CN104678125B - Mems加速度传感器的形成方法 - Google Patents

Abstract

一种MEMS传感器的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成第一介质层，在第一介质层上形成下极板；在第一介质层上形成第二介质层；在第二介质层上形成导电材料层；对导电材料层进行图形化形成惯性电极和固定电极，惯性电极具有多个第一梳状件，固定电极具有多个第二梳状件，部分或全部数量的第一梳状件与下极板在垂直于基底上表面方向上相对，相邻两第一梳状件之间为一个第二梳状件，且相邻两第二梳状件之间为一个第一梳状件；在多个第一、第二梳状件下的部分厚度的第二介质层中形成空腔，在形成空腔过程中，使用气态刻蚀剂和挥发性载体，在形成空腔过程中产生的气态聚合物被挥发性载体携带排出。本技术方案提升MEMS加速度传感器性能。

Description

MEMS加速度传感器的形成方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种MEMS加速度传感器的形成方法。

背景技术

MEMS加速度传感器是MEMS器件中的一种，通过惯性电极接收外界的惯性力（惯性力是指当物体有加速度时，物体具有的惯性会使物体有保持原有运动状态的倾向，而此时若以该物体为参考系，并在该参考系上建立坐标系，看起来就仿佛有一股方向相反的力作用在该物体上令该物体在坐标系内发生位移，因此称之为惯性力），惯性电极相对固定电极相对移动，所述相对移动引发电信号变化，电信号传递至控制电路，电信号经控制电路处理转化成惯性力值，测量得到惯性力大小。

现有技术的MEMS加速度传感器的形成方法包括：

参照图1，提供基底1，在基底1上形成有控制电路（图中未示出）；

参照图2，在所述基底1上形成第一介质层2，在所述第一介质层2上形成下极板8，下极板8上表面露出，在第一介质层2中还形成有互连结构（图中未示出），下极板8通过互连结构与控制电路电连接，之后在第一介质2上形成第二介质层3，第二介质层3覆盖第一介质层2和下极板8；

接着，在第二介质层3上形成掺杂硅层4；

参照图3，对所述掺杂硅层4进行图形化，形成具有多个相互隔开的第一梳状件5的惯性电极和具有多个相互隔开的第二梳状件6的固定电极，两相邻的第一梳状件5之间为一个第二梳状件6，两第二梳状件6之间为一个第一梳状件5，第一梳状件5和第二梳状件6交替间隔排列，每个第一梳状件5与相邻的第二梳状件6相对构成一个电容器，多个第一梳状件5和多个第二梳状件6构成多个电容器，惯性电极和固定电极分别通过互连结构与控制电路电连接，当第一梳状件5受惯性力相对相邻的第二梳状件6在平行于基底1上表面方向移动，第一梳状件5与第二梳状件6之间的间距改变，电容变化，电容信号通过惯性电极和固定电极传递至控制电路；

参照图4，刻蚀多个第一梳状件5和多个第二梳状件6下的部分厚度的层间介质层，露出下极板8，形成空腔7。当第一梳状件5相对下极板8在垂直于基底1上表面方向移动，第一梳状件5和相对的下极板8之间的距离变化，电容变化，电容信号通过惯性电极和下极板8传递至控制电路。

参照图4，在刻蚀多个第一梳状件5和多个第二梳状件6下部分厚度的层间介质层的过程中会产生聚合物，聚合物沉积在第一梳状件5和第二梳状件6表面、沉积在空腔7中。因此，在形成空腔7后，通常使用湿法刻蚀去除聚合物。

使用湿法刻蚀去除聚合物，聚合物可清洗干净，但刻蚀剂进入空腔后却形成残留，而无法被去除干净，残留的刻蚀剂将影响后续的工艺及加速度传感器的性能。

发明内容

本发明解决的问题是，使用现有的加速度传感器形成方法，在形成空腔后，使用湿法刻蚀去除空腔中的聚合物，刻蚀剂进入空腔后形成残留，残留的化学试剂将影响后续的工艺及加速度传感器的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种MEMS加速度传感器的形成方法，该MEMS加速度传感器的形成方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有控制电路；

在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖基底和控制电路，在所述第一介质层上形成下极板，所述下极板的上表面暴露，所述下极板与控制电路电连接；

在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖第一介质层和下极板；

在所述第二介质层上形成导电材料层；

对所述导电材料层进行图形化形成惯性电极和固定电极，所述惯性电极具有多个第一梳状件，所述固定电极具有多个第二梳状件，部分数量或全部数量的第一梳状件与下极板在垂直于基底上表面方向上相对，相邻两第一梳状件之间为一个第二梳状件，且相邻两第二梳状件之间为一个第一梳状件，所述第一梳状件和相邻的第二梳状件相互隔开且相对，所述惯性电极和固定电极与控制电路电连接；

在所述多个第一梳状件和多个第二梳状件下的部分厚度的第二介质层中形成空腔，在所述形成空腔过程中，使用气态刻蚀剂和挥发性载体，在所述形成空腔过程中产生的气态聚合物被挥发性载体携带排出。

可选地，在所述多个第一梳状件和多个第二梳状件下的部分厚度的第二介质层中形成空腔的方法为：刻蚀所述多个第一梳状件和多个第二梳状件下的部分厚度的第二介质层，形成空腔。

可选地，所述气态刻蚀剂为雾化的氢氟酸溶液。

可选地，所述挥发性载体为甲醇、乙醇或丙酮。

可选地，在所述第二介质层上形成导电材料层之前，对所述第二介质层进行图形化形成沟槽，所述沟槽定义空腔的位置，所述沟槽露出下极板；

在所述沟槽中形成刻蚀阻挡层、和位于刻蚀阻挡层上的第三介质层，所述刻蚀阻挡层覆盖沟槽的底部和侧壁，所述第三介质层填充满沟槽；

所述导电材料层覆盖第三介质层和第二介质层；

在所述多个第一梳状件和多个第二梳状件下的部分厚度的第二介质层中形成空腔为：刻蚀去除第三介质层，在对应所述第三介质层的位置形成空腔。

可选地，在所述沟槽中形成刻蚀阻挡层、和位于刻蚀阻挡层上的第三介质层的方法包括：

形成刻蚀阻挡材料层，所述刻蚀阻挡材料层覆盖第二介质层、沟槽的底部和侧壁；

在所述刻蚀阻挡材料层上形成第三介质材料层；

去除高出第一介质层上表面的第三介质材料层和刻蚀阻挡材料层，剩余的第三介质材料层作为第三介质层，剩余的刻蚀阻挡材料层作为刻蚀阻挡层。

可选地，在所述沟槽中形成刻蚀阻挡层、和位于刻蚀阻挡层上的第三介质层的方法包括：

形成刻蚀阻挡材料层，所述刻蚀阻挡材料层覆盖第二介质层、沟槽的底部和侧壁；

去除高出所述第二介质层上表面的刻蚀阻挡材料层，剩余的刻蚀阻挡材料层作为刻蚀阻挡层；

在形成刻蚀阻挡层后，形成第三介质材料层，所述第三介质材料层覆盖第二介质层、填充满沟槽；

去除高出第二介质层上表面的第三介质材料层，所述第三介质材料层作为第三介质层。

可选地，去除高出所述第二介质层上表面的刻蚀阻挡材料层和第三介质材料层的方法为化学机械研磨。

可选地，所述第一介质层、第二介质层和第二介质层的材料均为氧化硅，所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅。

可选地，所述刻蚀阻挡层的厚度范围为。

可选地，在所述第一介质层上形成下极板的方法包括：

使用溅射工艺形成金属层，所述金属层覆盖第一介质层；

对所述金属层进行图形化形成下极板。

可选地，对所述导电材料层进行图形化形成惯性电极和固定电极的方法为深反应离子刻蚀。

可选地，所述导电材料层的材料为掺杂单晶硅、掺杂多晶硅、或金属。

可选地，所述金属为钛、钽、铝中的一种或多种的合金。

可选地，所述掺杂单晶硅为具有掺杂的晶圆，在对所述导电材料层进行图形化形成惯性电极和固定电极之前，对所述晶圆进行减薄处理。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

使用气态刻蚀剂，刻蚀部分厚度的第二介质层形成空腔。在刻蚀过程中，还向刻蚀反应腔内通入挥发性载体，在刻蚀过程中产生的气态聚合物被挥发性载体携带排出。一方面，气态刻蚀剂不会残留在空腔内。另一方面，产生的聚合物呈气态，气态聚合物随挥发性载体，从第一梳状件和第二梳状件之间的空隙中排出，也不会再空腔中形成残留。使用本技术方案，空腔内不会形成任何化学剂残留，不会影响后续工艺，提升MEMS加速度传感器的性能。

附图说明

图1～图4是现有技术的MEMS加速度传感器在形成过程中的剖面结构示意图；

图5～图11是本发明第一实施例的MEMS加速度传感器在形成过程中的示意图；

图12～图17是本发明第二实施例的MEMS加速度传感器在形成过程中的示意图。

具体实施方式

针对现有技术存在的问题，本发明技术方案提出了一种新的MEMS加速度传感器的形成方法。使用该MEMS加速度传感器的形成方法，使用气态的刻蚀剂，刻蚀第二介质层形成空腔，在刻蚀过程中，还通入挥发性载体，在刻蚀过程中产生的气态聚合物被挥发性载体携带排出。这样，空腔中就不会存在化学剂残留。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

第一实施例

参照图5，提供基底100，在基底100上形成有控制电路（图中未示出）。所述控制电路用于接收电信号，并将电信号转化为惯性力，惯性力也称加速力，是指物体在加速过程中作用在物体上的力。

在具体实施例中，控制电路包括晶体管等器件结构。基底100可以是硅基底、锗基底或者绝缘体上硅基底等；或者基底100的材料还可以包括其它的材料，例如砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物。本领域的技术人员可以根据需要选择基底，因此基底的类型不应限制本发明的保护范围。

参照图6，在基底100上形成第一介质层101，第一介质层101覆盖基底100和控制电路，在第一介质层101上形成下极板104，下极板104的上表面暴露，下极板104与控制电路电连接。

在具体实施例中，在基底100中还形成有互连结构（图中未示出）。在基底100上形成第一介质层101后，在第一介质层中形成互连结构，所述互连结构可以是单层或多层互连结构，互连结构的形成方法为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。之后，在第一介质层101上形成下极板104，下极板104与控制电路通过互连结构电连接。

在具体实施例中，第一介质层101的材料为氧化硅，在使用化学气相沉积形成第一介质层101。

在具体实施例中，在第一介质层101上形成下极板104的方法包括：

使用溅射工艺形成金属层，该金属层的材料是铝、铝合金或其他金属材料，金属层覆盖第一介质层101；

对金属层进行图形化形成下极板104，具体可使用光刻、刻蚀工艺。

在其他实施例中，形成下极板的方法还可以是：在所述第一介质层上形成多个相互隔开的沟槽，沟槽定义下极板的位置；形成金属层，金属层覆盖第一介质层、填充满沟槽；回刻蚀或化学机械研磨，去除高出第一介质层上表面的金属层，剩余金属层作为下极板。

参照图7，在第一介质层101上形成第二介质层102，第二介质层102覆盖第一介质层101和下极板104。

在具体实施例中，第二介质层102的材料为氧化硅，具体可使用化学气相沉积形成第二介质层102。后续将在第二介质层102中形成空腔。

参照图8，在第二介质层102上形成导电材料层105，导电材料层105具有导电性。导电材料层105将用于形成惯性电极和固定电极。

在具体实施例中，导电材料层105的材料为掺杂单晶硅、掺杂多晶硅、或金属，其中金属可以是钛、钽、铝中的一种或多种的合金。

在本实施例中，导电材料层105的材料为掺杂单晶硅，所述掺杂单晶硅为具有掺杂的晶圆。在具体实施例中，提取一晶圆，该晶圆为硅片且具有掺杂，作为导电材料层。将该晶圆与第二介质层102键合，在第二介质层102上形成与之结合的晶圆。在形成该导电材料层105后，要对晶圆进行减薄处理，减薄处理的方法为化学机械研磨。这是因为一片晶圆的厚度通常较厚，不适合直接用于形成惯性电极和固定电极，因此，对该晶圆做减薄处理，使减薄后的晶圆厚度适合形成惯性电极和固定电极。

参照图9、图10，图10为俯视图，图9为对应图10的AA方向的剖面结构示意图，对导电材料层105（参照图8）进行图形化形成惯性电极106和固定电极107，惯性电极106具有多个第一梳状件116，固定电极107具有多个第二梳状件117，多个第一梳状件116之间相互隔开，多个第二梳状件117之间相互隔开，部分数量或全部数量的第一梳状件116与部分下极板104在垂直于基底100上表面方向上相对，相邻两第一梳状件116之间为一个第二梳状件117，且相邻两第二梳状件117之间为一个第一梳状件116，第一梳状件116和相邻的第二梳状件117相互隔开且相对，惯性电极106和固定电极107通过互连结构与控制电路电连接。

需要说明的是，第一梳状件116的线宽W₁小于第二梳状件W₂的线宽，只是起到示例作用，用于区分第一梳状件116和第二梳状件117。

在具体实施例中，对导电材料层105（参照图8）进行图形化形成惯性电极106和固定电极107的方法为深反应离子刻蚀（Deep Reactive Ion Etching，DRIE）技术。

在具体实施例中，惯性电极106与控制电路电连接，可以是连接多个第一梳状件116的第一梳脊126和控制电路电连接，或者其中一个第一梳状件116与控制电路电连接；固定电极107与控制电路电连接，可以是连接多个第二梳状件117的第二梳脊127和控制电路电连接，或者其中一个第二梳状件117与控制电路电连接。

在具体实施例中，第一梳状件116向第二梳状件117延伸，第二梳状件117向第一梳状件116延伸，至相邻两第一梳状件116之间为一个第二梳状件117，且相邻两第二梳状件117之间为一个第一梳状件116，第一梳状件116和相邻的一个第二梳状件117相互隔开且相对，每个第一梳状件116和相邻的一个第二梳状件117构成一个电容器。多个第一梳状件116和多个第二梳状件117共构成多个电容器，该多个电容器可视为并联后与控制电路电连接。当第一梳状件116受惯性力作用，朝向或背向第二梳状件117移动时，第一梳状件116和第二梳状件117之间的间距改变，根据电容C=εS/d（ε为常数），第一梳状件116和相邻的第一个第二梳状件117之间的电容值变化，惯性电极106和固定电极107之间的电容值变化，电容信号以电流形式传递至控制电路，控制电路将该电容信号转化为惯性力值。

在具体实施例中，第一梳状件116和与它相对的下极板104之间构成一个电容器。当第一梳状件116受垂直于基底100上表面的惯性力作用，沿垂直于基底100上表面方向相对下极板104移动时，第一梳状件116与该相对的下极板104之间的间距改变，电容变化，电信号传递至控制电路。

需要说明的是，当第一梳状件116沿垂直于基底100上表面方向相对下极板104移动时，第一梳状件116和相邻的第二梳状件117的相对表面积变化，引起第一梳状件116和相邻的第二梳状件117构成的电容器的电容值变化。但是，在具体实施例中，第一梳状件116和相邻的第二梳状件117构成的电容器的灵敏性较弱，因此，在具体实施例中，当第一梳状件116沿垂直于基底100上表面方向移动时，只监控第一梳状件116和相对的下极板104构成的电容器的电容值变化，并据此测量得到惯性力值。

参照图11，使用气态刻蚀剂，刻蚀多个第一梳状件116和第二梳状件117下的部分厚度的第二介质层102形成空腔108，在刻蚀过程中，还向刻蚀反应腔内通入挥发性载体，在刻蚀部分厚度的第二介质层102过程中产生的气态聚合物被挥发性载体携带排出。

在具体实施例中，气态刻蚀剂为氢氟酸溶液。在一定温度下，保持氢氟酸溶液以气态形式通入刻蚀反应腔内，气态氢氟酸溶液通过第一梳状件116和相邻的第二梳状件117之间的空隙接触第二介质层102，气态氢氟酸与第二介质层102反应生成气态聚合物，气态聚合物吸附在挥发性载体上，挥发性载体携带气态聚合物排出。与现有技术相比，使用本技术方案，刻蚀剂为气态，形成空腔过程中产生的聚合物为气态，而且在刻蚀第二介质层102过程中，挥发性载体就将气态聚合物携带排出，完成对气态聚合物清理，且不会产生化学剂残留，避免化学剂影响后续的工艺，确保MEMS加速度传感器的性能较佳。而且，气态聚合物在产生后就及时被挥发性载体携带排出，节省工艺时间，提高了工艺效率。

在具体实施例中，挥发性载体为挥发性物质，如甲醇、乙醇或丙酮等。

在具体实施例中，刻蚀多个第一梳状件116和第二梳状件117下的部分厚度的第二介质层102，至露出下极板104，或者也可剩余高于下极板104上表面的较薄第二介质层，下极板104上较薄的第二介质层不影响MEMS加速度传感器的性能。

第二实施例

参照图12，在所述第一介质层301上形成第二介质层302，所述第二介质层302覆盖第一介质层301和下极板304；

参照图13，对第一介质层301进行图形化形成沟槽309，沟槽304定义空腔的位置，沟槽309露出下极板304；

参照图14，在沟槽309（参照图13）中形成刻蚀阻挡层310、和位于刻蚀阻挡层310上的第三介质层303，刻蚀阻挡层310覆盖沟槽的底部和侧壁，第三介质层303填充满沟槽。刻蚀阻挡层310用于保护下极板304，避免下极板304在后续形成空腔过程中遭受损伤。

在具体实施例中，第一介质层301、第二介质层302和第三介质层303的材料均为氧化硅，刻蚀阻挡层310的材料为氮化硅。

在具体实施例中，在所述沟槽中形成刻蚀阻挡层310、和位于刻蚀阻挡层310上的第三介质层303的方法包括：

形成刻蚀阻挡材料层，刻蚀阻挡材料层覆盖第二介质层302、沟槽的底部和侧壁，具体使用化学气相沉积；

在刻蚀阻挡材料层上形成第三介质材料层，具体使用化学气相沉积；

去除高出第二介质层302上表面的第三介质材料层和刻蚀阻挡材料层，剩余的第三介质材料层作为第三介质层303，剩余的刻蚀阻挡材料层作为刻蚀阻挡层。在具体实施例中，去除高出第二介质层302上表面的第三介质材料层和刻蚀阻挡材料层的方法为化学机械研磨的方法为化学机械研磨。

在其他实施例中，在所述沟槽中形成刻蚀阻挡层、和位于刻蚀阻挡层上的第三介质层的方法还可以是：

形成刻蚀阻挡材料层，刻蚀阻挡材料层覆盖第二介质层、沟槽的底部和侧壁；

去除高出所述第二介质层上表面的刻蚀阻挡材料层，剩余的刻蚀阻挡材料层作为刻蚀阻挡层；

在形成刻蚀阻挡层后，形成第三介质材料层，第三介质材料层覆盖第二介质层、填充满沟槽；

去除高出第二介质层上表面的第三介质材料层，第三介质材料层作为第三介质层，剩余的刻蚀阻挡材料层作为刻蚀阻挡层。在具体实施例中，去除高出第二介质上表面的第三介质材料层和刻蚀阻挡材料层的方法为化学机械研磨。

在具体实施例中，刻蚀阻挡层310的厚度范围为如果刻蚀阻挡层310的厚度小于在后续刻蚀去除第三介质层过程，刻蚀阻挡层会被较快去除，不足以起到刻蚀阻挡作用。如果刻蚀阻挡层310的厚度大于由于氮化硅本身的应力较大，较大应力会使刻蚀阻挡层与第二介质层的结合不够紧密，刻蚀阻挡层与第二介质层之间容易疏松、脱离，影响MEMS加速度传感器的性能。

参照15，在第二介质层302上形成导电材料层305，导电材料层305覆盖第三介质层303和第二介质层302；

参照图16，所述导电材料层305（参照图15）进行图形化形成惯性电极306和固定电极307，惯性电极具有多个第一梳状件316，固定电极具有多个第二梳状件317。具体可参考第一实施例的相关内容，在此不再赘述。

参照图17，使用气态刻蚀剂，刻蚀去除第三介质层，至刻蚀阻挡层310停止，在第三介质层所在位置形成空腔311。在刻蚀去除第三介质层过程中，刻蚀阻挡层保护下极板304免遭气态刻蚀剂的腐蚀，下极板304完整无损，维持了下极板304和相对的第一梳状件316构成的电容器的预期电容值。

需要说明的是，本实施例中，刻蚀阻挡层310的厚度较小，不会影响下极板304与第一梳状件316之间的预期电容值。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (13)

1.一种MEMS加速度传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底上形成有控制电路；

在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖基底和控制电路，在所述第一介质层上形成下极板，所述下极板的上表面暴露，所述下极板与控制电路电连接；

在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖第一介质层和下极板；

在所述第二介质层上形成导电材料层；

对所述导电材料层进行图形化形成惯性电极和固定电极，所述惯性电极具有多个第一梳状件，所述固定电极具有多个第二梳状件，部分数量或全部数量的第一梳状件与下极板在垂直于基底上表面方向上相对，相邻两第一梳状件之间为一个第二梳状件，且相邻两第二梳状件之间为一个第一梳状件，所述第一梳状件和相邻的第二梳状件相互隔开且相对，所述惯性电极和固定电极与控制电路电连接，其中，对所述导电材料层进行图形化形成惯性电极和固定电极的方法为深反应离子刻蚀；

刻蚀所述多个第一梳状件和多个第二梳状件下的部分厚度的第二介质层，形成空腔，在所述形成空腔过程中，使用气态刻蚀剂和挥发性载体，在所述形成空腔过程中产生的气态聚合物被挥发性载体携带排出；

所述部分厚度的第二介质层为从所述第二介质层上表面至所述下极板上表面之间的第二介质层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述气态刻蚀剂为雾化的氢氟酸溶液。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述挥发性载体为甲醇、乙醇或丙酮。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第二介质层上形成导电材料层之前，对所述第二介质层进行图形化形成沟槽，所述沟槽定义空腔的位置，所述沟槽露出下极板；

在所述沟槽中形成刻蚀阻挡层、和位于刻蚀阻挡层上的第三介质层，所述刻蚀阻挡层覆盖沟槽的底部和侧壁，所述第三介质层填充满沟槽；

所述导电材料层覆盖第三介质层和第二介质层；

在所述多个第一梳状件和多个第二梳状件下的部分厚度的第二介质层中形成空腔为：刻蚀去除第三介质层，在对应所述第三介质层的位置形成空腔。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述沟槽中形成刻蚀阻挡层、和位于刻蚀阻挡层上的第三介质层的方法包括：

形成刻蚀阻挡材料层，所述刻蚀阻挡材料层覆盖第二介质层、沟槽的底部和侧壁；

在所述刻蚀阻挡材料层上形成第三介质材料层；

去除高出第二介质层上表面的第三介质材料层和刻蚀阻挡材料层，剩余的第三介质材料层作为第三介质层，剩余的刻蚀阻挡材料层作为刻蚀阻挡层。

6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述沟槽中形成刻蚀阻挡层、和位于刻蚀阻挡层上的第三介质层的方法包括：

形成刻蚀阻挡材料层，所述刻蚀阻挡材料层覆盖第二介质层、沟槽的底部和侧壁；

去除高出所述第二介质层上表面的刻蚀阻挡材料层，剩余的刻蚀阻挡材料层作为刻蚀阻挡层；

在形成刻蚀阻挡层后，形成第三介质材料层，所述第三介质材料层覆盖第二介质层、填充满沟槽；

去除高出第二介质层上表面的第三介质材料层，剩余的所述第三介质材料层作为第三介质层。

7.如权利要求5或6所述的形成方法，其特征在于，去除高出所述第二介质层上表面的刻蚀阻挡材料层和第三介质材料层的方法为化学机械研磨。

8.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层的材料均为氧化硅，所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅。

9.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度范围为

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层上形成下极板的方法包括：

使用溅射工艺形成金属层，所述金属层覆盖第一介质层；

对所述金属层进行图形化形成下极板。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述导电材料层的材料为掺杂单晶硅、掺杂多晶硅、或金属。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述金属为钛、钽、铝中的一种或多种的合金。

13.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述掺杂单晶硅为具有掺杂的晶圆，在对所述导电材料层进行图形化形成惯性电极和固定电极之前，对所述晶圆进行减薄处理。