CN102541140A - 高效热稳定稳压器、可调的稳压二极管及调节输出的方法 - Google Patents

高效热稳定稳压器、可调的稳压二极管及调节输出的方法 Download PDF

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CN102541140A
CN102541140A CN2011103381552A CN201110338155A CN102541140A CN 102541140 A CN102541140 A CN 102541140A CN 2011103381552 A CN2011103381552 A CN 2011103381552A CN 201110338155 A CN201110338155 A CN 201110338155A CN 102541140 A CN102541140 A CN 102541140A
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理查德·A·度尼佩茨
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Abstract

本发明涉及一种高效热稳定稳压器、可调的稳压二极管及调节输出的方法,本文档还讨论了用于高效热补偿稳压器的设备。在实例中,稳压器可包括具有第一温度系数的稳压二极管,该稳压二极管配置成连接到输出并提供至少一部分参考电压;具有第二温度系数的晶体管,该晶体管配置成接收参考电压、接收输出的表示、并提供反馈信息,该反馈信息通过使用输出电压的表示和参考电压来指示输出的误差;其中,所述第一温度系数和第二温度系数配置成减少稳压二极管和晶体管的至少一部分温度漂移效应。

Description

高效热稳定稳压器、可调的稳压二极管及调节输出的方法
技术领域
本发明主题涉及调节装置,更具体地涉及高效热补偿稳压器和稳压二极管电路。
背景技术
近年来,电力公司已经开始使用“智能”电表监控用户电力。除了在一个地方消耗的总体能量,智能表可监控能量品质以及使用能量的具体时间。该信息可用于更精确地给用户计费。此外,智能表可将能量信息发送到中央位置,而不需要人力去查看表。在某些实例中,智能表需要8瓦特发送能量信息。不发送时,智能表可只使用0.25瓦特的功率。普通电源稳压器可使用48毫瓦(mW)或更多的功率。在非传输期间,稳压器可大约使用所述仪表的功率的20%,这就是浪费的能量,该浪费的能量是待机状态下其他监控情况的装置的特征,例如用远程控制可使用的装置。使用更有效的电源稳压器可明显节省能量。
发明内容
该概述的目的在于提供本专利申请的主题的概述,其目的不在于排他性地或详尽地解释本发明。给出具体的描述,以提供关于本专利申请的进一步的信息。
此外,本文档涉及用于高效热补偿稳压器和稳压二极管电路的设备。在实例中,稳压器可包括:具有第一温度系数(temperature coefficient)的稳压二极管,将该稳压二极管配置成连接到输出并提供至少一部分参考电压;具有第二温度系数的晶体管,将晶体管配置成接收参考电压,接收输出的表示,并提供反馈信息,该反馈信息通过使用输出电压的表示和参考电压来指示输出误差;其中,将所述第一温度系数和第二温度系数配置成减少稳压二极管和晶体管的至少一部分温度漂移效应。
而且,本发明还提供一种电源,该电源包括:电源控制器;功率电子设备,配置成接收输入电压和使用来自该电源控制器的命令信号提供输出;以及稳压器,配置成接收输出并将反馈信息提供给该电源控制器,其中,该稳压器包括:具有第一温度系数的稳压二极管,该稳压二极管配置成连接至输出并提供至少一部分参考电压;具有第二温度系数的晶体管,该晶体管配置成接收参考电压、接收输出的表示、并使用输出的表示和参考电压提供反馈信息,该反馈信息指示输出的误差;其中,所述第一温度系数和第二温度系数配置成减少稳压二极管和晶体管的至少一部分温度漂移效应。
另外,本发明还提供一种用于调节输出的方法,该方法包括:利用连接至稳压二极管的电源输出提供至少一部分参考电压,所述稳压二极管具有第一导热系数;在连接至稳压二极管的晶体管处接收参考电压;在晶体管处接收电源输出的表示;提供反馈信息,该反馈信息通过使用电源输出的表示和参考电压来指示电源输出的误差;利用第一温度系数和第二温度系数减少稳压二极管和晶体管的至少一部分温度漂移效应。
附图说明
在不必按规定比例绘制的图中,相似的数字可描述不同视图中的相似元件。具有不同字母后缀的相似数字可表示相似元件的不同情况。附图通常通过实例而非通过限制说明本文档中所讨论的各种实施例。
图1大致示出了包括高效热稳定稳压器的电源;
图2大致示出了反相的、非隔离的高效热补偿的稳压器的实例;
图3大致示出了隔离的高效热补偿的稳压器的实例;
图4大致示出了高效热补偿的精密稳压二极管的实例;
图5大致示出了高效热补偿的主稳压器的实例;
图6大致示出了大电流分路稳压器的实例;
图7大致示出了热补偿的精密电流源。
具体实施方式
智能表的功率水平在1瓦特(W)到15瓦特之间,非智能表的功率水平大约为1瓦特。在某些实例中,智能表的规格可允许连续发送能量信息,因此需要将电源的尺寸打造成适合于传输中所使用的高功率水平。在某些实例中,智能表在用于管理(housekeeping)(大约99%的时间)的传输之间可使用大概0.25瓦特。在管理间隔期间,次电源稳压器所使用的功率可明显影响电源的整体效率。传统的稳压器在最坏的情况下保持运作可需要1mA,加上0.5mA到1mA用于参考分频器,如果稳压器是隔离的话,那么还要加上光隔离器所需的任何电流。总的来说,这相当于48mW。在低功率输出的电源中,例如250mW的输出,会有大约19.2%的功率损失。
此外,本发明人已经论证得出包括热补偿的基于齐纳的范例稳压器能够以低功率和成本提供高质、热稳定的小电流参考,所述热补偿基于晶体管结点(junction)的热梯度,如双极结型晶体管(BJT)的基极-发射极热梯度。在某些实例中,范例稳压器可仅仅使用几毫瓦,并且能够明显提高在低功率应用中所使用的电源的整体效率。
在某些实例中,高效稳压器可使用少于6.24mW(在达到250mW的输出时,大约有3%的损失)。如果安装一千万个使用高效稳压器的智能表,那么可节省大约500,000瓦特的功率。
图1大致示出了包括范例高效稳压器101的电源100的框图。电源100可包括电源控制器102、功率电子设备103和稳压器101。在某些实例中,电源控制器102和功率电子设备103可包括反激式拓扑结构(fly back topologies)、降压拓扑结构、半桥驱动器、全桥驱动器、功率因数校正(PFC)控制器、脉宽调制(PWM)控制器、谐振型拓扑结构或其结合。在实例中,电源控制器102可包括脉宽调制的控制器,功率电子设备103可包括一个或多个电源开关、整流器、隔离元件(isolation component)或其组合。电源100能够在功率电子设备103处接收输入电压V输入(IN)。电源控制器102能够提供命令信号以控制功率电子设备103提供需要的输出电压V输出(OUT)或电流。在某些实例中,稳压器101能够将输出电压VOUT和参考(图中未显示出)并能够将反馈信息104提供给电源控制器102。电源控制器102能够调整对功率电子设备103的控制以纠正反馈信息104中所接收的任何输出电压或电流误差。
图2大致示出了反相的、非隔离的高效热补偿的稳压器201的实例。稳压器201可包括分压器205,该分压器205包括稳压二极管206、第一电阻器207和第二电阻器208。该分压器205能够连接至输出电压VOUT。分压器205的偏置节点209能够连接到晶体管210的控制节点,例如但不限于双极结型晶体管(BJT)的基极节点。在某些实例中,晶体管210可包括大约400的增益。输出电压VOUT波动时,晶体管210的电阻抗的变化可与输出电压VOUT的变化相反。在实例中,晶体管210能够提供反馈信息204,并能够连接至电源控制器的反馈输入,以关闭电源的环路。在某些实例中,稳压器201能够以大约50微安(μA)的额定偏置电流进行操作。在某些实例中,可选择稳压二极管206、第一电阻器207和第二电阻器208用于特定的输出电压VOUT。下面的表1示出了各种输出电压下特定设备的选择。
表1
Figure BDA0000104617760000041
除了提供低功率高效的稳压器,范例稳压器201还能够提高电源的温度漂移性能。通常电器元件性能可随着电源元件的温度变化而变化。由温度系数表示该变化的测量,并且装置操作条件的变化可称为温度漂移效应。在某些实例中,稳压二极管206的温度系数和晶体管210的基极-发射极结点的温度系数可配置成减少稳压二极管和晶体管的至少一部分温度漂移效应以及稳压器的结合的温度漂移效应。图2所示的范例稳压器可通过稳压二极管206和晶体管210的基极-发射极结点的互补温度系数进行温度补偿。在实例中,用于24伏特稳压器的稳压二极管的温度系数大约为每摄氏度15毫伏(mV/℃),并且晶体管的基极-发射极结点的温度系数大约可为-2.18mV/℃。图1所示的使用稳压二极管和晶体管的范例稳压器的温度系数能够低至-1.750mV/℃。在某些实例中,可选择稳压二极管和晶体管结点的导热系数(thermal coefficient),使得稳压二极管的导热系数基本上等于晶体管结点的导热系数乘以第二电阻器208与第一电阻器207的电阻比率。在某些实例中,稳压器可包括滤波器211用于确保调整回路的稳定性。在某些实例中,集成电路可包括晶体管210和稳压二极管206。可将晶体管210和稳压二极管206配置成提供热补偿的稳压器。在这样的实例中,可选择集成电路外部的元件,例如第一电阻器207和第二电阻器208,以提供需要的输出电压VOUT。在某些实例中,稳压器301能够调节输出电流;在某些实例中,通过晶体管210的容量能够确定输出电压的上限;在某些实例中,通过稳压二极管206的齐纳电压能够确定输出电压的下限;在某些实例中,低电压稳压器可使用发光二极管(LED)来提供齐纳电压。例如,红色发光二极管能够提供大约1.65伏特的齐纳电压。
在某些实例中,稳压器201能够递归地调节在稳压二极管206上产生电压降的电流,因此提供额外的输出电压VOUT稳定性。
图3大致示出了隔离的高效热补偿的稳压器301的实例。稳压器301可包括分压器305,该分压器305包括第一电阻器307、第二电阻器308、偏置电阻器312、稳压二极管306、晶体管310和具有限流电阻器314的反馈光隔离器313。在某些实例中,稳压二极管306能够在晶体管310的发射极提供参考电压,分压器305能够在晶体管310的控制节点处提供输出电压VOUT的表示。使用反馈光隔离器313的电流,晶体管310可比较这些值,并提供反馈信息304,包括指示输出电压误差。表2包括范例稳压器301的装置特征的范例值,以调节输出电压VOUT的各种值。在某些实例中,可在大约8伏特到大约100伏特的范围内选择输出电压VOUT
表2
Figure BDA0000104617760000061
在某些实例中,使用下面通用的公式,能够选择出输出电压VOUT,或者能够选择出调节的各个值:
V OUT = V REF ( 1 + ( R 1 R 2 ) ) ,
其中,VREF包括稳压二极管306和晶体管310的基极-发射极结点上的电压,R1包括第一电阻器307的值,R2包括第二电阻器308的值。
除了提供低功率、高效率的稳压器之外,范例稳压器301还能够提高电源的温度漂移性能。图3所示的范例稳压器301通过稳压二极管306和晶体管310的基极-发射极结点的互补温度系数进行温度补偿。表2示出了使用所选择的稳压二极管和晶体管,在整个输出电压范围上,输出温度系数误差大约为-24ppm/℃。在某些实例中,稳压器可包括滤波器311用于确保稳压器的稳定性。在某些实例中,集成电路可包括晶体管310和稳压二极管306。能够将晶体管310和稳压二极管306配置成提供热补偿的稳压器。在这样的实例中,可选择集成电路外部的元件,例如第一电阻器307和第二电阻器308,以提供需要的输出电压VOUT。在某些实例中,稳压器301可调节输出电流。
在实例中,例如对于12伏特的电源,限流电阻器314可大约为2.2千欧姆(kohms),偏置电阻器312可大约为510千欧姆。在这样的实例中,稳压器的操作电流可大约为260μA。
图4大致示出了热补偿的精密稳压二极管420的实例。热补偿的精密稳压二极管420可包括分压器405,该分压器405包括第一电阻器407、第二电阻器408、稳压二极管406和晶体管410。在实例中,晶体管410将表示输出电压VOUT的量和稳压二极管406上的参考电压进行比较。在实例中,热补偿的精密稳压二极管420可形成至少一部分主稳压器(primary regulator)。在某些实例中,热补偿的精密稳压二极管420可包括第三电阻器412,以将稳压二极管的传导电流保持在低电压。在实例中,热补偿的精密稳压二极管420可调节12伏特的输出电压VOUT。在这种实例中,稳压器410可包括击穿电压为6.2的稳压二极管406,第一电阻器407可大约为137千欧姆,第二电阻器408可大约为86.6千欧姆,偏置电阻器可大约为430千欧姆。稳压器的操作电流可大约为60μA。此外,稳压二极管406和晶体管410的基极-发射极结点的配置能够给精密稳压二极管420提供热补偿,使得输出电压VOUT的温度系数误差大约为-24ppm/℃。可理解的是,使用图4中所示的热补偿的精密稳压二极管420能够实现其他元件值和其他输出电压。例如,使用第一电阻器407和第二电阻器408的电阻值和稳压二极管406的相应齐纳电压,能够实现表2中所列的输出电压。在某些实例中,集成电路可包括晶体管410和稳压二极管406。在这样的实例中,可选择集成电路外部的元件,例如第一电阻器407和第二电阻器408,以提供需要的输出电压VOUT。在实例中,第二电阻器408可调节,以允许通过可调的第二电阻器408选择输出电压。
图5大致示出了高效热补偿的主稳压器501的实例。主稳压器501可包括稳压二极管506、第一晶体管510、上拉电阻器515、输出导通晶体管516和分压器505,该分压器505包括第一电阻器507和第二电阻器508。在实例中,稳压器501可包括输出导通晶体管516以从第一晶体管510的集电极接收反馈信息504,并且能够使用电源电压VS调节输出电压VOUT。在实例中,反馈信息504可包括表示输出电压VOUT误差的信息。在某些实例中,输出导通晶体管516可包括高增益晶体管,例如达灵顿晶体管(Darlington transistor)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。在某些实例中,稳压器501的输出电压VOUT可用于给电源的其他元件例如电源控制器供电。在实例中,使用双极结型晶体管,上拉电阻器515可大约为300千欧姆,稳压二极管506的击穿电压可大约为6.8伏特,第一电阻器507可大约为162千欧姆,第二电阻器508可大约为324千欧姆。使用大约35μA的电流,这种稳压器可提供大约12伏特的输出电压。在某些实例中,稳压器501可包括滤波器511以确保环路稳定性。在某些实例中,滤波器511可包括串联连接在第一晶体管510和第二晶体管515的控制节点之间的电阻器和电容器。除了提供高效的稳压器,图5所示的范例稳压器501还能够提供热补偿。在实例中,稳压二极管506的齐纳电压大约为6.8伏特,其温度系数大约为2.658mV/℃。与第一晶体管510相结合,例如基极-发射极温度系数大约为-2.18mV/℃的第一晶体管,稳压器501的输出温度系数可大约为0.72mV/℃或60ppm/℃以用于12伏特的输出。在某些实例中,集成电路可包括晶体管510和稳压二极管506。晶体管510和稳压二极管506可具有互补的导热系数,以提供热补偿稳压器。在这种实例中,可选择集成电路外部的元件,例如第一电阻器507和第二电阻器508,以提供需要的输出电压VOUT。图2-图5中所示的实例使用的是双极结型晶体管,然而,可理解的是,在不背离本发明的主题范围的情况下,可使用其他类型的晶体管,以提供热补偿的基于稳压二极管的稳压器。在某些实例中,稳压器501可调节输出电流,例如通过输出导通晶体管516的电流。
图6大致示出了大电流分路稳压器600的实例,大电流分路稳压器600包括稳压二极管606、晶体管610、分压器605、上拉电阻器632、限流电阻器631和功率晶体管630。在实例中,功率晶体管可包括但不限于双极晶体管或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。在某些实例中,分压器605可包括第一电阻器607和第二电阻器608。在某些实例中,稳压二极管和晶体管的结点(junction)限定参考电压VREF。输出电压VOUT与参考电压基本上按照第二电阻器608的电阻R2和第一电阻器607的电阻R1之间的比率而成比例,这样
V OUT = V REF ( 1 + R 2 R 1 )
在实例中,当输出电压VOUT随着输入电压VIN的变化而拉高或降低时,分压器605可将相应的变化施加到VREF。为响应于施加到VREF的变化,晶体管610可在功率晶体管630的栅极处改变电压,以维持上面等式制定的VOUT。例如,如果输入电压VIN升高,使VREF和VOUT增加,那么功率晶体管630可增加分路电流,以使更多的电流通过限流电阻器631,这样在限流电阻器631上产生更大的电压降,以维持所需要的较低的输出电压VOUT。如果输入电压VIN下降,使得参考电压VREF和输出电压VOUT降低,那么功率晶体管630可减少分路电流,以使更少的电流通过限流电阻器631,因此在限流电阻器631上减小电压降,并维持所需要的较高的输出电压VOUT
在实例中,第二电阻器608为可调节的,使得通过调整第二电阻器608能够选择输出电压VOUT。在某些实例中,可选择晶体管610和稳压二极管606以其具有互补的导热系数,使得大电流分路稳压器得以热补偿。在实例中,集成电路可包括晶体管610和稳压二极管606。
图7大致示出了热补偿的精密电流源700,该电流源700可包括稳压二极管、晶体管710、感应电阻器(sense resistor)740、上拉电阻器741和功率晶体管742。在实例中,功率晶体管742可包括但不限于双极晶体管或金属氧化物半导体场效应晶体管。在某些实例中,可不依赖于输入电压VIN选择输出电流IOUT。在某些实例中,通过选择晶体管710和稳压二极管706的齐纳电压以及感应电阻器740的电阻值RS能够确定输出电流IOUT的值,使得
I OUT = V REF RS
其中,VREF可为稳压二极管和连接到稳压二极管的晶体管的结点(junction)上的电压。输入电压VIN通过不保持电压足够高以维持VREF,能够使精密电流源失效。在实例中,感应电阻器740可调整,使得通过调整感应电阻器740可选择地输出电流IOUT。在某些实例中,可选择晶体管710和稳压二极管706以使其具有互补导热系数,使得精密电流源得以热补偿。在实例中,集成电路可包括晶体管710和稳压二极管706。
在某些实例中,配套元件可包括集成电路和用于制造如图2-图7中所示的那些范例电路的说明。在实例中,配套元件的集成电路可包括具有互补导热系数的稳压二极管和晶体管,用于制造图2-图7中所示的一个或多个热补偿或低功率电路。
补充说明
在实例1中,稳压器可包括:具有第一温度系数的稳压二极管,将该稳压二极管配置成连接到电源输出并提供至少一部分参考电压;具有第二温度系数的晶体管,将晶体管配置成接收参考电压,接收电源输出的表示,并提供的反馈信息,该反馈信息通过使用电源输出的表示和参考电压来指示电源输出误差;其中,将第一温度系数和第二温度系数配置成减少稳压二极管和晶体管的至少一部分温度漂移效应。
在实例2中,实例1中的稳压器可选地包括:连接到电源输出的第一电阻器,连接到地(ground)的第二电阻器,与第一电阻器串联,;其中,将晶体管的控制节点配置成从连接到第一、第二电阻器的节点接收至少一部分的参考电压。
在实例3中,实例1-2中的任一个或两个实例中的稳压二极管可选地连接在晶体管和地之间。
在实例4中,实例1-3中的任一个或多个实例中的电源输出可选地配置成提供输出电流,例如调节的输出电流。
在实例5中,实例1-4中的任一个或多个实例中的电源输出可选地配置成提供输出电压,例如调节的输出电压。
在实例6中,由VOUT=VREF(1+R1/R2)可选地给出实例1-5中的任一个或多个实例的输出电压VOUT,其中VREF是参考电压,R1是第一电阻器的电阻值,R2是第二电阻器的电阻值。
在实例7中,实例1-2中的任一个或两个实例中的稳压二极管可选地与第一电阻器和第二电阻器串联连接。
在实例8中,实例1-7中的任一个或多个实例中的电源输出配置成提供输出电流,例如调节的输出电流。
在实例9中,实例1-8中的任一个或多个实例中的电源输出可选地配置成提供输出电压,例如调节的输出电压。
在实例10中,实例1-9任一个或多个实例中的第一导热系数和第二导热系数的比率可选地基本上等于第一电阻器电阻和第二电阻器电阻的比率。
在实例11中,实例1-10中的任一个或多个实例中的第一温度系数可选地包括随温度上升的正电压变化,实例1-10中的任一个或多个实例中的第二温度系数可选地包括随温度上升的负电压变化。
在实例12中,实例1-10中的任一个或多个实例中的第一温度系数可选地包括随温度上升的负电压变化,实例1-10中的任一个或多个实例中的第二温度系数可选地包括随温度上升的正电压变化。
在实例13中,实例1-12中的任一个或多个实例中的集成电路可选地包括晶体管和稳压二极管。
在实例14中,电源可包括:电源控制器;功率电子设备,配置成接收输入电压和使用来自电源控制器的命令信号提供输出;以及稳压器,配置成接收输出并将反馈信息提供给电源控制器。稳压器可包括:具有第一温度系数的稳压二极管,将该稳压二极管配置成连接到输出并提供至少一部分的参考电压;具有第二温度系数的晶体管,将该晶体管配置成接收参考电压,接收输出的表示,并使用输出的表示和参考电压来提供反馈信息,该反馈信息指示输出误差;其中,将所述第一温度系数和第二温度系数配置成减少所述稳压二极管和晶体管的至少一部分温度漂移效应。
在实例15中,实例1-14中的任一个或多个实例中的电源控制器可选地包括脉宽调制控制器,功率电子设备包括功率晶体管。
在实例16中,实例1-5中的任一个或多个实例中的电源控制器可选地包括反激式电源控制器。
在实例17中,实例1-16中的任一个或多个实例中的电源控制器包括半桥驱动器。
在实例18中,实例1-17中的任一个或多个实例中的电源控制器可选地包括全桥驱动器。
在实例19中,一种用于调节输出的方法可包括:使用连接到稳压二极管的电源输出提供至少一部分参考电压,稳压二极管具有第一导热系数;在连接到稳压二极管的晶体管处接收参考电压;在晶体管处接收电源输出的表示;提供反馈信息,该反馈信息通过使用电源输出的表示和参考电压来指示电源输出误差;以及,使用第一温度系数和第二温度系数减少稳压二极管和晶体管的至少一部分温度漂移效应。
上面具体实施方式包括所参照的附图,其形成具体实施方式一部分。通过图示的方式,附图显示了具体的实施例,在这些实施例中,可实践本发明。在本文中这些实施例也称为“实例”。该文档中涉及的所有的刊物、专利和专利文档整体以引用的方式并入此文中,就如同单独纳入参考一般。如果本文件和那些通过引用并入的文档之间用途不符,应将所并入的参考文献的用途作为该文档的用途的补充;本文件中的用途控制不可协调的不一致性。
在本文件中,与专利文档通常使用的一样,术语“一”或“某一”表示包括一个或多个,与任何其他的“至少一个”或“一个或多个”的情况或用途无关。在本文件中,除非另外指明,否则使用术语“或”指无排他性的或者,使得“A或B”包括:“A但不是B”、“B但不是A”以及“A和B”。在所附权利要求中,术语“包含”和“在其中”等同于各个术语“包括”和“其中”的通俗英语。同样,在下面的权利要求中,术语“包含”和“包括”是开放性的,即,系统、装置、物品或步骤包括除了权利要求中这种术语之后所列出的那些元件以外的部件的,依然视为落在该条权利要求的范围之内。而且,在下面的权利要求中,术语“第一”、“第二”和“第三”等仅仅用作标签,而非对物体有数字要求。
上面的描述用于说明,而非限制。例如,虽然已经描述了上面与NPN装置相关的实例,但在某些应用中,一个或多个实例可应用于PNP装置或金属氧化物半导体场效应晶体管装置。在其他实例中,上述的实例(或者上述的实例中的一个或多个方面)可彼此结合起来使用。例如,参照上述描述时本领域中的普通技术人员可使用其他的实施例。遵照37C.F.R.§1.72(b)的规定提供摘要,允许读者快速确定本技术公开的性质。提交本摘要时要理解的是该摘要不用于解释或限制权利要求的范围或意义。同样,在上面的具体实施方式中,各种特征可归类成将本公开合理化。这不应理解成未要求的公开特征对任何权利要求必不可少。相反,本发明的主题可在于的特征少于特定公开的实施例的所有特征。因此,下面的权利要求据此并入具体实施方式中,每个权利要求均作为一个单独的实施例。应参看所附的权利要求,以及这些权利要求所享有的等同物的所有范围,来确定本发明的范围。

Claims (19)

1.一种稳压器,其特征在于,该稳压器包括:
具有第一温度系数的稳压二极管,该稳压二极管配置成连接到电源输出并提供至少一部分参考电压;
具有第二温度系数的晶体管,晶体管配置成接收参考电压、接收电源输出的表示、并提供反馈信息,该反馈信息通过使用电源输出的表示和参考电压指示的电源输出的误差;
其中,将所述第一温度系数和第二温度系数配置成减少稳压二极管和晶体管的至少一部分温度漂移效应。
2.根据权利要求1所述的稳压器,其特征在于,该稳压器包括:
连接到电源输出的第一电阻器;
连接到地的第二电阻器,与第一电阻器串联;
其中,所述晶体管的控制节点配置成从连接到第一、第二电阻器的节点接收至少一部分参考电压。
3.根据权利要求2所述的稳压器,其特征在于,所述稳压二极管连接在晶体管和地之间。
4.根据权利要求3所述的稳压器,其特征在于,所述电源输出配置成提供输出电流。
5.根据权利要求3所述的稳压器,其特征在于,所述电源输出配置成提供输出电压。
6.根据权利要求5所述的稳压器,其特征在于,所述输出电压VOUT由公式VOUT=VREF(1+R1/R2)给出;
其中,VREF为参考电压,R1为第一电阻器的电阻值,R2为第二电阻器的电阻值。
7.根据权利要求2所述的稳压器,其特征在于,所述稳压二极管与第一电阻器和第二电阻器串联连接。
8.根据权利要求7所述的稳压器,其特征在于,所述电源输出配置成提供输出电流。
9.根据权利要求7所述的稳压器,其特征在于,所述电源输出配置成提供输出电压。
10.根据权利要求7所述的稳压器,其特征在于,所述第一导热系数和第二导热系数的比率基本上等于所述第一电阻器电阻和第二电阻器电阻的比率。
11.根据权利要求1所述的稳压器,其特征在于,所述第一温度系数包括随温度上升的正电压变化,所述第二温度系数包括随温度上升的负电压变化。
12.根据权利要求1所述的稳压器,其特征在于,所述第一温度系数包括随温度上升的负电压变化,所述第二温度系数包括随温度上升的正电压变化。
13.根据权利要求1所述的稳压器,其特征在于,所述晶体管和稳压二极管包含于集成电路中。
14.一种电源,其特征在于,该电源包括:
电源控制器;
功率电子设备,配置成接收输入电压和使用来自该电源控制器的命令信号提供输出;以及
稳压器,配置成接收输出并将反馈信息提供给该电源控制器;
其中,该稳压器包括:
具有第一温度系数的稳压二极管,该稳压二极管配置成连接至输出并提供至少一部分参考电压;
具有第二温度系数的晶体管,该晶体管配置成接收参考电压、接收输出的表示、并使用输出的表示和参考电压提供反馈信息,该反馈信息指示输出的误差;
其中,所述第一温度系数和第二温度系数配置成减少稳压二极管和晶体管的至少一部分温度漂移效应。
15.根据权利要求14所述的电源,其特征在于,所述电源控制器包括脉宽调制控制器,所述功率电子设备包括功率晶体管。
16.根据权利要求14所述的电源,其特征在于,所述电源控制器包括反激式电源控制器。
17.根据权利要求14所述的电源,其特征在于,所述电源控制器包括半桥驱动器。
18.根据权利要求14所述的电源,其特征在于,所述电源控制器包括全桥驱动器。
19.一种用于调节输出的方法,其特征在于,该方法包括:
利用连接至稳压二极管的电源输出提供至少一部分参考电压,所述稳压二极管具有第一导热系数;
在连接至稳压二极管的晶体管处接收参考电压;
在晶体管处接收电源输出的表示;
提供反馈信息,该反馈信息通过使用电源输出的表示和参考电压来指示电源输出的误差;
利用第一温度系数和第二温度系数减少稳压二极管和晶体管的至少一部分温度漂移效应。
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Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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