CN102479552B - 一种pmos动态移位寄存器单元及动态移位寄存器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的PMOS动态移位寄存器，包括六个PMOS管、还包括一个输入信号、两个脉冲信号；其中两个脉冲信号分别是超前脉冲信号和滞后脉冲信号，滞后脉冲信号的相位比超前脉冲信号的相位滞后2/3个脉冲周期。该PMOS动态移位寄存器在这两个脉冲信号的控制下，将输入信号滞后1/3个脉冲周期后输出，从而实现输入信号的移位。由于该移位寄存器使用的全部是PMOS管，因此比现有技术由NMOS管或CMOS管构成的移位寄存器成本低。
Description
技术领域
本发明涉及寄存器技术领域，特别涉及一种PMOS动态移位寄存器及动态移位寄存器。
背景技术
目前，平板显示器是近年来发展较快的高新技术，因为平板显示器有许多优点，因此应用越来越广泛。其优点主要是：轻巧、电压低、无X射线辐射、没有闪烁抖动、不产生静电、功耗低；并且大部分平板显示器的寿命比阴极射线管的寿命长。平板显示器的整机可做成便携式，尤其可以应用在军事上比较方便。
当显示器面板工作时，显示器面板的驱动电路必须要有扫描动作，逐一地打开薄膜晶体管阵列的每一条扫描线路，使得此行的数据信号传输进薄膜晶体管阵列内的每一个显示单元。这样的扫描动作是由移位寄存器来完成的。
目前的动态移位寄存器，按照组成器件来分类主要有三种，分别为CMOS型晶体管、PMOS型晶体管和NMOS型晶体管。由于CMOS型晶体管与NMOS型晶体管的制造方法较为复杂，并且使用的掩膜板较多。因此，现在的动态移位寄存器以PMOS型晶体管为主流。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种PMOS动态移位寄存器，能够降低电路成本。
本发明提供一种PMOS动态移位寄存器单元，包括：第一电容、第二电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；
第一PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接输出端，源极和栅极之间接有第一电容，栅极连接第一节点；
第二PMOS管的源极连接输出端，漏极连接滞后脉冲信号，栅极连接第二节点，第二节点和源极之间接有第二电容；
第三PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第一节点，栅极连接输入信号；
第四PMOS管的源极连接第一节点，漏极连接接地信号，栅极连接超前脉冲信号；
第五PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第二节点，栅极连接第一节点；
第六PMOS管的栅极连接输入信号，源极连接第二节点，漏极连接接地信号；
滞后脉冲信号的相位比超前脉冲信号的相位滞后2/3个脉冲周期。
优选地，还包括第七PMOS管；
第七PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第一节点，栅极连接第二节点。
优选地，所述PMOS管均为低温多晶硅薄膜晶体管。
本发明还提供一种PMOS动态移位寄存器，包括三个所述的PMOS动态移位寄存器单元，分别为第一动态移位寄存器单元，第二动态移位寄存器单元和第三动态移位寄存器单元；还包括脉冲信号发生器；
脉冲信号发生器，用于产生相位依次相差1/3脉冲周期的三个脉冲信号，依次是第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号；
第一脉冲信号和第三脉冲信号分别作为第一动态移位寄存器单元的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第二脉冲信号和第一脉冲信号分别作为第二动态移位寄存器单元的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第三脉冲信号和第二脉冲信号分别作为第三动态移位寄存器单元的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第一动态移位寄存器单元的输入端连接输入信号，输出端连接第二动态移位寄存器单元的输入端；
第二动态移位寄存器单元的输出端连接第三动态移位寄存器单元的输入端；
第三动态移位寄存器单元的输出端作为下一个PMOS动态移位寄存器的输入信号。
优选地，所述动态移位寄存器集成在显示器面板上。
本发明还提供一种PMOS动态移位寄存器单元，包括：第一电容、第二电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；
第一PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接输出端，栅极连接第一节点；
第二PMOS管的源极连接输出端，漏极连接第三脉冲信号，栅极连接第二节点；
第三PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第一节点，栅极连接第二节点；
第四PMOS管的源极连接接地信号，漏极连接第一节点，栅极连接第一脉冲信号；
第五PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第二节点，栅极连接第一节点；
第六PMOS管的源极连接输入信号，漏极连接第二节点，栅极连接第二脉冲信号；
第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号的相位依次相差1/3脉冲周期。
优选地，所述PMOS管均为低温多晶硅薄膜晶体管。
本发明还提供一种PMOS动态移位寄存器，包括三个所述的PMOS动态移位寄存器单元，分别为第一动态移位寄存器单元，第二动态移位寄存器单元和第三动态移位寄存器单元；还包括脉冲信号发生器；
脉冲信号发生器，用于产生相位依次相差1/3脉冲周期的三个脉冲信号，依次是第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号；
第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号均作为第一动态寄存器单元、第二动态移位寄存器单元和第三动态移位寄存器单元的脉冲信号；
第一动态移位寄存器单元的输入端连接输入信号，输出端连接第二动态移位寄存器单元的输入端；
第二动态移位寄存器单元的输出端连接第三动态移位寄存器单元的输入端；
第三动态移位寄存器单元的输出端作为下一个动态移位寄存器的输入信号。
优选地，第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号均作为第一动态寄存器单元、第二动态移位寄存器单元和第三动态移位寄存器单元的脉冲信号，具体为：
第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号依次作为第一动态寄存器单元的三个脉冲信号；
第二脉冲信号、第三脉冲信号和第一脉冲信号依次作为第二动态寄存器单元的三个脉冲信号；
第三脉冲信号、第一脉冲信号和第二脉冲信号依次作为第三动态寄存器单元的三个脉冲信号。
优选地，所述动态移位寄存器集成在显示器面板上。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明提供的PMOS动态移位寄存器包括六个PMOS管、还包括一个输入信号、两个脉冲信号；其中两个脉冲信号分别是超前脉冲信号和滞后脉冲信号，滞后脉冲信号的相位比超前脉冲信号的相位滞后2/3个脉冲周期。该PMOS动态移位寄存器在这两个脉冲信号的控制下，将输入信号滞后1/3个脉冲周期后输出，从而实现输入信号的移位。由于该移位寄存器使用的全部是PMOS管，因此比现有技术由NMOS管或CMOS管构成的移位寄存器成本低。
附图说明
图1是本发明提供的动态移位寄存器单元的实施例一电路图；
图2是图1中各个信号的波形图；
图3是图1对应的添加了极间电容的电路图；
图4是本发明提供的动态移位寄存器单元的另一实施例电路图；
图5是图4对应的各个信号的波形图；
图6是本发明提供的动态移位寄存器的结构图；
图7是图6中各个信号对应的波形图；
图8是本发明提供的动态移位寄存器单元的另一实施例电路图；
图9是图8中各个信号的波形图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
参见图1，该图为本发明提供的PMOS动态移位寄存器单元实施例一电路图。
本实施例提供的动态移位寄存器单元包括：第一电容C1、第二电容C2、第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5、第六PMOS管M6。
第一PMOS管M1的源极连接电源VDD，漏极连接输出端，源极和栅极之间接有第一电容C1，栅极连接第一节点N1；
第二PMOS管M2的源极连接输出端，漏极连接滞后脉冲信号CK2，栅极连接第二节点N2，第二节点N2和源极之间接有第二电容C2；
第三PMOS管M3的源极连接电源VDD，漏极连接第一节点N1，栅极连接输入信号IN；
第四PMOS管M4的漏极连接第一节点N1，源极连接接地信号VEE，栅极连接超前脉冲信号CK1；
第五PMOS管M5的源极连接电源VDD，漏极连接第二节点N2，栅极连接第一节点N1；
第六PMOS管M6的栅极连接输入信号IN，源极连接第二节点N2，漏极连接接地信号VEE。
滞后脉冲信号CK3的相位比超前脉冲信号CK1的相位滞后2/3个脉冲周期。
由于该动态移位寄存器单元中的晶体管全部是PMOS管，因此称为PMOS动态移位寄存器。
下面结合图1和图2说明本实施例提供的动态移位寄存器单元的工作原理。参见图2，该图为图1中各个信号和节点对应的波形图。
由于PMOS管对低电平信号有效，高电平无法使所控制的PMOS管打开。因此，超前脉冲信号CK1和滞后脉冲信号CK3都是低电平时有效，触发相应的PMOS管导通。
从图2中可以看出，超前脉冲信号CK1和滞后脉冲信号CK3是相位相差2/3个脉冲周期的脉冲信号。其中，低电平的占空比均是1/3。
在时间段T1内，超前脉冲信号CK1为低电平，滞后脉冲信号CK3和输入信号IN均为高电平，这样第四PMOS管M4导通，接地信号VEE通过第四PMOS管M4的源极和漏极到达第一节点N1，第一节点N1为低电平。由于N1是低电平，因此第五PMOS管M5导通，电源信号VDD通过第五PMOS管M5的源极和漏极到达第二节点N2，第二节点N2为高电平。第一电容C1和第二电容C2分别存储第一节点N1和第二节点N2的电位。由于第一节点N1节点是低电平，因此第一PMOS管M1导通，电源信号VDD通过第一PMOS管M1的源极、漏极输出至输出端OUT，同时由于第二节点N2是高电平，因此第二PMOS管M2断开，所以此时输出端OUT为高电平。
在时间段T2内，输入信号IN为低电平，超前脉冲信号CK1和滞后脉冲信号CK3均为高电平，这样第三PMOS管M3和第六PMOS管M6均导通，电源信号VDD通过第三PMOS管M3的源极和漏极使得第一节点N1为高电平，接地信号VEE通过第六PMOS管M6的源极和漏极使得第二节点N2为低电平。同时，第一电容C1和第二电容C2分别存储第一节点N1和第二节点N2的电位。由于第一节点N1为高电平，因此第一PMOS管M1关闭。由于第二节点N2是高电平，因此第二PMOS管M2导通，这样，滞后脉冲信号CK3的信号通过第二PMOS管M2的源极和漏极被传递至输出端OUT，输出端OUT此时为高电平。
在时间段T3内，超前脉冲信号CK1和输入信号IN均为高电平，均无法控制与其连接的PMOS管导通。滞后脉冲信号CK3由高电平转为了低电平，基于电容耦合的原理，第二节点N2的低电平将被拉的更低，使得第二PMOS管M2继续保持导通，从而将滞后脉冲信号CK3的低电平传递至输出端OUT，从而完成了输入信号IN到输出端OUT的有效低电平1/3脉冲周期的传递，即输出端OUT的低电平信号比输入信号IN的滞后1/3脉冲周期，从而实现移位。
需要说明的是，本实施例中涉及的六个PMOS管均为低温多晶硅薄膜晶体管。
本发明提供的PMOS动态移位寄存器单元包括六个PMOS管，还包括一个输入信号、两个脉冲信号；其中两个脉冲信号分别是超前脉冲信号和滞后脉冲信号，滞后脉冲信号的相位比超前脉冲信号的相位滞后2/3个脉冲周期。该PMOS动态移位寄存器在这两个脉冲信号的控制下，将输入信号滞后1/3个脉冲周期后输出，从而实现输入信号的移位。由于该移位寄存器单元使用的全部是PMOS管，和现有技术由NMOS管或CMOS管构成的移位寄存器相比具有体积小等优点，还可进一步直接集成在显示面板上，在面板制成中同步完成，进一步降低了成本。
需要说明的是，图1所示的电路在实际工作中，由于第一PMOS管M1和第二PMOS管M2均存在极间电容，如图3所示，第一PMOS管M1的栅极和漏极间的极间电容为Cgd1，第二PMOS管M2的栅极和漏极之间的极间电容Cgd2。由于极间电容Cgd1和Cgd2的存在，第一节点N1和第二节点N2的电位将发生改变，如图2所示。这样可以通过改变第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的宽长比来抑制这种情况的发生，但是如果第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的宽长比不同，将影响流过第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的电流不同，这样在转态时将造成电源浪费。
本发明实施例还提供一种PMOS动态移位寄存器单元，可以解决图1所示电路存在的问题，并且不需要改变第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的宽长比。
参见图4，该图为本发明提供的PMOS动态移位寄存器单元另一个实施例电路图。
图4提供的动态移位寄存器单元与图1的区别是增加了一个PMOS管，即第七PMOS管M7，第七PMOS管M7的源极连接电源信号VDD，漏极连接第一节点N1，栅极连接第二节点N2。
需要说明的是，第七PMOS管M7也优选采用低温多晶硅薄膜晶体管。
下面结合图4的电路对应的波形图(图5)来介绍图4所示的电路的工作原理，说明为何能解决图1的电路存在的问题。
在T1时间段内，超前脉冲信号CK1为低电平，滞后脉冲信号CK3和输入信号IN均为高电平，这样第四PMOS管M4导通，接地信号VEE的低电平通过第四PMOS管M4的源极和漏极传输至第一节点N1，由于第一节点N1为低电平，因此第五PMOS管M5导通，电源信号VDD的高电平通过第五PMOS管M5的源极和漏极传输至第二节点N2。此时，第一电容C1和第二电容C2分别存储第一节点N1和第二节点N2的电位。由于第一节点N1为低电平，因此第一PMOS管M1导通，电源信号VDD的高电平通过第一PMOS管M1的源极和漏极输出至输出端OUT；由于第二节点N2为高电平，因此，第二PMOS管M2关断，因此此时输出端OUT输出高电平。
在T2时间段内，超前脉冲信号CK1和滞后脉冲信号CK3均为高电平，输入信号IN为低电平，因此，第三PMOS管M3和第六PMOS管M6打开，电源信号VDD的高电平通过第三PMOS管M3的源极和漏极传输至第一节点N1，接地信号VEE的低电平通过第六PMOS管M6传输至第二节点。由于第二节点N2为低电平，因此，第七PMOS管M7导通，从而第一节点N1变为高电平。同时，第一节点N1和第二节点N2的电位分别存储在第一电容C1和第二电容C2中。这样第一PMOS管M1断开，第二PMOS管M2导通，滞后脉冲信号CK3的高电平传递至输出端OUT输出。
在时间段T3内，超前脉冲信号CK1和输入信号IN均为高电平，滞后脉冲信号CK3为低电平，基于电容的耦合原理，第二节点N2的低电平被拉的更低，第二PMOS管M2继续保持导通。第七PMOS管M7由于栅极连接第二节点N2，因此，当第二节点N2的电位被拉到一定低时，第七PMOS管M7将导通，同时第一节点N1被限制在高电平，这样第一PMOS管M1的极间电容将不足以影响第二节点N2的电位，以便第二节点N2的电位更低，这样可以准确地将滞后脉冲信号CK3的低电平传递至输出端OUT输出。
如图5所示，从图5中可以看出输出端OUT的低电平信号比图3中的得到改善。
本发明实施例还提供一种PMOS动态移位寄存器，参见图6，该图为本发明提供的一种PMOS动态移位寄存器的结构图。
该动态移位寄存器包括三个图1或图4所示的PMOS动态移位寄存器单元，分别为第一动态移位寄存器单元A，第二动态移位寄存器单元B和第三动态移位寄存器单元C；还包括脉冲信号发生器G；
脉冲信号发生器G，用于产生相位依次相差1/3脉冲周期的三个脉冲信号，依次是第一脉冲信号CK1′、第二脉冲信号CK2′和第三脉冲信号CK3′；
第一脉冲信号CK1′和第三脉冲信号CK3′分别作为第一动态移位寄存器单元A的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第二脉冲信号CK2′和第一脉冲信号CK1′分别作为第二动态移位寄存器单元B的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第三脉冲信号CK3′和第二脉冲信号CK2′分别作为第三动态移位寄存器单元C的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第一动态移位寄存器单元A的输入端连接输入信号IN，输出端OUT1连接第二动态移位寄存器单元B的输入端；
第二动态移位寄存器单元B的输出端OUT2连接第三动态移位寄存器单元C的输入端；
第三动态移位寄存器单元C的输出端OUT3输出的信号作为下一个PMOS动态移位寄存器的输入信号。
参见图7，该图为图6中的各个信号对应的波形图。
从图7中可以看出，CK1′、CK2′和CK3′的相位依次相差1/3个脉冲周期。输入信号IN作为第一动态移位寄存器A的输入信号，其输出信号OUT1在相位上比输入信号IN滞后1/3个脉冲周期，实现了移位。依次类推，第二动态移位寄存器单元B的输出端OUT2比输入信号IN滞后2/3个脉冲周期，第三动态移位寄存器单元C的输出端OUT3比输入信号IN滞后1个完整的脉冲周期。因此，利用三个这样的动态移位寄存器可以完整一个脉冲周期的移位。
需要说明的是，图6所示的仅是一个完整的动态移位寄存器，其能完成一个完整周期内的移位。如果显示器面板中需要扫描的行数恰好是三的整数倍，则需要整数个这样的动态移位寄存器即可，例如，需要扫描的行数恰好是300行，则需要100个这样的动态移位寄存器。如果显示器面板中需要扫描的行数不是三的整数倍，例如需要扫描的行数是302行，则需要100个这样的动态移位寄存器后，另外还单独需要2个图1或图4所示的动态移位寄存器单元。
另外，本发明实施例还提供一种PMOS动态移位寄存器单元，该单元不需要增加第七PMOS管，仅用六个就可以实现输入信号的移位，并且不会存在图1电路出现的问题。
附图8为本实施例提供的PMOS动态移位寄存器单元，包括：第一电容C1、第二电容C2、第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五PMOS管M5和第六PMOS管M6；
第一PMOS管M1的源极连接电源信号VDD，漏极连接输出端OUT，栅极连接第一节点N1；
第二PMOS管M2漏极连接输出端OUT，源极连接第三脉冲信号CK3′，栅极连接第二节点N2；
第三PMOS管M3的漏极连接第一节点N1，源极连接电源信号VDD，栅极连接第二节点N2；
第四PMOS管M4的漏极连接第一节点N1，源极连接接地信号VEE，栅极连接第一脉冲信号CK1′；
第五PMOS管M5的源极连接电源信号VDD，漏极连接第二节点N2，栅极连接第一节点N1；
第六PMOS管M6的漏极连接第二节点N2，源极连接输入信号IN，栅极连接第二脉冲信号CK2′；
第一脉冲信号CK1′、第二脉冲信号CK2′和第三脉冲信号CK3′的相位依次相差1/3脉冲周期。
本实施例中的涉及PMOS管优选的均为低温多晶硅薄膜晶体管。
参见图9，该图为图8中各个信号对应的波形图。
下面结合图9说明图8所示实施例的工作原理。
在T1时间段内，第一脉冲信号CK1′为低电平，作为复位信号，第四PMOS管M4导通，接地信号VEE通过第四PMOS管M4的源极和漏极到达第一节点N1，第一N1变为低电平；第五PMOS管M5导通，电源信号VDD通过第五PMOS管M5的源极和漏极到达第二节点N2，第二节点N2变为高电平；由于第二节点N2为高电平，所以第二PMOS管M2关闭，因为第一节点N1为低电平，所以第一PMOS管M1导通，输出端OUT输出电源信号VDD的高电平。
在T2时间段内，第二脉冲信号CK2′为低电平，输入信号IN为低电平，第六PMOS管M6导通，输入信号IN的低电平通过第六PMOS管M6的源极和漏极到达第三PMOS管M3的栅极，所以第三PMOS管M3也导通，第一节点N1为电源信号VDD的高电平，第二节点N2为低电平，因此，第一PMOS管M1关闭，第二PMOS管M2导通。输出端OUT输出第三脉冲信号CK3′的高电平。
在T3时间段内，第一节点N1和第二节点N2保持T2时间段内的电位。第三脉冲信号CK3′由高电平变为低电平，因为第二电容C2的耦合效应，第二节点N2的电位被拉得更低，小于第三脉冲信号CK3′的低电平，从而保证第二PMOS管M2继续导通，将第三脉冲信号CK3′的低电平作为输出端OUT的输出信号，因此输出端OUT输出低电平。
图8所示的电路之所以能解决图1所示的电路存在问题，是因为在T3时间段，当第三脉冲信号CK3′变为低电平的时候，第二PMOS管M2的栅极即第二节点N2的电位会被拉得更低。这样，第二节点N2的电位作用于第三PMOS管M3，第三PMOS管M3导通，从而使第一电容C1下端的电位变成电源信号VDD，使得第一PMOS管M1完全断开的，不会影响到输出端OUT的电位。
从图9所示的波形图中可以看出，输出端OUT的信号比输入信号IN移位1/3个周期。
需要说明的是，图8所示的动态移位寄存器单元也可以连接为图6的形式的动态移位寄存器，其工作原理类似，在此不再赘述。不同的是，由于图8所示的动态移位寄存器单元的脉冲信号是三个，对于由其构成的动态移位寄存器的第一个动态移位寄存器单元的三个脉冲信号与图8相同，分别是第一脉冲信号CK1′、第二脉冲信号CK2′和第三脉冲信号CK3′。对于第二个动态移位寄存器单元的三个脉冲信号分别比第一个动态移位寄存器单元的三个脉冲信号滞后1/3脉冲周期，可以理解的是，第二个动态移位寄存器单元的三个脉冲信号也可以由第一脉冲信号CK1′、第二脉冲信号CK2′和第三脉冲信号CK3′来实现，只不过顺序改变了，依次为第二脉冲信号CK2′、第三脉冲信号CK3′和第一脉冲信号CK1′。其他动态移位寄存器单元的脉冲信号以此类推。
需要说明的是，本发明所有实施例提供的动态移位寄存器，由于其PMOS管采用低温多晶硅薄膜晶体管，体积很小，因此可以集成在显示器面板上。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (8)
1.一种PMOS动态移位寄存器单元，其特征在于，包括：第一电容、第二电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；
第一PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接输出端，源极和栅极之间接有第一电容，栅极连接第一节点；
第二PMOS管的源极连接输出端，漏极连接滞后脉冲信号，栅极连接第二节点，第二节点和源极之间接有第二电容；
第三PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第一节点，栅极连接输入信号；
第四PMOS管的源极连接第一节点，漏极连接接地信号，栅极连接超前脉冲信号；
第五PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第二节点，栅极连接第一节点；
第六PMOS管的栅极连接输入信号，源极连接第二节点，漏极连接接地信号；
滞后脉冲信号的相位比超前脉冲信号的相位滞后2/3个脉冲周期；还包括第七PMOS管；
第七PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第一节点，栅极连接第二节点。
2.根据权利要求1所述的PMOS动态移位寄存器单元，其特征在于，所述PMOS管均为低温多晶硅薄膜晶体管。
3.一种PMOS动态移位寄存器，其特征在于，包括三个如权利要求1-2任一项所述的PMOS动态移位寄存器单元，分别为第一动态移位寄存器单元，第二动态移位寄存器单元和第三动态移位寄存器单元；还包括脉冲信号发生器；
脉冲信号发生器，用于产生相位依次相差1/3脉冲周期的三个脉冲信号，依次是第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号；
第一脉冲信号和第三脉冲信号分别作为第一动态移位寄存器单元的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第二脉冲信号和第一脉冲信号分别作为第二动态移位寄存器单元的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第三脉冲信号和第二脉冲信号分别作为第三动态移位寄存器单元的超前脉冲信号和滞后脉冲信号；
第一动态移位寄存器单元的输入端连接输入信号，输出端连接第二动态移位寄存器单元的输入端；
第二动态移位寄存器单元的输出端连接第三动态移位寄存器单元的输入端；
第三动态移位寄存器单元的输出端作为下一个PMOS动态移位寄存器的输入信号。
4.根据权利要求3所述的PMOS动态移位寄存器，其特征在于，所述动态移位寄存器集成在显示器面板上。
5.一种PMOS动态移位寄存器单元，其特征在于，包括：第一电容、第二电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；
第一PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接输出端，栅极连接第一节点；
第二PMOS管的源极连接输出端，漏极连接第三脉冲信号，栅极连接第二节点；
第三PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第一节点，栅极连接第二节点；
第四PMOS管的源极连接接地信号，漏极连接第一节点，栅极连接第一脉冲信号；
第五PMOS管的源极连接电源信号，漏极连接第二节点，栅极连接第一节点；
第六PMOS管的源极连接输入信号，漏极连接第二节点，栅极连接第二脉冲信号；
第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号的相位依次相差1/3脉冲周期。
6.根据权利要求4所述的PMOS动态移位寄存器单元，其特征在于，所述PMOS管均为低温多晶硅薄膜晶体管。
7.一种PMOS动态移位寄存器，其特征在于，包括三个如权利要求5或6所述的PMOS动态移位寄存器单元，分别为第一动态移位寄存器单元，第二动态移位寄存器单元和第三动态移位寄存器单元；还包括脉冲信号发生器；
脉冲信号发生器，用于产生相位依次相差1/3脉冲周期的三个脉冲信号，依次是第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号；
第一脉冲信号、第二脉冲信号和第三脉冲信号均作为第一动态寄存器单元、第二动态移位寄存器单元和第三动态移位寄存器单元的脉冲信号；
第一动态移位寄存器单元的输入端连接输入信号，输出端连接第二动态移位寄存器单元的输入端；
第二动态移位寄存器单元的输出端连接第三动态移位寄存器单元的输入端；
第三动态移位寄存器单元的输出端作为下一个动态移位寄存器的输入信号。
8.根据权利要求7所述的PMOS动态移位寄存器，其特征在于，所述动态移位寄存器集成在显示器面板上。
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