CN102468417A - 发光装置封装件及其制造方法 - Google Patents
发光装置封装件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102468417A CN102468417A CN2011103725606A CN201110372560A CN102468417A CN 102468417 A CN102468417 A CN 102468417A CN 2011103725606 A CN2011103725606 A CN 2011103725606A CN 201110372560 A CN201110372560 A CN 201110372560A CN 102468417 A CN102468417 A CN 102468417A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- electrode
- emitting device
- film
- reflecting wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 72
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 7
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims description 5
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种发光装置封装件及其制造方法。该发光装置封装件包括:第一电极和第二电极,第一电极和第二电极的下表面的至少一部分被暴露;发光装置,设置在第一电极和第二电极中的至少一个电极的上表面上;反射壁,设置在第一电极和第二电极的上表面上,并且围绕发光装置以在反射壁中形成安装部分;以及荧光膜,设置在反射壁上以覆盖安装部分的上部。安装部分用空气填充。
Description
本申请要求2010年11月10日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0111706号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用包含于此。
技术领域
本发明涉及一种发光装置封装件及其制造方法。
背景技术
作为一种光源的发光二极管是一种当向其施加电流时根据p-n型半导体结部分中的电子空穴复合而能够产生各种颜色的光的装置。
制造发光装置封装件的通常方法是将发光二极管(LED)元件安装在封装件主体上,用包括分布在其中的磷光体的成型树脂填充LED元件的表面与封装件主体之间的空间,并将成型树脂硬化(或者固化)。
然而,在使用成型树脂的发光装置封装件中,向侧部发射的光极大地与磷光体反应,使红光和黄绿光增多,从而吸收和发射现象引起不期望的波长的光根据发射方向产生并发射。此外,由于需要将成型树脂注入到每个发光装置封装件中的工艺,所以制造时间延长,并且由于分布在成型树脂中的磷光体沉淀并且磷光体的分布程度在热固化工艺中根据热分布而变化,所以会劣化产品的质量。
发明内容
本发明的方面提供一种发光装置封装件,该发光装置封装件具有改善的颜色偏差特性,和/或可以以减少的工艺来制造,和/或具有提高的发光效率。
根据本发明的方面,提供一种发光装置封装件,该发光装置封装件包括:第一电极和第二电极,第一电极和第二电极的下表面的至少一部分被暴露;发光装置,设置在第一电极和第二电极中的至少一个电极的上表面上;反射壁,设置在第一电极和第二电极的上表面上,并且围绕发光装置以在反射壁中形成安装部分;以及荧光膜,设置在反射壁上以覆盖安装部分的上部。
第一电极和第二电极中的每个、反射壁和荧光膜的至少一部分可以共面以形成侧面。
发光装置可通过导线电连接到第一电极和第二电极。
发光装置可通过焊层电连接到第一电极和第二电极。
可以设置有多个发光装置,多个发光装置可通过第一电极和第二电极彼此电连接,并且反射壁可围绕多个发光装置中的每个发光装置以形成多个安装部分。
第一电极和第二电极可一个与另一个分隔开,光反射部件可以形成在第一电极与第二电极之间的空间中。
光反射部件可由与反射壁的材料相同的材料制成。
可通过堆叠多个膜来形成荧光膜。
荧光膜可转换发光装置发射的光,使得所述光具有黄色、红色和绿色中的至少一种波长。
可将荧光膜构造成包括密封剂和混合在密封剂中的磷光体。
反射壁可围绕发光装置,并可具有矩形形状。
第一电极和第二电极可以由具有透光性的材料制成。
反射壁可以由将分散剂加入硅树脂中而获得的材料制成。
安装部分填充有空气。
荧光膜的至少一部分可结合到发光装置。
反射壁的宽度朝着荧光膜减小。
根据本发明的另一方面,提供一种制造发光装置封装件的方法,所述方法包括下述步骤:准备荧光膜,荧光膜具有分散在其中的磷光体;形成第一电极和第二电极;在第一电极和第二电极中的每个电极的上表面的至少一部分上形成反射壁,以形成被反射壁围绕的安装部分,安装部分的上部连接到外部;在安装部分的内部设置发光装置;以及将荧光膜结合在反射壁上,以覆盖安装部分的上部。
准备荧光膜的步骤可包括:准备第一膜和第二膜;混合第一液体密封剂和磷光体,以制备混合密封剂;在第一膜上形成具有均一厚度的混合密封剂;将第二膜附于形成在第一膜上的混合密封剂的表面;以及将与第一膜和第二膜附着的混合密封剂在冷藏或冷冻状态下储存。
将荧光膜结合到反射壁的步骤可包括:去除第一膜或第二膜;使混合密封剂附于反射壁;将混合密封剂热固化,以将热固化的混合密封剂结合到反射壁。
准备荧光膜的步骤可包括:准备膜;将第二液体密封剂与磷光体混合,以制备混合密封剂;在膜上形成具有均一厚度的混合密封剂;以及将混合密封剂固化。
在将荧光膜结合到反射壁的步骤中,可通过粘合剂将固化的混合密封剂结合到反射壁。
准备荧光膜的步骤可包括:准备第一膜和第二膜;将包括UV硬化剂的密封剂与磷光体混合,以制备混合密封剂;在第一膜上形成具有均一厚度的混合密封剂;将第二膜附于形成在第一膜上的混合密封剂的表面;以及将与第一膜和第二膜附着的混合密封剂在冷藏或冷冻状态下储存。
将荧光膜结合到反射壁的步骤可包括:去除第一膜或第二膜;将混合密封剂附于反射壁;以及通过UV固化工艺将混合密封剂结合到反射壁。
所述方法还可包括:切割第一电极和第二电极中的每个、反射壁和荧光膜叠置的区域,使得第一电极和第二电极中的每个、反射壁和荧光膜的至少一部分共面,以获得一个或多个发光装置封装件。
可切割第一电极和第二电极中的每个、反射壁和荧光膜叠置的区域,使得所获得的多个发光装置被设置并通过第一电极和第二电极彼此电连接,并且包括了多个安装部分,其中,因反射壁围绕多个发光装置中的每个发光装置而形成所述多个安装部分。
在形成安装部分的步骤中,反射壁可围绕将要形成发光装置的区域,并可具有矩形形状。
所述发光装置可包括一个或多个产生蓝色、红色、绿色、紫外波长的发光装置。
磷光体可将波长转换为黄色、红色和绿色波长中的至少一种。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述,本发明的以上和其他方面、特征和其他优点将会被更清楚地理解,附图中:
图1是根据本发明示例性实施例的发光装置封装件的示意性剖视图;
图2至图5是根据本发明示例性实施例的发光装置封装件的示意性剖视图;
图6A至图6E是示出用来制造根据本发明示例性实施例的发光装置封装件的方法的顺序工艺的剖视图;
图7A至图7C是示出用来制造根据本发明示例性实施例的发光装置封装件的荧光膜(或光致发光膜)的方法的顺序工艺的剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的示例性实施例。
然而,本发明可以以许多不同的形式来实施,且不应该解释为局限于在这里所提出的实施例。相反,提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的,并将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中,为了清晰起见,会夸大形状和尺寸,并且将始终使用同样的附图标记来表示相同或相似的组件。
图1是根据本发明示例性实施例的发光装置封装件的示意性剖视图。
参照图1,根据本发明示例性实施例的发光装置封装件包括:第一电极11和第二电极12,具有暴露的下表面;发光装置13,设置在第一电极11上;反射壁15,设置在第一电极11和第二电极12的上表面的部分上并围绕发光装置13以形成安装部分;荧光膜16,由反射壁15支撑并覆盖安装部分的上部。可设置安装部分,使得其内部充有空气。在下文中,现在将参照图1来详细描述构成发光装置封装件的元件以及这些元件的连接关系。
可设置第一电极11和第二电极12,使得它们与发光装置13电连接,并且使它们的下表面暴露以容易地将从外部施加的功率供应到它们。优选地,可将第一电极11和第二电极12设置为大的板形式。更优选地,当从上面观察时,第一电极11和第二电极12可具有矩形形状。第一电极11和第二电极12形成为分隔开。例如,当从上方观察时,第一电极11和第二电极12具有矩形形状并设置成彼此平行且彼此面对。因此,第一电极11和第二电极12可被物理地分开而绝缘,并且优选地,光反射部件可形成在第一电极11和第二电极12之间来获得额外的技术效果,随后将对此进行详细描述。
虽然图1示出了第一电极11和第二电极12的下表面被暴露,但是本发明不限于此,第一电极11和第二电极12的下表面的至少一部分可被暴露。
在一个示例性实施例中,第一电极11和第二电极12可由具有透光性的材料制成。
发光装置13可设置在第一电极11上。在本示例性实施例中,发光装置13通过两条导线14电连接到第一电极11和第二电极12。然而,本发明不限于此,根据实施例,发光装置13可通过单个的导线电连接到第一电极11和第二电极12或者可通过焊层连接,或者发光装置13本身可直接电连接到第一电极11和第二电极12。也就是说,发光装置13可设置在第一电极11和第二电极12中的至少一个电极的上表面上。反射壁15形成在第一电极11和第二电极12上,以形成发光装置封装件的围绕发光装置13的侧部。在这种情况下,优选地,当从上方观察而具有矩形形状的反射壁15被构造为壁体,该壁体围绕四面而在其中形成特定空间。该构造在制造多个发光装置13时能够获得有利的效果,随后将对此进行详细描述。此外,在本示例性实施例中,反射壁15被示出为沿着其高度方向具有均一的宽度,但是本发明不一定局限于此,而是可以根据实施例来形成各种类型的反射壁。
此外,例如,可通过由向硅树脂加入分散剂而进行注射成型来形成反射壁15,或者可使用任何其他的传统已知方法来形成反射壁15。
荧光膜16形成在反射壁15上,以覆盖因反射壁15围绕发光装置13而形成的空间,由此,发光装置13向上发射的光或从反射壁15反射的光入射,从而通过分布或分散在荧光膜16中磷光体而漫射。即,荧光膜16被设置为被通过反射壁15形成的壁体支撑。因为仅有荧光膜16的结合到反射壁的部分被反射壁支撑,所以优选地,荧光膜16本身需要具有适当的强度,并且被反射壁15围绕而形成的空间需要具有适当的宽度以充分保证半导体封装件的耐用性。
此外,荧光膜16可通过堆叠多个膜来形成,并可转换从发光装置发射的光的波长,例如使得所述光具有黄色、红色和绿色中的至少一种波长。此外,例如,荧光膜16可设置为包括密封剂和混合在密封剂中的磷光体的形式。将在解释制造荧光膜的方法时对荧光膜的详细构造进行详细描述。
通过采用使用荧光膜16的构造,本发明与现有技术相比可获得减少颜色偏差的效果。即,在现有技术的发光装置封装件中,由于围绕发光装置的区域被成型树脂密封,所以在热固化工艺中磷光体的分布程度根据施加到成型树脂的热而变化,这引起了颜色偏差,但是因为在本发明中不使用成型树脂,所以本发明不存在这样的问题。
此外,第一电极11和第二电极12的侧面、反射壁15的侧面以及荧光膜16的侧面构成发光装置封装件的侧面,并且在本示例性实施例中,三种类型的元件(或者组件)的侧面可以形成为共面。详细来讲,顺序地堆叠第一电极11和第二电极12、反射壁15以及荧光膜16并且沿竖直方向切割三种类型的元件叠置的区域,从而设置为共面方式。因此,发光装置封装件可形成为具有有着一致形状的侧面,因此这对批量生产是有利的,并且就光提取效率而言,预料不到的漫反射、折射等的影响可以被最小化,从而允许制造高质量的发光装置封装件。
现在将详细描述根据本发明各种示例性实施例的发光装置封装件。
图2至图5是根据本发明示例性实施例的发光装置封装件的示意性剖视图。
参照图2,构造根据本示例性实施例的发光装置封装件,使得多个发光装置23沿纵向设置成阵列并且通过第一电极21和第二电极22彼此电连接,并且反射壁25形成分别围绕多个发光装置23的多个安装部分。详细地讲,将电连接到特定发光装置的第二电极定义为与该特定发光装置相邻并与之电连接的发光装置中的第一电极。即,第一电极21和第二电极22可用作将沿纵向布置的发光装置封装件串联连接的电流通路。
在一个示例性实施例中,多个发光装置23包括一个或多个产生蓝色、红色、绿色、紫外(UV)波长的发光装置。优选地,第一电极21和第二电极22可按行和列规则地布置,所以可以在大的区域中按行和列来同时制造多个发光装置封装件,由此提高了生产效率。
此外,一个发光装置封装件和相邻的发光装置封装件可共享反射壁,并且荧光膜26可被设置为覆盖多个发光装置封装件的整体的单个膜的形式。
参照图3,在根据本发明示例性实施例的发光装置封装件中,为了提高光提取效率,发光装置可具有形成在发光装置的下表面上且分别连接到第一电极31和第二电极32的两个电极。可选地,发光装置可在其一侧上具有一个电极并在其另一相对侧上具有另一电极。即,根据本示例性实施例的发光装置封装件不局限于被应用到特定类型的发光装置,而是可以适用于各种类型的发光装置,只要第一电极31和第二电极32与发光装置的电极电连接即可。
在这种情况下,荧光膜36可直接结合到半导体发光装置的表面,以牢固固定封装件并实现均匀的光分布。
参照图4,在根据本发明示例性实施例的发光装置封装件中,可构造反射壁45,使得其靠近第一电极41和第二电极42的部分具有较大的宽度并且反射壁的宽度朝着上部减小,从而允许发光装置43发射的光被容易地反射并发射到发光装置封装件的上部。然而,截面并不一定具有梯形形状,例如,发光装置43可形成为具有平缓的半抛物线形状的侧面(该半抛物线形状以形成有发光装置的区域作为其焦点),只要它能够容易地反射从发光装置43发射的侧部光即可。
参照图5,在根据本发明示例性实施例的发光装置封装件中,第一电极51和第二电极52一个与另一个分隔开,并且光反射部件55A可设置在第一电极51和第二电极52之间的空间内。因此,由于光反射部件55A反射光,所以与其中未设置光反射部件55A的情形相比,可以进一步提高光提取效率。
优选地,光反射部件55A可以由与反射壁55的材料相同的材料制成,并且在这种情况下,反射壁55和光反射部件55A可以同时形成而不是在分开的工艺中形成,由此简化了制造工艺。
图6A至图6E是示出用来制造根据本发明示例性实施例的发光装置封装件的方法的顺序工艺的剖视图。具体地讲,图6A示出形成第一电极和第二电极的工艺,图6B示出在第一电极和第二电极上形成反射壁的工艺,图6C示出在第一电极和第二电极上安装发光装置的工艺,图6D示出在反射壁上结合荧光膜的工艺,图6E示出沿厚度方向切割反射壁以获得一个或多个发光装置封装件的工艺。
首先,参照图6A,用来制造根据本发明示例性实施例的发光装置封装件的方法可包括在平面上形成第一电极61和第二电极62的工艺。在这种情况下,“第一和第二”的表达是基于附图上最右边的一对电极而言的,以有助于理解本发明,要知晓的是,该对电极表示在每个发光装置封装件中限定的所有的第一电极和第二电极。
此外,可将第一电极61和第二电极62构造成多个板形片之间分隔开特定距离(当从上方观察时,多个板形片形成矩形形状),并且重复该构造。第一电极61和第二电极62可具有相同的形状并沿纵向布置,从而形成特定的图案。优选地,第一电极61和第二电极62按行和列设置。
此外,为了形成第一电极61和第二电极62,可形成基底并可在基底上形成第一电极61和第二电极62。
接着,参照图6B,可在第一电极61和第二电极62上形成反射壁65,并且在这种情况下,反射壁65可具有环绕形壁面的形状,以在其内部形成特定的空间。优选地,可将反射壁65设置成当从上方观察时具有矩形形状。优选地,可使反射壁65形成为具有与第一电极61和第二电极62对应的相同图案。尽管未示出,但是可以执行在第一电极61和第二电极62之间的空间中另外地形成其材料与反射壁65的材料相同的光反射部件的工艺。
然后,如图6C所示,在第一电极61上安装发光装置63。在这种情况下,优选地,将单个发光装置63安装在反射壁65围绕的空间中。按照这种构造,可以独立地构造包括第一电极61和第二电极62、反射壁65、安装在被反射壁65围绕而形成的空间中的发光装置63的发光装置封装件。
此外,在本示例性实施例中,示出了这样的构造,即,发光装置具有形成在其一个表面上的两个电极,并且发光装置的这两个电极与第一电极61和第二电极62通过导线电连接,但是本发明不限于此,发光装置可具有各种形式并包括各种电连接方式。
下面,如图6D所示,可将荧光膜66结合到反射壁65,以覆盖安装部分的上部。这里,荧光膜66可以是一体地形成的单个荧光膜,因此,可通过单个工艺来附着荧光膜66并且可以使荧光膜66牢固地附于反射壁65。
接着,参照图6E,沿厚度方向切割形成有反射壁65的区域,以获得一个或多个发光装置封装件。在这种情况下,优选地,切面具有垂直于第一电极61和第二电极62的线性形状。优选地,可切割该区域使得第一电极61和第二电极62、反射壁65和荧光膜66共面,以形成每个发光装置封装件的侧面。因此,通过该工艺获得的各个发光装置封装件可具有一致的且标准化的形状。
在通过上述工艺获得的发光装置封装件中,由于使用了荧光膜66而不是用成型树脂填充内部,所以可以解决不然由工艺中产生的热引起的颜色偏差问题,并且由于第一电极61和第二电极62、反射壁65和荧光膜66被同时制造成具有多个图案,然后以特定的间隔切割,所以与单独地制造封装件的情况相比,可以提高生产效率。
图7A至图7C是示出用来制造根据本发明示例性实施例的发光装置封装件的荧光膜(或光致发光膜)的方法的顺序工艺的剖视图。
首先,如图7A所示,准备要用来形成荧光膜的膜71,然后准备具有开口的掩模72,所述开口形成为与膜71的其中要形成荧光膜的区域对应。通过分送法等将包括磷光体的混合密封剂76施加到被掩模72暴露的膜71。
在本示例性实施例中,可将混合密封剂76提供为将磷光体混合在第二液体密封剂中所得的混合物。这里,第二液体密封剂指包括热固树脂的密封剂,所述热固树脂可包括环氧树脂、硅树脂、变形(或改性)硅树脂、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、亚克力、聚碳酸酯和聚酰亚胺中的至少一种。
接着,如图7B所示,使用刮刀74推施加到膜71的混合密封剂76的表面以使之变平,使得施加到膜的混合密封剂76的厚度均一。
然后,如图7C所示,将施加在膜71上并具有均一厚度的混合密封剂76固化(或硬化),并将掩模72去除,以制造出其中均匀地分散或分布有磷光体的荧光膜。
如上所述,将由此制造的荧光膜附于反射壁或附在发光装置上,并且在这种情况下,可通过使用粘合剂等来附着荧光膜。
同时,除了第二液体密封剂以外,可将不包括硬化剂的第一液体密封剂或者包括UV硬化剂的UV密封剂用作将被用来制造荧光膜的混合密封剂76。
当使用第一液体密封剂作为混合密封剂时,不是立即将施加到膜的混合密封剂固化,而是将另一膜设置在其表面上,之后将其保持为冷藏的或冷冻的。之后,将膜去除,使混合密封剂附于反射壁或附于发光装置,之后通过热固化工艺使反射壁或发光装置与密封剂结合。
在混合密封剂包括UV密封剂的情况下,可通过UV固化工艺使混合密封剂附于反射壁或附于发光装置上。在本示例性实施例中,混合密封剂76可以被提供为混合物,在该混合物中,磷光体被混合在第一液体密封剂、第二液体密封剂和UV密封剂中的至少一种中。
在本示例性实施例中,通过使用掩模来形成荧光膜,但是在不使用掩模的情况下,可制造大的荧光膜,并且可将其切割成所需的尺寸并如本领域技术人员容易理解的那样来使用。
如上所述,在本发明中,磷光体被制造成膜的形式,然后被附于反射壁或者附于发光装置上。因此,由于磷光体可以均匀地分布,所以可提高颜色一致性。即,在现有技术中,通过分送法来形成密封剂,混合在透明树脂中的磷光体沉淀,导致密封剂中的磷光体的密度不均一而使颜色一致性劣化。然而,在本发明中,由于荧光膜以片的形式制造,所以从根本上防止了荧光膜中的磷光体的沉淀。此外,由于磷光体均匀地分布在膜中,所以可以改善颜色一致性并可提高颜色重现性(即,颜色再现性或色域)。
如上所阐述的,根据本发明的示例性实施例,当使用该发光装置封装件及其制造方法时,可改善颜色偏差特性,可减少工艺的数量,并且可提高发光效率。
虽然已经结合示例性实施例示出并描述了本发明,但是本领域的技术人员将清楚的是,在不脱离权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可以进行修改和改变。
Claims (28)
1.一种发光装置封装件,所述发光装置封装件包括:
第一电极和第二电极,第一电极和第二电极的下表面的至少一部分被暴露;
发光装置,设置在第一电极和第二电极中的至少一个电极的上表面上;
反射壁,设置在第一电极和第二电极的上表面上,并且围绕发光装置以在反射壁中形成安装部分;以及
荧光膜,设置在反射壁上以覆盖安装部分的上部。
2.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,第一电极和第二电极中的每个、反射壁和荧光膜的至少一部分共面以形成侧面。
3.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,发光装置通过导线电连接到第一电极和第二电极。
4.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,发光装置通过焊层电连接到第一电极和第二电极。
5.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,设置有多个发光装置,所述多个发光装置通过第一电极和第二电极彼此电连接,并且反射壁围绕多个发光装置中的每个发光装置以形成多个安装部分。
6.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,第一电极和第二电极一个与另一个分隔开,光反射部件形成在第一电极与第二电极之间的空间中。
7.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,光反射部件由与反射壁的材料相同的材料制成。
8.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,通过堆叠多个膜来形成荧光膜。
9.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,荧光膜转换发光装置发射的光,使得所述光具有黄色、红色和绿色中的至少一种波长。
10.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,荧光膜被构造成包括密封剂和混合在所述密封剂中的磷光体。
11.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,反射壁围绕发光装置,并具有矩形形状。
12.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,第一电极和第二电极由具有透光性的材料制成。
13.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,反射壁由将分散剂加入硅树脂中而获得的材料制成。
14.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,安装部分填充有空气。
15.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,荧光膜的至少一部分结合到发光装置。
16.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,反射壁的宽度朝着荧光膜减小。
17.一种制造发光装置封装件的方法,所述方法包括下述步骤:
准备荧光膜,所述荧光膜具有分散在其中的磷光体;
形成第一电极和第二电极;
在第一电极和第二电极中的每个电极的上表面的至少一部分上形成反射壁,以形成被反射壁围绕的安装部分,所述安装部分的上部连接到外部;
在安装部分的内部设置发光装置;以及
将荧光膜结合到反射壁,以覆盖安装部分的上部。
18.如权利要求17所述的方法,其中,准备荧光膜的步骤包括:
准备第一膜和第二膜;
混合第一液体密封剂和磷光体,以制备混合密封剂;
在第一膜上形成具有均一厚度的混合密封剂;
将第二膜附于形成在第一膜上的混合密封剂的表面;以及
将与第一膜和第二膜附着的混合密封剂在冷藏或冷冻状态下储存。
19.如权利要求18所述的方法,其中,将荧光膜结合到反射壁的步骤包括:
去除第一膜或第二膜;
使混合密封剂附于反射壁;以及
将混合密封剂热固化,以将热固化的混合密封剂结合到反射壁。
20.如权利要求17所述的方法,其中,准备荧光膜的步骤包括:
准备膜;
将第二液体密封剂与磷光体混合,以制备混合密封剂;
在所述膜上形成具有均一厚度的混合密封剂;以及
将混合密封剂固化。
21.如权利要求20所述的方法,其中,在将荧光膜结合到反射壁的步骤中,通过粘合剂将固化的混合密封剂结合到反射壁。
22.如权利要求17所述的方法,其中,准备荧光膜的步骤包括:
准备第一膜和第二膜;
将包括紫外光硬化剂的密封剂与磷光体混合,以制备混合密封剂;
在第一膜上形成具有均一厚度的混合密封剂;
将第二膜附于形成在第一膜上的混合密封剂的表面;以及
将与第一膜和第二膜附着的混合密封剂在冷藏或冷冻状态下储存。
23.如权利要求22所述的方法,其中,将荧光膜结合到反射壁的步骤包括:
去除第一膜或第二膜;
将混合密封剂附于反射壁;以及
通过紫外光固化工艺将混合密封剂结合到反射壁。
24.如权利要求17所述的方法,所述方法还包括:
切割第一电极和第二电极中的每个、反射壁和荧光膜叠置的区域,使得第一电极和第二电极中的每个、反射壁和荧光膜的至少一部分共面,以获得一个或多个发光装置封装件。
25.如权利要求24所述的方法,其中,切割第一电极和第二电极中的每个、反射壁和荧光膜叠置的区域,使得所获得的多个发光装置被设置并通过第一电极和第二电极彼此电连接,并且包括了多个安装部分,其中,因反射壁围绕多个发光装置中的每个发光装置而形成所述多个安装部分。
26.如权利要求17所述的方法,其中,在形成安装部分的步骤中,反射壁围绕将要形成发光装置的区域,并具有矩形形状。
27.如权利要求17所述的方法,其中,发光装置包括一个或多个产生蓝色、红色、绿色、紫外波长的发光装置。
28.如权利要求17所述的方法,其中,磷光体将波长转换为黄色、红色和绿色波长中的至少一种。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100111706A KR20120050282A (ko) | 2010-11-10 | 2010-11-10 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
KR10-2010-0111706 | 2010-11-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102468417A true CN102468417A (zh) | 2012-05-23 |
CN102468417B CN102468417B (zh) | 2015-02-04 |
Family
ID=45094439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110372560.6A Active CN102468417B (zh) | 2010-11-10 | 2011-11-10 | 发光装置封装件及其制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8890188B2 (zh) |
EP (1) | EP2453488B1 (zh) |
KR (1) | KR20120050282A (zh) |
CN (1) | CN102468417B (zh) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102931180A (zh) * | 2012-11-19 | 2013-02-13 | 上舜照明(中国)有限公司 | 一种led光源及制造方法 |
CN105304790A (zh) * | 2014-06-12 | 2016-02-03 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光元件 |
US9882096B2 (en) | 2015-03-18 | 2018-01-30 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting diode structure and method for manufacturing the same |
US9953956B2 (en) | 2015-03-18 | 2018-04-24 | Genesis Photonics Inc. | Package substrate and package structure using the same |
US9997676B2 (en) | 2014-05-14 | 2018-06-12 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US10388838B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-08-20 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US10439111B2 (en) | 2014-05-14 | 2019-10-08 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US10497681B2 (en) | 2015-09-18 | 2019-12-03 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device |
US10784423B2 (en) | 2017-11-05 | 2020-09-22 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI528596B (zh) * | 2012-03-16 | 2016-04-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
CN103022323A (zh) * | 2012-12-10 | 2013-04-03 | 中国海洋大学 | 一种白光led荧光粉预制组件的制备及应用 |
DE102012113003A1 (de) * | 2012-12-21 | 2014-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
WO2014182104A1 (ko) * | 2013-05-09 | 2014-11-13 | 서울반도체 주식회사 | 광원 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛 |
KR102075993B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2020-02-11 | 삼성전자주식회사 | 백색 led 소자들을 제조하는 방법 |
CN106407881B (zh) * | 2015-07-29 | 2020-07-31 | 财团法人工业技术研究院 | 生物辨识装置及方法与穿戴式载体 |
US10679081B2 (en) * | 2015-07-29 | 2020-06-09 | Industrial Technology Research Institute | Biometric device and wearable carrier |
WO2017116136A1 (ko) * | 2015-12-31 | 2017-07-06 | 서울반도체주식회사 | 디스플레이 장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10319877A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 画像表示装置及び発光装置 |
CN1515623A (zh) * | 1996-09-20 | 2004-07-28 | 波长变换浇注材料、它的应用及其制造方法 | |
US20050051782A1 (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-10 | Negley Gerald H. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
CN1667671A (zh) * | 2004-03-11 | 2005-09-14 | 安捷伦科技有限公司 | 具有覆盖的发光二极管显示器 |
CN1777999A (zh) * | 2003-02-26 | 2006-05-24 | 美商克立股份有限公司 | 复合式白色光源及其制造方法 |
JP2007116138A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Lexedis Lighting Gmbh | 発光装置 |
CN101129095A (zh) * | 2005-02-17 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包括发绿光的陶瓷发光转换器的照明系统 |
EP2112700A2 (en) * | 2008-04-23 | 2009-10-28 | C. I. Kasei Company, Limited | Light-emitting diode package and light-emitting device |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BRPI9715293B1 (pt) | 1996-06-26 | 2016-11-01 | Osram Ag | elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico |
CN1143394C (zh) | 1996-08-27 | 2004-03-24 | 精工爱普生株式会社 | 剥离方法、溥膜器件的转移方法和薄膜器件 |
USRE38466E1 (en) | 1996-11-12 | 2004-03-16 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
US7208725B2 (en) | 1998-11-25 | 2007-04-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Optoelectronic component with encapsulant |
CN1225801C (zh) | 2000-02-09 | 2005-11-02 | 日本光源股份有限公司 | 光源装置 |
JP3906654B2 (ja) | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
US6747406B1 (en) | 2000-08-07 | 2004-06-08 | General Electric Company | LED cross-linkable phospor coating |
MY145695A (en) * | 2001-01-24 | 2012-03-30 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
WO2003019678A1 (fr) | 2001-08-22 | 2003-03-06 | Sony Corporation | Element semiconducteur au nitrure et procede de production de cet element |
US6737681B2 (en) * | 2001-08-22 | 2004-05-18 | Nichia Corporation | Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element |
JP2003218034A (ja) | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Sony Corp | 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法 |
JP3815335B2 (ja) | 2002-01-18 | 2006-08-30 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
KR100499129B1 (ko) | 2002-09-02 | 2005-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
US7002182B2 (en) | 2002-09-06 | 2006-02-21 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit |
CN100511732C (zh) | 2003-06-18 | 2009-07-08 | 丰田合成株式会社 | 发光器件 |
KR100714639B1 (ko) | 2003-10-21 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 |
KR100506740B1 (ko) | 2003-12-23 | 2005-08-08 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
DE102005046420B4 (de) * | 2004-10-04 | 2019-07-11 | Stanley Electric Co. Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Halbleitervorrichtung |
KR100664985B1 (ko) | 2004-10-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 소자 |
US7294861B2 (en) | 2005-06-30 | 2007-11-13 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor tape article |
KR100665222B1 (ko) | 2005-07-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
KR100661614B1 (ko) | 2005-10-07 | 2006-12-26 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100723247B1 (ko) | 2006-01-10 | 2007-05-29 | 삼성전기주식회사 | 칩코팅형 led 패키지 및 그 제조방법 |
KR100735325B1 (ko) | 2006-04-17 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
KR20080045880A (ko) | 2006-11-21 | 2008-05-26 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 |
KR100930171B1 (ko) | 2006-12-05 | 2009-12-07 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈 |
US20080169480A1 (en) | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Visera Technologies Company Limited | Optoelectronic device package and packaging method thereof |
KR100855065B1 (ko) | 2007-04-24 | 2008-08-29 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
KR100982980B1 (ko) | 2007-05-15 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 면 광원 장치 및 이를 구비하는 lcd 백라이트 유닛 |
CN101779300A (zh) | 2007-07-11 | 2010-07-14 | 希爱化成株式会社 | 发光装置 |
KR101164026B1 (ko) | 2007-07-12 | 2012-07-18 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100891761B1 (ko) | 2007-10-19 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지 |
KR20090058169A (ko) | 2007-12-04 | 2009-06-09 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광소자의 제조방법 |
JP4613947B2 (ja) | 2007-12-07 | 2011-01-19 | ソニー株式会社 | 照明装置、色変換素子及び表示装置 |
US7988311B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-08-02 | Bridgelux, Inc. | Light emitting device having a phosphor layer |
KR101332794B1 (ko) | 2008-08-05 | 2013-11-25 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법 |
KR20100030470A (ko) | 2008-09-10 | 2010-03-18 | 삼성전자주식회사 | 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템 |
KR101530876B1 (ko) | 2008-09-16 | 2015-06-23 | 삼성전자 주식회사 | 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법 |
US8008683B2 (en) | 2008-10-22 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
KR101144351B1 (ko) * | 2010-09-30 | 2012-05-11 | 서울옵토디바이스주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
-
2010
- 2010-11-10 KR KR1020100111706A patent/KR20120050282A/ko not_active Application Discontinuation
-
2011
- 2011-11-07 US US13/290,639 patent/US8890188B2/en active Active
- 2011-11-10 EP EP11188523.2A patent/EP2453488B1/en active Active
- 2011-11-10 CN CN201110372560.6A patent/CN102468417B/zh active Active
-
2014
- 2014-11-17 US US14/543,785 patent/US9142737B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1515623A (zh) * | 1996-09-20 | 2004-07-28 | 波长变换浇注材料、它的应用及其制造方法 | |
JPH10319877A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Toshiba Corp | 画像表示装置及び発光装置 |
CN1777999A (zh) * | 2003-02-26 | 2006-05-24 | 美商克立股份有限公司 | 复合式白色光源及其制造方法 |
US20050051782A1 (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-10 | Negley Gerald H. | Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same |
CN1667671A (zh) * | 2004-03-11 | 2005-09-14 | 安捷伦科技有限公司 | 具有覆盖的发光二极管显示器 |
CN101129095A (zh) * | 2005-02-17 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 包括发绿光的陶瓷发光转换器的照明系统 |
JP2007116138A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Lexedis Lighting Gmbh | 発光装置 |
EP2112700A2 (en) * | 2008-04-23 | 2009-10-28 | C. I. Kasei Company, Limited | Light-emitting diode package and light-emitting device |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102931180A (zh) * | 2012-11-19 | 2013-02-13 | 上舜照明(中国)有限公司 | 一种led光源及制造方法 |
US9997676B2 (en) | 2014-05-14 | 2018-06-12 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US10439111B2 (en) | 2014-05-14 | 2019-10-08 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
CN105304790A (zh) * | 2014-06-12 | 2016-02-03 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光元件 |
US10396255B2 (en) | 2014-06-12 | 2019-08-27 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting component |
US9882096B2 (en) | 2015-03-18 | 2018-01-30 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting diode structure and method for manufacturing the same |
US9953956B2 (en) | 2015-03-18 | 2018-04-24 | Genesis Photonics Inc. | Package substrate and package structure using the same |
US10497681B2 (en) | 2015-09-18 | 2019-12-03 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device |
US10957674B2 (en) | 2015-09-18 | 2021-03-23 | Genesis Photonics Inc | Manufacturing method |
US10388838B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-08-20 | Genesis Photonics Inc. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US10784423B2 (en) | 2017-11-05 | 2020-09-22 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2453488A3 (en) | 2014-06-11 |
EP2453488B1 (en) | 2018-09-19 |
US8890188B2 (en) | 2014-11-18 |
CN102468417B (zh) | 2015-02-04 |
EP2453488A2 (en) | 2012-05-16 |
KR20120050282A (ko) | 2012-05-18 |
US9142737B2 (en) | 2015-09-22 |
US20120112229A1 (en) | 2012-05-10 |
US20150069454A1 (en) | 2015-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102468417A (zh) | 发光装置封装件及其制造方法 | |
KR102215923B1 (ko) | 발광 모듈의 제조 방법 및 발광 모듈 | |
US8482016B2 (en) | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method | |
US11075327B2 (en) | Hybrid chip-on-board LED module with patterned encapsulation | |
JP4034241B2 (ja) | 光源装置および光源装置の製造方法 | |
CN102347428A (zh) | 发光器件封装 | |
CN101114689A (zh) | 半导体发光器件及其制造方法 | |
JP2013501372A (ja) | シリコーン層及び積層された遠隔蛍光体層を備えるled | |
KR20100058779A (ko) | 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법 | |
JP2020107584A (ja) | 発光モジュール | |
TW201516541A (zh) | 整合背光單元 | |
JP7208548B2 (ja) | 面状光源および面状光源の製造方法 | |
JP2009038315A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
CN102714264B (zh) | 发光二极管封装件及其制造方法 | |
CN108027119A (zh) | 照明装置、显示装置、电视接收装置及波长转换部的制造方法 | |
JP7116331B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール | |
KR102111200B1 (ko) | 발광 모듈의 제조 방법 및 발광 모듈 | |
CN106716653A (zh) | 用于发光二极管的颜色转换的基板及其制造方法 | |
JP7208470B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール | |
KR100748707B1 (ko) | 발광 소자의 제조 방법 | |
KR102267476B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 | |
US20220043304A1 (en) | Light-emitting module, method for manufacturing the same, and liquid-crystal display device | |
JP7111993B2 (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
US11536892B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting module | |
JP2005244076A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG LED CO., LTD. Effective date: 20121122 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20121122 Address after: Gyeonggi Do Korea Suwon Applicant after: Samsung Electronics Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do Korea Suwon Applicant before: Samsung LED Co., Ltd. |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |