CN102625962A - 精确波导接口 - Google Patents

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Abstract

公开了一种波导接口及其制造方法。该接口包括具有印刷电路板的支撑块。通讯设备耦合到该电路板。发射转换器与该通信设备相邻放置并且耦合到该通信设备。该发射转换器包括第一部分中的一条或多条传输线以及第二部分中的至少一个天线元件。该天线元件辐射毫米波频率信号。耦合到该支撑块的接口板具有矩形凹槽，该矩形凹槽具有预定维度。波导组件耦合到该接口板并且具有波导开口。该发射转换器的第一部分位于该凹槽中，使得该凹槽防止来自该传输线的能量朝该电路板或该波导开口发射，而是允许能量从该天线元件向该波导开口传递。

Description

精确波导接口
技术领域
本发明一般涉及微波和毫米波射频波导接口技术。
背景技术
随着半导体工业通过降低工艺节点几何形状而持续增加电路复杂性和密度，操作信号频率持续增加。如今有可能获得在无线电频谱的毫米波区域(30GHz到300GHz)中操作良好的半导体。典型而言，所使用的半导体类型属于“III-V”型的类别，意味着该半导体化合物是从元素周期表中的第三和第四列衍生的。这些半导体化合物的实例是砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)。近些年来，在硅CMOS(互补金属氧化物半导体)和硅锗(SiGe)化合物中已经产生来自第四列(如硅和锗，Si和Ge)的较低廉的半导体工艺。其结果是将低成本硅的操作频率良好地延伸到60到80GHz的频率范围。低成本半导体技术的出现，给毫米波制造商带了降低启动这些半导体设备的机电支持机制的总成本的压力。
商用波导结构允许毫米波频率上的低损耗能量传递，具有大小和机械耦合法兰设计已被标准化的附加益处。通过具有标准化的大小和耦合法兰，允许不同设备与不同制造商之间的协作，为毫米波系统设计提供最大的弹性。用于接口在机械波导中半导体设备的常规方法要么提供具有昂贵的精度机械加工要求的分离腔式组件，要么将来自正交平面印刷电路发射探头的能量与相关联的损失能量传输耦合。另外，随着新半导体设计提供平衡的传输线输出，不存在用于将来自平衡输出的毫米波能量直接耦合到波导而无需附加电路(例如平衡-不平衡变压器)的直接机电方法，该附加电路也随着操作频率范围的增加而显示出过量的损失。
用于将能量耦合到半导体设备内和外的现有技术方法可以分为两类。第一类是使用分离腔金属结构，其允许将半导体芯片放置在其中一个腔体中，使得该腔体的另一半然后与第一半精确适合地组合在一起。毫米波波导的内部维度所要求的典型的精度约为±.001”(.025mm)。通过加工来在上腔体半部和下腔体半部的构造中保持该精度并且维持组件的配合校准是价格昂贵的。
第二种已用方法是提供具有桩形或浆形能量发射的印刷电路板。该桩形或浆形发射与波导腔体正交，并且要求分离腔式组装方法。
在每个情况中都需要定制的高精度机械加工工艺来维持内部波导维度要求。通过铸造法可以提供一些成本降低，但是仍然需要第二机械加工操作来实现所需要的精度。
上述方法也仅仅是针对单端电路配置设计的。有必要提供用于单端电路和差分电路两者的低成本并且有效的耦合方法。毫米波半导体电路设计通常利用差分放大器和输出级配置来实现高增益和功率效率。
需要一种用于去向和来自标准波导结构的半导体微波、毫米波和次毫米波设备能量传递的低成本并且高效率的耦合技术。
发明内容
在一个方面，一种精准波导接口包括具有矩形凹槽的圆形接口板，使得该凹槽的长度容纳印刷电路板和发射转换器子组件。该印刷电路板和发射转换器子组件形成在所述接口板的该矩形凹槽中的短波导段的底半部。由于该凹槽宽度或狭窄维度，从该印刷电路板组件到该凹槽宽度上边界的距离限制该短波导段的波导截止频率使其大于该波导接口的总的期望操作频率范围。通过限制该接口板中的短波导段的波导截止频率为比该波导接口的期望操作频率范围更高的值，在该区域中不发生电磁辐射转换，并且仅允许电气传导的能量流经该发射转换器的传输线部分。
在另一个方面，该印刷电路板上包括作为高频微波、毫米波或次毫米波能量的发射器或者源头的半导体芯片。
在另一个方面，该印刷电路板上包括作为高频微波、毫米波或次毫米波能量的接收器的半导体芯片。
在另一个方面，该发射转换器包括低损耗电介质材料，如具有诸如金的沉积金属的石英或氧化铝，用于形成传输线和辐射天线元件。
在本领域中已知波导内部维度的标示对应于作为E场维度的电场向量的方向并且对应于作为H场维度的磁场向量的方向。
在另一个方面，该接口板紧靠标准波导法兰放置，使得该接口板中的凹槽的狭窄维度与该标准波导法兰的较长的或H场维度(在本领域中被称为“a”波导维度)正交。同样地，该接口板凹槽宽度沿着由该接口板凹槽和该印刷电路和该发射转换器子组件形成的分段限制该波导段截止频率，直到该标准波导法兰遇到传导能量。在该接口板与该标准波导法兰之间的接点的位置的正前方，允许在与该辐射元件接合的发射转换器的传输线中传导的能量自由地转换成标准波导信道容积中的导向电磁辐射。
在另一个方面，该印刷电路板和发射转换器子组件被放置使得该发射转换器辐射元件位于与由该印刷电路板和发射转换器子组件形成的短波导段相邻的标准波导区域中。该发射衬底转换器被配置为以该波导轴的方向提供最大能量辐射，称为端射式辐射形式。
在一个方面，一种波导接口包括具有印刷电路板的支撑块。通讯设备耦合到该电路板。发射转换器与该电路板相邻放置并且耦合到该通信设备。该发射转换器包括第一部分中的一条或多条传输线以及第二部分中的至少一个天线元件。该天线元件辐射毫米波频率信号。耦合到该支撑块的接口板具有矩形凹槽，该矩形凹槽具有预定维度。波导组件耦合到该接口板并且具有波导开口。该发射转换器的第一部分位于该凹槽中，使得该凹槽防止来自该传输线的能量朝该电路板或该波导开口发射，而是允许能量从该天线元件向该波导开口传递。
在一个方面，一种形成精确波导接口的方法包括：选择包括印刷电路板的支撑块，该支撑块沿平面取向；将通信设备耦合到该印刷电路板；将发射转换器耦合到该通信设备，其中该发射转换器与该印刷电路板相邻放置，该发射转换器包括该发射转换器的第一部分中的一条或多条传输线以及该发射转换器的第二部分中的至少一个天线元件，其中该至少一个天线元件被配置为辐射毫米波频率信号；将圆形接口板耦合到该支撑块的一端并且与该平面垂直取向，该接口平面具有矩形凹槽，该凹槽具有预定维度；并且将波导部件耦合到该接口板，该波导部件具有波导开口，其中该发射转换器的第一部分位于该矩形凹槽中，使得该矩形凹槽防止来自该传输线的能量朝该印刷电路板或该波导开口发射并且允许能量从该至少一个天线元件向该波导开口传递。
在一个方面，该发射转换器的第二部分位于该波导开口中。该发射转换器位于该支撑块的相对的宽度边缘之间的中间。通信设备位于该印刷电路板的凹壁中，使得该发射转换器的第一部分在该矩形凹槽中处于预定高度上。该发射转换器被配置为以该波导轴的方向提供最大能量辐射。
附图说明
附图示出了一个或多个示例性实施例。
在附图中：
图1A示出了根据一个实施例的波导接口的侧视图；
图1B示出了根据一个实施例的波导接口的横截侧视图；
图2A示出了根据一个实施例的波导接口的后视图；
图2B示出了根据一个实施例的波导接口的详细后视图；
图3A示出了根据一个实施例的波导接口的俯视图；
图3B示出了根据一个实施例的波导接口的横截俯视图；
图4A示出了根据一个实施例的波导法兰；
图4B示出了根据一个实施例的接口板；
图4C示出了根据一个实施例的波导法兰连同接口板；
图5示出了根据一个实施例的支撑块；
图6A示出了根据一个实施例的发射器印刷电路板和发射转换器衬底组件；
图6B示出了根据一个实施例的接收器印刷电路板和发射转换器衬底组件；
图7A示出了根据一个实施例的发射器发射转换器衬底；
图7B示出了根据一个实施例的接收器发射转换器衬底；
图8示出了根据一个实施例的印刷电路板的四个视图；及
图9示出了根据一个实施例的波导接口的特写横截面侧视图。
具体实施方式
本文在精准波导接口的环境中描述各种示例性实施例。本领域的普通技术人员将认识到本发明的以下详细描述仅仅是说明性的而绝非为了进行限制。受益于本文公开的本领域熟练技术人员将容易想到本发明的其他实施例。现在将详细参考附图中所示的本发明的示例性的实现。在附图中将始终使用相同的附图标记并且下文的详细描述涉及相同或相似的部分。
在一个实施例中，波导接口利用60GHz毫米波发射转换器天线以及允许的通信设备，但是不限于此。如上所述，将关于各种类型的发射转换器天线来讨论本发明主题的实施例，每个发射转换器天线耦合到各自的通信设备。并且如下所述，将在电磁传输和电磁接收的环境中讨论本发明主题的实施例。本领域的普通技术人员将认识到由于洛伦兹电磁互惠法则，传输环境和接收环境两者等效适用。
整体而言，下文涉及标准波导法兰结构与允许的通信设备之间的接口。通过在波导接口组件的后部的印刷电路板上的多路连接器，将低频电气信号和到通信设备的电力连接送至该波导接口；由标准波导法兰结构来导向高频毫米波电磁能量。
在一个实施例中，该允许的通信设备是附接至该印刷电路组件的高度集成的毫米波无线电发射器。在另一个实施例中，该允许的通信设备是附接至该印刷电路组件的高度集成的毫米波无线电接收器。在一个实施例中，该通信设备是硅锗(SiGe)芯片，还可考虑砷化镓(GaAs)、互补金属氧化物半导体(CMOS)或其他半导体芯片。该通信设备的工作的细节是本领域已知的并且本文不讨论。
图1A、2A、3A显示了根据一个实施例的波导接口的侧视图、后视图和俯视图。如图1A、2A、3A所示，该波导接口包括印刷电路组件21、支撑块31、接口板32以及标准波导法兰结构33。支撑块31和接口板32通过使用机械螺钉37和37A和/或其他类型的紧固件耦合到波导法兰33。低频电气信号和电力连接通过连接器38经由印刷电路板到达通信设备22(图1B)。优选地通过保护罩或封胶剂保护通信设备22不受环境影响。
图1B显示了一个实施例中的波导接口的横截侧视图。如图1B中所示，波导接口30包括印刷电路组件21以及通信设备22和发射转换器26，其中印刷电路组件21上具有连接器38。如图1B中所示，该波导接口包括在波导法兰33中的波导开口33B。图1B还显示了由印刷电路组件21和接口板凹槽32A限定的短波导段32B。紧固件37和37A将支撑块31和接口板32耦合到波导法兰33，其中接口板32位于支撑块31与波导法兰33之间。
图3B示出了一个实施例中的波导接口的横截俯视图。虽然由多个焊线连接23提供通信设备22与印刷电路组件21之间的低频信号和电力互联，还可考虑其他合适的电气连接。印刷电路组件21还在接口区域25A中携带铜镀层25，以在接口板32与波导法兰组件33的本地接口区域25A中提供电气地平面。
图2B示出了一个实施例中的波导接口的后视图。支撑块31(图1B)还包括导销31B，其提供支撑块31与接口板32之间的机械接口的精确对准。
图4A示出了根据一个实施例的波导法兰33的示意图。图4B示出了根据一个实施例的接口板32的示意图。图4C示出了根据一个实施例的耦合到接口板32的波导法兰33的示意图，其中接口板32与波导法兰33对准，接口板凹槽32A与波导法兰开口33B重叠。
如图4A中所示，波导法兰33包括基本上位于圆形波导法兰33的中心的波导开口33B。具体而言，波导开口33B是矩形的，具有用于表示矩形波导的H场的“a”维度和用于表示矩形波导的E场的“b”维度。在一个实施例中，波导开口33B的维度适用于50至75GHz的频率范围，从而可以由已知在本领域中被归类为WR-15或在军用标准MIL-DTL-85/3C被归类为M85/3-018的东西来定义该维度。对于50到75GHz的标准波导频率范围(又被称为V波段)，“a”维度大约是3.76mm并且“b”维度大约是1.88mm。应该注意到，对于该类型的应用和/或希望的频率范围还考虑到其他“a”或“b”维度，并且因此他们不限于上文规定的值。如上所述，由插入到导销孔32B中的标准波导法兰导销33A来辅助接口板32与标准波导法兰33的精确对准，其中导销孔32B包括在接口板32中。
图5显示了一个实施例中的支撑块31。支撑块31包括锁口孔31A，锁口孔31A将允许紧固件37A(图1B)插入其中以将支撑块31耦合到波导法兰和接口板组件32、33。另外，支撑块31包括一个或多个导销31B，导销31B与接口板32的接口板导销孔32D对准。当波导接口作为发射器(图1B)来进行操作时，支撑块31提供对于印刷电路组件21的支持。当波导接口作为接收器(图6A)来进行操作时，支撑块31提供对于印刷电路组件11的支持。支撑块31还提供发射器印刷电路组件21和接收器印刷电路组件11与接口板32和标准波导法兰33的精确对准。
图6A显示了一个实施例中的发射器印刷电路组件21的俯视图细节。如图6A中所示，通信设备22固定在印刷电路组件21的切割区域28之中并且邻接与发射转换器26相邻的切割区域边缘29。如阴影区域所示，切割区域28和顶部区域25被镀铜和金，以维持连续的电气地平面。经由来自对应的焊线垫24的多个焊线23，向通信设备22提供低频信号和电力连接，还可考虑除了焊线垫24之外的其他互连技术。利用低电感电线或焊带27，在通信设备22与相邻放置的发射转换器26之间提供高频毫米波连接，还可考虑其他连接技术。通信设备22被配置为在高频毫米波输出端具有平衡连接。另外，用匹配平衡传输线终端来实现发射转换器26，以有效地接受来自通信设备22的高频能量。发射转换器26精确地位于印刷电路组件21的宽度边缘21A和21B之间的中点处。可选择地，发射转换器26具有宽度维度Yt，该宽度维度Yt与如上所述的标准波导法兰开口33B的“b”维度精确匹配。
图6B显示了一个实施例中的接收器印刷电路组件11的俯视图细节。通信设备12固定在印刷电路组件切割区域18之中并且位于与发射转换器16相邻的切割区域29的接邻。印刷电路11切割区域18和顶部区域15被镀铜和金，以维持连续的电气地平面。经由来自对应的焊线垫14的多个焊线13，向通信设备12提供来自印刷电路组件11的低频信号和电力连接，还可考虑其他连接技术。利用低电感电线或焊带17，在通信设备12与发射转换器16之间通信高频毫米波连接，还可考虑其他连接技术。通信设备12在高频输入端具有非平衡连接。另外，用匹配非平衡传输线终端来实施发射转换器16，以有效地向通信设备12传递高频能量。发射转换器16精确地位于印刷电路组件11的宽度边缘11A和11B之间的中点处。发射转换器16具有与如上所述的波导法兰开口的33B“b”维度精确匹配。
图7A显示了一个实施例中的发射器发射转换器26的俯视图和仰视图。如图7A中所示，发射转换器26包括低损耗衬底263，低损耗衬底263具有顶部金属化图形和底部金属化图形。在一个方面，衬底263包括熔融石英(二氧化硅)并且是254微米(μm)厚，还可考虑其他低损耗衬底材料和其他材料厚度值。该金属化图形实质上包括源自真空沉积技术或其他合适的方法的真空沉积金属金。
发射器发射转换器26的顶部金属化图形包括两个传输线分段261、262。优选地在衬底263的底面上的地平面264上实现传输线分段261、262。传输线分段261、262经由接合线27(图6A)或其他装置，将来自通信设备22的能量耦合到传输线分段265、266。传输线分段261、262被实施为匹配平衡配置中的通信设备22和接合线27的输出阻抗。传输线分段265、266位于空白衬底分段(在该分段中在衬底263的底面上没有地平面)之上并且向一对对应的天线元件267、268提供来自传输线分段261、262的能量。传输线分段265、266被实施为匹配天线元件267、268的输入阻抗。天线元件267、268被配置为在与衬底263平行并且远离传输线分段265、266的方向上提供大量辐射能量，从而形成到波导法兰开口33B的端射式辐射形式。匹配发射转换器26宽度维度Yt，使其能够插入到具有如上所述的“b”维度的标准波导法兰开口33B。在一个实施例中，Yt的值是1.80mm并且Xt的值是2.87mm，还可考虑其他值。
图7B显示了一个实施例中的接收器发射转换器16的俯视图和仰视图。发射转换器16包括低损耗衬底163，低损耗衬底163具有顶部金属化图形和底部金属化图形。在一个方面，衬底163包括氧化铝并且是127微米(μm)厚。预想到其他低损耗衬底材料和其他材料厚度值。该金属化图形实质上包括使用真空沉积技术或其他合适的方法的真空沉积金属金。
在一个实施例中，顶部金属化图形包括耦合到一组天线元件的非平衡传输线分段。传输线中央导体164横跨衬底163的底面上的地平面167的一段长度。除地平面167之外，传输线164继续并且其位于底面传输线170之上。传输线164和170一起耦合到天线元件168、169和171、172。天线元件168、169和171、172形成双元件偶极并且被配置为在与衬底163平行并且远离传输线164、170的方向上提供定向的辐射形式，从而形成到波导法兰开口33B的端射式辐射形式。
该非平衡输入电路配置包括地面连接162和中央导体164。通过衬底163来电气连接地面连接162，并且通过镀金属的通孔165和166来加强地面连接162，从而形成到衬底163的底面上的地平面167的低电感连接。在一个实施例中，通孔165、166的直径是127微米(μm)，其在内壁上形成镀金金属化，还可考虑到其他维度和材料选择。匹配发射转换器16宽度维度Yr，使其能够插入到具有“b”维度的标准波导法兰开口33B。在一个实施例中，Yr的值是1.80mm并且Xr的值是3.58mm，还可考虑其他值。
发射器发射转换器26的天线元件267、268和接收器发射转换器16的天线元件168、169、171、172被配置为使其射频操作带宽大约为中心操作频率范围的15％。该操作带宽提供操作频率范围，从而S参数损耗值(在本领域中被称为S21)小于2分贝(dB)。在一个实施例中，发射转换器26、16的操作频率范围为57至66GHz，还可考虑其他操作频率范围和带宽。
图8显示了一个实施例中的发射器印刷电路板21的四个视图。虽然仅讨论发射器印刷电路板21，但是对于发射器印刷电路板21和接收器印刷电路板11两者而言，实施细节以及全部机械和电气特性实质上是相同的。切割区域28容纳通信设备22，从而使用导电的环氧粘接剂使通信设备22位于凹陷的切割底表面28A中。各种导电的环氧粘接剂是本领域已知的并且本文不再讨论。使用标准印刷电路电镀技术来金属化切割底表面28A和侧面28B。在一个方面，顶地平面区域25、侧表面25A、前表面25B以及底地平面区域25C是电气连续的。而且，顶表面25与切割侧表面28B和底表面28A是电气连续的。
图9显示了一个实施例中的发射器波导接口的详细横截面图。应该注意到发射器波导接口操作的详细描述等效适用于毫米波转换及能量的方向相反的接收器波导接口。本领域的普通技术人员将认识到由于洛伦兹电磁互惠法则，传输环境和接收环境两者等效适用。对于波导接口的高效率和操作而言，至关重要的是有助于将毫米波能量辐射到标准波导法兰开口33B，并且还限制随着传导的电气能量从通信设备22通过高频接合线27移动到传输线261、262而产生的辐射能量损耗。在接口板32的上边缘32A与印刷电路板组件21的上地平面表面25之间限定短波导段32B。印刷电路板组件21还在平面25A和25B上具有连续的铜镀层，以形成短波导段32B的下部。
波导截止频率是这样一种频率，低于该截止频率的全部频率基本上被衰减。源自用于电磁波的赫尔姆霍茨方程式的方程式[1]提供了用于具有内部H场“a”维度和内部E场“b”维度的矩形波导的波导截止频率。
ω c = c ( nπ α ) 2 + ( mπ b ) 2 - - - [ 1 ]
在方程式[1]中ωc是角频率，c是光速、a是H场矩形波导维度，b是E场矩形波导维度并且n和m表示波导模式数量。用主波导模式来确定波导截止，并且主波导模式在本领域中被称为横电模式1，0(TE1，0)，其中n＝1并且m＝0。当n＝1并且m＝0时，仅剩的变量是H场“a”维度。对于标准波导法兰33，“a”维度是3.76mm，其产生39.9GHz的截止频率，远低于预期的标准波导法兰33的操作频率范围(其为50到75GHz)。但是，需要在短波导段32B中，在波导接口的操作频率范围之上基本上衰减能量到辐射的转换。
在图9中将短波导段32B的H场维度显示为“a”维度。在一个实施例中，“a”维度大约0.98mm(980μm)。在方程式[1]中将a设置为0.98，利用主模式(n＝1并且m＝0)，产生153GHz的截止频率，远高于预期的波导接口的操作范围。随着维度“a”根据印刷电路板的厚度而变化以及有效维度“a”由于发射转换器22和发射转换器12的介电负载特性和厚度而变化，截止频率将存在轻微的变化。但是，考虑到全部变化，用于发射器波导接口或接收器波导接口中的任意一个的最小波导截止频率大于120GHz。通过建立远高于波导接口的操作频率范围的短波导段32B截止频率，向标准波导开口33B提供最大能量。

Claims (20)

1.一种波导接口，包括：
包括印刷电路板的支撑块，所述支撑块沿平面取向；
耦合到所述电路板的通讯设备；
与所述通信设备相邻放置并且耦合到所述通信设备的发射转换器，所述发射转换器包括所述发射转换器的第一部分中的一条或多条传输线以及所述发射转换器的第二部分中耦合到所述一条或多条传输线的至少一个天线元件，其中所述至少一个天线元件被配置为辐射毫米波频率信号；
耦合到所述支撑块的一端并且与所述平面垂直取向的圆形接口板，所述接口平面具有矩形凹槽，所述矩形凹槽具有预定维度；及
耦合到所述接口板的波导组件，所述波导组件具有波导开口，其中所述发射转换器的第一部分位于所述矩形凹槽中，使得所述矩形凹槽防止来自所述传输线的能量朝所述印刷电路板或所述波导开口发射并且允许能量从所述至少一个天线元件向所述波导开口传递。
2.如权利要求1所述的接口，其中，所述印刷电路板包括被配置为发射并且/或者接收毫米波信号的半导体芯片。
3.如权利要求1所述的接口，其中，所述发射转换器还包括低损耗电介质材料，如具有诸如金的沉积金属化的石英或氧化铝，用于形成传输线和辐射天线元件。
4.如权利要求1所述的接口，其中，所述接口板紧靠标准波导法兰放置，使得所述接口板中的所述凹槽的狭窄维度与所述标准波导法兰的H场维度正交。
5.如权利要求1所述的接口，其中，所述发射转换器的所述第二部分位于所述波导开口中。
6.如权利要求1所述的接口，其中，所述发射转换器位于所述支撑块的相对的宽度边缘之间的中间。
7.如权利要求1所述的接口，其中，所述通信设备位于所述印刷电路板的凹壁中，使得所述发射转换器的所述第一部分在所述矩形凹槽中处于预定高度上。
8.如权利要求1所述的接口，其中，所述发射衬底转换器被配置为以所述波导轴的方向提供最大能量辐射。
9.一种形成精确波导接口的方法，包括：
选择包括印刷电路板的支撑块，所述支撑块沿平面取向；
将通信设备耦合到所述印刷电路板；
将发射转换器耦合到所述通信设备，其中所述发射转换器与所述通信设备相邻放置，所述发射转换器包括所述发射转换器的第一部分中的一条或多条传输线以及所述发射转换器的第二部分中的至少一个天线元件，其中所述至少一个天线元件被配置为辐射毫米波频率信号；
将圆形接口板耦合到所述支撑块的一端并且与所述平面垂直取向，所述接口平面具有矩形凹槽，所述矩形凹槽具有预定维度；并且
将波导组件耦合到所述接口板，所述波导组件具有波导开口，其中所述发射转换器的第一部分位于所述矩形凹槽中，使得所述矩形凹槽防止来自所述传输线的能量朝所述印刷电路板或所述波导开口发射并且允许能量从所述至少一个天线元件向所述波导开口传递。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述印刷电路板包括被配置为发射并且/或者接收毫米波信号的半导体芯片。
11.如权利要求9所述的方法，其中，所述发射转换器还包括低损耗电介质材料，如具有诸如金的沉积金属化的石英或氧化铝，用于形成传输线和辐射天线元件。
12.如权利要求9所述的方法，其中，所述接口板紧靠标准波导法兰放置，使得所述接口板中的所述凹槽的狭窄维度与所述标准波导法兰的H场维度正交。
13.如权利要求9所述的方法，其中，所述印刷电路板和发射转换器子组件被放置使得所述发射转换器辐射元件位于与所述波导段相邻的标准波导区域中。
14.如权利要求9所述的方法，其中，所述发射衬底转换器被配置为以所述波导轴的方向提供最大能量辐射。
15.如权利要求9所述的方法，其中，所述发射转换器的所述第二部分位于所述波导开口中。
16.如权利要求9所述的方法，其中，所述发射转换器位于所述支撑块的相对的宽度边缘之间的中间。
17.如权利要求9所述的方法，其中，所述通信设备位于所述印刷电路板的凹壁中，使得所述发射转换器的所述第一部分在所述矩形凹槽中处于预定高度上。
18.如权利要求9所述的方法，其中，所述发射衬底转换器被配置为以所述波导轴的方向提供最大能量辐射。
19.如权利要求1所述的接口，其中，所述印刷电路板和所述发射转换器是共面的，其中所述发射转换器在所述矩形凹槽中处于预定高度上。
20.如权利要求9所述的方法，其中，所述印刷电路板和所述发射转换器是共面的，其中所述发射转换器在所述矩形凹槽中处于预定高度上。
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