CN1025905C - 一种制造太阳能电池接触的改进方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002674 ointment Substances 0.000 claims description 61
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 22
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 claims description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 5
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002998 adhesive polymer Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
本发明叙述一种太阳能电池的制造工序，其中的硅衬底在其一侧具有一层氮化硅，该衬底有选择地涂覆以一金属软膏。该金属软膏含有一选定的金属和一铅硅玻璃料。加热时，该玻璃贯穿氮化硅，而用选定的金属使衬底表面金属化。
Description
本发明涉及固体半导体器件的制造。更具体地说，本发明涉及在涂覆有氮化硅的硅圆片的前侧上形成导电金属接触的改进方法。
迄今为止，制造硅太阳能电池的常用方法包括了下列步骤：（1）将磷扩进P型硅带晶以便形成一种浅结，（2）在该带晶结侧形成一层薄的氮化硅涂层，（3）用光刻法（即使用适当的光致抗蚀剂和刻蚀技术）在氮化硅中形成一栅电极图形，（4）用一铝软膏涂覆硅带晶的另一侧，（5）加热硅带晶使铝和硅起合金作用，（6）在该带晶两侧上暴露的硅镀上镍，（7）烧结镍以形成镍硅化物，以及（8）将另外的金属镀在被硅部分覆盖的金属上。这样一种方法更详细的叙述可以在美国专利4451969找到。
用光刻法形成栅电极的步骤（此法需要牵涉到除去残余的抗蚀剂）是极为有效的。然而，光刻法涉及好几次花时间的步骤，而且还在制造太阳能电池的总成本中增加不相称的份额。
举例说明现有技术状况的有美国专利4375007、4388346和4640001以及在其中引用的参考文献。美国专利4375007公开了一种用铝镁合金的低电阻接触的硅太阳能电池。Al-Mg合金和Ni-Sb合金或Al以粉状混合以形成一种厚膜金属化软膏，这种软膏对于给涂覆有Si3N4的硅太阳能电池制造低阻值的导电接触是很有用的。
美国专利4388346公开了供固体器件用的电极。这些电极的形成是通过一掩模网印出一种含有较低熔点、可烧结金属的弥散体的印剂的图案，该金属涂有弥散在包括一种可蒸发的粘合聚合物和一种氟化碳聚合物的液态载体中的母体金属粒子，烧制该网印器件时，涂覆的金属粒子不被氧化就可以烧结成一种接触电极。然后将防反射的涂层涂在电池上。
更近一些的是美国专利4640001（Koiwai等人）公开了一种太阳能电池的制造方法，在这方法中，用等离子体CVD沉积法在250°和600℃之间的温度下将一层防反射的氮化硅涂层涂覆硅圆片。该氮化硅涂层使得硅电池的表面不能烧制网印电极。因此，为保证电极焊接到硅圆片上，在要形成电极的地方，要用刻蚀法部分除去该涂层。
在设想本发明时，过去都广泛认识到，太阳能光生伏打电池的普遍使用有赖于制造技术的发展，这种制造技术能够在比较低的成本而转换率为12%或更高的情况下生产可靠的太阳能电池。和其它半导体器件一样，太阳能电池的成本既依赖原
材料的成本，也依赖于将原材料转变为制成品的成本。如果没有适用的形成栅电极用的低成本金属化技术就不能完成将硅变成低成本的至少有12%转换率的硅太阳能电池。
因此，本发明的主要目的是要提供一种低成本的制造太阳能电池的加工工序，其中的金属软膏通过氮化硅层烧制形成导电的接触。
本发明的另一个目的是要提供一种低成本的制造光生伏打半导体结器件的改进方法，其中的金属软膏是通过氮化硅涂层烧制成导电的和衬底的接触，与此同时，使周围的氮化硅留下来作为一防反射层使用，也作为衬底的环境保护层使用。
本发明还有另一个重要目的是要提供一种制造半导体太阳能电池的改进方法，其中的一层氮化硅用作各电池上的一层防反射涂层，而且通过氮化硅层来完成金属接触的形成。
本发明尚有另一个目的是要提供制造太阳能的方法，其中的含镍或银的软膏是通过氮化硅层烧制成导电的接触。
本发明再有一个目的是要提供一种制造有一层氮化硅涂层的硅太阳能电池的改进方法，它不用（a）在制备金属接触的应用中刻蚀氮化硅层中的栅图形，以及不会（b）在接触形成的过程中劣化电池的性能。
本发明的最后一个目的是要提供一种制造硅太阳能电池的改进方法，此法在形成镍或银接触时较现有方法的成本廉但可靠性又不会降低。
上述目的是由包括下列步骤所描述的一种太阳能电池制造工序特点来达到的：（1）制备一具有一个P-N结和一层其前表面在毗连该结上的氮化硅的衬底，（2）用一选定的金属软膏有选择地涂覆该氮化硅层，以使该金属软膏在氮化硅层上形成一选定的接触图形，以及（3）加热衬底以迅速有效地使该金属涂层贯穿氮化硅层并在衬底的前表面上形成一金属接触。这种新颖方法可以用一个已具有一背面欧姆接触或后者的接触可在形成前表面接触后形成的硅太阳能电池来实施。
除其它步骤外，一优选的实施例特别包括了下列步骤：（1）制备一个具有一P-N结和在前表面上有一层氮化硅的衬底，（2）用一铝软膏涂覆硅衬底的后侧，（3）用一选定的银或镍软膏有选择地涂覆硅衬底的前侧，以及（4）加热硅衬底以迅速有效地使（a）铝形成一粘附的后侧导电接触和（b）软膏中的金属和玻璃成分贯穿氮化硅层并形成一粘附的前侧导电接触。此后，衬底还可以再预加工，例如制备各种电路的连接。
被烧制进入衬底的金属软膏必须具有下列的特性。首先，它必须能在太阳能电池整体不致损坏的较低温度下迅速贯穿氮化硅层，这种温度低到约在900℃上下。其次，它必须不会扩进硅衬底，以致改变其P-N结，并从而劣化电池的性能。第三，它必须不会使氮化硅层在热处理期间破裂。第四，它必须不会显著地改变氮化硅层起作防反射元件作用的能力。
本发明的其它一些目的有部分是显而易见的，而其余部分将在下文中出现。本发明于是包括了几个步骤和这些步骤彼此相对的一或一个以上的关系，在下面详述的公开中例举了这些步骤，并在权利要求中指出其应用范围。
为了更全面地理解本发明目的的性质，必须参考下列详细的叙述，这种叙述连同附图一起加以考虑以解释在根据本发明一优选形式制造太阳能电池时所涉及的一些步骤。
在全部附图中，相同的编号表示相同的结构。
为便于解释，在附图中的几种涂层和区域的厚度和深度既没有按尺寸示出，也没有按它们的相对比例准确画出。
现参考附图，本发明优选的实施例涉及从EFG生长的P型硅带状物生产太阳能电池。对于这个实施例，制备了半成品电池1待加工原始工件。半成品电池1具有一衬底2，最好包括一条长的P型导电性硅带状物，其一侧（下文称为“前侧”）已制备有较浅的结4（例如一种深度约在3000和约在7000埃之间的结）、-N型（典型为N+）导电性区域6以及一层氮化硅层10。衬底的另一侧（下文称为“后侧”）最好制备以一层对衬底起合金作用的铝12和P+区14。P+区域14最好具有一个由约1至约5微米的深度。
半成品电池1可以由周知技术的任意一些措施制得。例如，结4和N+导电性区域6可以通过磷的扩散在P型硅衬底2中形成。层12和P+区域14可以通过给衬底的后侧涂覆一层铝软膏，这层铝软膏包括了在挥发性有机载体，例如能用蒸发或燃烧除去的萜品醇、二甘醇-丁基醚醋酸酯或乙基
纤维中的铝粉，然后加热衬底以除去软膏中任何可挥发或可热解的有机成分，以便使铝对衬底起合金作用并形成P+区域。然而，其它形式的衬底、结和后电极，以及其它制造方法也同样可以很好地用以制备半成品电池1。
当然，本发明提供的方法不局限于从EFG衬底制造太阳能电池。因此，举例来说，铸型的多晶衬底、在由化学或物理汽相沉积所形成的冶金级硅或优级多晶硅层上的外延硅，也可以用本发明制成太阳能电池。此外，这方法也可用于单晶硅。因此，该方法也可以用N型和P型材料加以实施，再者，本发明也可以应用到除带晶或类似的扁平材料以外的衬底，例如圆形材料或有弓形或多边形横截面的衬底。
现从图1所示的这样一块预制好的待加工件开始，用一种软膏16涂覆前侧，软膏16包含一选定的导电金属、一种糊状的铅硅玻璃或铅硼硅玻璃以及一种低沸点的液态有机载体，例如重量达到软膏的2-10%的二甘醇-丁基醚或萜品醇。为了顾及成本和其它方面的考虑，金属最好是镍或银。这种软膏是按照一预定的电极图形，例如包含多个一端固定在汇流条或导板上的细长指状物的栅电极涂上的。一种适用的栅电极形状在美国专利3686036中有所说明。软膏16的涂覆可以使用任何一种在电子工业中常用的周知技术来进行。网印技术和直接写上的涂覆技术是令人满意的技术。
软膏16一旦被涂上和干燥后，就可以准备烧制。烧制是在有氧气氛的炉中进行的。烧制温度可以改变，但在任何情况下它必须足以挥发或热解有机物并熔化玻璃料，直到玻璃料通过氮化硅层10烧制为止。在炉中的时间将随烧制的温度变化，一般在炉中的总时间，包括需要使衬底达到烧制温度在内，可在0.25和2分钟之间。软膏16中的金属、玻璃料和有机物的浓度可以变化。但软膏的一种较好成分包括重量占20-70%的金属、重量占5至30%的玻璃料以及重量占1至12%的有机物。软膏中的玻璃料重量最好只占约5%、二甘醇-丁基醚重量占1%至2.0%之间或萜品醇重量占1.0%至10之间。在铅硅玻璃的情况下，玻璃料包括重量占5-80%的铅和重量占达40%的氧化硅，而在铅硼玻璃的情况下，铅占5-80%，氧化硅占1-40%，氧化硼占1-30%。
650-850℃的温度是适于烧制这种软膏的温度，但优选约800℃的温度。因此，例如对于含有银或镍作为选定的导电金属的软膏来说，含有加热至800℃的环境空气的炉子在烧制温度下用15-60秒的时间就足以产生出令人满意的结果。如果镍是软膏16中所含的选定金属，环境空气实际上要以优选的氮气气氛，例如90-100%的氮气和0-10%的氧气来代替。
生烧制期间，软膏16中的玻璃料变成液体并通过氮化硅层10烧制成凹陷区17和欧姆接触18。软膏16中的有机物在挥发或燃烧后，导电金属和玻璃料就粘接到衬底的前表面，并形成欧姆接触18。
在另一种优选的实施例中，衬底的后侧已经用一铝软膏涂覆。在本实施例中，金属软膏通过在前侧上的氮化硅层10的烧制，与烧制铝软膏以使铅与硅衬底的后侧起合金作用是同时完成的。
在本发明的优选实施例中，导电金属是银或镍。
除了或取代银和镍外，软膏16还可以包含其它金属。这些其它金属是钯、铂和铑。和镍及银一样，它们能在优选的较低温度下形成欧姆接触。
下面的实例说明实施本发明的优选模式。
制备好一种EFG生长的电阻率约1-5欧姆-厘米的P型硅带状物的半成品电池。该电池具有一个深度约6000埃的浅的P-N结，并在其前表面上有一层约800埃的氮化硅层。电池的后侧有一层与硅起合金作用的铝。
一层含银的软膏有选择地网印在氮化硅层上。该层软膏被制成具有如美国专利3686036中所说明的形式的多指状栅电极的图形。这种软膏含有银金属、铅硼硅玻璃料以及作为液态载体的萜品醇。银金属呈粉状，玻璃料含5-80%的铅，5-30%的氧化硼，以及5-40%的氧化硅。银金属、玻璃料和载体的组成物各约占软膏重量的70-80%、5%和15-25%。
这种软膏干燥（它可以但不一定需要涉及将软膏加热至使任一挥发性载体蒸发）后，立即将硅衬底送入有空气的炉子中，并在空气中加热至约800℃，并在该烧制温度下保持15秒。然后从炉子取出该硅衬底，并使它可以在室温下冷却。在炉中的总时间约2分钟。已发现这种烧制步骤足以使
软膏中的任何有机物挥发燃烧，并使铅硼硅玻璃粉变成充分液化以通过氮化硅涂层烧制和粘接到硅衬底的前表面。玻璃料携带着银并使银可与衬底制成欧姆接触。
具有按本发明形成的并用上例说明的接触的EFG衬底太阳能电池，经测试，这些电池产生了有意义的结果。根据本发明制得的电池显示出下列特性：开路电压为589毫伏;每平方厘米的短路电流密度为30.2毫安;占空因数为0.78;效率为13.8%。上述这些数值可以和现行用刻蚀和镀覆技术以形成欧姆接触的加工方法所得的结果媲美。
烧制后接触经在含氟离子的流液中作短暂（10-20秒）洗浴，得到了最好的结果。8个经该洗浴的电池平均值计算得如下：平均的开路电压为588毫伏;每平方厘米的短路电流为29.5毫安;占空因数为0.75;效率为12.9%。
余留在成品器件前侧上的氮化硅起着有效的防反射涂层的作用。如前面提到过的，在这方面要注意的是，在涉及加热步骤的热处理期间，氮化硅涂层不会破裂。
应该注意，在前接触是由银制得时，后接触可以用含有少量铝的银取代铝而制得。在限定前接触的软膏被涂覆和干燥后，可立即涂覆后接触。
在不偏离本文涉及的本发明范围内，可对上述诸方法作各种各样的改变。在上述叙述中包含的或在附图中所示的所有事物，都是企图作为阐释来看待。本发明是用权利要求中所表达的术语的广义来表示的。
Claims (24)
1、一种制造固体光生伏打太阳能电池的方法，包括下列的顺序步骤：
(a)制备-硅衬底，它具有相对面向的第一和第二表面，与所说第一表面毗连的一个P-N结，以及在所说第一表面上的一层氮化硅；
(b)用一软膏选择性地覆盖所说氮化硅层，该软膏包含银粒、玻璃料和有机载体，以便限定一前侧接触图案；以及
(c)烧制所说软膏，它是在一温度下加热一段时间，以足以除去所说载体，并使所说玻璃料穿透所说氮化硅的条件下烧制的，以便所说银粒参与并与所说第表面形成经刻图的欧姆接触，其特征在于，烧制是在将该衬底加热至-约800℃的温度一段时间进行的，以足以使所得的太阳能电池具有约0.75或更大填充系数，所说加热步骤进行时不应使所说软膏的各成分扩散进入该衬底而改变该P-N结。
2、根据权利要求1的方法，其特征在于，该衬底在约800℃的温度下保持一段不超过15至60秒的时间。
3、根据权利要求1或2的方法，其特征在于，所说玻璃料是硼硅玻璃料。
4、根据权利要求1或2的方法，其特征在于，所说玻璃料是铅硼硅玻璃料。
5、根据权利要求1或2的方法，其特征在于，该铅硼硅玻璃包含约5-80重量%的铅和高达约30重量%的银。
6、根据权利要求1或2的方法，其特征在于，该软膏包含70-80重量%银。
7、根据前述任一权利要求1或2的方法，其特征在于所说烧制是在炉中的加热空气中进行的，且所说衬底是在约800℃的温度下和不超过15至60秒的一段时间后移离所说炉子并冷却之。
8、根据权利要求1或2的方法，其特征在于，其中该衬底在炉底中保持的时间约在0.25和2.0分之间，此段时间包括将所说衬底保持在约800℃的所说温度以及需要将所说衬底加热至约800℃的所说温度的时间在内。
9、根据权利要求1或2的方法，其特征在于，该衬底保留在约800℃的温度下保持约15秒。
10、根据权利要求1或2的方法，其特征在于，该软膏包括20至70重量%的银和5-30重量%的玻璃料。
11、根据权利要求10的方法，其特征在于，有一第二欧姆接触设置在所说第二表面上，所述第二欧姆接触包括铝金属。
12、根据权利要求1的方法，其特征在于，该玻璃料是铅硼硅玻璃料，该软膏包括20至70重量%的银及5至30重量%的玻璃料，且铝的第二欧姆接触在烧制步骤（c）期间形成在所说第二表面上。
13、根据权利要求1或2的方法，其特征在于，所得的太阳能电池具有大于0.75的填充系数。
14、根据权利要求1或2的方法，其特征在于，其中至少在加热步骤（c）之前将一含铝软膏涂层涂敷到所说第二表面上，从而当按步骤（c）加热衬底时，在所说含铝软膏中的铝与所说衬底起合金作用，以在所说第二表面形成一欧姆接触。
15、根据权利要求14的方法，其特征在于，其中所得到的太阳能电池具有一个大于0.75的填充系数。
16、根据权利要求1的方法，其特征在于，它以下列的顺序步骤进行：
（a）将含铝粒的第一软膏涂敷到所说第二表面上;
（b）用一含银粒的银软膏、硼硅玻璃料和有机载体覆盖所说氮化硅层，以限定一前侧接触图案;以及
（c）烧制所说软膏，它是通过在一含氧气氛中将衬底加热到一个约800℃的温度，并在该温度下保持一段时间，以足以（1）使含铝软膏中的铝和衬底起含金作用，从而在所说第二表面上形成一个欧姆接触，（2）使第一软膏的玻璃料穿透所说氮化硅，以便所说银粒参与并与所说第一表面形成经刻图的欧姆接触，以及（3）使所制得的太阳能电池具有约0.75或更大的填充系数，所说加热步骤进行时，不应使含银软膏的各成分扩散进入该衬底而改变该P-N结。
17、一种固体光生伏打太阳能电池，它包括一硅衬底，该衬底具有第一和第二表面、与所说第一表面毗连的一个P-N结构以及一银接触和一在所说第一表面上的涂敷层;
其特征在于，这种太阳能电池是用包括下列顺序步骤的方法形成的：
（a）制备一硅衬底，它具有相对面向的第一和第二表面、与所说第一表面毗连的-PN结以及在所说第一表面上的一层氮化硅;
（b）用一含银粒、玻璃料和有机载体的软膏覆盖所说氮化硅层，以便限定一前侧接触图案;以及
（c）烧制所说软膏，它是在一含氧气氛中将衬底加热至一约800℃的温度，并在该温度下保持一段时间，以足以（1）除去所说载体，（2）使所说玻璃料穿透所说氮化硅，以使所说银粒参与并与所说第一表面形成的经刻图的欧姆接触，以及（3）使所说太阳能电池具有约0.75或更大的填充系数，所说加热步骤进行时，不应使含银软膏拉散进入该衬底而改变该P-N结。
18、根据权利要求17的太阳能电池，其特征在于，该衬底保持在约800℃的温度和不超过15至60秒的一段时间。
19、权利要求17的太阳能电池，其特征在于，将该衬底加热至一约800℃的温度约15秒。
20、根据权利要求17的太阳能电池，其特征在于，步骤（c）是在有空气的炉子中进行的。
21、根据权利要求17的太阳能电池，其特征在于，该玻璃料主要由铅硼硅玻璃组成。
22、根据权利要求17或18的太阳能电池，其特征在于，在所说第二表面上有一铝的欧姆接触。
23、根据权利要求17的太阳能电池，其特征在于，一含铝软膏的涂敷层至少在加热步骤（c）之前被涂覆到所说第二表面，从而在按步骤（c）加热该衬底时，所说含铝软膏中的铝对所说衬底起合金作用，以在所说第二表面处形成一铝的欧姆接触。
24、根据权利要求17或23的太阳能电池，其特征在于，该烧制是在加热空气炉中进行的，衬底在约800℃的所说温度下，经过所说的足够时间后，移离炉子并冷却之。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US20530488A | 1988-06-10 | 1988-06-10 | |
| US205,304 | 1988-06-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1038902A CN1038902A (zh) | 1990-01-17 |
| CN1025905C true CN1025905C (zh) | 1994-09-07 |
Family
ID=22761652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN89103886A Expired - Fee Related CN1025905C (zh) | 1988-06-10 | 1989-06-10 | 一种制造太阳能电池接触的改进方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0374244B1 (zh) |
| JP (1) | JPH03502627A (zh) |
| KR (1) | KR900702573A (zh) |
| CN (1) | CN1025905C (zh) |
| AU (1) | AU626895B2 (zh) |
| CA (1) | CA1323452C (zh) |
| DE (1) | DE68918565T2 (zh) |
| IL (1) | IL90456A (zh) |
| WO (1) | WO1989012321A1 (zh) |
| ZA (1) | ZA893988B (zh) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118362A (en) * | 1990-09-24 | 1992-06-02 | Mobil Solar Energy Corporation | Electrical contacts and methods of manufacturing same |
| US5178685A (en) * | 1991-06-11 | 1993-01-12 | Mobil Solar Energy Corporation | Method for forming solar cell contacts and interconnecting solar cells |
| EP0542961B1 (en) * | 1991-06-11 | 1998-04-01 | Ase Americas, Inc. | Improved solar cell and method of making same |
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| GB201219961D0 (en) | 2012-11-06 | 2012-12-19 | Intrinsiq Materials Ltd | Ink |
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| RU2568421C1 (ru) * | 2014-07-25 | 2015-11-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет", (НИУ "БелГУ") | СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СМЕШАННЫЙ АМОРФНЫЙ И НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ НИТРИД КРЕМНИЯ - КРЕМНИЙ p-ТИПА |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4602120A (en) * | 1983-11-25 | 1986-07-22 | Atlantic Richfield Company | Solar cell manufacture |
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| WO1989000341A1 (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-12 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells with anti-reflection coating |
-
1989
- 1989-05-22 EP EP89907945A patent/EP0374244B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-22 AU AU38534/89A patent/AU626895B2/en not_active Ceased
- 1989-05-22 KR KR1019900700250A patent/KR900702573A/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-05-22 WO PCT/US1989/002241 patent/WO1989012321A1/en active IP Right Grant
- 1989-05-22 DE DE68918565T patent/DE68918565T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-22 JP JP1507317A patent/JPH03502627A/ja active Pending
- 1989-05-25 ZA ZA893988A patent/ZA893988B/xx unknown
- 1989-05-30 IL IL9045689A patent/IL90456A/en not_active IP Right Cessation
- 1989-06-07 CA CA000602039A patent/CA1323452C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-10 CN CN89103886A patent/CN1025905C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ZA893988B (en) | 1991-04-24 |
| WO1989012321A1 (en) | 1989-12-14 |
| EP0374244A4 (en) | 1991-01-30 |
| EP0374244A1 (en) | 1990-06-27 |
| AU3853489A (en) | 1990-01-05 |
| CN1038902A (zh) | 1990-01-17 |
| AU626895B2 (en) | 1992-08-13 |
| KR900702573A (ko) | 1990-12-07 |
| EP0374244B1 (en) | 1994-09-28 |
| DE68918565D1 (de) | 1994-11-03 |
| CA1323452C (en) | 1993-10-19 |
| IL90456A0 (en) | 1990-01-18 |
| IL90456A (en) | 1996-01-31 |
| JPH03502627A (ja) | 1991-06-13 |
| DE68918565T2 (de) | 1995-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Applicant after: ASF American Corporation Applicant before: Mobil Solar Energy Corp. |
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| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT TO: ASF AMERICA CO.,LTD. |
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| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |