CN102598241A - 用于晶片载体减震的系统及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的一个方面提供了用于控制具有晶片载体和驱动部分的晶片清洗系统的系统和方法。该晶片载体可沿第一方向和第二方向的路径移动。该驱动部分能沿所述第一个方向和第二个方向可控地移动所述晶片载体。该控制系统包括振动传感器部分和晶片载体位置控制器。该振动传感器部分可检测该晶片载体的振动，并可以根据所检测到的振动输出振动信号。该晶片载体位置控制器可基于该振动信号指示该驱动部分修正该晶片载体的运动以减少该检测到的振动。

Description

用于晶片载体减震的系统及方法
技术领域
本申请要求于2009年10月23日递交的、第61/254,536号美国临时申请的优先权，该临时申请已全部并入此处作为参考。
背景技术
在半导体芯片制造中，已知等离子体刻蚀方法会遗留不受欢迎的残留物和颗粒。这些残留物和颗粒如果留在晶片上会成为导致电气故障和设备失灵的缺陷。当用化学清洗方法去除这些颗粒和残留物，设备产量会增加且失灵会减少。然而，这必须谨慎，以使得化学清洗方法能有效地去除残留物和颗粒，并且也不会对晶片造成任何损坏。因此，化学清洗方法必须精确地检测且充分优化，以使得晶片清洗效率尽可能高，但不会造成任何方式的损坏。
常规清洗方法通常涉及把成批晶片置于槽(tank)内长时间曝露在化学制品中清洗。这种清洗方法会导致晶片内部和晶片与晶片之间的交叉污染，以及因干燥不足或化学品接触过久而造成的损坏。对此，传统的解决方法是使晶片通过限定的化学制品弯液面，从而单独清洗晶片，该方法可消除上述问题。
图1显示了传统的线性湿式化学清洗系统100的部分。
如图1所示，清洗系统100包括固定托盘(holding tray)102，晶片载体104，排水装置(drain)106，动力(磁力)轨112，附件设备110，114，126和130，非动力(平衡)轨128，清洗部分118和晶片载体位置控制器132。清洗部分118包括多个处理喷淋头120。
在操作过程中，晶片108可设置在晶片载体104上。连接到晶片载体104的附件设备110和114和附件设备126和130使得晶片载体能够分别沿动力轨112和非动力轨128之间的路径D滑行。载体托盘104沿着路径D的运动(例如，它的速度)受晶片载体位置控制器132的控制。清洗过程中，晶片载体104在向其起始位置(方向d2)往回运动之前，首先往d1(从左至右)方向沿着路径D运动。由于承载着晶片108的晶片载体104通过清洗部分118下方，处理喷淋头120向晶片108表面施用清洗液。然后处理喷淋头120通过负压去除清洗液，同时部分液体通过排水装置106排出。在这种方式下，可去除晶片108表面的任何颗粒。
在湿式清洗方法中，结合去离子水输送和混合液-气回流线(mixed liquid-gas return lines)(未显示)，清洗液被施用到晶片108表面。在这个过程中，液体也会流到固定托盘102、动力轨112和非动力轨128的表面上。现已发现，针对动力轨112和非动力轨128相关的振动，在动力轨112和非动力轨128上存在有液体时，相较于在动力轨112和非动力轨128上没有任何可溶性溶液时，晶片载体104的振动在频率上会增加。此外，当晶片载体104在整个固定托盘102上移动时，由于表面残留物的存在，非动力轨128和附件设备110和114之间的以及动力轨112和附件设备126和130之间的接触电阻是不同的。在这些接触电阻存在较大差异的情况下，晶片108往往会在晶片载体104内振动，在晶片载体104内移动或者完全从晶片载体104掉出。在清洗过程中晶片108的移位是不可取的，必须最小化，以防止晶片的损坏并且提高清洗过程的效率。
需要防止晶片在湿式清洗过程中在载体结构内移动的系统和方法。
发明内容
本发明的一个目的是提供用于防止晶片在湿式清洗过程中在载体结构内移动的系统和方法。
根据本发明的一个方面，提供了用于控制具有晶片载体和驱动部分的晶片清洗系统的系统和方法。该晶片载体可沿第一方向和第二方向的路径移动。该驱动部分能沿所述第一个方向和第二个方向可控地移动所述晶片载体。该控制系统包括振动传感器部分和晶片载体位置控制器。该振动传感器部分可检测该晶片载体的振动，并可以根据所述检测到的振动输出振动信号。该晶片载体位置控制器可基于该振动信号指示该驱动部分修正该晶片载体的运动以减少该检测到的振动。
本发明其他的目的、优点和新颖的特点，部分是在下面说明书中作出描述，部分对于本领域技术人员来说通过下文的考察将变得很明显，或者通过实践本发明而被理解。本发明的目的和优势可通过特别是所述权利要求中指出的手段和组合来实现和达到。
附图说明
并入说明书且成为其组成部分的附图，显示了本发明的具体实施例，并且与说明书一起，用于解释本发明的原理。在附图中：
图1显示了传统线性湿式化学清洗系统的一部分；
图2A-2E显示了在干式测试清洗过程中晶片载体在整个固定托盘上向一个方向运动的压电式传感器的响应(response)曲线；
图3A-3E显示了在干式测试清洗过程中晶片载体在整个固定托盘上向相反方向运动的压电式传感器的响应曲线；
图4A显示了连续进行两次干式测试清洗过程时，来自一个传感器的过滤后的响应；
图4B显示了连续进行两次干式测试清洗过程时，来自另一个传感器的过滤后的响应；
图5A显示了在干式测试清洗过程中，来自一个传感器的过滤后的响应；
图5B显示了在湿式清洗测试过程中，来自一个传感器的过滤后的响应；和
图6显示了根据本发明一个方面的晶片清洗和控制系统的一个例子。
具体实施方式
根据本发明一个方面，本发明的系统和方法提供了通过在湿式化学清洗系统中检测与载体结构相关的振动来检测载体结构运动的能力，以及通过基于所检测到的振动来调节运动控制从而减少载体结构不受欢迎的运动的能力。
具体来说，根据本发明的一个方面，该系统除了晶片载体位置控制器之外，还包括振动传感器部分。该振动传感器部分可检测晶片载体结构的振动，并能根据所检测到的振动输出振动信号。然后，该晶片载体位置控制器可基于该振动信号指示该驱动部分修正晶片载波结构的运动，以减少所检测到的振动。通过这种方法，在清洗过程中，该晶片载体结构内的晶片的运动可以显著地降低。
现在参考附图2A-6，对本发明的各方面进行更详细的描述。
在符合本发明的一个方面的实施例中，振动传感器部分由第一个传感器(传感器1)和第二传感器(传感器2)组成，它们每一个分别放置在在附图1清洗系统的非动力轨128和动力轨112上，用于测量与载体托盘104沿固定托盘102的运动相关的震动。可使用的传感器类型包括压电薄膜，MEMS或光学传感器，但可以是任何类型的能检测振动的传感器。首先在“干式”清洗过程中测量来自每个传感器的响应，在该过程中，晶片载体104在整个固定托盘102上来回移动(沿方向d1和d2)，但是，无论在动力轨112或非动力轨128上都没有液体或残留物。这为传感器提供了一个“基准”的响应，它代表在清洗过程中与晶片载体104的运动相关的理想的，或最小的振动。
然后，在“湿式”清洗过程中再次测量该传感器的响应，在该过程中，晶片载体104在整个固定托盘102表面(沿方向d1和d2)来回运动，这一次，动力轨112和非动力轨128上有液体。从而，该传感器响应的变化可量化由液体的存在而引起的晶片载体104的振动量。通过这种方法，可以获得检测和表征晶片载体104在常规湿式清洗过程中与流体存在有关的振动的能力，因此使得能原位(in-situ)检测和调整晶片载体104的位置，以便在清洗过程中减少晶片108的运动。
附图2A-2E显示了，该晶片载体104在“干式”测试清洗过程中在整个固定托盘102上朝一个方向运动的压电式传感器的响应曲线(沿方向d1，或从起始位置到结束位置的运动，标记为“运动1”)(没有出现液体)。传感器1是指放置在非动力轨128的传感器，传感器2是指放置在动力轨112的传感器。
具体来说，附图2A包括图表202，该图表显示了当晶片载体104在整个固定托盘102上沿方向d1(运动1)运动时，传感器1输出电压相对于时间的函数关系。附图2B包括图表204，这是附图202中的输出电压的快速傅立叶变换(FFT)，显示了FFT幅度相对于频率的函数关系。附图2C是图表206，这显示了当晶片载体104在整个固定托盘102上沿方向d1(运动1)运动时，传感器2输出电压相对于时间的函数关系。附图2D和附图2E包括图表208和210，分别显示了FFT幅度相对于图表206中电压信号频率的函数关系。
附图3A-3E显示了，该晶片载体104在“干式”测试清洗过程中(没有出现液体)在整个固定托盘102上朝相反方向运动的压电式传感器的响应曲线(运动方向d2，或从结束位置到起始位置，标记为“运动2”)。附图3A是图表302，该图表显示了当晶片载体104在整个固定托盘102上沿d2方向(运动2)运动时，传感器1输出电压相对于时间的函数关系。附图3B是图表304，这是附图302中的输出电压的FFT，显示了FFT幅度相对于频率的函数关系。附图3C是图表306，这显示了当晶片载体104在整个固定托盘102上沿d2方向(运动2)运动时，传感器2输出电压相对于时间的函数关系。附图3D和3E包括图表308和310，分别显示了FFT幅度相对于图表306中电压信号频率的函数关系。
当晶片载体104在整个固定托盘102上沿方向d1(运动1)时，来自于传感器1(附图2B)和传感器2(附图2D和2E)的振动信号的频率响应是在理想的条件下测量的，即，动力轨112和非动力轨128都没有任何液体或外来颗粒。然后，晶片载体104往回向起始处沿方向d2运动(运动2)，来自于传感器1(附图3B)和传感器2(附图3D和3E)的振动信号的频率响应用同样的方法测量。这些数据为晶片载体104的振动提供了一套“基准”的频率响应，由于它是在没有任何液体或颗粒存在的情况下在整个固定托盘102上运动的。
假定动力轨112和非动力轨128的质量是不相等的，来自于较轻质量轨上的传感器(传感器1，非动力轨128上)的响应具有较强的高频成分。通过把附图2B与附图2E中的频率幅度做比较，就可以看出这一点。相较于传感器2，传感器1以较高的频率为主，但是发现，传感器1和传感器2都包含了介于1和10赫兹之间的低频率成分。
附图4A和4B显示了，当连续进行两次干式测试清洗过程时，来自传感器1和传感器2的过滤后的响应(没有流体存在)。附图4A显示了在这两个干式测试期间来自于传感器1(连接到非动力轨128的传感器)的过滤后的响应。y轴是来自于传感器1(伏特)的过滤后的响应，而x轴是时间(秒)。部分402是指时间段，其间第一测试(测试1)才刚刚开始，并且载体104正通过沿动力轨112和非动力轨128滑行的方式沿d1方向运动(运动1)。在这里，在部分402期间，来自于传感器1的响应是非常小的，因为晶片载体104尚未通过传感器1的位置(处理喷淋头120下方)，因此所检测到的振动可以忽略不计。
方块404是指测试1部分，其中晶片载体104在传感器1附近运动。当晶片载体104作为运动的一部分第一次通过传感器1时，传感器1探测到一个大的响应(部分408)(晶片载体104沿方向d1运动)。然后，晶片载体104到达固定托盘102的终止位置后，开始沿方向d2运动返回到起始位置(运动2)，它再次通过传感器1，由此类似地探测到另一个大的响应(部分410)。
紧接着测试1，立即开始第二个相同的测试(测试2)。方块406指测试2部分，其中晶片载体104在传感器1附近运动。如测试1所示，当晶片载体104在运动1(部分412)和运动2(部分414)中通过传感器1，传感器1可出现大的相应响应。注意到，在测试1中的部分408和410以及在测试2中的部分412和414，信号的波形和幅度彼此都非常相似。因此，这些一致的、可重复的结果表明，这种过滤信号为进一步评估因晶片载体104运动引起的振动提供了稳定的“基准”传感器1响应。
附图4B显示了在同样的2个干式测试中来自于传感器2(连接到动力轨112的传感器)的过滤后的响应。y轴是来自于传感器2(伏特)的过滤后的响应，而x轴是时间(秒)。部分416是指时间段，其间第一测试(测试1)才刚刚开始，并且载体104正通过沿动力轨112和非动力轨128滑行的方式沿方向d1运动(运动1)。在这里，在部分416期间，来自于传感器2的响应是非常小的，因为晶片载体104尚未通过传感器2(处理喷淋头120下方)的位置，因此所检测到的振动可以忽略不计。
方块418是指测试2部分，其中晶片载体104在传感器2附近运动。当晶片载体104作为运动的一部分第一次通过传感器2时，传感器2记录到一个大的响应(部分422)(晶片载体104沿方向d1运动)。然后，晶片载体104到达固定托盘102的终止位置，并且开始沿方向d2运动返回到起始位置(运动2)后，它再次通过传感器2，由此类似地记录到另一个大的响应(部分424)。
紧接着测试1，立即开始第二个相同的测试(测试2)。方块420指测试2部分，其中晶片载体104在传感器2附近运动。如测试1所示，当晶片载体104在运动1(部分426)和运动2(部分428)中通过传感器2时，传感器2可出现大的相应响应。注意到，在测试1中的部分422和424以及在测试2中的部分426和428，信号的波形和幅度彼此都非常相似。因此，这些一致的、可重复的结果表明，这种过滤信号为进一步评估因晶片载体104运动引起的振动提供了一个稳定的“基准”传感器2响应。
由于附图4A和附图4B显示了传感器1和传感器2的过滤信号在重复的干式测试中提供一致的响应，因此这些过滤信号可用作在清洗过程中检测和优化振动的基准。具体来说，由于基准的响应代表了与晶片载体104运动相关的振动的理想的，或最小的量，因此，当在常规(或“湿式”)清洗过程中检测响应时，它们可用作参照。
通过使用明显是来自于传感器1和传感器2的可重复低频率成分，还能够检测非动力轨128和附件设备126和130之间的接触电阻的变化，以及动力轨112和附件设备110和114之间的接触电阻的变化。结合附图2-4讨论的一个实施例中，发现，对于检测因接触电阻变化而变化的频率响应来说，传感器1和2上的1-10赫兹带通滤波器是足够的。下文结合附图5A-5B讨论频率响应的变化相对于接触电阻的函数关系。为简洁起见，在图5A和5B中，仅仅显示来自于一个传感器(传感器1)的响应。
附图5A和5B显示了，在干式测试清洗过程中(图5A)和湿式清洗测试过程中(图5B)，来自于传感器1的过滤后的响应。
具体来说，附图5A是图表500，该图表显示了在6个相同的“干式”测试清洗过程中(动力轨112或非动力轨128上没有流体)，来自传感器1的过滤后的响应。y轴是来自传感器1(伏特)的过滤后的响应，而x轴是时间(秒)。组502是从六个干式测试获得的来自于传感器1的一组六个过滤信号。如图所示，组502中所有六个曲线彼此都非常一致，每一个都有一致的幅度和相位。这是和预期一致的，因为在干式测试中，相对稳定的接触电阻使得仅仅出现最少的振动。该最少的振动基本上是可以接受的，因为它不会导致晶片108在晶片载体104内明显的运动。
附图5B是图表504，该图表显示了在5个相同的“湿式”清洗过程中(流体直接喷在动力轨112或非动力轨128上)，来自传感器1的过滤后的响应。组506是从5个湿式测试获得的来自于传感器1的一组5个过滤信号。如图所示，在组506中的曲线相互之间相差很大，表现出大的相移、振幅的变化和高次谐波。这种差异可归结为传感器1所检测到的振动频率增加，该振动频率增加是由因流体的存在引起的接触电阻变化直接导致的。该振动频率增加是不可取的，因为它可导致晶片108在晶片载体104内过度运动，甚至到晶片108从晶片载体104内完全掉出的程度。因此，该因流体的存在而产生的额外振动是不可接受的，必须得到解决，以减少在清洗过程中晶片108的不必要的运动。
附图5A和5B显示了，如何通过跟踪来自于传感器1的响应的频率、振幅和相位的变化，来衡量因非动力轨128上存在流体而引起的振动变化和接触电阻变化。传感器2的情况也类似，因在动力轨112上存在流体而引起响应的情况也类似。按照本发明的一个方面，这种振动检测是在清洗过程中实时进行的，这样的话，该信息可用于检测晶片载体104的运动(或其他动态处理变量)及适当地控制晶片载体104的运动(或其他动态过程变量)，以减少晶片108在晶片载体104内的运动。
具体来说，来自于传感器1和传感器2的原位振动频率分析是这样进行的，以使得能够获得针对每个信号响应的明确频率域，并用于识别因流体和/或残留物积在动力轨112和/或无动力轨128上造成的不受欢迎的振动的性质。然后，来自于该原位分析的数据能以这样一种方式用于实时控制晶片载体104的运动，以使得破坏性地干扰不受欢迎的振动。因此，这就可以对晶片载体104运动(和其他动态过程变量)进行实时控制，以使得减少在清洗过程中晶片108在晶片载体104内总的运动。通过确保晶片108在任何时候都在晶片载体104内保持稳定，这可以防止灾难性故障。
现在结合附图6开始讨论根据本发明一个方面的实施该检测和控制的实施例。
附图6显示了，根据本发明一个方面的晶片清洗及控制系统600。附图6包括清洗系统100，第一传感器628(传感器1)，第二传感器630(传感器2)，模拟-数字转换器(ADC)602，数字信号处理器(DSP)604，晶片载体位置控制器606和工具控制器608。
ADC602设置成接收传感器1输出信号610和传感器2输出信号612作为输入信号，并且输出传感器1数字信号614和传感器2数字信号616。DSP 604设置成接收传感器1数字信号614和传感器2数字信号616作为输入信号，并且输出统计学的操作控制(SPC)频率参数618和载体频率参数输入信号620。工具控制器608设置成接收SPC频率参数618，并输出操作输入信号622。晶片载体位置控制器606设置成接收载体位置输入信号624，载体频率参数输入信号620，操作输入信号622，并且输出载体速度设定点626。
在操作中，在清洁过程中，当晶片载体104在整个固定托盘102上运动，来自第一传感器628和第二传感器630(传感器1输出信号610和传感器2输出信号612)的模拟电压信号输入ADC 602中。然后，ADC602将传感器1输出信号610和传感器2输出信号612转换成数字信号，传感器1数字信号614和传感器2数字信号616。接着，DSP604接收传感器1数字信号614和传感器2数字信号616，并且处理信号，其可包括过滤(例如，数字带通)和FFT以识别振动的频率成分(幅度和相位响应)。DSP604还包括为执行频率成分分析的干式测试期间获得的基准数据的各种数据库。因此，源自DSP604的输出信号SPC频率参数618可包括幅度和相位信息，该信息提供给工具控制器608进行实时SPC，以及对当前测试参数和该批其它测试参数进行比较。为了确保成批晶片间的运用重复性，工具控制器608向晶片载体位置控制器606输出操作输入信息622，其中包括用于适当调整晶片载体104的速度和/或位置的反馈参数，以使得它的运动在该批整个测试中尽可能维持均一。这是通过这样的方式来完成的：晶片载体位置控制器606接收操作输入信息622和载体位置输入信息624，以及输出合适的设定晶片载体104速度的速度设定点626。
注意到，DSP604还提供了另一种输出信号，载体频率参数输入信号620，它绕过工具控制器608直接输入到晶片载体位置控制器606中。这样完成后，使得如果DSP604测定到不可接受的过度震动量，DSP604可直接控制晶片载体位置控制器606。在这种情况下，载体频率参数输入信号620包含用于信号的参数，该参数设计成减缓晶片载体104运动以减少这些过度振动。晶片载体位置控制器606接收载体频率参数输入信号620，并输出合适的速度设定点626，该速度设定点设定晶片载体104的速度，以尽可能减少过度振动。如果过度振动异常高，晶片载体位置控制器606可简单地把速度设定点626设置成零(从而暂时停止晶片载体104)，以防止晶片108掉出晶片载体104。
在这种方式下，在清洗和控制系统600中，晶片108在晶片载体104内的稳定性提高，且防止出现晶片108掉出晶片载体104的灾难性后果，从而提高清洗过程的综合效率。此外，由于SPC还可用于晶片载体104的控制，整批处理的均匀性得到提高。
操作根据本发明一个方面的清洗和控制系统600的示例性方法，现将结合附图7作出描述。
开始操作700(步骤S702)并且建立晶片载体104在清洗过程中振动的基准线(步骤S704)。如前所述，这是通过在“干式”清洗测试过程中测定来自于传感器1和传感器2的响应来完成的，其间在非动力轨128或非动力轨112上不存在任何流体或残留。然后，处理来自每个传感器的响应以获得代表在清洗过程中理想的，或最小的，振动量的基准响应。通过特定的数值还可建立用于超过基准的振动阈值，以使得超过一定的阈值后，给定的振动响应被视为是不可接受的，因此需要调整。
然后，加载晶片产品(步骤S706)并且该晶片产品在清洗和控制系统600中进行处理(步骤S708)。当该晶片进行处理时，检测来自于传感器1和传感器2的响应，并进行原位频率分析和SPC(步骤S710)。如前述附图6中所描述，DSP604处理来自两个传感器的数字响应，进行频率分析，并把频率参数与所建立的基准响应相比较。该工具控制器608是，通过对当前测试(trial)的该频率参数数据与该批中其它测试的频率参数数据进行比较，并指示晶片载体位置控制器606相应地调整晶片载体104的速度，这样来执行SPC的。其他的工艺参数(例如所用的清洗液量、操作喷淋头120的位置等等)也可被调整。
如果/当所测得的振动响应超过既定的振动阈值(步骤S712)，适当调整晶片载体104的速度和/或其他工艺参数，以把振动减少到可接受的水平(步骤S714)。回到附图6，通过对所测得的振动和所建立的基准响应做比较，DSP604决定过度振动的量是否落在所建立的阈值范围内。如果没有，DSP604向晶片载体位置控制器606输出载体频率参数输入信号620，并在清洗过程中调整晶片载体104的速度，以使得通过破坏性的干扰来消除或减少过度的振动。
适当的参数调整后，重复清洗和原位振动检测(步骤S708)过程，直到再次决定正在测定的振动是否是可以接受的(步骤S712)。如果正在测定的振动是可以接受的，然后决定目前的晶片清洗过程是否结束(步骤S716)。
如果确定清洗过程还没有结束，然后继续该清洗过程和原位检测(步骤S708)。
如果确定清洗过程已结束，然后确定是否有更多的晶片产品需要进行处理(步骤S718)。如果没有更多的晶片产品需要进行处理，那么处理结束(步骤S720)，除非加载下一个晶片产品(步骤S706)，并重复上述过程。
根据本发明方面，在湿式化学清洗系统中与晶片载体运动有关的振动可被检测，并能用于防止晶片在载体结构内的运动。振动传感器可用来检测载体相对于其沿系统轨道运动的振动，而动态原位频率分析可以将适当的反馈参数作为输入信息提供给晶片载体速度控制回路，以使与晶片移位相关的不受欢迎的频率衰减。
前面对于本发明各种优选的实施例的描述的目的是为了解释和阐述。并不是穷尽性的或把本发明限制在所披露的特定形式之内，显然根据上述教导还可以做出许多修改和变化。如上所述，对示例性的实施例的选择和描述，是为了最好地解释本发明的原则和其实际应用，从而本领域其它的技术人员能够最好地在各种实施例及与预期的特定用途相适应的各种修改中利用本发明。此处所附的权利要求意在限定本发明的范围。

Claims (16)

1.与具有晶片载体和驱动部分的晶片清洗系统一起使用的控制系统，该晶片载体能沿第一方向和第二方向的路径移动，该驱动部分能沿所述第一方向和所述第二方向可控地移动所述晶片载体，该控制系统包括：
振动传感器部分，其能检测该晶片载体的振动，并能根据所检测到的振动输出振动信号；和
晶片载体位置控制器，其能基于该振动信号指示该驱动部分修正该晶片载体的运动以减少该检测到的振动。
2.根据权利要求1所述的控制系统，进一步包括处理部分，其能基于第一时间段的振动信号提供在该第一时间段的所述晶片载体振动的第一分析，能基于第二时间段的振动信号提供在该第二时间段的所述晶片载体振动的第二分析，并且基于所述第一分析和所述第二分析的比较产生比较信号。
3.根据权利要求2所述的控制系统，其中，所述处理部分还能建立阈值，并当所述第一分析和所述第二分析之间的差异大于所述阈值时能产生阈值信号。
4.根据权利3所述的控制系统，其中，所述晶片载体位置控制器还能基于所述阈值信号指示该驱动部分修正该晶片载体的运动。
5.根据权利要求1所述的控制系统，
其中，所述传感器部分包括第一振动传感器和第二振动传感器，
其中，所述第一振动传感器设置在第一位置，并能检测所述晶片载体的第一振动以及能基于所检测到的第一振动输出第一振动信号，和
其中，所述第二振动传感器设置在第二位置，并能检测所述晶片载体的第二振动以及能基于所检测到的第二振动输出第二振动信号。
6.根据权利要求5所述的控制系统，还包括处理部分，其能基于第一时间段的所述第一振动信号和该第一时间段的所述第二振动信号中的至少一个，提供在该第一时间段的所述晶片载体振动的第一分析，能基于第二时间段的所述第一振动信号和该第二时间段的所述第二振动信号中的至少一个，提供在该第二时间段的所述晶片载体振动的第二分析，并且基于所述第一分析和所述第二分析的比较产生比较信号。
7.根据权利要求6所述的控制系统，其中，所述处理部分还能建立阈值，并且当所述第一分析和所述第二分析之间的差异大于所述阈值时能产生阈值信号。
8.根据权利要求7所述的控制系统，其中，所述晶片载体位置控制器还能基于所述阈值信号指示该驱动部分修正该晶片载体的运动。
9.控制具有晶片载体和驱动部分的晶片清洗系统的方法，该晶片载体能沿第一方向和第二方向的路径移动，该驱动部分能沿所述第一个方向和第二个方向可控地移动所述晶片载体，该方法包括：
检测所述晶片载体的振动；
基于所检测到的振动输出振动信号；和
基于振动信号指示所述驱动部分修正该晶片载体的运动，以减少所检测到的振动。
10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：
在第一时间段的振动信号的基础上，提供在所述第一时间段的所述晶片载体振动的第一分析；
在第二时间段的振动信号的基础上，提供在所述第二时间段的所述晶片载体振动的第二分析；以及
基于所述第一分析和所述第二分析的比较，产生比较信号。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
建立阈值；和
当所述第一分析和所述第二分析之间的差异大于所述阈值时产生阈值信号。
12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括基于所述阈值信号指示该驱动部分修正该晶片载体的运动。
13.根据权利要求9所述的方法，
其中，所述检测所述晶片载体的振动包括检测所述晶片载体的第一振动和检测所述晶片载体的第二振动，和
其中，所述基于所检测到的振动输出振动信号包括基于所检测到的第一振动输出第一振动信号和基于所检测到的第二振动输出第二振动信号。
14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：
基于第一时间段的所述第一振动信号和所述第一时间段的所述第二振动信号中的至少一个，提供在所述第一时间段的所述晶片载体振动的第一分析；
基于第二时间段的所述第一振动信号和所述第二时间段的所述第二振动信号中的至少一个，提供在所述第二时间段的所述晶片载体振动的第二分析；和
基于所述第一分析和所述第二分析的比较，产生比较信号。
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：
建立阈值；和
当所述第一分析和所述第二分析之间的差异大于所述阈值时产生阈值信号。
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括基于所述阈值信号指示该驱动部分修正该晶片载体的运动。
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