CN102560360A - 一种MgZnO薄膜的制备设备系统和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种MgZnO薄膜,尤其是一种用于制备紫外探测器的MgZnO薄膜的磁控溅射系统和方法。磁控溅射系统包括生长腔(1),真空系统(2),安放衬底的基片架(3),2个溅射电极(4)、(5),电子枪(6)和混气室(7)。溅射电极上分别装有Mg金属靶和Zn金属靶,基片架(3)位于2个溅射电极的中垂线上,可以保证Mg原子和Zn原子同时到达基片架(3),基片架上只放置一个衬底(8),且衬底(8)位于基片架的正中心,保证衬底在旋转过程中不偏离中轴线,保证整个MgZnO薄膜中各组分均匀。生长MgZnO薄膜前,电子枪(6)可以对基片架上的衬底(8)进行轰击,活化衬底表面。混气室(7)可以保证溅射气体Ar和反应气体O2均匀混合。
Description
技术领域
本发明属于半导体光电材料技术领域,涉及一种MgZnO合金薄膜的制备设备系统和方法。
背景技术
目前紫外探测器广泛应用于火焰探测,导弹预警,太空通讯,紫外线检测等领域。宽禁带半导体的制备的探测器具有结构简单,重量轻,响应快,符合国防和太空技术的发展的需求,受到越来越多的关注。目前制备紫外探测器,主要使用AlGaN三元合金材料和MgZnO三元合金材料。
MgZnO三元合金材料,由于其具有较高的激子复合能,制备的紫外探测器具有更高的响应度受到越来越多的重视。MgZnO三元合金薄膜可以通过MgO和ZnO的混合陶瓷靶制备,然而该方法制备的MgZnO薄膜的各元素组分由陶瓷靶的元素组分所决定,无法调节MgZnO薄膜中的各元素组分。所以更多的是采用另一种方法制备MgZnO薄膜,即通过MgO陶瓷靶和ZnO陶瓷靶共溅的方法,或Mg金属靶和Zn金属靶在O2气氛中共溅的方法制备MgZnO薄膜。
传统具有多个溅射电极的磁控溅射设备,设计的初衷是基于多层膜的生长,即一个溅射电极负责生长一层膜,所以基片架到各个溅射电极的距离并不相等,如中国专利(公开号:CN 101720493 A)。用这样的设备生长MgZnO三元合金薄膜,容易导致MgZnO薄膜中的各组分在衬底平面上不均匀,表现为同一MgZnO外延膜上某一区域的Mg组分高于预期值,而另一区域的Mg组分却低于预期值。
此外,传统的真空镀膜设备,包括磁控溅射设备,基片架上设计成放置多个衬底,基片架在转动过程中,衬底绕着腔体的中轴线旋转,如中国专利(专利号:ZL 97111504.4)。因此衬底并不处于中轴线上,无法保证生长过程中衬底到两个溅射电极的距离始终相等,所以也无法保证MgZnO三元合金薄膜中各组分的均匀性。已有文献报道的磁控溅射生长MgZnO薄膜,Mg的组分高于40%的会出现相结构分离,因此制备的紫外探测器响应度都很小,器件整体较低。特别是Mg组分高于50%的MgZnO薄膜相结构分离更明显,所制备的日盲型探测器,响应度只能达到10mA/W左右,这样的器件无法在军事上应用。
综上所述,传统的磁控溅射设备不是针对三元合金薄膜设计,所以无法生长出组分均匀的MgZnO三元合金薄膜,进而会影响制备的紫外探测器的性能。
发明内容
鉴于传统磁控溅射设备无法生长组分均匀的MgZnO三元合金薄膜,造成MgZnO薄膜质量较差、均匀性低,制备的日盲型紫外探测器响应度低的缺陷。本发明的目的在于提供一种用于制备高均匀性的MgZnO三元合金薄膜的磁控溅射系统及其使用方法,以获得组分均匀,具有单一六方相的高质量MgZnO三元合金薄膜。
本发明在传统的MgZnO薄膜的生长模式上做了很大改进,其要点是:
在设备上对传统的磁控溅射设备做了改进:
a.基片架上处于腔体中轴线上,只有一个衬底托,衬底托位于基片架中心。
b.两个溅射电极对称分布在腔体中轴线的两侧,且方向正对着基片架中心。
c.设备配有电子枪,用于生长薄膜前对衬底进行活化。
d.设备配有混气室,用以保证溅射气体Ar和反应气体O2均匀混合。
在生长方法上优化:
a.通过控制溅射电极的功率,控制生长速度。
b.通过控制两个溅射电极的功率,控制MgZnO薄膜中Mg和Zn组分的比例。
本发明和传统的MgZnO合金薄膜生长设备和方法相比,可以有效提高MgZnO合金薄膜的均匀性,提高成膜质量,进而提高由此制备的紫外探测器的性能。发明的详细说明叙述如下:
参见附图1,生长腔(1)为不锈钢材料制成的圆柱形腔体,真空系统(2)用于生长前抽空生长腔(1)内气体,并用于保持工作压力。基片架(3)位于生长腔(1)顶部,并处于中轴线上。两个溅射电极(4)、(5)分别装有Mg金属靶和Zn金属靶,用于提供MgZnO合金薄膜的Mg源和Zn源。溅射电极(4)、(5)位于生长腔(1)底部,对称地分布在腔体中轴线两侧,方向正对着基片架中心,溅射电极(4)和(5)到基片架(3)之间的距离相等,即两个溅射电极(4)、(5)和基片架(3)构成一个等腰三角形。生长时,基片架(3)上仅放置一个衬底,且该衬底位于基片架的正中心,由此衬底在旋转过程中不会偏离中轴线位置,可以保证生长MgZnO薄膜中各组分均匀,不会发生偏差。
该磁控溅射设备配有电子枪(6),电子枪(6)位于生长腔左侧,方向也朝着衬底。电子枪(6)产生的高能电子轰击衬底表面,可以活化衬底表面,使生长的MgZnO薄膜原子与衬底原子之间的结合更致密;同时高能电子也可以轰击掉衬底表面的残存的粉尘,离子、有机物等污染物,达到清理衬底表面的作用,使生长的MgZnO薄膜纯度更高。
该磁控溅射设备配有混气室(7),有两个进气口,分别通溅射气体Ar和反应气体O2。Ar和O2在混气室(7)中充分混合后再通到生长腔中,可以保证生长腔中个区域的气氛都是均匀的,因此也有利于MgZnO薄膜的成膜均匀性。
薄膜的生长方法方面,使用反应磁控溅射方法制备MgZnO薄膜,即Ar原子轰击出Mg金属靶和Zn金属靶中的原子,金属Mg原子和金属Zn原子与气氛中O2反应,最后在衬底上沉积MgZnO三元合金薄膜。相比于MgO和ZnO双陶瓷靶的溅射方法,陶瓷靶通常利用粉末烧结,压制,难免混入杂质,而金属靶可以直接从块材金属中切割出来,因此金属靶的纯度更高,制备的MgZnO薄膜中的杂质也较少。低杂质浓度的MgZnO薄膜更适合于紫外探测器光电器件的制备。
采用本发明制备的MgZnO薄膜,成膜均匀性好,在Mg组分大于50%时也不会发生相结构分离,具有单一纤锌矿六方相结构。用该MgZnO薄膜制备的紫外光电探测器,响应度较高,可以使用于国防导弹预警,火焰探测,环境紫外线监测等。
附图说明
图1“一种MgZnO薄膜的制备设备系统和方法”磁控溅射设备示意图。
图中的标号为:
1.生长腔 2.真空系统 3.基片架 4.溅射电极
5.溅射电极 6.电子枪 7.混气室 8.衬底
图2“一种MgZnO薄膜的制备设备系统和方法”实施例1的MgZnO薄膜XRD衍射图。
具体实施方式:
实施例1:使用改进的磁控溅射设备,溅射电极(4)上装金属Mg靶,溅射电极(5)上装金属Zn靶。SiO2衬底置于基片架(3)正中心,并随基片架(3)以8.5RPM的速度匀速转动,转过程中SiO2衬底到Mg靶和Zn靶的电极始终相等。生长前,由真空系统(2)抽生长腔中的压力至10-4Pa,基片架(3)加热到500℃,开启电子枪(6)轰击衬底15min。关闭电子枪,往混气室(7)的两个入口中通入O2和Ar,流量均为15SCCM,调节真空系统(2),保持生长腔内的工作压力为1Pa;调节溅射电极(4)的电源功率到100W,溅射电极(5)的电源功率为40W生长MgZnO薄膜。
利用X射线能谱仪检测生长的三元合金薄膜,表明生长的是Mg0.55Zn0.45O薄膜,检测薄膜上5个区域,表明生长的薄膜组分均匀;如图2所示,X射线衍射测试得到(0002)方向的单一衍射峰,说明薄膜具有良好的C轴择优取向,无出现结构相分离;原子力显微镜扫描薄膜表面,得到的粗糙度为3.02nm,平整较高;通过透射谱测试,表明得到Mg0.55Zn0.45O薄膜吸收边落在260nm。所生长的Mg0.55Zn0.45O三元合金薄膜适用于高性能紫外探测器的制备。
实施例2:使用改进的磁控溅射设备,溅射电极(4)上装金属Mg靶,溅射电极(5)上装金属Zn靶。Al2O3衬底置于基片架(3)正中心,并随基片架(3)以10RPM的速度匀速转动,转过程中Al2O3衬底到Mg靶和Zn靶的电极始终相等。生长前,由真空系统(2)抽生长腔中的压力至10-4Pa,基片架(3)加热到600℃,开启电子枪(6)轰击衬底10min。关闭电子枪,往混气室(7)的两个入口中通入O2和Ar,流量分别为10SCCM和15SCCM,调节真空系统(2),保持生长腔内的工作压力为0.8Pa;调节溅射电极(4)的电源功率到100W,溅射电极(5)的电源功率为60W生长MgZnO薄膜。
利用X射线能谱仪检测生长的三元合金薄膜,表明生长的是Mg0.34Zn0.66O薄膜,检测薄膜上5个区域,表明生长的薄膜组分均匀;X射线衍射测试得到(0002)方向的衍射峰和蓝宝石衬底的(0002)衍射峰,说明薄膜具有良好的C轴择优取向,无出现结构相分离;原子力显微镜扫描薄膜表面,得到的粗糙度为3.52nm,平整较高;通过透射谱测试,表明得到Mg0.34Zn0.66O薄膜吸收边落在295nm。所生长的Mg0.34Zn0.66O三元合金薄膜适用于高性能紫外探测器的制备。
实施例3:使用改进的磁控溅射设备,溅射电极(4)上装金属Mg靶,溅射电极(5)上装金属Zn靶。ZnO衬底置于基片架(8)正中心,并随基片架(8)以7RPM的速度匀速转动,转过程中ZnO衬底到Mg靶和Zn靶的电极始终相等。生长前,由真空系统(2)抽生长腔中的压力至10-4Pa,基片架(8)加热到700℃,开启电子枪(6)轰击衬底20min。关闭电子枪,往混气室(7)的两个入口中通入O2和Ar,流量分别为10SCCM和20SCCM,调节真空系统(2),保持生长腔内的工作压力为1.2Pa;调节溅射电极(4)的电源功率到100W,溅射电极(5)的电源功率为45W生长MgZnO薄膜。
利用X射线能谱仪检测生长的三元合金薄膜,表明生长的是Mg0.50Zn0.50O薄膜,检测薄膜上5个区域,表明生长的薄膜组分均匀;X射线衍射测试得到(0002)方向的衍射峰和ZnO衬底的(0002)衍射峰,说明薄膜具有良好的C轴择优取向,无出现结构相分离;原子力显微镜扫描薄膜表面,得到的粗糙度为2.34nm,平整较高。所生长的Mg0.50Zn0.50O三元合金薄膜适用于高性能紫外探测器的制备。。
Claims (8)
1.一种MgZnO薄膜制备设备系统,其特征在于该设备包括生长腔,真空系统,安放衬底的基片架,二个溅射电极,电子枪和混气室七个重要部分,利用反应磁控溅射方法在衬底上生长三元MgZnO合金薄膜。
2.根据权利要求1所述的MgZnO薄膜制备设备系统,其特征在于基片架为倒置式,位于生长腔的顶部,且在生长腔的中轴线上,基片架有加热装置,基片架可以旋转。
3.根据权利要求1或2所述的MgZnO薄膜制备设备系统,其特征在于所述的二个溅射电极上分别装有Mg金属靶和Zn金属靶,二个溅射电极位于生长腔的底部,对称地位于生长腔中轴线的两侧,且两个溅射电极正对着基片架,即基片架、二个溅射电极组成一个等腰三角形。
4.根据权利要求1、2或3所述的MgZnO薄膜制备设备系统,其特征在于生长MgZnO薄膜前,电子枪产生的高能电子束对衬底表面进行轰击,轰击掉衬底表层原子,活化衬底表面。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的MgZnO薄膜制备设备系统,其特征在于混气室有两个进气口,分别通溅射气体Ar和反应气体O2;一个出气口通到生长腔中。
6.根据权利要求1所述的生长MgZnO合金薄膜的反应磁控溅射方法,其特征在于溅射采用Mg靶和Zn靶在氧气氛中共溅的方法制备MgZnO合金薄膜;基片架的转速为5-15RPM之间;衬底温度为300-750℃之间;氧气和氩气的流量比为0.5-1之间;生长压力为0.5-2Pa之间;通过控制Zn靶和Mg靶的溅射电极的功率,调节MgZnO合金薄膜中Mg的组分。
7.根据权利要求1、2、3、4或5所述的生长MgZnO合金薄膜的衬底,其特征在于生长所用的衬底可以是ZnO、Al2O3、Si、GaN、SiO2衬底。
8.根据权利要求1、2、3、4或5所述的MgZnO合金薄膜,其特征在于MgZnO薄膜中Mg的组分在0.1-0.6之间。。
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