CN104141109A - 钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法 - Google Patents

钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104141109A
CN104141109A CN201410276279.6A CN201410276279A CN104141109A CN 104141109 A CN104141109 A CN 104141109A CN 201410276279 A CN201410276279 A CN 201410276279A CN 104141109 A CN104141109 A CN 104141109A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tic
coating
dlc
target
compound coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410276279.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104141109B (zh
Inventor
徐雅柔
杨兵
万强
刘辉东
罗畅
陈燕鸣
梅青松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan University WHU
Original Assignee
Wuhan University WHU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan University WHU filed Critical Wuhan University WHU
Priority to CN201410276279.6A priority Critical patent/CN104141109B/zh
Publication of CN104141109A publication Critical patent/CN104141109A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104141109B publication Critical patent/CN104141109B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法，将Ti靶置于镀膜室内，并通入烃类气体，对镀膜室抽真空并保持100~400℃温度，采用电弧离子镀使Ti离子从Ti靶蒸发出来，同时利用电弧放电离化烃类气体，从而在Ti靶形成TiC掺杂的DLC复合涂层。本发明采用原位合成技术在Ti靶材表面直接发生化学反应形成复合涂层，可显著提高复合涂层成分的均匀性和涂层结合力，且制备过程简单、成本低廉、效率高，在DLC涂层制备中具有良好的应用前景。

Description

钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法
技术领域
本发明属于薄膜材料技术领域，尤其涉及一种钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法。 
背景技术
类金刚石（DLC）膜是一种由sp2键和sp3键组成的混合无序的亚稳态非晶碳膜，而在金刚石中，碳原子以sp3键结合，在石墨中碳原子以sp2键结合。因而类金刚石膜的结构和性能介于金刚石和石墨间，具有高硬度、高弹性模量、高耐磨性、低摩擦系数、优异的耐腐蚀性。类金刚石膜分为含氢非晶碳膜（a-C:H）和无氢非晶碳膜（a-C）。自1971年DLC膜被Aisenberg等采用离子束沉积方法制备后，引起了世界各地研究DLC膜的热潮。目前DLC膜的制备技术包括两大类：化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。CVD包括直接光化学气相沉积法、辉光放电化学气相沉积法和电子回旋共振化学气相沉积法等，CVD多用来制备含H碳膜，但该方法制备的涂层应力较大，生长速率低，对基体材料要求较高。PVD包括离子束沉积法、射频溅射法、真空阴极电弧沉积法、磁过滤阴极电弧沉积法、脉冲激光沉积法等，PVD法具有涂层生长速率高、处理温度较低的优点，目前已越来越多的取代CVD得到广泛应用。制备DLC涂层的物理气相沉积法主要包括磁控溅射法和电弧放电法。相对于磁控溅射法，电弧放电具有离化率很高（大于90%）的优点，因此涂层生长速率更快。 
DLC膜具有良好的力学性能的同时，也具有热稳定性较差以及与基体间结合力小的问题。有研究发现，在300°C以上退火时，DLC即出现了sp3键向sp2键转变；超过400-500°C的高温下，DLC膜甚至会逐渐石墨化直至失效。且研究发现，如果在基体上，尤其是较软基体上直接制备的DLC膜与基体的结合力较差，且内应力较大，薄膜容易在使用中产生裂纹、褶皱，甚至脱落。在改善膜基结合力方面，目前有两类方法：（1）金属元素掺杂类金刚石膜（Me-DLC）和（2）通过界面设计，采用其它材料与DLC形成多层膜结构（产生过渡层）。 
在金属元素掺杂方面，DLC膜中添加高熔点金属元素，能有效地降低DLC膜中内应力，提高膜基结合力及膜的承载能力，同时对磨件的磨损量仍能保持相当小。由于Ti元素与C元素具有很强的亲和力，因此常被用作DLC膜的掺杂元素。随着Ti的掺杂，DLC膜附着力能够得到显著改善，当Ti含量达到25%时，DLC膜附着力接近最大值；之后，随着Ti含量增加，DLC膜附着力反而开始略微降低。 
在设计多层膜结构或产生过渡层方面，广州有色金属研究院在沉积Ti/DLC多层膜之前，先在Si基片上沉积Ti/TiCN/TiC梯度过渡层，然后采用HH-3000型划痕测试仪测量膜基结合力，分析得知，随着梯度过渡层厚度增加，膜基间结合力也增加，在磨具上沉积此DLC膜的结合强度能达到44-74N。马峰等人采用非平衡磁控溅射及等离子体混合注入方法在奥氏体不锈钢1Cr18Ni9Ti基体上制备了N/TiN/Ti(N,C)/DLC梯度膜，由实验数据和理论计算得，与普通DLC膜相比，N/TiN/Ti(N,C)/DLC多层膜的膜基界面结合强度会显著提高，但利用该方法沉积多层膜时需要两个及以上靶材，且涉及反应气体种类繁杂，实验过程复杂，成本较高，不利于工业化的大规模应用。 
为此我们需要寻找一种成本较低、制备过程简便、沉积速率较快，且制备DLC涂层力学性能、附着力、均匀性均较好的方法。 
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明利用靶中毒过程以及Ti元素与C元素间的极强亲和力，提出一种钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法，该方法成本低廉、简便易操作、合成效率高，适于工业化生产；且合成涂层具有优良的结合力和均匀性。 
靶中毒是常规电弧放电制备涂层过程中的需要尽量避免的现象，所谓的靶中毒是指活性反应气体粒子与靶面蒸发出的原子相碰撞产生化学反应在靶面生成化合物。但是本发明就是利用靶中毒过程，并利用Ti元素与C元素间的极强亲和力，Ti靶面蒸发的Ti靶原子与活性反应气体子在Ti靶表面反应，原位合成TiC-DLC复合涂层。因此制备的TiC-DLC复合涂层具有结合力好、均匀性高、反应速率快的优点。且该方法制备过程简单，成本较低，明显优于常规的磁控溅射和电弧放电法，在DLC涂层制备中具有良好的应用前景。 
为解决上述技术问题，本发明采用如下的技术方案： 
钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法，将Ti靶置于镀膜室内，并通入烃类气体，对镀膜室抽真空并保持100~400℃温度，采用电弧离子镀使Ti离子从Ti靶蒸发出来，同时利用电弧放电离化烃类气体，从而在Ti靶形成TiC掺杂的DLC复合涂层。
作为优选，烃类气体为乙炔。 
作为优选，合成时镀膜室内保持150-300℃温度。 
上述Ti靶装入镀膜室前，对Ti靶材采用丙酮超声清洗，并烘干。 
上述乙炔气体通入流量为50-500sccm，合成时间20-60分钟，Ti靶电流为50安培。 
上述Ti靶为为圆盘状，底面直径100mm，厚7.5mm。 
  
以Ti靶为阴极，引弧针为阳极，阴极电弧放电在1-3Pa条件下进行，在合成时间为20分钟时，乙炔气体通入流量在50-200sccm范围时，随着乙炔气体通入流量增加，复合涂层中TiC含量逐渐升高；乙炔气体通入流量大于200sccm时，TiC含量基本保持不变，复合涂层中C含量控制在10-40at.%，涂层内TiC和DLC晶粒尺寸控制在45-80nm，但晶粒尺寸随乙炔气体通入流量增大而减小。DLC相中sp2/sp3比值在乙炔气体通入流量为300sccm时达到最大，随乙炔气体通入流量增大DLC相中sp2/sp3比值先增大后减小。
当乙炔气体通入流量为400sccm，合成时间在20-60分钟范围时，金属碳化物含量和涂层内晶粒尺寸大小都基本保持不变，分别约为40at.%和50nm。DLC相中的sp2/sp3比值在40分钟时达到最小，趋势为随合成时间的延长而先减小后增大。 
  
本发明利用高密度电弧离子镀法在Ti靶表面原位合成TiC-DLC复合涂层，首先，利用电弧离子镀的高离子化率把Ti离子从Ti靶上蒸发出来，同时利用电弧放电产生的强等离子体离化通入真空室内的乙炔，把乙炔离化成C离子和H离子。C离子和Ti离子反应生成TiC，再利用Ti与C间的强亲和力，在TiC相间合成DLC相。通过控制乙炔流量可直接控制涂层中TiC和DLC的含量及晶粒大小，以及DLC相中sp2键和sp3键的相对含量；通过控制合成时间可改变DLC相中sp2键和sp3键的相对含量；通过选择工艺参数，可制备不同微结构的TiC-DLC复合涂层。
和现有技术相比，本发明具有如下优点： 
（1）制备过程简单，只需采用一个Ti靶，一种反应气体，不需制备过渡层等结构，降低了制备复杂度和成本。
（2）采用原位合成技术在Ti靶材表面直接发生化学反应形成复合涂层，可显著提高复合涂层成分的均匀性和涂层结合力。 
（3）采用电弧离子方法，离化率高，涂层生长速率快，涂层厚度可达十几微米。 
    本发明的应用前景： 
由于类金刚石涂层的优越性能，使其在机械加工、电声学、防腐蚀、生物医学、光学、半导体、航空航天等领域具有良好的应用前景。采用电弧离子镀在Ti靶上原位合成TiC-DLC复合涂层不但可克服涂层和基体间的结合力问题，同时又继承了普通阴极电弧放电法沉积速率快、离化率高等特点，使涂层的附着力、均匀性等优于常规的磁控溅射法和电弧放电法，在DLC涂层制备中具有良好的应用前景。
附图说明
图1为实施例中采用的镀膜系统示意图，图中，1-加热器，2-抽真空口，3-Ti靶，4-磁铁，5-镀膜室，6-炉门； 
图2为实施例1制得的TiC-DLC复合涂层的表面扫描电镜（SEM）图；
图3为实施例1制得的TiC-DLC复合涂层的截面扫描电镜（SEM）图； 
图4为实施例1制得的TiC-DLC复合涂层的Raman图，图（a）和（b）为实施例1制得的TiC-DLC复合涂层在不同的拉曼位移范围下的Raman图；图（c）为实施例1制得的TiC-DLC复合涂层中DLC相的ID/IG比随乙炔流量的变化曲线；
图5为实施例1制得的TiC-DLC复合涂层的XRD图； 
图6为实施例2制得的TiC-DLC复合涂层的表面扫描电镜（SEM）图；
    图7为实施例2制得的TiC-DLC复合涂层的Raman图，图（a）和（b）为实施例2制得的TiC-DLC复合涂层在不同的拉曼位移范围下的Raman图；图（c）为实施例2制得的TiC-DLC复合涂层中DLC相的ID/IG比随乙炔流量的变化曲线；
图8为实施例2制得的TiC-DLC复合涂层的XRD图；
图9为实施例1和实施例2制得的TiC-DLC复合涂层晶粒尺寸曲线，其中，图（a）为实施例1制得的TiC-DLC复合涂层晶粒尺寸曲线，图（b）为实施例2制得的TiC-DLC复合涂层晶粒尺寸曲线。
具体实施方式
图1为实施例采用的镀膜系统结构示意图，本镀膜系统为开门式真空设备，镀膜室5由炉壁围成，高0.5~1.5米，体积50×50×50 cm。镀膜室5设有炉门6，以方便靶材装卸。镀膜室5设有抽真空口2，抽真空机组通过抽真空口2对镀膜室进行抽真空，抽真空机组由机械泵和分子泵组成，极限真空可达到8×10-4Pa。镀膜室5右侧炉壁装有接负极的纯Ti靶3，Ti靶电流在20~170A内可调，通过Ti靶后装的磁铁4产生磁场控制电弧运动；镀膜室内壁设有接正极的引弧针用来实现电弧放电。镀膜室5内装有两个对称分布的加热器1，用于加热真空室5。工作气体为乙炔，由质量流量计控制通入流量。 
以下结合实施例对本发明技术方案作进一步说明。 
实施例1 
镀膜室内通入乙炔气体，利用电弧离子镀的高离子化率把Ti离子从Ti靶蒸发出来，同时利用电弧放电产生的强等离子体离化通入真空室的乙炔，把乙炔解离成C离子和H离子。C离子和Ti离子在Ti靶表面反应生成TiC；由于Ti与C间的强亲和力，最后TiC相间会形成DLC相，从而获得碳化钛掺杂的类金刚石膜。
本实施例中，Ti靶数量为1个，为圆盘状，底面直径100mm，厚度7.5mm；乙炔气体通入流量分别为50sccm、100sccm、200sccm、300sccm、400sccm和500sccm，Ti靶阴极放电条件为1~3Pa，电流为50安培；合成时间20分钟，合成温度150~300℃。 
制得的TiC-DLC复合涂层的表面SEM图和截面SEM图分别见图2~3，图2和图3中的图（a）~（f）分别为50sccm、100sccm、200sccm、300sccm、400sccm和500sccm的乙炔流量下制备的复合涂层SEM图，从图2中可以看出涂层表面生成了片层状涂层，且随乙炔流量增加，涂层覆盖面积越来越大，均匀性较高。从图3中可以看出，随乙炔流量增加，涂层厚度逐渐变厚，范围为7~14微米。 
图4为本实施例制备的TiC-DLC复合涂层的拉曼图，从图中可以看出复合涂层中TiC相和DLC相并存。 
图5为本实施例制备的TiC-DLC复合涂层的XRD图，从图中可以看出，随乙炔流量增加，除了靶材本身的α-Ti相外，涂层中生成了TiC相，且TiC相含量逐渐增加。 
图9（a）为本实施例制备的TiC-DLC复合涂层晶粒尺寸曲线，从图中可以看出，随着乙炔流量增加，TiC晶粒尺寸先从80nm减至45nm，然后稳定在45~50nm。 
根据上述数据，可获得如下规律： 
当乙炔气体通入流量在50~200sccm范围时，随着乙炔气体通入流量增加，TiC-DLC复合涂层中TiC含量逐渐升高；在乙炔气体通入流量大于200sccm后，随着乙炔气体通入流量增加，TiC-DLC复合涂层中TiC含量基本保持不变，TiC-DLC复合涂层中C量可控制在10~43at.%范围。TiC和DLC晶粒尺寸控制于45-80nm范围，随乙炔气体通入流量的增大而减小，然后趋于稳定。DLC相中的sp2/sp3比值在乙炔气体通入流量为300sccm时达到最大，趋势为sp2/sp3比值随乙炔气体通入流量的增大先增大后减小。
实施例2 
镀膜室内通入乙炔气体，利用电弧离子镀的高离子化率把Ti离子从Ti靶蒸发出来，同时利用电弧放电产生的强等离子体离化通入真空室的乙炔，把乙炔解离成C离子和H离子。C离子和Ti离子在Ti靶表面反应生成TiC；由于Ti与C间的强亲和力，最后TiC相间会形成DLC相，从而获得碳化钛掺杂的类金刚石膜。
本实施例中，Ti靶数量为1个，为圆盘状，底面直径100mm，厚度7.5mm；乙炔气体通入流量为400sccm；Ti靶阴极放电条件为1~3Pa，电流为50安培；合成时间分别为20、30、40、50和60分钟，合成温度150-300℃。 
制得的TiC-DLC复合涂层的表面SEM图见图6，图（a）~（e）分别为20分钟、30分钟、40分钟、50分钟和60分钟的合成时间下制备的复合涂层SEM图，从SEM图中可以看出涂层表面生成了较厚的片层状涂层，且涂层表面较为光洁没有颗粒污染。 
图7~8分别为本实施例制备的TiC-DLC复合涂层的拉曼图和XRD图，图9（b）为本实施例制备的TiC-DLC复合涂层晶粒尺寸曲线。从图7中可以看出，随着合成时间变化，涂层中TiC相和DLC相的相对含量基本不变，C含量基本保持40at.%，从图7（c）中可看出DLC相中sp2/sp3比值在合成时间40分钟时达到最小，该比值随合成时间延长而先减小后增大。从图8中可以看出，随着合成时间增加，TiC相含量无显著变化。从图9（b）中可以看出，随合成时间增加，TiC晶粒稳定在50nm左右，变化较小。 

Claims (6)

1.钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法，其特征在于：
Ti靶置于镀膜室内，通入烃类气体，对镀膜室抽真空并保持100~400℃温度，采用电弧离子镀使Ti离子从Ti靶蒸发出来，同时利用电弧放电离化烃类气体，从而在Ti靶形成TiC掺杂的DLC复合涂层。
2.如权利要求1所述的钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法，其特征在于：
所述的烃类气体为乙炔。
3.如权利要求1所述的钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法，其特征在于：
所述的镀膜室内保持150-300℃温度。
4.如权利要求1所述的钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法，其特征在于：
所述的Ti靶装入镀膜室前，对Ti靶采用丙酮超声清洗，并烘干。
5.如权利要求1所述的钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法，其特征在于：
所述的烃类气体的通入流量50-500sccm。
6.如权利要求1所述的钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法，其特征在于：
所述的合成时间为20~60分钟。
CN201410276279.6A 2014-06-19 2014-06-19 钛金属表面原位合成TiC‑DLC复合涂层的方法 Expired - Fee Related CN104141109B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410276279.6A CN104141109B (zh) 2014-06-19 2014-06-19 钛金属表面原位合成TiC‑DLC复合涂层的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410276279.6A CN104141109B (zh) 2014-06-19 2014-06-19 钛金属表面原位合成TiC‑DLC复合涂层的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104141109A true CN104141109A (zh) 2014-11-12
CN104141109B CN104141109B (zh) 2017-02-15

Family

ID=51850441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410276279.6A Expired - Fee Related CN104141109B (zh) 2014-06-19 2014-06-19 钛金属表面原位合成TiC‑DLC复合涂层的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104141109B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105369199A (zh) * 2015-10-15 2016-03-02 南京理工大学 一种耐摩擦磨损抗腐蚀碳基薄膜的制备方法
CN105385999A (zh) * 2015-11-25 2016-03-09 哈尔滨工业大学 延长镜头模具钢循环使用寿命的方法
CN106435506A (zh) * 2015-12-24 2017-02-22 北京师范大学 一种解决发动机活塞拉缸的方法
CN106978593A (zh) * 2017-03-31 2017-07-25 湘潭大学 一种顶面为钛掺杂类金刚石多层隔热厚膜的活塞及其制备方法和应用
CN108060398A (zh) * 2017-11-01 2018-05-22 上海交通大学 一种燃料电池复合纳米涂层及其镀制方法
CN108330445A (zh) * 2018-03-09 2018-07-27 中国地质大学（北京） 一种冲孔针头表面多弧离子镀掺杂钛的类金刚石膜的方法
CN111334794A (zh) * 2020-03-09 2020-06-26 中国科学院海洋研究所 一种在基体表面沉积含Ti过渡层及钛掺杂类金刚石的改性薄膜及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1772532A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-11 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Metal composite diamond-like carbon (DLC) film. Method and apparatus for forming the same and slide member making use of it.
CN101113516A (zh) * 2007-08-31 2008-01-30 武汉大学 一种纳米复合类金刚石涂层制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1772532A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-11 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Metal composite diamond-like carbon (DLC) film. Method and apparatus for forming the same and slide member making use of it.
CN101113516A (zh) * 2007-08-31 2008-01-30 武汉大学 一种纳米复合类金刚石涂层制备方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105369199A (zh) * 2015-10-15 2016-03-02 南京理工大学 一种耐摩擦磨损抗腐蚀碳基薄膜的制备方法
CN105385999A (zh) * 2015-11-25 2016-03-09 哈尔滨工业大学 延长镜头模具钢循环使用寿命的方法
CN105385999B (zh) * 2015-11-25 2018-03-30 哈尔滨工业大学 延长镜头模具钢循环使用寿命的方法
CN106435506A (zh) * 2015-12-24 2017-02-22 北京师范大学 一种解决发动机活塞拉缸的方法
CN106435506B (zh) * 2015-12-24 2019-03-29 北京师范大学 一种解决发动机活塞拉缸的方法
CN106978593A (zh) * 2017-03-31 2017-07-25 湘潭大学 一种顶面为钛掺杂类金刚石多层隔热厚膜的活塞及其制备方法和应用
CN106978593B (zh) * 2017-03-31 2019-03-22 湘潭大学 一种顶面为钛掺杂类金刚石多层隔热厚膜的活塞及其制备方法和应用
CN108060398A (zh) * 2017-11-01 2018-05-22 上海交通大学 一种燃料电池复合纳米涂层及其镀制方法
CN108330445A (zh) * 2018-03-09 2018-07-27 中国地质大学（北京） 一种冲孔针头表面多弧离子镀掺杂钛的类金刚石膜的方法
CN108330445B (zh) * 2018-03-09 2020-03-31 中国地质大学（北京） 一种冲孔针头表面多弧离子镀掺杂钛的类金刚石膜的方法
CN111334794A (zh) * 2020-03-09 2020-06-26 中国科学院海洋研究所 一种在基体表面沉积含Ti过渡层及钛掺杂类金刚石的改性薄膜及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104141109B (zh) 2017-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104141109A (zh) 钛金属表面原位合成TiC-DLC复合涂层的方法
Alami et al. High power pulsed magnetron sputtering: Fundamentals and applications
Chang et al. Effect of duty cycles on the deposition and characteristics of high power impulse magnetron sputtering deposited TiN thin films
CN107620033B (zh) 一种高纯强致密max相涂层的制备方法
CN103668095B (zh) 一种高功率脉冲等离子体增强复合磁控溅射沉积装置及其使用方法
Lin et al. Structure and properties of Cr2O3 coatings deposited using DCMS, PDCMS, and DOMS
CN107142463B (zh) 一种等离子体化学气相沉积与磁控溅射或离子镀复合的镀覆方法
JP5856148B2 (ja) 混合結晶層を蒸着するためのｐｖｄハイブリッド法
Tan et al. Comparison of chromium nitride coatings deposited by DC and RF magnetron sputtering
Zhang et al. Recent progress on high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS): The challenges and applications in fabricating VO2 thin film
CN104213076A (zh) Pvd与hipims制备超硬dlc涂层方法及设备
JP2020023754A (ja) 基板上に金属ホウ炭化物層を製造する方法
CN101701332B (zh) 中频磁控辉光放电法制备复合类金刚石涂层的方法
Wu et al. Effects of magnetic field strength and deposition pressure on the properties of TiN films produced by high power pulsed magnetron sputtering (HPPMS)
CN102409293A (zh) 一种氧化铝薄膜的制备方法
Sønderby et al. Industrial-scale high power impulse magnetron sputtering of yttria-stabilized zirconia on porous NiO/YSZ fuel cell anodes
CN107937873A (zh) 碳掺杂的过渡金属硼化物涂层、碳‑过渡金属硼化物复合涂层、制备方法及应用和切削工具
CN108118304A (zh) 纳米复合涂层及其制备工艺
Li et al. Facilitating complex thin film deposition by using magnetron sputtering: a review
CN102943240A (zh) 一种多功能等离子体增强涂层系统
CN111575652A (zh) 真空镀膜设备及真空镀膜方法
Xie et al. Deposition of titanium films on complex bowl-shaped workpieces using DCMS and HiPIMS
CN104532190A (zh) 一种Zr-Cu金属玻璃薄膜的制备方法
CN100395371C (zh) 微波等离子体增强弧辉渗镀涂层的装置及工艺
Lin et al. Effects of the magnetic field strength on the modulated pulsed power magnetron sputtering of metallic films

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170215

Termination date: 20210619