CN102515568A - 化学气相沉积法结合热喷镀法制造高性能纳米导电玻璃 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了化学报称心如气相沉积法结合热喷镀法制造高性能纳米导电玻璃，是将洗净并干燥的玻璃片上经化学气相沉积制作成含二氧化锡，硅和氟的透明导电膜，在该薄膜上面再经热喷镀制作含氟的ITO透明导电膜，最后生成与其基材结合牢固、高导电、高透光率的功能薄膜；制作的导电玻璃可用于平面显示(液晶、等离子、OLED)、太阳能光伏电池板以及EL、OLED面发光等高科技领域，有着广泛的应用范围和极好的发展前景。
Description
技术领域
本发明涉及电子薄膜材料制造技术领域，尤指化学气相沉积法结合热喷镀法制造高性能纳米导电玻璃。
背景技术
ITO导电薄膜有着广泛的用途，如平面显示、太阳能光伏发电、微波屏蔽、高楼汽车和飞机高空的防雾除霜等高科技领域。
ITO导电玻璃生产方法基本上依然依靠磁控溅射法，该法生产稳定，质量比较可靠，但该方法有以下几个缺点：1、原材料“靶材”不但昂贵，制造特别困难；2、制造设备复杂，贵重，环境要求高；3、薄膜与玻璃的结合牢固度不够高；4、透明率难于提高，只能保证在80％左右；5、表面平整度不高，往往出现几十纳米至数微米的尖刺，影响新型显示技术OLED的发展，6、所制造的导电玻璃规格、尺寸受限。
发明内容
为解决已有技术之不足，本发明化学气相沉积法结合热喷法制造高性能纳米导电玻璃，在第一层透明导电薄膜16的化学气相沉积过程中，将掺有氟化氨的四氯化锡溶液流经装有洁净高纯度石英砂的储槽7，带有少量高活性的硅质使制成的该透明导电薄膜16与基材的结合更牢固，透明度也高；第二层透明导电薄膜17的热喷镀过程中，使用了水热合成的无添加剂的高导电高透明纳米ITO水分散液并掺加少量氟化铵，使第二层透明导电薄膜17与第一层透明导电薄膜16以及基材玻璃片5的结合更牢固，透明度，导电性能更优良，尖刺等表面缺陷减少，所制造的导电玻璃规格、尺寸可依据玻璃基片的大小而定。
本发明化学气相沉积法结合热喷镀法制造高性能导电玻璃的实现，不使用贵重的磁控溅射设备，不使用制造困难的原材料ITO“靶材”而制成的纳米导电玻璃，其透明导电薄膜与基材结合牢固，表面缺陷少，导电性能好，透光率高。
附图说明
附图为高性能导电玻璃制造流程示意图
图中：1、气体储槽I
2、流量计I
3、扩散系统I
4、喷神喷嘴I
5、玻璃片
6、溶液储槽I
7、高纯度石英砂储槽
8、流量计II
9、溶液储槽II
10、流量计III
11、扩散系统II
12、喷射喷嘴II
14、气体储槽II
15、流量计IV
16、第一层透明导电膜
17、第二层透明导电膜
18、传送带
19、加热器
具体实施方式
为了更好地理解和实施，下面结合附图具体说明本专利“化学气相沉积法结合热喷镀法制造高性能纳米导电玻璃”的具体实施方式：
(一)、原材料的标准和准备
使用高纯去离子水；洁净高纯度石英砂；空气经净化使用；使用的玻璃片为纳钙硅白玻璃，用专用超声清洗机洗净并干燥后使用。
SnCl4.(SnCl4.5H2O).NH4F.优级纯。
ITO水分散液按专利20061004348.X制造。
第一层透明导电薄膜用溶液含SnCl46％NH4F0.08.
第二层透明导电薄膜用溶液含纳米ITO 5％\NH4F 0.06.
开启加热器19，使处于喷射喷嘴14和喷射喷嘴II12下的玻璃片温度在450摄氏度至480摄氏度。
传送带18按设定程序运行。
(二)、第一层透明导电薄膜16的制作
将溶液储槽16中的溶液经过高纯度石英砂储槽7、流量计II8进入扩散系统I3；将气体储槽1中的压缩空气经流量计I2进入扩散系统I3；上述进入扩散系统I3的溶液和气体经扩散形成雾状物，雾状物经喷射喷嘴I4喷向已被预热的玻璃片5上，经化学反应在玻璃片5上制成第一层透明导电薄膜16。
(三)、第二层透明导电薄膜17的制作
将溶液储槽II9中的含NH4F的纳米ITO液体经计量计III10进入扩散系统II11；气体储槽II14中的压缩气经流量计IV15进入扩散系统II11；上述进入扩散系统的液体和气体经扩散形成雾状物，雾状物经喷射喷嘴喷向镀有第一层透明导电薄膜16的玻璃片5，经蒸发形成第二层透明导电薄膜17。
上述制品经退火冷却即为成品。
以上所述实施方式，仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明技术精神的前提下，本领域有关人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。
Claims (5)
1.化学气相沉积法结合热喷镀法制造高性能导电玻璃，其特征在于将洗净干燥的玻璃片(5)置下有加热器(19)的传送带(18)上，经喷射喷嘴I(4)喷入雾状的含SnCI4，F，Sir物质，经400℃～600℃的热化学反应，在玻璃片(5)上生成含SnO2、F、Si的透明导电膜(16)，再经喷射嘴II(12)喷上雾状的含纳米ITO和少量F的物质，经400℃～500℃的蒸镀，在带有透明导电薄膜(16)的玻璃片(5)上生成含纳米ITO和F的透明导电薄膜(17)，经褪火即为成品。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积法结合热喷镀法制造高性能纳米导电玻璃，其特征在于所述的化学气相沉积法，是将溶液储槽I(6)中的含SnCl4、NH4F的液体流经高纯度石英砂储槽(7)增加了少量的硅，然后经过流量计II(8)进入扩散系统I(3)；将气体槽I(1)中的压缩空气经计量计I(2)进入扩散系统I(3)；上述进入扩散系统I(3)的溶液和气体经扩散形成雾状物，雾状物经喷射喷嘴I(4)喷向被加热器(19)加热的传送带(18)上的玻璃片(5)上，经化学反应，在玻璃片(5)上制成第一层透明导电膜(16)。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积法结合热喷镀法制造高性能纳米导电玻璃，其特征在于所述的热喷镀法，是将溶液储槽II(9)中含少量NH4F的纳米ITO液体经计量器III(10)进入扩散系统II(11)，将气体储槽II(14)中的压缩空气经流量计IV(15)进入扩散系统II(11)；上述进入扩散系统II(11)的溶液和气体经扩散形成雾状物，雾状物经喷射喷嘴II(12)喷向被加热器(19)加热的传送带上的玻璃上(5)的已有透明导电薄膜(16)上，经蒸发形成第二层透明导电薄膜(17)。.
4.根据权利要求2上所述的化学气相沉积法，其特征在于，所述的溶液储槽I(6)中的溶液，是含SnCl5％8％，NH4F0.05％-2％的水溶液；高纯度SiO2复合储槽(7)中是高纯度石英砂。
5.根据权利要求3所述的热喷镀法，其特征在于所述的溶液储槽II(9)中的溶液，是含粒度在100nm以下ITO4％7％、含NH4F0.05％-0.1％的纯水溶液。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1006225A (en) * | 1962-06-09 | 1965-09-29 | Sylvania Electric Prod | Manufacture of electroluminscent lamps |
| WO2001028949A1 (en) * | 1999-10-20 | 2001-04-26 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass sheet with metal oxide film, method of manufacturing the same, and double-glazing unit using the same |
| CN1386713A (zh) * | 2002-03-05 | 2002-12-25 | 广东金刚玻璃科技股份有限公司 | 高强度单片低辐射镀膜防火玻璃 |
| CN1898174A (zh) * | 2003-12-24 | 2007-01-17 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 掺锡氧化铟微粒子分散液及其制造方法、及采用了该分散液的具有热线屏蔽性的夹层玻璃用中间膜、以及其夹层玻璃 |
| CN101857379A (zh) * | 2010-06-09 | 2010-10-13 | 西安理工大学 | 氟掺杂氧化锡导电薄膜喷涂液及其制备方法 |
| CN102067243A (zh) * | 2008-06-24 | 2011-05-18 | 日本曹达株式会社 | 具有fto/ito层叠体的透明导电膜 |
-
2011
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1006225A (en) * | 1962-06-09 | 1965-09-29 | Sylvania Electric Prod | Manufacture of electroluminscent lamps |
| WO2001028949A1 (en) * | 1999-10-20 | 2001-04-26 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass sheet with metal oxide film, method of manufacturing the same, and double-glazing unit using the same |
| CN1386713A (zh) * | 2002-03-05 | 2002-12-25 | 广东金刚玻璃科技股份有限公司 | 高强度单片低辐射镀膜防火玻璃 |
| CN1898174A (zh) * | 2003-12-24 | 2007-01-17 | 三菱麻铁里亚尔株式会社 | 掺锡氧化铟微粒子分散液及其制造方法、及采用了该分散液的具有热线屏蔽性的夹层玻璃用中间膜、以及其夹层玻璃 |
| CN102067243A (zh) * | 2008-06-24 | 2011-05-18 | 日本曹达株式会社 | 具有fto/ito层叠体的透明导电膜 |
| CN101857379A (zh) * | 2010-06-09 | 2010-10-13 | 西安理工大学 | 氟掺杂氧化锡导电薄膜喷涂液及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| T. KAWASHIMA等: "New transparent conductive films: FTO coated ITO", 《THIN SOLID FILMS》 * |
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