CN102633917A - 干燥氯化聚乙烯用连续闪蒸式沸腾干燥床 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种干燥氯化聚乙烯用连续闪蒸式沸腾干燥床，其能有效防止氯化聚乙烯软化结块、生产周期短、劳动强度小、能耗低且易于实现自动化操作。
Description
技术领域
本发明涉及一种氯化聚乙烯干燥设备。
背景技术
在氯化聚乙烯的生产过程中，目前的干燥工艺主要采用气流干燥加间歇式流化床干燥，具体为，离心后的物料通过加料器进入气流干燥管中，空气通过换热器由蒸汽加热后进入气流干燥管的底部，高速的热气流使加入的粉粒状湿物料加速并分散地悬浮在气流中，在气流加速和输送的过程中完成对湿物料表面水分的干燥，表面水分部分被除掉的物料进入流化床干燥器中，空气通过换热器由蒸汽加热后送入流化床底部经分布板与固体物料接触，形成流化态，达到气固相的热质交流；采用此种方式干燥氯化聚乙烯虽能达到产品要求，但因为粉状氯化聚乙烯在超过65℃ 时易软化结块，极易使床层结块而死床，生产时需不断调整氯化聚乙烯的流化床干燥温度，所以生产周期长，劳动强度大，能耗高，操作不便。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明提供一种有效防止氯化聚乙烯软化结块、生产周期短、劳动强度小、能耗低且易于实现自动化操作的干燥氯化聚乙烯用连续闪蒸式沸腾干燥床。
为完成上述任务，本发明技术解决方案是这样实现的：一种干燥氯化聚乙烯用连续闪蒸式沸腾干燥床，包括闪蒸干燥装置和连续式流化床，其特征在于，连续式流化床底部设置有四个分别通入不同温度空气的干燥室，每一个干燥室中，空气均经由四个分配器以及干燥床孔板进入干燥室。
流化床层上方设置有间隔嵌插分布的隔板，物料在床层上沿S形线路流经干燥室。
四个干燥室，按照距离闪蒸干燥装置由近及远的顺序，依次通入的空气温度为110℃-130℃，130℃-150℃，120℃-140℃，30℃-60℃。
本发明中，连续式流化床分为四个干燥室，分别进入不同温度的空气，消除了粉状氯化聚乙烯软化结块的条件，避免床层结块而造成死床；空气经相应的分配器和流化床孔板进入流化室，在此与停留在孔板上的氯化聚乙烯物料接触，形成流化态，使水分迅速蒸发，物料在床层上呈S形流经四个干燥室，有效延长了物料的干燥时间，干燥后产品中水的质量分数小于0．3％ ，符合氯化聚乙烯水分要求；采用连续式生产，生产周期短、劳动强度小、能耗低，易于实现自动化操作。
附图说明
图1是本发明的结构示意俯视图。
图2是图1的A-A面剖视图。
图3是本发明中，物料在床层上沿S形线路流经干燥室的线路示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。
实施例1，一种干燥氯化聚乙烯用连续闪蒸式沸腾干燥床，参照图1、图2、图3所示，包括闪蒸干燥装置1和连续式流化床2，其特征在于，连续式流化床底部设置有四个分别通入不同温度空气的干燥室3，每一个干燥室中，空气均经由四个分配器4以及干燥床孔板5进入干燥室。
流化床层上方设置有间隔嵌插分布的隔板6，物料在床层上沿S形线路流经干燥室。
四个干燥室，按照距离闪蒸干燥装置由近及远的顺序，依次通入的空气温度为120℃，140℃，130℃，40℃。
生产过程中，氯化聚乙烯物料首先进入闪蒸干燥装置1，干燥到一定程度的物料被气流从闪蒸干燥装置上部出口带出，然后进入连续式流化床2；同时，外部空气由鼓风机送入各自的蒸汽加热器，并被加热到预设的温度，经相应的分配器4和干燥床孔板5进入相对应的干燥室3，在此与停留在孔板5上的氯化聚乙烯物料接触，混合物形成流化态使水分迅速蒸发；物料在床层上呈S形依次流经四个干燥室，最后由排料口7排出流化床，过程中产生的尾气由流化床顶部的回收装置8收集；干燥后产品中水的质量分数约为0．25％ ，符合氯化聚乙烯水分要求。
实施例2，一种干燥氯化聚乙烯用连续闪蒸式沸腾干燥床，与实施例1类似，区别在于，四个干燥室，按照距离闪蒸干燥装置由近及远的顺序，依次通入的空气温度为110℃，135℃，125℃，45℃，干燥后产品中水的质量分数约为0．28％。
Claims (3)
1.一种干燥氯化聚乙烯用连续闪蒸式沸腾干燥床，包括闪蒸干燥装置（1）和连续式流化床（2），其特征在于：连续式流化床底部设置有四个分别通入不同温度空气的干燥室（3），每一个干燥室中，空气均经由四个分配器（4）以及干燥床孔板（5）进入干燥室。
2.根据权利要求1所述的一种干燥氯化聚乙烯用连续闪蒸式沸腾干燥床，其特征在于：流化床层上方设置有间隔嵌插分布的隔板（6），物料在床层上沿S形线路流经干燥室。
3.根据权利要求1所述的一种干燥氯化聚乙烯用连续闪蒸式沸腾干燥床，其特征在于：四个干燥室，按照距离闪蒸干燥装置由近及远的顺序，依次通入的空气温度为110℃-130℃，130℃-150℃，120℃-140℃，30℃-60℃。
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2012
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| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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