CN102605343A - 一种lpcvd工艺中的冷却腔传输系统 - Google Patents

一种lpcvd工艺中的冷却腔传输系统 Download PDF

Info

Publication number
CN102605343A
CN102605343A CN2011104285158A CN201110428515A CN102605343A CN 102605343 A CN102605343 A CN 102605343A CN 2011104285158 A CN2011104285158 A CN 2011104285158A CN 201110428515 A CN201110428515 A CN 201110428515A CN 102605343 A CN102605343 A CN 102605343A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transmission system
cooling chamber
feed belt
lpcvd
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011104285158A
Other languages
English (en)
Inventor
吴国发
辛科
彭侃
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hanergy Technology Co Ltd
Original Assignee
Hanergy Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hanergy Technology Co Ltd filed Critical Hanergy Technology Co Ltd
Priority to CN2011104285158A priority Critical patent/CN102605343A/zh
Publication of CN102605343A publication Critical patent/CN102605343A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及一种LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,具体地讲是涉及一种降低玻璃破碎率的LPCVD工艺中的冷却腔传输系统。该系统包括一组传动滚轮,还包括从动滚轮和由传动滚轮驱动的传送皮带,传动滚轮和从动滚轮分别位于传送皮带传送方向的两端。该系统简化了结构的同时,消除了玻璃基板自身的变形以及局部温度变化过于剧烈等两个导致玻璃破损的因素,降低了玻璃传输过程中的破碎率,提高了生产的稳定性,且易于维护。

Description

一种LPCVD工艺中的冷却腔传输系统
技术领域
本发明涉及一种LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,具体地讲是涉及一种降低玻璃破碎率的LPCVD工艺中的冷却腔传输系统。
背景技术
光伏应用的未来市场发展,特别是用于与电网相连的光伏电厂的应用,关键取决于降低太阳能电池生产成本的潜力。薄膜太阳能电池生产过程能耗低,具备大幅度降低原材料和制造成本的潜力;同时,薄膜太阳能电池在弱光条件下仍可发电。因此,目前市场对薄膜太阳能电池的需求正逐渐增长,而制造薄膜太阳能电池的技术更成为近年来的研究热点。
ZnO是一种N型直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度Eg为3.37eV。由于其原材料丰富且无毒,具有高电导和高透过率,并且在H等离子体环境中性能稳定,因此,在太阳能电池领域,ZnO作为透明导电氧化物薄膜可进一步提高Si薄膜太阳能电池的效率和稳定性,加快产业化进程。作为陷光结构的绒面ZnO薄膜前电极和背反射电极显得尤为重要。
ZnO的生长方法有很多,包括脉冲激光沉积、低压金属有机物化学气相沉积、射频/中频/直流溅射、电子束和热反应蒸发、等离子体化学气相沉积、喷雾热分解和溶胶-凝胶法等。近年来,以玻璃为基板材料的非晶硅薄膜太阳能电池凭借其成本低廉、工艺成熟、应用范围广泛等优势,逐渐从各种类型的薄膜太阳能电池中脱颖而出。其中较为成熟的是低压化学气相沉积工艺,该工艺要求低压真空环境和一定的加热反应温度,反应温度是薄膜生长的重中之重。
在ZnO的工艺中,ZnO反应的温度为200℃,故玻璃基板在加热腔已经进行预热到200℃左右,在进入工艺气体反应腔后,放置在加热板上保持温度,在整个工艺沉积的过程中,温度一直维持在设定温度不变,当玻璃基板完成气体沉积后被传送系统传输到冷却腔进行冷却。在现有技术中,冷却腔的传输系统是由6组传动滚轮组成的,如图1所示:1为带动滚轮转动的电机,2为传动滚轮,这6组传动滚轮均匀排步在腔室内部。由于玻璃基板材质的特殊性,当玻璃前端离开第一组滚轮在到达第二组滚轮之前,玻璃基板前端部分在重力的作用下发生形变下垂。同时玻璃基板后端在传送过程中,在刚刚离开滚轮支撑时同样会在重力的作用下发生形变下垂。众所周知玻璃在由高温向低温转变的过程中,玻璃内部的应力会有相应变化,如温度变化过于剧烈,会导致应力变化而造成玻璃的破碎。故在生产制造时应使玻璃冷却的过程的时间加长,避免温度变化的过于剧烈。同时玻璃本身的形变也会增加玻璃破损的概率,现有的技术中,玻璃在冷却的过程中,温度变化导致内部应力的变化还要叠加上玻璃自身的形变,这会导致玻璃基板在冷却腔室冷却的过程中破损几率的增加。最关键的是由于滚轮传输装置本身是水冷装置,高温玻璃在与滚轮装置接触时会导致玻璃基板边沿局部温度的剧烈变化,也会增加玻璃基板破碎的几率。
发明内容
本发明提供一种LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,简化了结构的同时,消除了玻璃基板自身的变形以及局部温度变化过于剧烈等导致玻璃破损的因素,降低了玻璃传输过程中的破碎率,提高了生产的稳定性,且易于维护。
为解决上述技术问题,本发明技术方案如下:
一种LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,包括传动滚轮等,传动滚轮只有一组,该系统还包括从动滚轮和由传动滚轮驱动的传送皮带,传动滚轮和从动滚轮分别位于传送皮带传送方向的两端;传送皮带为两边各一条,各自架设于冷却腔两边的传动滚轮和从动滚轮上,保证传送皮带能够匀速运转,进而带动玻璃匀速传输。
所述传送皮带为耐至少200℃高温的皮带,可以确保玻璃边沿与皮带接触不会导致皮带寿命的降低。同时由于传送皮带本身是热的不良导体,不会引起玻璃边沿局部温度的剧烈变化。
所述传送皮带上还设有使传送皮带绷紧的装置,优选为向下顶紧传动皮带下方一边的滚轴,可以设于传送皮带的中间部位,这样将皮带下方一边拉紧后,可以保证皮带上方一边保持紧绷状态,使其与玻璃接触时不至于出现玻璃受力不均匀的情况。同时,该装置的另一功能为可以方便皮带的拆卸。
所述皮带外侧固定有传输导向装置,可以选择为挡板,用于玻璃在传送的过程中限制其两侧的运动轨迹,避免传歪而导致玻璃基板碰撞破碎。
所述传输导向装置上开有供冷却腔室外部的电机与传动滚轮连接的孔,方便电机与传动滚轮之间的传动。
本发明提供的LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,通过用皮带传输结构替代了传统的多组滚轮传输结构,简化了结构的同时,消除了玻璃基板自身的变形以及局部温度变化过于剧烈等导致玻璃破损的因素,降低了玻璃传输过程中的破碎率,提高了生产的稳定性,且易于维护。
附图说明
图1是现有技术的冷却腔室传输系统结构示意图;
图2是本发明的冷却腔室滚轮传输系统的立体结构示意图;
图3是本发明的冷却腔室滚轮传输系统的俯视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
一种LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,如图2、3所示,包括一组传动滚轮2,还包括从动滚轮5和由传动滚轮2驱动的传送皮带3,传动滚轮2和从动滚轮5分别位于传送皮带3传送方向的两端;传送皮带3为两边各一条,各自架设于冷却腔两边的传动滚轮2和从动滚轮5上,保证传送皮带3能够匀速运转,进而带动玻璃匀速传输。
所述传送皮带3为耐200℃高温的皮带,可以确保玻璃边沿与皮带接触不会导致皮带寿命的降低。同时由于传送皮带3本身是热的不良导体,不会引起玻璃边沿局部温度的剧烈变化。
所述传送皮带3上还设有向下顶紧传动皮带3下方一边的滚轴4,设于传送皮带3的中间部位,用于绷紧皮带,这样将皮带下方一边拉紧后,可以保证皮带上方一边保持紧绷状态,使其与玻璃接触时不至于出现玻璃受力不均匀的情况。
所述传送皮带3外侧固定有挡板6,用于玻璃在传送的过程中限制其在两侧的运动轨迹,避免传歪而导致玻璃基板碰撞破碎。挡板6上开有供冷却腔室外部的电机1与传动滚轮2连接的孔,方便电机1与传动滚轮2之间的传动。

Claims (9)

1.一种LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,包括传动滚轮,其特征在于传动滚轮只有一组,该系统还包括从动滚轮和由传动滚轮驱动的传送皮带,传动滚轮和从动滚轮分别位于传送皮带传送方向的两端。
2.根据权利要求1所述的LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,其特征在于所述传送皮带为耐至少200℃高温的皮带。
3.根据权利要求1或2所述的LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,其特征在于所述传送皮带为两边各一条,各自架设于冷却腔两边的传动滚轮和从动滚轮上。
4.根据权利要求1所述的LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,其特征在于所述传送皮带上还设有使传送皮带绷紧的装置。
5.根据权利要求4所述的LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,其特征在于所述使传送皮带绷紧的装置设于传送皮带的中间部位。
6.根据权利要求5所述的LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,其特征在于所述传送皮带绷紧的装置为向下顶紧传动皮带下方一边的滚轴。
7.根据权利要求1所述的LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,其特征在于所述皮带外侧固定有传输导向装置。
8.根据权利要求7所述的LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,其特征在于所述传输导向装置上开有供冷却腔室外部的传动电机与传动滚轮连接的孔。
9.根据权利要求7或8所述的LPCVD工艺中的冷却腔传输系统,其特征在于所述传输导向装置为挡板。
CN2011104285158A 2011-12-20 2011-12-20 一种lpcvd工艺中的冷却腔传输系统 Pending CN102605343A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011104285158A CN102605343A (zh) 2011-12-20 2011-12-20 一种lpcvd工艺中的冷却腔传输系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011104285158A CN102605343A (zh) 2011-12-20 2011-12-20 一种lpcvd工艺中的冷却腔传输系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102605343A true CN102605343A (zh) 2012-07-25

Family

ID=46523097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011104285158A Pending CN102605343A (zh) 2011-12-20 2011-12-20 一种lpcvd工艺中的冷却腔传输系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102605343A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114873217A (zh) * 2022-04-29 2022-08-09 中建材智能自动化研究院有限公司 光伏玻璃深加工落板辊道控制系统及控制方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1681962A (zh) * 2002-08-01 2005-10-12 泰克玛西纳股份有限公司 对基质进行真空处理的设备
JP2007051029A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス板の加工方法及びその装置
CN202380078U (zh) * 2011-12-20 2012-08-15 汉能科技有限公司 一种lpcvd工艺中的冷却腔传输系统

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1681962A (zh) * 2002-08-01 2005-10-12 泰克玛西纳股份有限公司 对基质进行真空处理的设备
JP2007051029A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス板の加工方法及びその装置
CN202380078U (zh) * 2011-12-20 2012-08-15 汉能科技有限公司 一种lpcvd工艺中的冷却腔传输系统

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
朱宝库: "《机械设计》", 31 January 1994, article "带的张紧", pages: 102-103 *
李云奇: "《真空镀膜技术与设备》", 31 October 1989, article "真空镀膜技术的分类", pages: 3 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114873217A (zh) * 2022-04-29 2022-08-09 中建材智能自动化研究院有限公司 光伏玻璃深加工落板辊道控制系统及控制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2714247B2 (ja) マイクロ波プラズマcvd法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置
CN100463230C (zh) 黄铜矿型薄膜太阳能电池的制造方法
US20090223551A1 (en) Process for making solar cells
CN102127747A (zh) 用于连续沉积薄膜层到基底上的模块系统和方法
CN103094403A (zh) Pecvd法制备双面异质结太阳能电池的串行式设备和工艺
CN102856174B (zh) 氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法
CN107794510B (zh) 柔性薄膜立式真空镀膜生产线
JP2810532B2 (ja) 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
US20170155005A1 (en) Selenization/sulfurization process apparatus for use with single-piece glass substrate
US20090266704A1 (en) Sputtering Method and Sputtering Apparatus, and Electronic Device Manufacturing Method
CN202380078U (zh) 一种lpcvd工艺中的冷却腔传输系统
CN102605348A (zh) 一种传动加热系统及方法
CN102605343A (zh) 一种lpcvd工艺中的冷却腔传输系统
CN206022406U (zh) Cigs太阳能电池薄膜生产线
CN102517564A (zh) 一种lpcvd工艺腔中的气体吹扫系统及方法
KR101441942B1 (ko) 플렉시블 박막형 태양전지 및 그 제조방법
US10043921B1 (en) Photovoltaic cell with high efficiency cigs absorber layer with low minority carrier lifetime and method of making thereof
CN102064236B (zh) 薄膜太阳能电池的制造方法
CN103094402B (zh) Pecvd法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备和工艺
CN101593792A (zh) 薄膜太阳能电池的制造方法
CN201990728U (zh) 低压化学气相沉积反应设备
CN202380086U (zh) 一种传动加热系统
CN104051577A (zh) 提高太阳电池吸收层铜锌锡硫薄膜结晶性能的制备方法
JP2006216624A (ja) 太陽電池及び太陽電池の製造方法
CN102418083A (zh) 一种lpcvd工艺中的防污染系统及方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 100107 Beijing Chaoyang District Anli Road No. 0-A

Applicant after: Hanenergy Solar Photovoltaic Technology Co.,Ltd

Address before: 102209 Beijing city Changping District town Beiqijia Hongfu Pioneer Park No. 15 hospital

Applicant before: Hanergy Technology Co., Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: HANERGY TECHNOLOGY CO., LTD. TO: HANERGY SOLAR PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY LIMITED

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120725