CN102655206B - 电能产生器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种电能产生器，包括多个纳米线、半导体层和接触层。多个纳米线由具有压电特性的半导体材料形成。每个纳米线的一端设置在半导体层上并与半导体层形成p?n结。每个纳米线的另一端接触由具有金属?绝缘体转变(MIT)特性的材料形成的该接触层。
Description
技术领域
本发明涉及电能产生器，更具体地，涉及能够将阳光和机械振动能转变成电能的混合电能产生器。
背景技术
光生伏打(photovoltaic)(太阳能电池)系统是将太阳能转变为电能并通常包括p型半导体材料和n型半导体材料的装置。当光直接照射到太阳能电池上时，太阳能电池中产生电子和空穴。所产生的电子和空穴分别移动到n型电极和p型电极，由此产生电能。近来，已经对用于太阳能电池系统的纳米结构例如纳米线的使用进行了研究以提高太阳能电池的效率。
混合电能产生器，例如根据周围环境选择性地将阳光或机械振动转变为电能的混合电能产生器，近来得到发展。对混合电能产生器的关注持续增加。混合电能产生器可具有其中光生伏打元件和压电元件集成在一起的结构，从而光生伏打效应和压电效应可一起或单独产生。在混合电能产生器中，可通过利用两种不同的能量产生方法产生电能，即，光生伏打方法和压电方法。然而，光生伏打方法所希望的电极接触特性不同于压电方法所希望的电极接触特性。一般而言，光生伏打方法要求欧姆接触特性，而压电方法要求肖特基接触特性。因此，在混合电能产生器中，光生伏打元件需要欧姆接触，压电元件需要肖特基接触，从而高效率地产生电能。
发明内容
本发明提供混合电能产生器，用于有效地将太阳光和机械振动转变为电能。
额外的方面将在下面的说明中部分地阐述，且部分地将从该说明变得显然，或者可通过所给出的实施例的实践而习得。
因此，根据本发明的一方面，一种电能产生器包括：第一基板；第二基板，距离所述第一基板预定距离设置；多个细长部件，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，其中所述多个细长部件中的至少一个由压电材料形成；及接触层，设置在所述第二基板上，其中所述接触层由具有金属-绝缘体转变(MIT)特性的材料形成。所述多个细长部件的所述至少一个的第一端可与所述接触层形成接触。
所述多个细长部件中的所述至少一个的第二端可与所述第一基板形成p-n结。
所述多个细长部件可以是纳米线。所述接触层的MIT特性可以温度变化为基础。
所述细长部件的所述第一端和所述接触层之间的所述接触在高于预定温度的温度可以是欧姆接触。所述细长部件的所述第一端和所述接触层之间的所述接触在低于预定温度的温度可以是肖特基接触。
所述接触层可包括钒氧化物。所述接触层可形成在由可变形材料形成的透明基板上。
所述纳米线可包括锌氧化物(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)或聚偏氟乙烯(PVDF)。
所述第一基板可以是包括无机材料和有机材料至少之一的半导体层。
所述细长部件可以是由n型半导体材料形成的纳米线，且与所述纳米线的所述第二端形成p-n结的所述第一基板可以是由p型半导体材料形成的半导体层。或者，所述细长部件可以是由p型半导体材料形成的纳米线，且与所述纳米线的所述第二端形成p-n结的所述第一基板可以是由n型半导体材料形成的半导体层。
所述多个细长部件可基本垂直于所述第一基板和所述第二基板之一排列或相对所述第一基板和所述第二基板之一以预定角度排列。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的说明，这些和/或其它方面将变得明显并更易于理解，附图中：
图1是根据本发明一示范实施例的电能产生器的透视图；
图2是沿图1所示的II-II’线截取的剖视图；
图3是当通过利用阳光方式的光生伏打方法产生电能时，图1所示的电能产生器的剖视图；
图4是当通过利用机械振动方式的压电方法产生电能时，图1所示的电能产生器的剖视图；及
图5是曲线图，示出VO2薄膜的电阻值随不同温度的变化。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，附图中示出实施例的示例，其中相似的附图标记始终表示相似的元件。对此而言，此处实施例可具有不同形式且不应解释为局限于这里阐述的说明。因此，下面仅参照附图描述实施例以解释该说明书的各方面。
图1是根据本发明一示范实施例的电能产生器的透视图。图2是沿图1所示的II-II’线截取的剖视图。
参照图1和图2，第一基板110和第二基板150以预定距离彼此分开。半导体层120可形成在作为下基板的第一基板110上。多个细长部件130可具有大于约20的长宽比。作为示例，细长部件130可以是多个可与半导体层120形成p-n结的纳米线130。半导体层120可由p型半导体材料或n型半导体材料形成。作为示例，半导体层120可由III-V族半导体材料(例如氮化镓(GaN))或II-VI族半导体材料形成。也可以利用上述半导体材料之外的各种材料形成半导体层120。例如，层120可以由无机材料和有机材料的至少一种形成。
参照图1和图2，纳米线130形成在半导体层120上。纳米线130可规则地间隔开，如图1和图2所示，或者不规则地间隔开(未示出)。半导体层120上的纳米线130可垂直于层120的顶表面排列或者相对于半导体层120以不同于90度的角(未示出)排列。与半导体层120具有p-n结的纳米线130可利用光生伏打特性将太阳能转变成电能，也能够利用压电特性将机械振动能转变为电能。这样，具有压电特性的纳米线130可由n型半导体材料或p型半导体材料形成。更详细地，当纳米线130由n型半导体材料形成时，半导体层120可由p型半导体材料形成。另一方面，当纳米线130由p型半导体材料形成时，半导体层120可由n型半导体材料形成。例如，半导体层120可以由p型GaN形成，而纳米线130可由n型氧化锌(ZnO)形成。或者，纳米线130可包括例如锆钛酸铅(PZT)或聚偏氟乙烯(PVDF)。用于纳米线130的材料不限于上述材料，纳米线130可包括其它各种具有压电特性的半导体材料。
参照图1和图2，接触层140可形成在第二基板150之下。第二基板150可由例如可变形的透明材料形成。更详细地，第二基板150可包括例如聚醚砜(PES)。还可能的是，第二基板150包括各种其它材料。接触层140形成在第二基板150之下并接触纳米线130的上部分。接触层140可由其与纳米线130的接触特性可以在不同条件下改变的材料形成。更详细地，接触层140可由具有Mott转变特性(即，金属-绝缘体转变(MIT)特性)的材料形成。
根据图1和图2所示的本发明的一示范实施例，接触层140可由具有MIT特性的材料形成，其中接触特性相对于温度改变而变化。例如，接触层140在预定温度之上的温度具有金属特性，因此当温度高于预定温度时，在接触层140和纳米线130之间形成欧姆接触。另一方面，接触层140可在低于预定温度的温度具有绝缘体特性，因此当温度低于预定温度时，接触层140和纳米线130之间的接触可形成肖特基接触。具有MIT特性的材料的示例是钒氧化物材料，例如VO2或V2O5。在钒氧化物材料中，在从约40℃至约70℃的范围内的温度下可发生MIT。MIT的温度范围可取决于钒氧化物的组成。钒氧化物是可用于当前示范实施例的材料之一。接触层140可由相对于温度改变具有MIT特性的任何材料形成。
图5是曲线图，示出VO2薄膜的电阻值相对于温度改变的变化。当温度从约30℃变化到约90℃时，具有100nm的厚度的VO2薄膜的电阻值发生改变。参照图5，VO2薄膜的电阻值在从约50℃至约60℃的温度范围内改变约103倍。当温度在高于约55℃的范围时，VO2薄膜以金属特性表现出非常低的电阻值。然而，当温度在低于约55℃的范围时，VO2薄膜以绝缘体特性表现出非常高的电阻值。在此情况下，预定温度可为约55℃，越过此温度发生金属-绝缘体转变(MIT)。因此，当接触层140由VO2薄膜形成时，在接触层140具有金属特性的高于约55℃的温度，欧姆接触可形成在接触层140和纳米线130之间。另一方面，在接触层140具有绝缘体特性的低于约55℃的温度，肖特基接触可形成在接触层140和纳米线130之间。
图3是当通过利用阳光方式的光生伏打方法产生电能时，图1所示的电能产生器的剖视图。在高于预定温度的温度，欧姆接触可形成在接触层140和纳米线130之间的界面140a处，且电能产生器可将太阳能转变为电能。更详细地，当接触层140由例如VO2薄膜形成时，在高于约55℃的温度，欧姆接触可形成在接触层140和纳米线130之间的界面140a处。在此情况下，外部太阳光透过可由透明材料形成的第二基板150提供。电子和空穴可分开并然后从由半导体层120和纳米线130形成的p-n结迁移，由此获得电能。
图4是当通过利用机械振动方式的压电方法产生电能时，图1所示的电能产生器的剖视图。在低于预定温度的温度，肖特基接触可形成在接触层140和纳米线130之间的界面140a处，且电能产生器可将机械振动能转变为电能。更详细地，当接触层140由例如VO2薄膜形成时，在低于约55℃的温度，肖特基接触可形成在接触层140和纳米线130之间的界面140a处。在此情况下，第二基板150可通过外部机械力振动(vibration)，于是由于接触层140和纳米线130之间产生的摩擦而可以产生电能。当接触层140相对于纳米线130移动时，与接触层140具有界面140a的纳米线130上部可由于接触层140的水平和/或垂直移动而经历变形(例如，弯曲)。因此，通过重复地施加应力，第二基板150的振动可重复地在纳米线130的上部引起变形和松弛过程。该上部上的重复的变形和松弛过程可产生每个纳米线130的上部和下部之间的电势差，由于该电势差的存在，这可以引起电子流动并因而产生电能。
根据本发明的示范实施例，接触层140可由具有基于温度变化的MIT特性的材料形成。形成在接触层140和纳米线130之间的接触的特性可随着改变温度而变化。这样，当接触层140在高于预定温度的温度具有欧姆接触时，太阳能可转变为电能。当接触层140在低于预定温度的温度具有肖特基接触时，机械振动能可转变为电能。因此，不同类型的外部能可有效地转变为电能。
如上所述，根据本发明上述一个或更多实施例，形成在纳米线和接触层之间的欧姆接触或肖特基接触可相对于温度而改变。这样，太阳能或机械振动能可有效地转变为电能。
应该理解这里描述的示范实施例应当仅在说明意义上考虑而不是用于限制目的。每个实施例中的特征或方面的描述应当通常认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。而且，由于本领域技术人员可易于进行各种变型和改变，因此不希望本发明限制于所示出和描述的确切构造和操作，相应地，所有适合的变型和等效物意图落在要求保护的本发明的范围内。
Claims (13)
1.一种电能产生器，包括：
第一基板；
第二基板，距离所述第一基板预定距离设置；
多个细长部件，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，其中所述多个细长部件中的至少一个由压电材料形成；及
接触层，设置在所述第二基板上，
其中所述接触层由具有金属-绝缘体转变特性的材料形成，且
其中所述多个细长部件中的所述至少一个的第一端与所述接触层形成接触。
2.如权利要求1的电能产生器，其中所述多个细长部件中的所述至少一个的第二端与所述第一基板形成p-n结。
3.如权利要求1的电能产生器，其中所述多个细长部件是纳米线。
4.如权利要求1的电能产生器，其中所述接触层的金属-绝缘体转变特性是以温度变化为基础的。
5.如权利要求4的电能产生器，其中所述细长部件的所述第一端和所述接触层之间的所述接触在高于预定温度的温度是欧姆接触。
6.如权利要求4的电能产生器，其中所述细长部件的所述第一端和所述接触层之间的所述接触在低于预定温度的温度是肖特基接触。
7.如权利要求4的电能产生器，其中所述接触层包括钒氧化物。
8.如权利要求1的电能产生器，其中所述接触层形成在由可变形材料形成的透明基板上。
9.如权利要求3的电能产生器，其中所述纳米线包括锌氧化物、锆钛酸铅或聚偏氟乙烯。
10.如权利要求1的电能产生器，其中所述第一基板是包括无机材料和有机材料至少之一的半导体层。
11.如权利要求2的电能产生器，其中所述细长部件是由n型半导体材料形成的纳米线，且
其中与所述纳米线的所述第二端形成p-n结的所述第一基板是由p型半导体材料形成的半导体层。
12.如权利要求2的电能产生器，其中所述细长部件是由p型半导体材料形成的纳米线，且
其中与所述纳米线的所述第二端形成p-n结的所述第一基板是由n型半导体材料形成的半导体层。
13.如权利要求1的电能产生器，其中所述多个细长部件垂直于所述第一基板和所述第二基板之一排列或相对所述第一基板和所述第二基板之一以预定角度排列。
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| US9837933B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-12-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Energy harvester using mass and mobile device including the energy harvester |
| CN103426938B (zh) * | 2013-07-25 | 2015-12-02 | 苏州大学 | 一种新型结构的硅纳米材料太阳能电池及其制备方法 |
| CN106253745A (zh) * | 2016-08-22 | 2016-12-21 | 苏州聚冠复合材料有限公司 | 一种3d打印微纳可穿戴式纳米发电机 |
| CN106571405B (zh) * | 2016-11-01 | 2018-04-03 | 华南师范大学 | 一种带有GaN纳米线阵列的紫外探测器及其制作方法 |
| KR102059087B1 (ko) * | 2017-05-19 | 2019-12-24 | 성균관대학교산학협력단 | 에너지 변환 소재 |
| CN107171597B (zh) * | 2017-06-14 | 2019-04-02 | 浙江理工大学 | 一种热电压电装置控制系统 |
| CN107527962B (zh) * | 2017-08-07 | 2019-02-26 | 北京工业大学 | 一种高感光面积的斜向ZnO纳米线/GaN异质结太阳能电池 |
| US11283003B2 (en) * | 2019-04-08 | 2022-03-22 | Ramin Sadr | Green energy harvesting methods for novel class of batteries and power supplies |
| US11664758B2 (en) * | 2019-10-10 | 2023-05-30 | University Of Louisiana At Lafayette | Photopiezoelectric panel |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101920995A (zh) * | 2009-06-16 | 2010-12-22 | 索尼公司 | 二氧化钒纳米线及其制备方法以及使用二氧化钒纳米线的纳米线装置 |
| EP2290718A2 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for generating electrical energy and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6621083B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-09-16 | Honeywell International Inc. | High-absorption wide-band pixel for bolometer arrays |
| KR100593264B1 (ko) | 2003-06-26 | 2006-06-26 | 학교법인 포항공과대학교 | ｐ-타입 반도체 박막과 ｎ-타입 산화아연(ＺｎＯ)계나노막대의 이종접합 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한소자 |
| JP2005268578A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Toudai Tlo Ltd | サーミスタ素子 |
| KR100695150B1 (ko) * | 2005-05-12 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 금속-절연체 변환 물질을 이용한 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US8330154B2 (en) | 2005-12-20 | 2012-12-11 | Georgia Tech Research Corporation | Piezoelectric and semiconducting coupled nanogenerators |
| WO2008140611A2 (en) * | 2006-12-18 | 2008-11-20 | The Regents Of The University Of California | Nanowire array-based light emitting diodes and lasers |
| JP5837299B2 (ja) | 2007-05-17 | 2015-12-24 | ユニバーシティ オブ カンタベリー | コンタクトおよび作製方法 |
| KR20090049008A (ko) | 2007-11-12 | 2009-05-15 | 한국전자통신연구원 | 금속-절연체 전이（ｍｉｔ）소자를 이용한 트랜지스터발열제어 회로 및 그 발열제어 방법 |
| US8350252B2 (en) * | 2008-03-14 | 2013-01-08 | University Of Connecticut | Boundary-modulated nanoparticle junctions and a method for manufacture thereof |
| US7705523B2 (en) | 2008-05-27 | 2010-04-27 | Georgia Tech Research Corporation | Hybrid solar nanogenerator cells |
| KR101524766B1 (ko) * | 2008-08-07 | 2015-06-02 | 삼성전자주식회사 | 전기 에너지 발생 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101454686B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2014-10-28 | 삼성전자주식회사 | 에너지 변환 장치 및 방법 |
| US8354776B2 (en) * | 2008-12-22 | 2013-01-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for generating electrical energy and method for manufacturing the same |
| US8304759B2 (en) * | 2009-06-22 | 2012-11-06 | Banpil Photonics, Inc. | Integrated image sensor system on common substrate |
| US8344597B2 (en) | 2009-10-22 | 2013-01-01 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Matrix-assisted energy conversion in nanostructured piezoelectric arrays |
-
2011
- 2011-03-03 KR KR1020110019092A patent/KR101713280B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-02-14 US US13/396,208 patent/US8975805B2/en active Active
- 2012-02-17 JP JP2012032795A patent/JP6049271B2/ja active Active
- 2012-02-17 CN CN201210037452.8A patent/CN102655206B/zh active Active
- 2012-03-01 EP EP12157643.3A patent/EP2495777B1/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101920995A (zh) * | 2009-06-16 | 2010-12-22 | 索尼公司 | 二氧化钒纳米线及其制备方法以及使用二氧化钒纳米线的纳米线装置 |
| EP2290718A2 (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for generating electrical energy and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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