CN102556943A - 微机电传感器的形成方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供微机电传感器的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有若干数目的微机电传感器件区，及与每个微机电传感器区相邻的焊盘区，所述微机电传感区表面形成微机电传感电极，焊盘区表面形成有焊盘电极；在基底上沉积介质层，所述介质层内形成有第一空腔及第二空腔，所述第一空腔暴露出所述微机电传感电极表面，第一空腔内还形成有可动部件，第二空腔暴露出所述焊盘电极表面；对相邻的微机电传感器区进行切割分离，所述切割口至少贯穿所述第二空腔，直至暴露所述焊盘电极，分离所述相邻的微机电传感器。本发明第二空腔暴露出焊盘电极，进行微机电传感器切割，只需切割口贯穿第二空腔即进行分离，降低所述微机电传感器的切割难度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种微机电传感器的形成方法。
背景技术
MEMS(Microelectromechanical System，微机电系统)技术是指对微米/纳米(micro/nanotechnology)材料进行设计、加工、制造、测量和控制的技术。MEMS是由机械构件、光学系统、驱动部件、电控系统集成为一个整体单元的微型系统。MEMS通常应用在位置传感器、旋转装置或者传感器中，例如加速度传感器、陀螺仪和声音传感器。
现有的一种传统的微机电传感器通常包括主体和一个或多个可动部件，所述可动部件相对于主体为悬置的分立结构，可动部件可以由悬臂支撑而成悬置。而可动部件、主体及可动部件和主体之间的气体层构成电容。所述可动部件和主体可以相对移动，当可动部件和主体相对移动，例如上下移动或者左右移动，则所述电容的电容值将发生变化，从而通过连续测量所述电容值可以获得所述可动部件和主体相对左右运动或者上下移动的速度或加速度。上述通过测量电容值来测量所述可动部件和主体之间相对运动的微机电传感器也叫做电容式微机电传感器。在美国专利文献“US2010116057A1”中可以发现更多关于现有的微机电传感器的信息。
现有技术首先在同一个基底上形成若干数目的微机电传感器，所述微机电传感器包括微机电传感器区及与所述微机电传感器区相邻的焊盘区；然后通过切割形成分立的微机电传感器。
但是在工艺制造过程中，对于相邻的微机电传感器进行分割的工艺较为繁琐，且切割难度较大。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种微机电传感器的形成方法，减小了微机电传感器制作工艺的复杂度。
为解决上述问题，本发明提供一种微机电传感器的形成方法，所述微机电传感器包括微机电传感区及与其相邻的焊盘区，包括：
提供基底，所述基底上形成有若干数目的微机电传感器区，及与每个微机电传感器区相邻的焊盘区，所述微机电传感区表面形成有微机电传感电极，所述焊盘区表面形成有焊盘电极；
在所述基底上沉积介质层，所述介质层内形成有第一空腔及第二空腔，所述第一空腔暴露出所述微机电传感电极表面，所述第一空腔内还形成有可动部件，所述第二空腔暴露出所述焊盘电极表面；
对相邻的微机电传感器进行切割分离，所述切割口至少贯穿所述第二空腔，直至暴露所述焊盘电极，分离所述相邻的微机电传感器。
可选的，所述微机电传感电极包括微机电传感器的顶部电极和底部电极。
可选的，所述第一空腔包括第一凹槽和与第一凹槽贯穿的第三凹槽，所述第二空腔包括第二凹槽和与第二凹槽贯穿的第四凹槽。
可选的，所述介质层包括依次位于基底上的第一介质层、第二介质层和第三介质层。
可选的，所述第一凹槽和第二凹槽位于第一介质层内，所述第三凹槽和第四凹槽位于第二介质层内。
可选的，所述沉积介质层包括在所述基底上形成第一层间介质层，并在所述第一层间介质层内形成有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽暴露出所述底部电极，所述第二凹槽暴露出焊盘电极。
可选的，所述第一凹槽和第二凹槽内分别填充有第一牺牲层和第二牺牲层。
可选的，还包括在所述第一层间介质层内形成第一导电插塞，所述第一导电插塞与所述顶部电极电连接。
可选的，还包括在所述第一层间介质层上形成可动部件，所述可动部件通过第一导电插塞与顶部电极连接，所述可动部件的一端覆盖有第一牺牲层。
可选的，所述可动部件的厚度范围为0.1～50微米，所述可动部件的宽度范围为10～1000微米。
可选的，在所述第一层间介质层上形成第二层间介质层，且所述第二层间介质层覆盖所述可动部件。
可选的，在所述第二层间介质层内形成第三凹槽和第四凹槽，其中，所述第一凹槽和第三凹槽贯穿，所述第二凹槽和第四凹槽贯穿，且所述第三凹槽和第四凹槽分别对应填充有第三牺牲层和第四牺牲层。
可选的，在所述第二层间介质层上形成第三层间介质层，并在所述第三层间介质层内形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述第三牺牲层，所述第二开口暴露出所述第三牺牲层。
可选的，还包括通过第一开口和第二开口通入刻蚀气体，去除所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层及第四牺牲层，去除牺牲层后，所述第一凹槽和第三凹槽构成第一空腔，所述第二凹槽和第四凹槽构成第二空腔。
可选的，还包括在所述第三层间介质层上形成覆盖物，并通过切割覆盖物形成切割口，所述切割口至少贯穿覆盖物和第二空腔，直至暴露所述焊盘电极，最后通过所述切割口分离相邻的微机电传感器。
可选的，所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层及第四牺牲层的材质为非晶碳、光刻胶、聚酰亚胺、非晶硅和钼中的一种。
可选的，所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层及第四牺牲层利用等离子体增强化学气相沉积工艺，反应温度为350～450摄氏度。
可选的，所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层的去除方法为利用氧离子或氮离子的等离子体灰化去除。
可选的，所述第一层间介质层、第二层间介质层、第三层间介质层的材料为氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化硅或者其中的组合。
可选的，所述顶部电极、底部电极和焊盘电极材质为金属，厚度范围为0.05～10微米，所述金属为银、铝、铜、钛、铂金、金、镍、钴或者其中的组合。
可选的，所述第一导电插塞的材质为金属，所述金属为钨、金、银、铜、铝、钛、镍中的一种或多种。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：通过在焊盘区上形成第二空腔，所述第二空腔完全暴露出所述焊盘电极，在后续进行微机电传感器切割时候，只需要使得切割口贯穿第二空腔即可进行分离，降低所述微机电传感器的切割难度，且降低所述微机电传感器的切割成本。
附图说明
图1是本发明一个实施例的微机电传感器的形成方法流程图；
图2至图15为本发明一个实施例的微机电传感器形成方法剖面示意图。
具体实施方式
现有技术对相邻的微机电传感器进行切割具体地包括在所述微机电传感器区及焊盘区上形成覆盖物，并通过切割所述覆盖物，直至完全暴露出所述焊盘区上的焊盘电极，以分离相邻的微机电传感器。发明人发现其中所述焊盘区的焊盘电极上覆盖有绝缘物质，必须通过湿法刻蚀或者干法刻蚀完全去除位于所述焊盘电极上的绝缘物质，才能完全暴露出所述焊盘电极的表面，且由于位于焊盘电极上方的绝缘物质厚度较大，增加了所述切割工艺的复杂度。
为解决上述问题，本发明提供一种微机电传感器的形成方法，所述微机电传感器包括微机电传感区及与其相邻的焊盘区，所述形成方法包括：
提供基底，所述基底上形成有若干数目的微机电传感器区，及与每个微机电传感器区相邻的的焊盘区，所述微机电传感区表面形成有微机电传感电极，所述焊盘区表面形成有焊盘电极；
在所述基底上沉积介质层，所述介质层内形成有第一空腔及第二空腔，所述第一空腔暴露出所述微机电传感电极表面，所述第一空腔内还形成有可动部件，所述第二空腔暴露出所述焊盘电极表面；
对相邻的微机电传感器进行切割分离，所述切割口至少贯穿所述第二空腔，直至暴露所述焊盘电极，分离所述相邻的微机电传感器。
本发明通过在焊盘区上形成第二空腔，所述第二空腔完全暴露出所述焊盘电极，在后续进行微机电传感器切割时候，只需要使得切割口贯穿所述第二空腔即可进行分离，降低所述微机电传感器的切割难度，且降低所述微机电传感器的切割成本。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
图1是本发明一个实施例的微机电传感器形成方法流程示意图，具体地如图1所示，包括：
执行步骤S1，提供基底，所述基底上形成有若干数目的微机电传感器件区，及与每个微机电传感器区相邻的焊盘区，所述微机电传感区表面形成有微机电传感电极，所述焊盘区表面形成有焊盘电极；
执行步骤S2，在所述基底上形成第一层间介质层，所述第一层间介质层形成有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽暴露出底部电极，所述第二凹槽暴露出焊盘电极，所述第一凹槽和第二凹槽还分别填充形成有第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一层间介质层内还形成有第一导电插塞，所述第一导电插塞与顶部电极电连接；
执行步骤S3，在所述第一层间介质层上形成可动部件，所述可动部件通过第一导电插塞与顶部电极连接，且所述可动部件的一端覆盖有第一牺牲层；
执行步骤S4，在所述第一层间介质层上形成第二层间介质层，且所述第二层间介质层覆盖所述可动部件；
执行步骤S5，在所述第二层间介质层内形成有第三凹槽和第四凹槽，其中，第一凹槽和第三凹槽贯穿，所述第二凹槽和第四凹槽贯穿，且所述第三凹槽和第四凹槽分别对应填充有第三牺牲层和第四牺牲层；
执行步骤S6，在所述第二层间介质层上形成第三层间介质层，并在所述第三层间介质层内形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述第三牺牲层，所述第二开口暴露出所述第三牺牲层；
执行步骤S7，通过第一开口和第二开口通入刻蚀气体，去除所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层及第四牺牲层，去除牺牲层后，所述第一凹槽和第三凹槽构成第一空腔，所述第二凹槽和第四凹槽构成第二空腔；
执行步骤S8，在所述第三层间介质层上形成覆盖物，并通过覆盖物形成切割口，所述切割口至少贯穿覆盖物和第二空腔，直至暴露所述焊盘电极，最后通过所述切割口分离相邻的微机电传感器。
下面结合附图对本发明进行详细说明。首先，如图2所示，提供基底100，本发明所述的基底100可以为半导体基底，例如硅、锗、砷化镓，或者所述基底100还可以为玻璃基底。本实施例中，所述基底100为半导体基底。后续将以基底为半导体基底为例，进行说明。
继续参考图1，所述基底100上所述基底上形成有2个数目以上的微机电传感器件区1，每个微机电传感器区还形成有与其相邻的焊盘区2。本图仅示出了一个微机电传感器区1及与其相邻的焊盘区2。所述焊盘区2用于将微机电传感器区1与外部器件进行对应连接。
其中，所述基底100内形成有控制电路(未图示)，所述控制电路用于向半导体基底100上形成的各个器件提供控制信号，所述控制电路可以形成于半导体基底内，可以形成于另一个半导体基底内。作为优选的实施例，所述控制电路形成于图2示出的半导体基底100内，这样节约芯片面积，更适合于微显示系统。
继续参考图2，所述基底100上还形成有与所述控制电路对应连接的电极，包括位于微机电传感器区1的微机电传感电极，包括顶部电极120及底部电极130，及位于所述焊盘区2的焊盘电极110。
作为一个实施例，所述焊盘电极110、顶部电极120、底部电极130的材质为金属。厚度范围为0.05～10微米，所述金属为银、铝、铜、钛、铂金、金、镍、钴或者其中的组合。
如图3所示，在所述基底100上形成第一层间介质层200，所述第一层间介质层200覆盖位于所述基底100上的焊盘电极110，顶部电极120和底部电极130。所述第一层间介质层200的材质为氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化硅或者其中的组合。
如图4所示，图案化所述第一层间介质层200，在第一层间介质层200内形成第一凹槽210和第二凹槽220。其中，所述第一凹槽210暴露出所述底部电极130，所述第一凹槽210可以全部或者部分暴露出所述底部电极130。所述第二凹槽220暴露出焊盘电极110，所述第二凹槽220可以全部或者部分暴露出所述焊盘电极110。
如图5所示，在所述第一凹槽210和第二凹槽220内填充牺牲层，分别形成第一牺牲层211和第二牺牲层221。本实施例为首先形成层间介质层，接着在层间介质层内形成凹槽以填充牺牲层，作为其他实施例，还可以首先形成牺牲层，接着在牺牲层内形成凹槽，最后对所述凹槽形成层间介质层，因为所述牺牲层所在的比例较大，填充难度较低，所以优选地，首先形成层间介质层，再在所述层间介质层内形成凹槽以填充牺牲层。
其中，填充形成的第一牺牲层211和第二牺牲层221，在后续的工艺中将通过灰化工艺或其他的工艺去除，以在所述底部电极130上方形成的空腔，及位于焊盘电极110上方的空腔，其中位于所述焊盘电极110上的空腔可以易于后续的切割工艺，通过所述切割工艺即可暴露出所述焊盘电极110。
作为本发明的优选实施例，所述牺牲层的材质为非晶碳、光刻胶、聚酰亚胺、非晶硅和钼中的一种。本实施例中，所述牺牲层的材质为非晶碳，其可以利用CMOS工艺中的普通的化学气相沉积工艺制作，并且可以利用CMOS工艺中的等离子体灰化工艺去除。
具体地，作为一个实施例，所述第一牺牲层211和第二牺牲层221可以利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，具体地参数为：温度范围为350℃～450℃，反应气体包括：C3H6和HE2。
由于所述第一牺牲层211和第二牺牲层221是利用等离子体增强化学气相沉积工艺制作，因此，所述第一牺牲层211和第二牺牲层221在沉积完毕后，可能会有多余的第一牺牲层211和第二牺牲层221覆盖在所述第一层间层间介质层200表面，需要进行平坦化工艺，去除位于所述第一层间介质层200表面的多余的牺牲层，以形成平整的表面，有利于后续工艺步骤的进行。所述平坦化工艺为化学机械研磨工艺。所述化学机械研磨工艺与现有技术相同，作为本领域技术人员的公知技术，在此不做详细地说明。
如图6所示，再次对所述第一层间介质层200再次进行图案化处理，在所述层间介质层200内形成开口，并对所述开口进行金属填充形成第一导电插塞230，所述第一导电插塞230的底部与顶部电极120电连接。所述第一导电插塞230的材质为金属，所述金属为钨、金、银、铜、铝、钛、镍中的一种或多种。
如图7所示，在所述第一层间介质层200上形成微机电传感器的可动部件层300，所述可动部件层300的材质为金属金、银、铜、铝、钛等，优选为铝。所述可动部件300还可以为导电非金属，如多晶硅、非晶硅、多晶锗硅、导电玻璃等，也可以是金属和绝缘介质的组合或者导电非金属和绝缘介质的组合，其中绝缘介质可以是SiO2、SiON、SiNx、SiC、SiOC等。其中，若为金属材质，则可以利用化学气相沉积或物理气相沉积工艺制作，若为非金属和绝缘物质，则可以利用化学气相沉积工艺形成。
参考图8，刻蚀所述金属层，形成可动部件310，所述可动部件310通过第一导电插塞230与所述顶部电极130连接，并通过所述顶部电极130，接收位于基底100内的控制电路传输的控制信号。所述可动部件310同时覆盖所述第一牺牲层230的部分表面。所述可动部件310的厚度范围为0.1～50微米，所述可动部件310的宽度范围为10～1000微米。
如图9所示，在所述第一层间介质层200上形成第二层间介质层400，同时所述第二层间介质层400覆盖所述可动部件310。所述第二层间介质层400的材质为氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化硅或者其中的组合。
如图10所示，对所述第二层间介质层400进行图案化处理，在所述第二层间介质层400内形成第三凹槽410和第四凹槽420，所述第一凹槽和第三凹槽410贯穿，所述第二凹槽和第四凹槽420贯穿。所述可动部件310位于所述第三凹槽410内，所述可动部件310的顶部和侧壁的介质层均已去除，仅底部和第二层间介质层200或第一牺牲层220接触。
如图11所示，对所述第三凹槽410和第四凹槽420内填充牺牲层材料，分别形成第三牺牲层411和第四牺牲层421。所述第三牺牲层411覆盖所述可动部件310。
本实施例为首先形成层间介质层，接着在层间介质层内形成凹槽以填充牺牲层，作为其他实施例，还可以首先形成牺牲层，接着在牺牲层内形成凹槽，最后对所述凹槽形成层间介质层，因为所述牺牲层所在的比例较大，填充难度较低，所以优选地，首先形成层间介质层，再在所述层间介质层内形成凹槽以填充牺牲层。
其中，填充形成的第三牺牲层411和第四牺牲层421，在后续的工艺中将通过灰化工艺或其他的工艺去除，以在所述底部电极130上方形成的空腔，及位于焊盘电极110上方的空腔，其中位于所述焊盘电极110上的空腔可以易于后续的切割工艺，通过所述切割工艺即可暴露出所述焊盘电极110。
作为本发明的优选实施例，所述牺牲层的材质为非晶碳、光刻胶、聚酰亚胺、非晶硅和钼中的一种。本实施例中，所述牺牲层的材质为非晶碳，其可以利用CMOS工艺中的普通的化学气相沉积工艺制作，并且可以利用CMOS工艺中的等离子体灰化工艺去除。
具体地，作为一个实施例，所述第三牺牲层411和第四牺牲层421可以利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺，具体地参数为：温度范围为350℃～450℃，反应气体包括：C3H6和HE2。
由于所述第三牺牲层411和第四牺牲层421是利用等离子体增强化学气相沉积工艺制作，因此，所述第三牺牲层411和第四牺牲层421在沉积完毕后，可能会有多余的第三牺牲层411和第四牺牲层421覆盖在所述第二层间介质层400表面，需要进行平坦化工艺，去除位于所述第二层间介质层400表面的多余的牺牲层，以形成平整的表面，有利于后续工艺步骤的进行。所述平坦化工艺为化学机械研磨工艺。所述化学机械研磨工艺与现有技术相同，作为本领域技术人员的公知技术，在此不做详细地说明。
如图12所示，在所述第二层间介质层200上形成第三层间介质层500，所述第三层间介质层500的厚度范围为0.1微米～10微米。并对所述第三层间介质层500进行图案化处理，形成第一开口510和第二开口520。所述第三层间介质层500的材质为氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化硅或者其中的组合。
如图13所示，通过所述第一开口510和第二开口520通入刻蚀气体，去除所述第一牺牲层211、第二牺牲层221、第三牺牲层411和第四牺牲层421，暴露出所述第一凹槽211、第二凹槽221、第三凹槽411及第四凹槽421。位于所述底部电极130上方的空腔为第一空腔，所述第一空腔为第一凹槽211和与其贯穿的第三凹槽411，位于所述焊盘电极110上方的空腔为第二空腔，所述第二空腔为第二凹槽221和与其贯穿的第四凹槽420。
所述牺牲层的刻蚀为利用含氮或含氧的等离子体进行的灰化工艺。所述作为一个实施例，所述牺牲层的刻蚀，包括第一牺牲层211、第二牺牲层221、第三牺牲层411和第四牺牲层421的刻蚀方法包括：所述去除材料为氧气，产生的等离子体为氧离子，所述刻蚀工艺的温度范围为150℃～450℃，在此温度下，致密非晶碳并不会发生剧烈燃烧，而可以被氧化成二氧化碳气体，第一牺牲层211、第二牺牲层221、第三牺牲层411和第四牺牲层421能够彻底地去除，而器件的其余部分并不会受到影响。
如图14所示，在所述第三层间介质层500上形成覆盖层600，所述覆盖层600的厚度范围为1微米～500微米，所述覆盖层600主要用于覆盖并保护所述微机电传感区。形成在焊盘区上的覆盖层在后续工艺中需要被去除。
如图15所示，在所述覆盖层600上形成切割口，并通过所述切割口对相邻的微机电传感器进行分离，其中，所述切割口至少贯穿所述覆盖层和所述第二空腔，直至暴露出所述焊盘电极110的表面。
进一步地，如图15所示所述切割还可以从所述基底100的底部开始，直至暴露出所述第二空腔，使得所述微机电传感器和与其相邻的微机电传感器分离。
本发明通过在焊盘区上形成第二空腔，所述第二空腔完全暴露出所述焊盘电极，在后续进行微机电传感器切割时候，只需要使得切割口贯穿所述覆盖物及第二空腔即可进行分离，不需要采用湿法刻蚀或者干法刻蚀去除位于所述焊盘区上的绝缘物质，降低所述微机电传感器的切割难度，且降低所述微机电传感器的切割成本。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
Claims (21)
1.一种微机电传感器的形成方法，所述微机电传感器包括微机电传感区及与其相邻的焊盘区，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上形成有若干数目的微机电传感器区，及与每个微机电传感器区相邻的焊盘区，所述微机电传感区表面形成有微机电传感电极，所述焊盘区表面形成有焊盘电极；
在所述基底上沉积介质层，所述介质层内形成有第一空腔及第二空腔，所述第一空腔暴露出所述微机电传感电极表面，所述第一空腔内还形成有可动部件，所述第二空腔暴露出所述焊盘电极表面；
对相邻的微机电传感器进行切割分离，所述切割口至少贯穿所述第二空腔，直至暴露所述焊盘电极，分离所述相邻的微机电传感器。
2.如权利要求1所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述微机电传感电极包括微机电传感器的顶部电极和底部电极。
3.如权利要求1所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述第一空腔包括第一凹槽和与第一凹槽贯穿的第三凹槽，所述第二空腔包括第二凹槽和与第二凹槽贯穿的第四凹槽。
4.如权利要求3所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述介质层包括依次位于基底上的第一介质层、第二介质层和第三介质层。
5.如权利要求4所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽和第二凹槽位于第一介质层内，所述第三凹槽和第四凹槽位于第二介质层内。
6.如权利要求5所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述沉积介质层包括在所述基底上形成第一层间介质层，并在所述第一层间介质层内形成有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽暴露出所述底部电极，所述第二凹槽暴露出焊盘电极。
7.如权利要求6所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，在所述第一凹槽和第二凹槽内分别填充第一牺牲层和第二牺牲层。
8.如权利要求7所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，还包括在所述第一层间介质层内形成第一导电插塞，所述第一导电插塞与所述顶部电极电连接。
9.如权利要求8所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，还包括在所述第一层间介质层上形成可动部件，所述可动部件通过第一导电插塞与顶部电极连接，所述可动部件的一端覆盖有第一牺牲层。
10.如权利要求9所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述可动部件的厚度范围为0.1～50微米，所述可动部件的宽度范围为10～1000微米。
11.如权利要求10所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，在所述第一层间介质层上形成第二层间介质层，且所述第二层间介质层覆盖所述可动部件。
12.如权利要求11所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，在所述第二层间介质层内形成第三凹槽和第四凹槽，其中，所述第一凹槽和第三凹槽贯穿，所述第二凹槽和第四凹槽贯穿，且所述第三凹槽和第四凹槽分别对应填充有第三牺牲层和第四牺牲层。
13.如权利要求12所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，在所述第二层间介质层上形成第三层间介质层，并在所述第三层间介质层内形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述第三牺牲层，所述第二开口暴露出所述第三牺牲层。
14.如权利要求13所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，还包括通过第一开口和第二开口通入刻蚀气体，去除所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层及第四牺牲层，去除牺牲层后，所述第一凹槽和第三凹槽构成第一空腔，所述第二凹槽和第四凹槽构成第二空腔。
15.如权利要求14所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，还包括在所述第三层间介质层上形成覆盖物，并通过切割覆盖物形成切割口，所述切割口至少贯穿覆盖物和第二空腔，直至暴露所述焊盘电极，最后通过所述切割口分离相邻的微机电传感器。
16.如权利要求15所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层及第四牺牲层的材质为非晶碳、光刻胶、聚酰亚胺、非晶硅和钼中的一种。
17.如权利要求16所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层及第四牺牲层利用等离子体增强化学气相沉积工艺，反应温度为350～450摄氏度。
18.如权利要求17所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层的去除方法为利用氧离子或氮离子的等离子体灰化去除。
19.如权利要求1至18任一项的所述微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述第一层间介质层、第二层间介质层、第三层间介质层的材料为氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮化硅或者其中的组合。
20.如权利要求1至18任一项的所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述顶部电极、底部电极和焊盘电极材质为金属，厚度范围为0.05～10微米，所述金属为银、铝、铜、钛、铂金、金、镍、钴或者其中的组合。
21.如权利要求8或9所述的微机电传感器的形成方法，其特征在于，所述第一导电插塞的材质为金属，所述金属为钨、金、银、铜、铝、钛、镍中的一种或多种。
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Effective date of registration: 20230612 Address after: 323000 room 307, block B, building 1, No.268 Shiniu Road, nanmingshan street, Liandu District, Lishui City, Zhejiang Province Patentee after: Zhejiang Core Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 201203 501b, building 5, No. 3000, Longdong Avenue, Pudong New Area, Shanghai Patentee before: LEXVU OPTO MICROELECTRONICS TECHNOLOGY (SHANGHAI) Ltd. |
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Denomination of invention: The formation method of micro electromechanical sensors Granted publication date: 20141231 Pledgee: Lishui Economic Development Zone Sub branch of Bank of China Ltd. Pledgor: Zhejiang Core Microelectronics Co.,Ltd. Registration number: Y2024980019317 |
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