CN102611976A - 穿孔微型硅麦克风 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种穿孔微型硅电容式麦克风，所述微型硅电容式麦克风包含一个穿孔背板，背板由基板支撑；和一个带有浅波纹和穿孔的隔膜，隔膜悬于上面所述背板上，并且所述悬着的浅波纹穿孔隔膜完全被所述基板夹固在所述背板边缘；所述穿孔背板与所述基板被绝缘层绝缘隔离；所述悬着的浅波纹隔膜有许多穿孔，从而贯通缓慢变化的环境压力，并平衡进入和退出后室腔的气压。

Description

穿孔微型硅麦克风

技术领域

本发明涉及一种硅麦克风，尤其是一种穿孔微型硅麦克风，属于硅麦克风的技术领域。

背景技术

相关的参考文献：如美国专利文件5,146,435；5,452,268；6,535,460；6,847,090；6,870,937；6,945,115；7,152,481；7,329,933；7,346,178；US2006/0280319。

对于许多出版物和披露来说硅电容式麦克风已成为有吸引力的话题。微加工的分批加工能够使这些麦克风廉价和大批量的生产。与传统的电容式麦克风相比较，硅电容式麦克风提供了一个更大的优化参数，同时也便于电子集成芯片。

在许多出版物中，例如编号为5146435、5452268、6847090和6870937的美国专利文件，硅电容式麦克风的可移动隔膜是由衬底支持或绝缘体支持的，诸如氮化硅、氧化硅和聚酰亚胺的绝缘体，这些支持保证可移动隔膜的优势。在衬底和可移动隔膜表面之间应用的加载一定的电压，并在通过声波时，产生的回应引起偏差和振动，在特定情况下如编号为6535460的美国专利描述的那样，可移动隔膜允许在支撑环上暂停。王等人的编号为7329933美国专利介绍了传声器传感元件及其制造方法，该传感元件有一个隔膜和一个附加的电引出装备，这个电引出装备最好由多晶硅组成，多晶硅由形成在导电硅衬底上的底层背板区域上的空气间隙与隔膜所分离。底层背板区域上有声孔，通过腐蚀底层背板区域连续沟槽内的氧化物形成声孔，并在声孔上方形成空气间隙。隔膜是软约束沿其边缘的弹性元件连接到周围的刚性多晶硅层，弹性元件是一个典型的聚合物，如采用聚对二甲苯的弹性元件的杨氏模量大大低于隔膜的杨氏模量。第一电极及第二电极分别通过引出装备连接到隔膜，并通过多晶硅经由填料连接到基板，并因此构建声学传感器的可变电容电路。

考虑到一个好的麦克风能使得穿过其运行音频频段会具有几乎平直的录放幅频响应，即从20赫兹到20千赫都具有平直的录放幅频响应。好的麦克风还需要有高信噪比，以便配有麦克风的电子设备可以在嘈杂的环境中工作。通常使用麦克风得到的高信噪比具有足够高的固有敏感性，这意味着麦克风的隔膜必须充分兼容，这样它能感知到较小的声压波动。然而，达到较大的动态频段和较高的敏感度可能存在目标冲突，因为如果非常兼容的话，较大的声压可能会导致隔膜受其偏压而瓦解。隔膜的尺寸和厚度固定时，硅电容麦克风的敏感度主要是受隔膜的内应力影响。由于内应力是在加工过程中产生的，所以应力释放与控制技术对一个良好的硅电容式麦克风来说很重要。

一种常用的应力释放技术是要在隔膜中形成波纹状。起波纹的隔膜能够在加工过程中释放内置应力，从而提高隔膜的机械敏感度并减小非再生性。与传统的平隔膜相比，波纹隔膜的敏感度增加使得具有较好的机械敏感度，特别在有较高残余应力的情况下。

好的麦克风还需要在可能充满灰尘和/或微粒的环境中工作，这些灰尘和微粒会落到隔膜表面。这些粉尘和/或颗粒可能会很小，不至于造成麦克风的灾难性故障。然而，它们肯定会导致麦克风的性能下降。这种退化的一个原因是由于这些粉尘会成为隔膜的附加质量，造成隔膜的兼容性降低，并因此对声音的敏感度变弱。尘埃颗粒也有可能被捕集到隔膜和背板之间的空气间隙里，使隔膜不灵活，并因此使麦克风敏感度降低。

在实践中，硅麦克风的隔膜需要有足够的粗糙度以便通过可靠性测试。这种粗糙度要求可能会导致麦克风的固有敏感度较低，因此需要使用信号调节和放大电路与硅传感元件连结。对于硅电容式麦克风，声压下由隔膜振动引起的电容变化作为拾音器的驱动元件。这是麦克风的原始敏感性。理想的情况下，这种原始信号应通过电子电路调节并放大，没有任何损失。但事实上，仍有与硅传感元件相关的寄生效应。寄生效应可作为分压器，降低麦克风的原始敏感性，因此要求电子电路对原始信号进一步放大，并降低麦克风的信噪比。因此使用最小的寄生效应制作硅传感元件非常重要。

在微细加工中，沉积膜必然存在剩余应力，如氮化硅、多晶硅、聚酰亚胺。因此，要开发一种技术，即在保持其机械强度的同时释放沉积膜中的剩余应力，这是非常重要的。而制作工艺简单、可靠的硅麦克风制造同样也很重要。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种具有宽而平坦的频率响应并具有高信噪比的穿孔微型硅麦克风。

本发明的再一内容是要提供一种由支撑在基板上的冲孔背板构成的微型硅电容式麦克风。

本发明的另一内容是要提供一种具有浅波纹膜片的微型硅电容式麦克风。

本发明的再一内容是要提供一种浅波纹膜片穿孔的微型硅电容式麦克风。

本发明的另一内容是要提供一种浅波纹和穿孔隔膜完全夹固在背板或基板边缘的微型硅电容式麦克风。

本发明的再一内容是要提供一种穿孔背板与匹配基板电气隔离的微型硅电容式麦克风。

本发明的另一内容是要提供一种寄生效应降低的微型硅电容式麦克风。

按照本发明提供的技术方案，所述穿孔微型硅麦克风，包括一浅波纹隔膜，并在所述浅波纹隔膜上形成若干隔膜穿孔；一背板，所述背板上设置若干背板穿孔，所述背板穿孔形成于隔膜穿孔下方相对应的位置；一基板，所述基板支撑所述背板和浅波纹隔膜；及一绝缘层，所述绝缘层位于背板与基板间。

所述浅波纹隔膜的边缘与基板相连，以固定支撑在所述基板上。

所述形成隔膜穿孔的浅波纹隔膜与形成背板穿孔的背板间形成用于传递缓慢变化环境压力的一低通滤波器。

所述浅波纹隔膜上支撑有一用于形成电容电极的导电薄膜，导电薄膜上设置与隔膜穿孔对应并连通的穿孔。

所述背板上设有开口。

所述支撑在浅波纹隔膜上的导电薄膜通过开口位于背板上。

一种类似的技术方案，所述穿孔微型硅麦克风，包括一浅波纹隔膜，并在所述浅波纹隔膜上形成若干隔膜穿孔；一背板，所述背板上设置若干背板穿孔，所述背板穿孔形成于隔膜穿孔下方相对应的位置；一基板，所述基板支撑所述背板和浅波纹隔膜；一绝缘层，所述绝缘层位于背板与基板间；及一环形圈，间隔并连接中心区的浅波纹隔膜及邻近所述中心区浅波纹隔膜对应的隔膜穿孔。

所述浅波纹隔膜的边缘与基板相连，以固定支撑在所述基板上。

所述形成隔膜穿孔的浅波纹隔膜与形成背板穿孔的背板间形成用于传递缓慢变化环境压力的一低通滤波器。

所述浅波纹隔膜上支撑有一用于形成电容电极的导电薄膜，导电薄膜上设置与隔膜穿孔对应并连通的穿孔。

所述背板上设有断流器。

所述支撑在浅波纹隔膜上的导电薄膜通过开口位于背板上。

本发明的优点：基板上支撑有穿孔背板、上述穿孔背板上方悬浮有带浅波纹和穿孔的隔膜，穿孔背板夹固于基板对应穿孔背板的边缘。上述穿孔背板是与通过一层电介质材料与上述基板电气隔离的。上述悬浮的浅波纹隔膜有多个声孔，以便缓慢变化的环境压力通过，同时补偿背腔进出的大气压力。每个穿孔隔膜本身支撑一个随之运动的导电电极，由此每个穿孔背板形成一个带有上述穿孔隔膜的电容器。上述电容器的电容随着膈膜的运动而发生变化，对传递声波做出反应。导线与上述导电电极相连，提供输出信号，从而能提供具有宽而平坦的频率响应并具有高信噪比的穿孔微型硅麦克风。

附图说明

图1是一个通用的硅麦克风横截面图，用来说明决定低频截止的流体力学。

图2是一个仿效图，显示硅麦克风的低频跌落。

图3是一个仿效图，显示硅麦克风改进后的低频反应。

图4是波纹和穿孔隔膜及穿孔背板，是本发明的一个优选实施方案。

图5是微型硅电容式麦克风俯视图，是本发明的一个优选实施方案。

图6是微型硅电容式麦克风金属接触区展开图，是本发明的一个优选实施方案。

图7是沿图4中A-A’线制作的微型硅电容式麦克风横截面图，是本发明的另一个优选实施方案。

图8是微型硅电容式麦克风的俯视图，是本发明的另一个优选实施方案。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。

对于硅电容麦克风，其敏感性主要与隔膜的内在应力进行控制有关；当隔膜的尺寸固定时，其机械敏感度与隔膜中的内在应力是成反比的。在与其自身平面垂直的平面中作像活塞一样自由移动时，隔膜的机械敏感度最高。另一方面，在隔膜中需要保持一定程度的内在应力，以便其共振频率远离其运行的频率范围，从而在音频频段中呈现出平坦的频率响应。此外，从机械强度方面来说还需要隔膜变得更硬。这似乎与提议的要求相矛盾，硅电容式麦克风需要有严格控制其内在应力的方法，以达到最终产品的要求。释放或控制隔膜中内在应力的技术是要开发一种昂贵的微细加工方法，但这种技术在不同的铸造厂之间被转用，因为他们往往有不同的能力。

麦克风的频宽也取决于较低的截止频率。较低的截止频率是由密闭空腔中的空气造成的。例如，隔膜和背板及回室之间的狭窄气隙，是由于需要均压通风以补偿大气压力(低频)下非常慢的变化，同时避免隔膜贴到背板上，但是这种结构导致在隔膜反应中产生低频机械性跌落。均压通风使许多硅麦克风避免了传感性低于100赫兹的现象。为了保持尽可能低的低频跌落现象，必须对静压均衡通风口和声孔的大小和形状进行精心设计。

美国出版物2006/0280319，描述了一种微电容式麦克风，它具有浅波纹隔膜，浅波纹隔膜固定在支架的一个或多个位置，在支架上有多个凹痕以自身起支撑作用并使其能在穿孔背板上自由安置。隔膜的两端没有固定，它被轨道边沿的活栓所绑定。披露内容还包括：有一个或多个区域的固定穿孔背板；隔膜形成的可调悬臂，支架和背板；保持隔膜和背板之间垂直间隔的多个凹痕；以及隔膜和背板所载电极导线的图形。

编号为6870939的美国专利文件，描述了一种电声换能器，它由下电极和上电极组成，包括振荡部分和支持振荡部分的支撑部分，支撑部分至少是振荡部分外围的那部分；还有一个绝缘层，将下电极与上电极进行绝缘，其中上电极在振荡部分和/或在支持部分有一个上下起伏部分，从而在上电极和下电极之间形成一个腔。

在这些出版物中，硅麦克风是具有隔膜的，要么隔膜不穿孔，要么沿隔膜边缘仅有通风孔。通风孔是用来补偿回室内外压力的。

在其他出版物里，如王先生/女士等人编号为7346178的美国专利文件，即描述了一种基于传感元件的硅麦克风。该麦克风传感元件有一隔膜，隔膜有一穿孔板与每一边或角相邻。隔膜与导电基板中的一个或多个背孔对齐，其中背孔的宽度小于隔膜的宽度。穿孔板悬挂在基板上方的空隙上方。隔膜两端由机械弹簧支撑，通过固定在绝缘层间隔层上的刚性垫在角、边、中心或终端处附着在隔膜上。在一个或多个刚性垫上形成第一个电极，在基板的一个或多个位置处形成另一个电极，从而构成一个可变电容电路。该麦克风传感元件可以采用不同方法的体现出来以减少寄生电容。在这一特例中，穿孔隔膜悬于导电基板上方，由基板上的蚀刻形成空腔。

本发明的微型硅麦克风设计方法是先从流体力学理论方面着手。我们了解到，麦克风响应频率最低在很大程度上取决于静压均衡通气孔，通气孔的目的是在大气压强变化的情况下预防隔膜膨胀。对于音频范围内的大多数频率，通气孔就小到足以使其空气阻力阻止声波进入麦克风内腔。然而，较低频率的一小部分声波仍能通过通风孔进入麦克风内腔。然后麦克风内腔中的低频声音开始对抗隔膜运动，麦克风的频率响应曲线缩小，同时其相位响应改变。

当隔膜两侧的瞬时低频声压相同时，麦克风完全停止响应。(因为必须有一个跨越隔膜使其移动的压力差)

从流体力学的理论上，用于平衡减轻环境压力的通风孔将拥有一个有效的质量，可以表示为：

$M=\frac{16\mathrm{\ρL}}{{3\mathrm{\πD}}^2}$

其中L是通风孔的有效通路长度，D为通风孔的水压直径。通风孔还通过摩擦消耗声能，从而具有有效电阻。所述有效电阻可以表示为：

$R=\frac{128\mathrm{\μL}}{{\mathrm{\πD}}^4}$

其中，μ是空气粘度。通风孔的有效长度是通过使用直线段的摩擦因数和用于弯曲度实验关系式来计算的，弯曲度是通过二次流基混合来提高散热性的。

如图1所示：显示了一个硅麦克风的通用横截面图，此麦克风有一个由基板1支撑的背板5，第一隔膜4通过位置6固定在背板5上。第一隔膜4有第一通风孔7，且第一通风孔7悬浮在背板5的上方。第一隔膜4和背板5间形成气隙8。背板5上还有穿孔洞3。通过对基板1刻蚀分离得到贯通基板1的回室2。

我们假设将硅麦克风用粘合剂粘在PCB板上，通过PCB将硅麦克风的回室2完全密封。当一个声压波9冲击到第一隔膜4时，主要的压力波泄漏路径将会通过第一隔膜4上的第一通风孔7，进入气隙8内，最后作用于第一隔膜4的背面，如路径10所示。低频率时，进入气隙8内的声压波9作用在第一隔膜4背面，能对抗第一隔膜4的偏转，从而降低了麦克风的敏感度。

通过第一通风孔7的泄漏路径10，也将造成麦克风上的响应曲线低频频率响应下降，如图2所示。这种情况下，我们可以看到，麦克风反应从600赫兹开始下降，这不是我们寻求的理想反应。

由图1可以明显得到，接近第一隔膜4中心的通风孔是7a。同样，位于第一回室2边缘对应背板5上的穿孔是3a。从7a到3a形成的泄漏路径10决定了硅麦克风的低频响应。图3显示了有效的通风路径提高到50微米时典型的硅麦克风响应。这种情况下，麦克风的平坦频率响应接近70赫兹。

由于声能的有效电阻与通风孔口直径的4次方成反比，第一通风孔7的大小决定硅麦克风的低频响应。因此，根据本发明的优选实施方案，第一通风孔7在直径上的设计要小于3微米，并采用光刻工艺制作。

如图4所示：此图显示了在图5中根据本发明优选实施方案制造的微型硅麦克风沿A-A线的横截面图。微型硅麦克风创建在硅基板11上，硅基板11支撑导电背板13。在硅基板11和导电背板13之间插入绝缘层12，这样将导电背板13与硅基板11绝缘隔离。在第二回室22的中心有穿孔声孔19，所述穿孔声孔19是由在硅基板11上的体硅材料蚀刻而成的。第二隔膜14的中心区悬浮于导电背板13的上方，且第二隔膜14与背板13间形成有空气间隙21。第二隔膜14上设有若干贯通第二隔膜14的第二通风孔20。第二隔膜14是通过沉积非导电材料而形成的，第二隔膜14的材料如氮化硅、聚酰亚胺、或未掺杂的多晶硅。导电薄膜18沉积在第二隔膜14上部，这样通过导电背板13和导电薄膜18形成电容器的两个电极。

第二隔膜14在边缘起浅波纹状，形成浅波纹15，第二隔膜14通过对应的周边16固定在导电背板13上，且第二隔膜14通过边缘17固定在绝缘层12上。导电薄膜18在第二隔膜14上对应的波纹15上形成电极导线23，并在第二隔膜14对应的边缘17处形成与电极导线23连接的焊盘24。

当语音信号形成的声压波冲击第二隔膜14时，会使得第二隔膜14发生偏移，并导致空气间隙21的改变。这样，通过第二隔膜14与导电背板13形成电容的变化，能反映声波信号的变化。在第二隔膜14上的第二通风孔20和导电背板13上的穿孔声孔19之间形成压力通风通道26。所述压力通风通道26使第二回室22内部的压力与周围环境的压力达到平衡。根据本发明的优选实施方案，压力通风通道26的长度要位于50到100微米。根据空气间隙21的大小，为了达到低频率时平坦的频率响应，压力通风通道26可超过100微米。

图5显示的是微型硅麦克风的府视图，是本发明的优选实施方案。第二通风孔20在第二隔膜14上随机、均匀地分布在腔27的边缘和浅波纹15之间。腔体边缘27是指与第二回室22与导电背板13结合部相对应，腔体边缘27是由体硅基板蚀刻形成的。声孔穿孔19也可以均匀或随机地分布在导电背板13上。声孔穿孔19和第二通风孔20的尺寸可以是相同的，但大多数情况下，他们的直径是不同的。比如第二通风孔20通常有约1至3微米的直径。而声孔穿孔19的直径通常在10到15微米。第二通风孔20的轴线与第二隔膜14的轴线不在同一直线上，这种安排有助于减小第二隔膜14中的内在应力，从而根据本发明的优选实施方案来帮助改善微型硅麦克风的敏感度。

为了减小微型麦克风的寄生电容，在电极导线23与第二隔膜14脱离的背板13上构建一个开口28，这样焊盘24完全置于绝缘层12的顶部。如果没有开口28，焊盘24与导电背板13会被第二隔膜14分离开。由于第二隔膜14通常约有1微米厚，所以焊盘24与导电背板13间会形成强大的寄生电容。图6所示为微型硅麦克风接触区域的放大视图，是一个优选实施方案。

再参照图4。绝缘层12将导电背板13与硅基板11分离开。绝缘层12主要上是用来绝缘隔离导电背板13与硅基板11的。硅基板11通常由硅型材料制成，是一种半导体。在包装或实际使用时，根据本发明优选实施方案制作微型硅麦克风通常附着于PCB板上，从而密封第二回室22。这也使得硅基板11与PCB板上的接地电极相接触，从而使硅基板11与PCB板上的接地电极具有基本相同的电势。绝缘层12的存在将导电背板13与PCB板上的地面电势隔离开，同时在硅基板11和导电背板13之间也形成电容。与第二隔膜14和导电背板13之间形成的电容相比，硅基板11和导电背板13之间的电容器电容更大，因为绝缘层12的厚度通常是近似于亚微米。加上硅基板11的半导体材料的高电阻，由第二隔膜14和导电背板13形成的电容在一个浮动状态下运行。当硅麦克风连接到ASIC的输入电路时，导电背板13因此会被视为假接地。

在等效电路中，第二隔膜14和导电背板13之间形成的第一电容器与硅基板11和导电背板13之间形成的第二电容器是串联连接。由于第二电容器的电容远远比第一电容器的电容大，所以第一电容器对第二电容器的影响可以忽略。因此，根据本发明优选实施方案制作的微型硅麦克风的敏感度最低程度上是由硅基板11的电气接地所决定的。第二隔膜14和导电背板13所形成的第一电容器的电气隔离还确保电容上的偏置极性不会改变麦克风的敏感度。

如上所述，压力通风通道26的流动阻力主要是通过第二通风孔20，空气间隙21和导电背板13上形成的声孔穿孔19产生的阻力。然而，第二通风孔20和空气气隙21在防止通过通风孔20时产生的声压泄漏中发挥了重要作用。与第二通风孔20的直径相比，空气间隙21尺寸较小时，第二通风孔20的孔径大小成为控制本发明优选方案所制造硅麦克风低频跌落的决定因素。另一方面，与第二通风孔20的大小相比，空气间隙21较大时，它成为决定硅麦克风低频响应的主导因素。

在设计中，空气间隙21的高度是由硅麦克风的偏置电压、灵敏度和噪声要求综合因素来决定的。偏置电压、灵敏度和噪声要求之间的关系通过竞争来平衡。例如，降低空气间隙21的高度将提高麦克风的灵敏度，但它会降低吸合电压，从而减少了麦克风可操控的偏置电压，并最终也将降低麦克风灵敏度。当考虑到所有竞争要求时，选择最低的空气间隙21的高度时，相应的高度应大于第二通风孔20的孔径大小。因此，空气间隙21的高度成为影响硅麦克风低频响应的首要目标。

如图7所示：是根据本发明的另一优选方案制造的微型硅麦克风的横截面图。微型硅麦克风以硅基板11为基础，硅基板11支撑导电背板13。绝缘层12分布于基板11和导电背板13之间，因此可使导电背板13与硅基板11绝缘隔离。在导电背板13上有许多穿孔声孔19，所述穿孔声孔19与第二回室22相对应，第二回室22是通过蚀刻在硅基板11上的体硅材料形成的腔体。第二隔膜14的中心区位于导电背板13的上方，第二隔膜14的中心区通过空气间隙21与导电背板13隔开。第二隔膜14上设有若干贯通第二隔膜14的第二通风孔20。第二隔膜14是由非导电材料沉积形成的，用于形成第二隔膜14的材料如氮化硅，聚酰亚胺，或纯多晶硅。导电薄膜18也因此沉积在第二隔膜14的顶部表面，形成电容的电极，因此电容的两个电极分别由导电背板13和导电薄膜18构成。

第二隔膜14的边缘起浅浅的褶皱，形成浅波纹15，第二隔膜14通过相应的周边16固定在导电背板13上。第二隔膜14通过相应的边缘17固定在绝缘层12上。导电薄膜18沿第二隔膜14上对应的浅波纹15形成电极引线23，并在第二隔膜14的边缘17形成焊盘24。此外，在第二隔膜14上还有形成于相应第二通风孔20间的一个V形环圈25，V型环圈25连接邻近第二隔膜14中心的第二通风孔20边缘及未形成第二通风孔20的中心部分。V形环圈25的深度通常是空气间隙21高度的2/3，从而使V形环圈25的底部和导电背板13之间的间隙在0.5微米到2微米间。这个狭窄的间隙能有效地增加了流动阻力，从而降低了因较大空气间隙21造成的压力泄漏。

图8是根据图7的实施方式时的俯视图。第二通风孔20随机的或均匀的分布在腔体27的边缘和浅波纹15之间的第二隔膜14上。腔体边缘27指的是第二回室22与导电背板13接触的地方，它由形成第二隔膜14的体硅基板蚀刻形成。在导电背板13上还可以均匀或随机分布若干声孔穿孔19。声孔穿孔19和第二通风孔20可以大小相同，但在大多数情况下，声孔穿孔19与第二通风孔20的孔径不同。例如，第二通风孔20的直径通常约1至3微米。声孔穿孔19的直径通常在10到15微米。第二通风孔20的轴线与第二隔膜14的轴线不在同一直线上。所述第二通风孔20的设置有助于减少第二隔膜14内应力，从而帮助改善根据本发明优选方案制造的微型硅麦克风的原始敏感度。在第二隔膜14上还有一个V型环圈25，V型环圈25形成于第二隔膜14上相应的第二通风孔20间，直到边缘和未穿孔的中心部分。

上述关于本发明的具体方案的描述是为了说明和描述本产品。它的用意不是要详尽无遗或限制其发明的确切形式披露。鉴于上述描述，显然可能有许多修改和变化。选择和描述此方案是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够最好地利用本发明，不同方案的各种修改是为了适用于预期的特殊用途。其目的是为了由以下要求及其等价物定义本发明的范围。

Claims (12)

1.一种穿孔微型硅麦克风，其特征是：包括

一浅波纹隔膜，并在所述浅波纹隔膜上形成若干隔膜穿孔；

一背板，所述背板上设置若干背板穿孔，所述背板穿孔形成于隔膜穿孔下方相对应的位置；

一基板，所述基板支撑所述背板和浅波纹隔膜；

及一绝缘层，所述绝缘层位于背板与基板间。

2.根据权利要求1所述的穿孔微型硅麦克风，其特征是：所述浅波纹隔膜的边缘与基板相连，以固定支撑在所述基板上。

3.根据权利要求1所述的穿孔微型硅麦克风，其特征是：所述形成隔膜穿孔的浅波纹隔膜与形成背板穿孔的背板间形成用于传递缓慢变化环境压力的一低通滤波器。

4.根据权利要求1所述的穿孔微型硅麦克风，其特征是：所述浅波纹隔膜上支撑有一用于形成电容电极的导电薄膜，导电薄膜上设置与隔膜穿孔对应并连通的穿孔。

5.根据权利要求1所述的穿孔微型硅麦克风，其特征是：所述背板上设有开口。

6.根据权利要求1所述的穿孔微型硅麦克风，其特征是：所述支撑在浅波纹隔膜上的导电薄膜通过开口位于背板上。

7.一种穿孔微型硅麦克风，其特征是：包括

一浅波纹隔膜，并在所述浅波纹隔膜上形成若干隔膜穿孔；

一背板，所述背板上设置若干背板穿孔，所述背板穿孔形成于隔膜穿孔下方相对应的位置；

一基板，所述基板支撑所述背板和浅波纹隔膜；

一绝缘层，所述绝缘层位于背板与基板间；

及一环形圈，间隔并连接中心区的浅波纹隔膜及邻近所述中心区浅波纹隔膜对应的隔膜穿孔。

8.根据权利要求7的穿孔微型硅麦克风，其特征是：所述浅波纹隔膜的边缘与基板相连，以固定支撑在所述基板上。

9.根据权利要求7的穿孔微型硅麦克风，其特征是：所述形成隔膜穿孔的浅波纹隔膜与形成背板穿孔的背板间形成用于传递缓慢变化环境压力的一低通滤波器。

10.根据权利要求7的穿孔微型硅麦克风，其特征是：所述浅波纹隔膜上支撑有一用于形成电容电极的导电薄膜，导电薄膜上设置与隔膜穿孔对应并连通的穿孔。

11.根据权利要求7的穿孔微型硅麦克风，其特征是：所述背板上设有断流器。

12.根据权利要求7的穿孔微型硅麦克风，其特征是：所述支撑在浅波纹隔膜上的导电薄膜通过开口位于背板上。

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