CN102569352A - 一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 - Google Patents
一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102569352A CN102569352A CN2010106222055A CN201010622205A CN102569352A CN 102569352 A CN102569352 A CN 102569352A CN 2010106222055 A CN2010106222055 A CN 2010106222055A CN 201010622205 A CN201010622205 A CN 201010622205A CN 102569352 A CN102569352 A CN 102569352A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nitride
- sapphire substrate
- semiconductor device
- based semiconductor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置,涉及光电技术领域。本发明包括蓝宝石基板和蓝宝石基板上方的氮化物外延层。其结构特点是,所述蓝宝石基板的下表面置有金属层。同现有技术相比,本发明在蓝宝石基板的下表面形成一金属层,从而避免或者减小在蓝宝石基板上表面外延氮化物材料时产生翘曲的几率,预防蓝宝石基板破裂的可能性,具有工艺简单,成本不高的特点。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域,特别是以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置。
背景技术
近年来,以氮化镓GaN、氮化铟镓InGaN、氮化铝镓AlGaN等为代表的GaN系化合物半导体作为用于蓝色发光二极管和激光二极管的材料而被广泛关注。目前大多数的GaN系化合物半导体材料主要是外延生长在蓝宝石Al2O3基板上,一般采用金属有机化合物化学气相淀积MOCVD的方法来外延生长氮化物材料。
然而,由于蓝宝石基板与GaN系材料之间晶格常数及热膨胀系数的不同,在氮化物材料外延生长过程中,由于应力的作用容易引起蓝宝石基板的翘曲,严重时会由于衬底应力的不平均,而造成蓝宝石基板的破裂,从而造成后续工艺过程的复杂,增加了工艺难度。
目前,业内熟知的方法是在蓝宝石基板上,暂时在低温生长GaN或AlN的缓冲层,低温生长的缓冲层让晶格形变缓和之后,再在其上生长高质量的GaN系半导体材料。中国专利公开号为CN 1123937C的专利提出了在蓝宝石基板上下两面分别形成一厚度相近的氮化镓薄膜层,可让上下氮化镓薄膜层形成的应力互相抵消,从而可以预防蓝宝石基板破裂的可能性。但上述方法需要在蓝宝石基板上下两面分别外延GaN材料,增加了外延生长的复杂性,同时也使生产成本陡增。
发明内容
为了克服上述现有技术存在的不足,本发明的目的是提供一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置。它在蓝宝石基板的下表面形成一金属层,从而避免或者减小在蓝宝石基板上表面外延氮化物材料时产生翘曲的几率,预防蓝宝石基板破裂的可能性,具有工艺简单,成本不高的特点。
为了达到以上目的,本发明的技术方案以如下方式实现:
一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置,它包括蓝宝石基板和蓝宝石基板上方的氮化物外延层。其结构特点是,所述蓝宝石基板的下表面置有金属层。
在上述半导体装置中,所述金属层的材料由Al、Ni、Cu、Sn、Ti、Cr中的一种元素或多种元素混合构成。
在上述半导体装置中,所述金属层的厚度根据氮化物外延层的厚度进行调整,厚度范围为0.1-10μm。
本发明由于采用了上述结构,在蓝宝石基板的下表面形成一金属层,以缓冲在蓝宝石基板上表面形成氮化物外延层时产生的应力,可以避免或减小蓝宝石基板产生翘曲的几率,从而可以预防蓝宝石基板破裂的可能性,提高产品合格率。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
附图说明
附图为本发明的结构示意图。
具体实施方式
参看附图,本发明包括蓝宝石基板10和蓝宝石基板10上方的氮化物外延层12,蓝宝石基板10的下表面置有金属层11。金属层11的材料由Al、Ni、Cu、Sn、Ti、Cr中的一种元素或多种元素混合构成,金属层11的厚度根据氮化物外延层12的厚度进行调整,厚度范围为0.1-10μm。
本发明的制作步骤为:
1)提供一蓝宝石基板10;
2)用磁控溅射、电子束蒸镀或电镀的方法在蓝宝石基板10的下表面101形成一金属层11;
3)用有机金属化合物气相外延的方法,在蓝宝石基板10的上表面102形成一氮化物外延层12。
Claims (3)
1.一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置,它包括蓝宝石基板(10)和蓝宝石基板(10)上方的氮化物外延层(12),其特征在于,所述蓝宝石基板(10)的下表面置有金属层(11)。
2.根据权利要求1所述的以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置,其特征在于,所述金属层(11)的材料由Al、Ni、Cu、Sn、Ti、Cr中的一种元素或多种元素混合构成。
3.根据权利要求1或2所述的以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置,其特征在于,所述金属层(11)的厚度根据氮化物外延层(12)的厚度进行调整,厚度范围为0.1-10μm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010106222055A CN102569352A (zh) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | 一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2010106222055A CN102569352A (zh) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | 一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102569352A true CN102569352A (zh) | 2012-07-11 |
Family
ID=46414340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010106222055A Pending CN102569352A (zh) | 2010-12-27 | 2010-12-27 | 一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102569352A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105514231A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-04-20 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底 |
CN105514224A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-04-20 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法 |
CN106783716A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-05-31 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法 |
CN113783102A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-12-10 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种低翘曲半导体激光器及其制备方法 |
CN114759126A (zh) * | 2022-06-13 | 2022-07-15 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 基于氮化物单晶衬底的半导体器件结构及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020028343A1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-03-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Semiconductor device, a method for manufacturing a semiconductor device and an epitaxial growth substrate for a semiconductor device |
CN1893135A (zh) * | 2005-07-04 | 2007-01-10 | Lg电子株式会社 | 纵向结构发光二极管及其制造方法 |
CN102034912A (zh) * | 2009-12-29 | 2011-04-27 | 比亚迪股份有限公司 | 发光二极管外延片、其制作方法及芯片的制作方法 |
CN202009028U (zh) * | 2010-12-27 | 2011-10-12 | 同方光电科技有限公司 | 以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 |
-
2010
- 2010-12-27 CN CN2010106222055A patent/CN102569352A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020028343A1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-03-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Semiconductor device, a method for manufacturing a semiconductor device and an epitaxial growth substrate for a semiconductor device |
CN1893135A (zh) * | 2005-07-04 | 2007-01-10 | Lg电子株式会社 | 纵向结构发光二极管及其制造方法 |
CN102034912A (zh) * | 2009-12-29 | 2011-04-27 | 比亚迪股份有限公司 | 发光二极管外延片、其制作方法及芯片的制作方法 |
CN202009028U (zh) * | 2010-12-27 | 2011-10-12 | 同方光电科技有限公司 | 以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105514231A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-04-20 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底 |
CN105514224A (zh) * | 2014-09-25 | 2016-04-20 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法 |
CN105514231B (zh) * | 2014-09-25 | 2019-01-04 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底 |
CN106783716A (zh) * | 2016-12-05 | 2017-05-31 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法 |
CN106783716B (zh) * | 2016-12-05 | 2020-03-20 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种降低易碎基底在半导体制程中破片率的方法 |
CN113783102A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-12-10 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种低翘曲半导体激光器及其制备方法 |
CN114759126A (zh) * | 2022-06-13 | 2022-07-15 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 基于氮化物单晶衬底的半导体器件结构及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7989244B2 (en) | Method of manufacturing nitride-based semiconductor light-emitting device | |
CN102403428B (zh) | Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法 | |
CN102403417B (zh) | Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法 | |
US8486807B2 (en) | Realizing N-face III-nitride semiconductors by nitridation treatment | |
JP3812368B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
CN105023979B (zh) | 一种GaN基LED外延片及其制备方法 | |
US8803189B2 (en) | III-V compound semiconductor epitaxy using lateral overgrowth | |
CN104576861B (zh) | 半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法 | |
US20100176369A2 (en) | Metalized Silicon Substrate for Indium Gallium Nitride Light-Emitting Diodes | |
US20080054296A1 (en) | Nitride-based semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
US20170148945A1 (en) | Method for Manufacturing a Light Emitting Element | |
WO2016165558A1 (zh) | 一种氮化物发光二极管结构及其制备方法 | |
CN102569352A (zh) | 一种以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 | |
US8633508B2 (en) | Semiconductor element and a production method therefor | |
US8154038B2 (en) | Group-III nitride for reducing stress caused by metal nitride reflector | |
US20220344538A1 (en) | Epitaxial substrate structure, light emitting diode chip including the same, and manufacturing methods thereof | |
CN202009028U (zh) | 以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 | |
CN102376830A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
US8679881B1 (en) | Growth method for reducing defect density of gallium nitride | |
CN111785815A (zh) | 一种紫外光发光二极管外延片及其制备方法和应用 | |
KR101505119B1 (ko) | 3족 질화물 반도체층을 제조하는 방법 | |
CN100372138C (zh) | 在硅衬底上制备铟镓铝氮材料的方法 | |
CN209045601U (zh) | 一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基led外延结构 | |
KR101505121B1 (ko) | 3족 질화물 반도체층을 제조하는 방법 | |
CN111968907A (zh) | 一种氮极性ⅲ族氮化物粗化方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120711 |