气体流量反馈系统包括光谱仪、分光计和光谱监视器,光谱仪设于真空腔内,光谱仪与分光计相连,分光计与光谱监视器相连,光谱监视器与气体流量控制器相连。由于设有光谱仪,可以对靶材上的辉光放电产生的光信号进行捕捉;由于设有分光计,可以对光谱进行过滤,保存特征光谱;由于设有光谱监视器,可以将特征光谱的分析结果显示出来,更加清楚的反映调整范围。
前述的非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备中,真空腔内真空度为10-1Pa~10-2Pa。
前述的非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备中,侧开式炉门外设有圆盘把手。由于侧开式炉门上设有圆盘把手,可以使炉门更加方便开启。
前述的非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备中,圆盘把手上上设有锁紧把,圆盘把上还设有观察窗。由于设有观察窗,更加便于真空腔内溅射过程的观察。
前述的非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备中,真空腔内设有支撑平台,支撑平台上方设有工作架,支撑平台下方设有滑动轨道台,滑动导轨台下方设有加热管。由于设有轨道,方便了对工作架的取放。
前述的非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备中,真空腔四周设有磁靶,靶材上设有销钉、靶材把手和冷却水管。由于设有靶材把手方便了靶材的取放,由于设有冷却水管,使靶材工作中可以得到循环冷却。
前述的非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备中,真空控制柜包括扩散泵、罗茨泵和机械泵。为了满足真空室高真空要求,设为三级抽气装置。
前述的非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备中,溅射炉体内额定电压为100V~500V,额定功率为50KW。
与现有技术相比,本发明由于设有气体流量反馈系统,可以通过辉光放电的光谱信号来确定气体浓度,分析、判断出气体流量速率的调整范围,精确的对气体流量控制器进行调整,使通入气体压力在一个合适的范围内,保证薄膜的致密度和附着性;由于设有单色仪可以监控真空室内溅射出的金属,给出信号控制反应气体的流量;由于设有真空计可以将真空室的真空信号传递给真空议;由于设有光谱仪,可以对靶材上的辉光放电产生的光信号进行捕捉;由于设有分光计,可以对光谱进行过滤,保存特征光谱;由于设有光谱监视器,可以将特征光谱的分析结果显示出来,更加清楚的反映调整范围;由于侧开式炉门上设有圆盘把手,可以使炉门更加方便开启;由于设有观察窗,更加便于溅射过程的观察;由于设有轨道,方便了对工作架的取放;由于设有靶材把手方便了靶材的取放,由于设有冷却水管,使靶材工作中可以得到循环冷却;为了满足真空室高真空要求,设为三级抽气装置。
附图说明
图1是本发明的整体结构示意图;
图2是本发明的后视图;
图3是本发明控制柜的结构示意图;
图4是本发明气体反馈系统图;
图5是本发明真空腔上侧开式炉门的结构示意图;
图6是本发明的侧门把手的结构示意图;
图7是本发明的真空腔内部结构示意图;
图8是本发明靶材结构示意图。
附图中的标记为:1-真空腔,2-真空控制柜,3-控制柜,4-手动操作界面,5-全自动操作界面,6-单色仪,7-真空计,8-氩气瓶,9-氮气瓶,10-气体压力表,11-惰性气体流量计,12-真空议,13-气体流量控制器,14-反映气体控制器,15-手动与自动切换开关,16-偏压检测器,17-气体流量反馈系统,18-光谱仪,19-分光计,20-光谱监视器,21-侧开式炉门,22-圆盘把手,23-锁紧把,24-观察窗,25-滑动轨道台,26-加热管,27-支撑平台,28-工作架,29-销钉,30-靶材把手,31-冷却水管,32-靶材。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明,但并不作为对本发明限制的依据。
本发明的实施例1:如图1、图2所示,一种非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,包括真空腔1和控制柜3,真空腔1下方设有真空控制柜2,控制柜3上设有手动操作界面4和全自动操作界面5,真空腔1上设有侧开式炉门23,真空控制柜2后方设有氩气瓶8和氮气瓶9,真空控制柜2后面设有气体压力表10,还内设有气体流量反馈系统16与气体压力表10相连。真空控制柜2包括扩散泵、罗茨泵和机械泵;真空控制柜2上设有惰性气体流量计11和单色仪6;真空腔1上方设有真空计7。真空腔1内真空度为10-1Pa。
如图3所示,手动操作界面4上设有真空议12、气体流量控制开关13、反映气体控制器14、手动与自动切换开关15和偏压检测器16。
如图4所示,气体流量反馈系统17包括光谱仪18、分光计19和光谱监视器20,光谱仪18设于真空腔1内,光谱仪18与分光计19相连,分光计19与光谱监视器20相连,光谱监视器20与气体压力表10相连。
如图5所示,侧开式炉门21外设有圆盘把手22。
如图6所示,圆盘把手上22上设有锁紧把23和观察窗24。
如图7所示,真空腔1内设有支撑平台27,支撑平台上方设有工作架28,支撑平台27下方设有滑动轨道台25,滑动导轨台25下方设有加热管26。
如图8所示,侧开式炉门23处设有靶材32,靶材32上设有销钉29、靶材把手30和冷却水管31。
本发明的实施例2:如图1、图2所示,一种非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,包括真空腔1和控制柜3,真空腔1下方设有真空控制柜2,控制柜3上设有手动操作界面4和全自动操作界面5,真空腔1上设有侧开式炉门23,真空控制柜2后方设有氩气瓶8和氮气瓶9,真空控制柜2后面设有气体压力表10,还内设有气体流量反馈系统16与气体压力表10相连。真空控制柜2包括扩散泵、罗茨泵和机械泵;真空控制柜2上设有惰性气体流量计11和单色仪6;真空腔1上方设有真空计7。真空腔1内真空度为10-1Pa。
如图3所示,手动操作界面4上设有真空议12、气体流量控制开关13、反映气体控制器14、手动与自动切换开关15和偏压检测器16。
如图4所示,气体流量反馈系统17包括光谱仪18、分光计19和光谱监视器20,光谱仪18设于真空腔1内,光谱仪18与分光计19相连,分光计19与光谱监视器20相连,光谱监视器20与气体压力表10相连。
如图5所示,侧开式炉门21外设有圆盘把手22。
如图6所示,圆盘把手上22上设有锁紧把23和观察窗24。
如图7所示,真空腔1内设有支撑平台27,支撑平台上方设有工作架28,支撑平台27下方设有滑动轨道台25,滑动导轨台25下方设有加热管26。
如图8所示,侧开式炉门23处设有靶材32,靶材32上设有销钉29、靶材把手30和冷却水管31。
本发明的实施例3:如图1、图2所示,一种非平衡闭合场磁控溅射离子镀设备,包括真空腔1和控制柜3,真空腔1下方设有真空控制柜2,控制柜3上设有手动操作界面4和全自动操作界面5,真空腔1上设有侧开式炉门23,真空控制柜2后方设有氩气瓶8和氮气瓶9,真空控制柜2后面设有气体压力表10,还内设有气体流量反馈系统16与气体压力表10相连。真空控制柜2包括扩散泵、罗茨泵和机械泵;真空控制柜2上设有惰性气体流量计11和单色仪6;真空腔1上方设有真空计7。真空腔1内真空度为10-2Pa。
如图3所示,手动操作界面4上设有真空议12、气体流量控制开关13、反映气体控制器14、手动与自动切换开关15和偏压检测器16。
如图4所示,气体流量反馈系统17包括光谱仪18、分光计19和光谱监视器20,光谱仪18设于真空腔1内,光谱仪18与分光计19相连,分光计19与光谱监视器20相连,光谱监视器20与气体压力表10相连。
如图5所示,侧开式炉门21外设有圆盘把手22。
如图6所示,圆盘把手上22上设有锁紧把23和观察窗24。
如图7所示,真空腔1内设有支撑平台27,支撑平台上方设有工作架28,支撑平台27下方设有滑动轨道台25,滑动导轨台25下方设有加热管26。
如图8所示,侧开式炉门23处设有靶材32,靶材32上设有销钉29、靶材把手30和冷却水管31。
外形尺寸(长×宽×高):4.0×4.0×2.6m;主机:1.5×1.4×2.4m;控制柜:2.0×0.8×2.2m;制冷机:1.0×0.7×2.0m;额定功:率50KW;额定电压:400V(±10%);炉体实际尺寸(直径×高):Φ700×1000mm;炉腔有效尺寸:Φ500×700mm;炉门开启方式:侧开;炉体冷却方式:水冷;炉体设计允许最大载荷:500Kg;公转台直径:450mm;自转装卡台设计允许最大载荷:100Kg;自转装卡台数量:6;靶位数:4;靶材尺寸(长×宽):725×175mm;高精度测温热电偶数量:2;炉体观察窗数量:3;6KW Advanced Energy PNCL 靶电源(精度±0.01A):4台;10KW Advanced Energy PNCL 偏压电源(精度±1V):1台;机械泵(BOC Edwrds原装泵):E2M40;罗茨泵(BOC Edwrds原装泵):EH500;扩散泵(BOC Edwrds原装泵):B35032978;高真空计:WRG-S;前级真空计:APGX-M-NW16;真空连接锁:IS16K;设计镀膜其实真空度:4.0×10-3Pa;极限真空度:1.4×10-4Pa;冷态漏气率:2.0×10-1Pa/h;抽真空时间(达到镀膜起始真空度):<30min;多通道气体流量控制器((BOC Edwrds原装泵)):4通道;气体质量流量控制器(美国MKS原装,0.1SCCM):3个; PLC(德国Vipa原装,军品级);工业控制计算机(Dell,军品级,DVD刻录);操作系统(中文版WindowsXp Pro);远程控制(附带PC Anyway软件级随机Modem);USP不间断电源(1500W·H);实时控制/数据采集功能。
本发明的工作原理:真空腔1抽至高真空后,打开流量控制器13,通入氩气和氮气,气体压力表10显示真空腔1内气体压力,通过气体流量反馈系统17对真空腔1内的氩气量进行检测,控制氩气流量控制器13,保证真空度在10-1~10-3Pa,溅射靶材施加50-500V的负电压,产生辉光放电,氩离子轰击溅射靶材表面,使溅射靶材原子从靶表面溅射下来,向基片迁移。迁移过程中部分被电离,并在基片负偏压的作用下沉积于基片,形成膜层。镀膜过程中可以通过观察窗进行观察。