CN102467911B - 记录头、记录头的制造方法以及信息记录再现装置 - Google Patents

记录头、记录头的制造方法以及信息记录再现装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供在谋求小型化的基础上能够确保足够的光量的记录头、记录头的制造方法以及信息记录再现装置。本发明的近场光产生元件(26)具有一边使激光(L)反射一边将激光(L)向盘(D)的方向引导的芯部(23)和将芯部(23)包入内部的包层(24)，芯部(23)的激光的入射侧端面的长度方向和宽度方向的长度(T1、T2)与入射至芯部(23)的激光的长轴方向和短轴方向的长度配合地形成。

Description

记录头、记录头的制造方法以及信息记录再现装置
技术领域
本发明涉及利用会聚光的点光或近场光将各种信息记录在磁记录介质的记录头、记录头的制造方法以及信息记录再现装置。
背景技术
近年来，计算机设备中的硬盘等磁记录介质(以下，称为盘)受到想要进行更大量且高密度信息的记录再现等的需要，要求进一步的高密度化。因此，为了将相邻的磁畴彼此的影响或热波动抑制为最小限度，开始将顽磁力强的盘材料作为盘采用。因此，变得难以将信息记录于盘。
于是，为了消除上述的不良状况，提供一种混合磁记录方式的信息记录再现装置，该装置利用会聚光的点光或会聚光的近场光来局部地加热磁畴而使顽磁力暂时下降，在此期间进行向盘的写入。
尤其是，在利用近场光的情况下，能够处理成为在现有的光学系中被作为极限的光的波长以下的范围中的光学信息。因而，能够谋求超越现有的光信息记录再现装置等的记录比特的高密度化。
作为基于混合磁记录方式的记录头，提供有各种记录头，但作为其中之一，已知有利用近场光来进行加热的记录头(参照专利文献1)。
该专利文献1所记载的记录头主要具备：滑块(slider)；记录元件，具有配置于滑块上的主磁极和辅助磁极；近场光产生元件，由所照射的激光使近场光产生；以及光波导，将从激光光源发出的激光引导至近场光产生元件。
近场光产生元件具有光束传播元件和金属膜，光束传播元件具有使激光一边反射一边传播的芯部和密合在芯部而将芯部封闭的包层，金属膜配置于芯部和包层之间，由激光使近场光产生。芯部的与从一端侧朝向另一端侧的长度方向(激光的传播方向)正交的截面形成为三角形状，并且，拉深形成(较り形成)为芯部的截面积沿着长度方向逐渐缩小。
在利用这样地构成的记录头的情况下，在产生近场光的同时，施加记录磁场，由此，将各种信息记录于盘。具体而言，在近场光产生元件中，从激光光源照射的激光通过光波导而从芯部的一端侧入射至芯部的内部。然后，入射至芯部的激光从一端侧朝向另一端侧一边会聚一边传播，在芯部的另一端侧，激光由金属膜变换成近场光，并由该近场光加热盘。结果，盘的磁记录层由近场光局部地加热，顽磁力暂时下降。另外，在激光的照射的同时，将驱动电流供给至记录元件，由此，对接近主磁极的盘的磁记录层局部地施加记录磁场。
由此，能够将各种信息记录于顽磁力暂时下降的磁记录层。即，能够通过近场光的热辅助和磁场的协作来进行向盘的记录。
专利文献1：日本特开2008-217961号公报
发明内容
另外，近来关于上述的记录头，探讨这样的构成：例如将激光光源直接搭载于滑块，使从激光光源出射的激光直接入射至近场光产生元件的芯部内。
然而，当采用上述的构成时，产生以下那样的问题。
即，作为搭载于滑块的激光光源，考虑使用例如薄膜的半导体激光器芯片(以下，称为半导体激光器)等。在这种情况下，由于从半导体激光器出射的激光的光斑形状是椭圆形状的扩散光线，因而为了使从半导体激光器出射的激光全部入射至芯部内，必须使芯部的入射侧端面的截面积大型化。
另一方面，为了谋求记录头的小型化，优选尽可能地减小芯部的截面积。不过，在这种情况下，激光未完全入射至芯部，激光的损失变大，因而存在未得到足够的光量的问题。结果，近场光的产生效率下降。
因此，本发明是考虑到这样的情况而完成的，其目的是，提供在谋求小型化的基础上能够确保足够的光量的记录头、记录头的制造方法以及信息记录再现装置。
本发明为了解决上述的课题而提供以下的方案。
本发明的记录头特征在于，具备：滑块，与沿一定方向旋转的磁记录介质的表面相对配置；光束传播元件，被保持在所述滑块，将从光源出射的光束朝向所述磁记录介质的表面一边会聚一边传播；以及记录元件，对所述磁记录介质施加记录磁场，在该记录头中，所述光束传播元件具有一边使所述光束反射一边将所述光束向所述磁记录介质的方向引导的芯部和将所述芯部包入内部的包层，所述芯部的所述光束的入射侧端面的长度方向和宽度方向的长度与入射至所述芯部的光束的长轴方向和短轴方向的长度配合地形成。
依据该构成，在使例如半导体激光等、光斑形状为椭圆形状的光束导入的情况下，也能够将从光源出射的光束不泄漏地导入。另外，与从现有的芯部形状(例如，三角形状等)仅以相似形状增大的情况不同，能够尽可能地减小芯部的入射侧端面的长度方向和宽度方向的长度。
结果，在谋求光束传播元件的小型化的基础上，能够确保足够的光量。
另外，本发明的特征在于，所述光源直接搭载于所述滑块。
依据该构成，通过将光源直接搭载于滑块，从而能够将例如从光源出射的光束直接导入光束传播元件。由此，与例如将光源设置于记录头的外部的情况相比，由于没有必要使用用于将光束引导至光束传播元件的光波导等，因而不考虑光波导等上的光束的损失。所以，能够使更足够的光量导入光束传播元件。
另外，能够削减设置光波导的部分的成本和制造工时。
另外，本发明的特征在于，所述芯部的所述入射侧端面的形状形成为多边形状。
另外，本发明的特征在于，所述芯部的所述入射侧端面的形状形成为梯形状。
另外，本发明的特征在于，所述芯部的所述入射侧端面的形状形成为梯形状，另一方面，出射侧端面的形状形成为三角形状。
另外，本发明的特征在于，所述芯部的所述入射侧端面具有弯曲部。
依据该构成，与仅增大芯部的入射侧端面的形状的情况不同，在谋求小型化的基础上，能够确保足够的光量。
另外，本发明涉及的记录头的制造方法，是上述本发明的记录头的制造方法，其特征在于，具有：第1包层形成工序，在所述滑块上形成所述包层中的第1包层；芯部形成工序，在所述第1包层上形成所述芯部的母材；构图工序，对所述芯部的母材进行构图；以及第2包层形成工序，以将所述芯部夹入与所述第1包层之间的方式形成所述包层中的第2包层，在所述构图工序中，使所述芯部的所述光束的入射侧端面的长度方向和宽度方向的长度与入射至所述芯部的光束的长轴方向和短轴方向的长度配合地进行构图。
依据该构成，通过使芯部的入射侧端面的长度方向和宽度方向的长度与光束的长轴方向和短轴方向的长度配合地形成，从而能够将从光源出射的光束不泄漏地导入。另外，与从现有的芯部形状(例如，三角形状等)仅以相似形状增大的情况不同，能够尽可能地减小芯部的入射侧端面的长度方向和宽度方向的长度。
结果，在谋求光束传播元件的小型化的基础上，能够确保足够的光量。
另外，本发明的信息记录再现装置，其特征在于，具备：上述本发明的记录头；悬架，能够沿与所述磁记录介质的表面平行的方向移动，以围绕与所述磁记录介质的表面平行且互相正交的2轴转动自如的状态在前端侧支撑所述记录头；致动器，支撑所述悬架的基端侧，并且，使所述悬架朝向与所述磁记录介质的表面平行的方向移动；旋转驱动部，使所述磁记录介质沿所述一定方向旋转；以及控制部，控制所述记录元件和所述光源的工作。
依据该构成，由于具备上述本发明的记录头，因而能够抑制上述的热波动现象等的影响而进行稳定的记录。因而，能够提高记录头本身的写入的可靠性，能够谋求高品质化。
依据本发明的记录头及其制造方法，在谋求光束传播元件的小型化的基础上，能够确保足够的光量。
依据本发明的信息记录再现装置，能够抑制上述的热波动现象等的影响而进行稳定的记录。因而，写入的可靠性高，能够应对高密度记录，能够谋求高品质化。
附图说明
图1是本发明的实施方式的信息记录再现装置的结构图。
图2是图1所示的头万向架组件的立体图。
图3是图2所示的万向架的平面图。
图4是沿图3所示的A-A线的剖面图。
图5是记录再现头的放大剖面图。
图6是放大记录再现头的流出端侧(前侧)的侧面的剖面图。
图7是图6的剖面图，(a)是沿着B-B线的剖面图，(b)是沿着C-C线的剖面图，(c)是沿着D-D线的剖面图。
图8是芯部的立体图。
图9是利用信息记录再现装置来记录再现信息时的说明图，是与图6相当的放大剖面图。
图10是与图7相当的图，是用于说明近场光产生元件的制造方法的工序图。
图11是与图7相当的图，是用于说明近场光产生元件的制造方法的工序图。
图12是与图7相当的图，是用于说明近场光产生元件的制造方法的工序图。
图13是与图7相当的图，是用于说明近场光产生元件的制造方法的工序图。
图14是将第2实施方式的记录再现头的流出端侧(前侧)放大的剖面图。
图15是将第3实施方式的记录再现头的流出端侧(前侧)放大的剖面图。
图16是图15的E向视图。
图17是将第4实施方式的记录再现头的流出端侧(前侧)放大的剖面图。
附图标记说明
1信息记录再现装置；2记录再现头(记录头)；3悬架；5致动器；6主轴电动机(旋转驱动部)；8控制部；20滑块；21记录元件；23芯部；24包层；24a第1包层；24b第2包层；26近场光产生元件(光束传播元件)；29激光光源(光源)；D盘(磁记录介质)；123芯部母材；124a第1包层母材。
具体实施方式
接着，基于附图，说明本发明的实施方式。
此外，本实施方式的信息记录再现装置1对具有垂直记录层d2的盘(磁记录介质)D，通过使近场光R和记录磁场协作的混合磁记录方式而在盘D进行记录再现(参照图5)。
(第1实施方式)
(信息记录再现装置)
图1是信息记录再现装置的结构图。
如图1所示，本实施方式的信息记录再现装置1具备：滑架11；头万向架组件(HGA)12，支撑在滑架11的前端侧；致动器5，使头万向架组件12朝向与盘面D1(盘D的表面)平行的XY方向扫描移动；主轴电动机6，使盘D朝向既定的方向旋转；控制部8，对头万向架组件12的记录再现头(记录头)2供给对应信息而调制的电流；以及壳体9，将这些各构成品容纳于内部。
壳体9由铝等金属材料形成为俯视图呈四边形状，并且，在内侧形成有容纳各构成品的凹部9a。另外，图中未显示的盖以将凹部9a的开口堵塞的方式可装卸地固定于该壳体9。在凹部9a的大致中心，安装有主轴电动机6，将中心孔嵌入主轴电动机6，由此，装卸自如地固定盘D。
在凹部9a的角落部，安装有致动器5。在该致动器5，通过枢轴10而安装有滑架11。滑架11通过切削加工等而整体形成有臂部14和基部15，臂部14从基端部朝向前端部沿着盘面D1延伸设置，基部15通过基端部以悬臂状支撑臂部14。
基部15形成为长方体形状，围绕枢轴10可转动地被支撑。即，基部15通过枢轴10联结至致动器5，该枢轴10成为滑架11的旋转中心。
臂部14是平板状的部件，在与基部15的安装有致动器5的侧面15a相反的一侧的侧面(角落部的相反侧的侧面)15b与基部15的上表面的面方向(XY方向)平行地延伸，沿着基部15的高度方向(Z方向)延伸有3块。具体而言，臂部14形成为随着从基端部朝向前端部而前端渐细的锥形状，配置成将盘D夹入各臂部14之间。即，臂部14和盘D以成为互不相同的方式配置，通过致动器5的驱动从而臂部14能够沿与盘D的表面平行的方向(XY方向)移动。此外，滑架11和头万向架组件12在盘D的旋转停止时通过致动器5的驱动而从盘D上退避。
(头万向架组件)
头万向架组件12支撑记录再现头2，该记录再现头2是具有后述的近场光产生元件(光束传播元件)26的近场光头。
图2是在使记录再现头向上的状态下从记录再现头侧观看悬架时的立体图。图3是在使记录再现头朝上的状态下观看万向架时的平面图。图4是沿图3的A-A’线的剖面图，图5是记录再现头的放大剖面图。
如图2～图5所示，本实施方式的头万向架组件12具有使上述的记录再现头2从盘D浮起的功能，具备：记录再现头2；悬架3，由金属性材料形成为薄板状，能够沿与盘面D1平行的XY方向移动；以及万向架装置16，使记录再现头2以围绕与盘面D1平行且互相正交的2轴(X轴、Y轴)转动自如的状态、即以能够以2轴为中心而扭转的方式固定于悬架3的下表面。
(悬架)
如图2～图4所示，上述的悬架3由形成为俯视图呈四边状的底板51和通过铰链板52而与底板51的前端侧联结的平面视图呈三角状的负载梁53构成。
底板51由不锈钢等厚度薄的金属材料构成，在基端侧形成有沿厚度方向贯通的开口51a。而且，底板51通过该开口51a而固定于臂部14的前端。
在底板51的下表面，配置有由不锈钢等金属材料构成的薄板状的铰链板52。该铰链板52是遍及底板51的下表面的整个面而形成的平板状的板材，其前端部分作为从底板51的前端沿着底板51的长度方向延伸的延伸部52a而形成。该延伸部52a从铰链板52的宽度方向两端部延伸2根，在其前端部分，联结有负载梁53。
负载梁53与底板51同样地由不锈钢等厚度薄的金属材料形成，以其基端在与底板51的前端之间具有间隙的状态联结至铰链板52。
由此，悬架3变得容易以底板51和负载梁53之间为中心而弯曲并朝向与盘面D1垂直的Z方向挠曲。
另外，在悬架3上，设有弯曲件54。
该弯曲件54是由不锈钢等金属材料形成的薄板状的部件，通过形成为薄板状而可沿厚度方向挠曲变形地构成。另外，该弯曲件54由万向架17和支撑体18构成，万向架17固定于负载梁53的前端侧，外形形成为俯视图呈大致五边形状，支撑体18形成为宽度比万向架17更窄，从万向架17的基端沿着悬架3上延伸。
万向架17形成为从中间附近至前端朝向盘面D1沿厚度方向稍微翘曲。而且，以被施加该翘曲的前端侧不与负载梁53接触的方式从基端侧至大致中间附近固定于负载梁53。另外，在该浮起状态的万向架17的前端侧，形成有周围被挖通成コ形状的切口部59，在被该切口部59包围的部分，形成有由联结部17a以悬臂状支撑的衬垫部17b。
即，该衬垫17b通过联结部17a从万向架17的前端侧朝向基端侧伸出而形成，在衬垫17b的周围具备切口部59。
由此，衬垫部17b变得容易沿万向架17的厚度方向挠曲，进行角度调整，使得仅该衬垫部17b与悬架3的下表面平行。而且，在该衬垫部17b上，载置固定有上述的记录再现头2。即，记录再现头2成为通过衬垫部17b而悬挂于负载梁53的状态。
另外，如图3、图4所示，在负载梁53的前端，形成有突起部19，该突起部19朝向衬垫部17b和记录再现头2的大致中心突出。该突起部19的前端成为带有圆度的状态。而且，在记录再现头2由于从盘D受到的风压而在负载梁53侧浮起时，突起部19与衬垫部17b的表面(上表面)点接触。
即，突起部19通过万向架17的衬垫部17b而支撑记录再现头2，并且，朝向盘面D1(朝向Z方向)对记录再现头2赋予负荷。
此外，这些突起部19和具有衬垫部17b的万向架17构成万向架装置16。
图2所示的支撑体18是整体形成于万向架17的薄板状的部件，在悬架3上朝向臂部14延伸设置。即，支撑体18构成为，在悬架3变形时，追从悬架3的变形。另外，该支撑体18从臂部14上绕入侧面，迂回至滑架11的基部15。
(记录再现头)
图6是将记录再现头的流出端侧的侧面放大的剖面图。
记录再现头2以配置于盘D和悬架3之间的状态夹着后述的万向架17而支撑在悬架3的下表面。
具体而言，如图5、图6所示，记录再现头2是利用由激光L生成的近场光R来将各种信息记录再现于旋转的盘D的头。记录再现头2具备：滑块20，以从盘面D1浮起既定距离H的状态与盘D相对配置；记录元件21，将信息记录在盘D；再现元件22，再现记录于盘D的信息；近场光产生元件26，一边对激光L进行会聚，一边传播激光L，并且，在生成近场光R之后发出至外部；以及激光光源29，朝向近场光产生元件26出射激光L。
滑块20由石英玻璃等光透射性材料或AlTiC(碳化铝钛)等陶瓷等形成为长方体状。该滑块20具有与盘D相对的相对面20a，通过后述的激光器支架43而被支撑在上述的衬垫部17b。
另外，在相对面20a，形成有凸条部20b，该凸条部20b由于由旋转的盘D产生的空气流的粘性而产生用于浮起的压力。该凸条部20b形成为沿着长度方向(X方向)延伸，通过以轨道状并排的方式隔开间隔而在左右(Y方向)形成2个。但是，凸条部20b不限定于这种情况，如果以调整欲使滑块20从盘面D1离开的正压和欲将滑块20拉近至盘面D1的负压而使滑块20以最佳状态浮起的方式设计，则无论是怎样的凹凸形状都可以。此外，该凸条部20b的表面被称为ABS(空气支承表面：AIRBEARINGSURFACE)20c。
而且，滑块20通过该2个凸条部20b从盘面D1受到浮起的力。另一方面，悬架3沿与盘面D1垂直的Z方向挠曲，吸收滑块20的浮起力。即，滑块20在浮起时受到被悬架3按压至盘面D1侧的力。因而，如上所述，滑块20通过该两者的力的平衡而以从盘面D1离开既定距离H的状态浮起。而且，由于滑块20通过万向架装置16而围绕X轴并围绕Y轴转动，因而始终以姿势稳定的状态浮起。
此外，伴随着盘D的旋转而产生的空气流在从滑块20的流入端侧(悬架3的X方向基端侧)流入之后，沿着ABS20c流动，从滑块20的流出端侧(悬架3的X方向前端侧)放出。
以下，以滑块20的流入端侧(前缘侧)、即图5中的X方向右侧作为“后方”，以滑块20的流出端侧(后缘侧)、即图5中的X方向左侧作为“前方”。另外，相对于记录再现头2而以盘面D1侧、即图5中的Z方向下侧作为“下方”，以其相反侧、即图5中的Z方向上侧作为“上方”。
记录元件21是从与图5所示的盘面D1相对的相对面21a产生记录磁场并使该记录磁场作用于盘D而记录信息的元件，如图6所示，被保持在滑块20的前方的端部。在该记录元件21，具备：辅助磁极31，固定于滑块20的前方的端面(前端面)；主磁极33，配设于辅助磁极31的前方，经由磁路32连接至辅助磁极31；以及线圈34，以磁路32为中心呈螺旋状卷绕磁路32的周围。
即，从滑块20的前端面朝向前方，按照辅助磁极31、磁路32以及线圈34、主磁极33的顺序并排配置。
两磁极31、33以及磁路32由磁通量密度高的高饱和磁通量密度(Bs)材料(例如，CoNiFe合金、CoFe合金等)形成。另外，线圈34为了不短路而配置成在相邻的线圈线间、与磁路32之间、与两磁极31、33之间隔开间隙，并以该状态由绝缘体35模制。而且，线圈34从控制部8(参照图1)被供给对应信息而调制的电流。即，磁路32和线圈34作为整体而构成电磁铁。另外，上述的主磁极33、辅助磁极31以及绝缘体35的与盘面D1相对的各相对面33a、31a、35a(Z方向端面)形成为与滑块20的ABS20c分别共面。在上述构成的记录元件21中，通过将电流供给至线圈34，从而产生磁力线从主磁极33的相对面33a出来并进入辅助磁极31的相对面31a的记录磁场。
如图5、图6所示，近场光产生元件26是从与盘面D1相对的相对面26a产生近场光R的元件，配设于记录元件21的前方(辅助磁极31侧相对于图6所示的主磁极33的相反侧)。该近场光产生元件26具备：芯部23，前端朝向盘面D1而上下延伸设置；金属膜25，与芯部23的下端部的主磁极33侧的侧面(侧面23g)密合而配置；遮光膜27，覆盖芯部23的下端部；以及包层24，与芯部23的侧面密合而将芯部23封闭。
图7是图6的剖面图，(a)是沿着B-B线的剖面图，(b)是沿着C-C线的剖面图，(c)是沿着D-D线的剖面图。另外，图8是芯部的立体图。
如图7、图8所示，芯部23是将从上端侧(基端侧)入射的激光L朝向下端侧(前端侧)一边会聚一边使该激光L传播的光束传播部件。该芯部23从上端侧至下端侧逐渐拉深成形，能够在内部使激光L一边渐渐会聚一边传播。如果具体地说明，则芯部23从上侧起具有光束会聚部23a和近场光生成部23b。
光束会聚部23a是以从上端侧朝向下端侧与Z方向正交的截面积(XY方向的截面积)逐渐减少的方式拉深成形的部分，使所导入的激光L一边会聚一边朝向下方传播。即，能够将导入光束会聚部23a的激光L的光斑尺寸渐渐缩小为小尺寸。具体而言，光束会聚部23a由梯形部41(参照图7(c))和三角形部42(参照图7(b))构成，梯形部41在上端侧从Z方向观看时的截面形状(入射侧端面)形成为梯形状，三角形部42一体地联结至梯形部41的下端部，从Z方向观看时的截面形状形成为三角形状。
如图7(c)、图8所示，梯形部41形成为以左右方向作为长度方向(Y方向)、以前后方向(X方向)作为宽度方向的扁平形状。具体而言，梯形部41由后侧的侧面23g、从侧面23g的左右两端(Y方向两端)朝向再现元件22以前端渐细的方式延伸的一对侧面23k以及与侧面23g平行地延伸并架设于一对侧面23k彼此的侧面23j构成。梯形部41形成为，朝向下端侧而两底面(后侧的侧面23g和前侧的侧面23j)的长度(Y方向上的宽度)逐渐减少。另外，梯形部41的上端面41a(芯部23的上端面)与滑块20的上表面共面地形成，朝向外部露出。
如图7(b)、图8所示，三角形部42的底面和一对斜面由上述的侧面23g和侧面23k构成。三角形部42形成为朝向下端侧而底面(侧面23g)的长度和斜面(侧面23k)的长度逐渐减少。
如图7(a)、图8所示，近场光生成部23b是从光束会聚部23a的三角形部42的下端朝向下方进一步拉深成形的部分。近场光生成部23b从Z方向观看时的截面形状(出射侧端面)形成为三角形状。具体而言，近场光生成部23b的底面由侧面23g构成，该侧面23g与主磁极33相对配置。近场光生成部23b从侧面23g的两端(Y方向两端)朝向再现元件22(朝向X方向)形成有一对侧面23d。侧面23d以相对于激光L的光轴(Z方向)而倾斜的状态延伸，由此，近场光生成部23b成为下端侧为尖形的状态。另外，在近场光生成部23b的下端侧露出于外部的端面23e形成为三角形状。该端面23e与记录元件21的相对面21a(主磁极33、辅助磁极31以及绝缘体35的各相对面33a、31a、35a)、滑块20的ABS20c共面地形成。即，在芯部23，梯形部41的上端面41a构成从激光光源29出射的激光L的入射侧端面，近场光生成部23b的端面23e构成激光L的出射侧端面。
如图6、图7所示，包层24是这样的模制部件：由折射率比芯部23更低的材料形成，密合在侧面23d、23g、23j、23k，另一方面，以使芯部23的上下两端面41a、23e露出于外部的状态将芯部23封闭。具体而言，包层24具备第1包层24a和第2包层24b，第1包层24a形成为在芯部23和记录元件21(主磁极33)之间从后侧覆盖芯部23，第2包层24b形成为在芯部23和再现元件22之间从前侧覆盖芯部23。这样，由于第1包层24a和第2包层24b密合在芯部23的侧面23d、23g、23j、23k，因而在芯部23和包层24之间不产生间隙。
此外，如果记载用作包层24和芯部23的材料的组合的一个示例，则考虑例如由石英(SiO2)形成芯部23且由掺杂有氟的石英形成包层24的组合。在这种情况下，在激光L的波长为400nm时，芯部23的折射率成为1.47，包层24的折射率不足1.47，因而是优选的组合。
另外，还考虑由掺杂有锗的石英形成芯部23且由石英(SiO2)形成包层24的组合。在这种情况下，在激光L的波长为400nm时，芯部23的折射率比1.47大，包层24的折射率成为1.47，因而仍然是优选的组合。
尤其是，由于芯部23和包层24的折射率差越大，将激光L关入芯部23内的力就变得越大，因而更优选对芯部23使用氧化钽(Ta2O5：在波长为550nm时，折射率为2.16)，对包层24使用石英或氧化铝(Al2O3)等，增大两者的折射率差。另外，在利用红外范围的激光L的情况下，由作为相对于红外光而透明的材料的硅(Si：折射率约为4)形成芯部23也是有效的。
如图6、图7(a)所示，金属膜25由在芯部23内传播的激光L产生近场光R(参照图9)，使近场光R在近场光产生元件26的相对面26a(参照图5)和图5所示的盘面D1之间局部存在，金属膜25由例如金(Au)或铂(Pt)等构成。金属膜25配置于芯部23的下端侧(近场光生成部23b)的侧面23g上，与从第1包层24a和第2包层24b露出的主磁极33的前端部分33b接触。
遮光膜27用于将从外部入射至近场光生成部23b的光遮断，由铝(Al)等高反射率的材料构成。该遮光膜27形成为覆盖近场光生成部23b的侧面23d。即，近场光生成部23b的侧面23g被金属膜25覆盖，侧面23d被遮光膜27覆盖。此外，在本实施方式中，遮光膜27遍及Z方向上的比金属膜25更广的范围而形成，但只要形成于在Z方向上与金属膜25同等以上的范围即可。
再现元件22是对应从盘D的垂直记录层d2(参照图5)漏出的磁场的大小而变换电阻的磁阻效应膜，形成于将近场光产生元件26夹在其间而与记录元件21相反的一侧的包层24(第2包层24b)的前端面。将偏置电流从控制部8经由后述的电布线56供给至该再现元件22。由此，控制部8能够将从盘D漏出的磁场的变化作为电压的变化而检测，能够根据该电压的变化而进行信号的再现。
在上述的记录再现头2的滑块20，搭载有激光光源29。激光光源29具有固定于滑块20的上表面的激光器支架43和固定于激光器支架43的前端面43a的半导体激光器芯片44。
激光器支架43是由例如与滑块20相同的材料构成且XY方向上的外形与滑块20同等地形成的板状的部件，上表面侧固定于万向架17的后述的衬垫部17b。即，滑块20以将激光器支架43夹持在与衬垫部17b之间的状态固定于衬垫部17b。此外，虽然图中未显示，后述的电布线56(参照图5)固定于激光器支架43，电连接至形成于激光器支架43的前端面43a的图中未显示的电极垫。
半导体激光器芯片44安装在形成于激光器支架43的前端面43a的图中未显示的电极垫上。在这种情况下，半导体激光器芯片44以激光L的出射侧端面44a朝向下方的状态且以与芯部23的梯形部41的上端面41a相对的方式配置。此外，本实施方式的半导体激光器芯片44出射光斑形状是以X轴方向作为短轴方向、以Y方向作为长轴方向的椭圆形状的激光L。另外，在半导体激光器芯片44的出射侧端面44a和梯形部41的上端面41a之间具有间隔K，但也可以使具有与芯部23同等的折射率的油等介入该间隔K内。
在此，上述的梯形部41的上端面41a的形状与从半导体激光器芯片44出射并入射至上端面41a时的激光L的光斑形状配合地形成。在本实施方式中，如图7(c)所示，上端面41a的宽度方向(前后方向)的长度T1(侧面23g、23h之间的长度)形成为激光L的短轴方向的长度以上，前后方向中央部的长度方向(左右方向)的宽度T2形成为激光L的长轴方向的长度以上。
此外，如图5所示，本实施方式的盘D使用由沿与盘面D1垂直的方向具有磁化容易轴的垂直记录层d2和由高导磁率材料构成的软磁性层d3的至少2层构成的垂直2层膜盘D。作为这样的盘D，使用例如将软磁性层d3、中间层d4、垂直记录层d2、保护层d5、润滑层d6按照顺序成膜于基板d1上的盘。
作为基板d1，是例如铝基板或玻璃基板等。软磁性层d3是高导磁率层。中间层d4是垂直记录层d2的晶体控制层。垂直记录层d2成为垂直各向异性磁性层，使用例如CoCrPt系合金。保护层d5用于保护垂直记录层d2，使用例如DLC(类金刚石碳)膜。润滑层d6使用例如氟系的液体润滑材料。
另外，如图1所示，在滑架11的基部15的侧面15c，配置有终端基板55。该终端基板55成为将设在壳体9的控制部8和记录再现头2电连接时的中继点，在该终端基板55的表面，形成有各种控制电路(图中未显示)。
控制部8和终端基板55由具有可挠性的扁平电缆4电连接，另一方面，终端基板55和记录再现头2由电布线56连接。该电布线56与针对每个滑架11而设置的记录再现头2相对应地设置3组，将对应信息而调制成从控制部8经由扁平电缆4而输出的信号的电流，经由电布线56供给至记录再现头2。
电布线56从终端基板55的表面通过臂部14的侧面而迂回至臂部14上。具体而言，如图2～图4所示，电布线56在臂部14和悬架3上配置于弯曲件54的支撑体18上，以将支撑体18夹在其间的状态迂回至悬架3的前端。
而且，电布线56在悬架3的前端(万向架17的中间位置)分支成用于将电流供给至再现元件22及记录元件21的第1电布线57，和用于将电流供给至激光光源29的第2电布线58。
具体而言，第1电布线57在电布线56的前端侧的分支地点朝向万向架17的外周部分弯曲，从万向架17的外周部分(切口部59的外侧)迂回。而且，从切口部59的外侧迂回的第1电布线57通过联结部17a上而连接至记录再现头2的前端面侧。即，第1电布线57相对于设在滑块20的前端面侧的再现元件22和记录元件21的各个，从记录再现头2的外部直接连接。
另一方面，第2电布线58从上述的分支地点沿着万向架17的长度方向(X方向)延伸，跨过万向架17的切口部59而从记录再现头2的后端面侧直接连接至激光器支架43。而且，第2电布线58连接至形成于激光器支架43的前端面43a的电极垫，将电流经由该电极垫而供给至半导体激光器芯片44。另外，第2电布线58在分支地点从万向架17的下表面离开，以随着从分支地点朝向记录再现头2的前端面侧而在以架设在衬垫部17b和万向架17之间的方式稍微浮起的状态下延伸。即，在万向架17的下表面，第2电布线58以接近直线地(曲率半径接近无限大)延伸的状态从记录再现头2的宽度方向(Y方向)中央部迂回至记录再现头2的后侧。
(信息记录再现方法)
接着，以下，对由这样地构成的信息记录再现装置1将各种信息记录再现于盘D的情况进行说明。
首先，如图1所示，驱动主轴电动机6，使盘D沿一定方向旋转。接下来，使致动器5工作，通过滑架11使悬架3沿XY方向扫描。由此，能够使记录再现头2位于盘D上的期望的位置。此时，记录再现头2通过形成在滑块20的相对面20a的2个凸条部20b而受到浮起的力，并且，由悬架3等以既定的力按压在盘D侧。如图2所示，由于该两者的力的平衡而导致记录再现头2浮起至从盘D上离开既定距离H的位置。
另外，即使记录再现头2受到起因于盘D的起伏而产生的风压，由于能够由悬架3吸收Z方向的位移，并且，由万向架17围绕XY轴位移，因而也能够吸收起因于起伏的风压。因此，能够使记录再现头2以稳定的状态浮起。
图9是利用信息记录再现装置来记录再现信息时的说明图，是与图6相当的放大剖面图。
在此，在进行信息的记录的情况下，如图9所示，控制部8使激光光源29工作，使激光L出射，并且，将对应信息而调制的电流供给至线圈34，使记录元件21工作。
首先，从激光光源29出射激光L，使该激光L从芯部23的上端面41a入射至芯部23的光束会聚部23a内。在光束会聚部23a传播的激光L一边朝向位于盘D侧的下端侧在芯部23和包层24之间反复进行全反射，一边传播。尤其是，由于包层24密合在芯部23的侧面23k、23d，因而光不泄漏至芯部23的外部。因而，能够使所导入的激光L一边不浪费地收缩，一边传播至下端侧而入射至近场光生成部23b。
此时，芯部23以与Z方向正交的截面积逐渐减少的方式拉深成形。因此，激光L随着在光束会聚部23a内传播而渐渐集中，光斑尺寸变小。
接下来，光斑尺寸变小的激光L入射至近场光生成部23b。将该近场光生成部23b朝向下端侧进一步拉深成形，端面23e成为光的波长以下的尺寸。在这种情况下，近场光生成部23b的2个侧面23d由遮光膜27遮光。因而，入射至近场光生成部23b的激光L不泄漏至第2包层24b侧地一边被遮光膜27和近场光生成部23b的界面反射一边传播。然后，如果在近场光生成部23b传播的激光L入射至金属膜25，那么，在金属膜25激发表面等离子体激元。所激发的表面等离子体激元一边通过共振效应而增强，一边沿着金属膜25和芯部23(近场光生成部23b)的界面并朝向芯部23的下端侧传播。然后，在到达下端侧的时刻，成为光强度强的近场光R而漏出至外部。即，能够使近场光R在近场光产生元件26的下端侧和盘D之间局部存在。于是，盘D由该近场光R局部地加热，顽磁力暂时地下降。
另一方面，如果由控制部8将电流供给至线圈34，那么，根据电磁铁的原理，电流磁场在磁路32内产生磁场，因而能够在主磁极33和辅助磁极31之间产生相对于盘D垂直的方向的记录磁场。于是，从主磁极33侧产生的磁通量笔直地穿过盘D的垂直记录层d2而到达软磁性层d3。由此，能够在垂直记录层d2的磁化垂直地朝向盘面D1的状态下进行记录。另外，到达软磁性层d3的磁通量经由软磁性层d3而返回至辅助磁极31。此时，在返回至辅助磁极31时，不对磁化的方向造成影响。这是因为，由于与盘面D1相对的辅助磁极31的面积比主磁极33更大，因而磁通量密度大，不产生使磁化反转的程度的力。即，能够仅在主磁极33侧进行记录。
结果，能够通过使近场光R和由两磁极31、33产生的记录磁场协作的混合磁记录方式而进行信息的记录。而且，由于通过垂直记录方式进行记录，因而难以受到热波动现象等的影响，能够进行稳定的记录。因而，能够提高写入的可靠性。
另外，在再现记录于盘D的信息的情况下，在盘D的顽磁力暂时地下降时，再现元件22受到从盘D的垂直记录层d2漏出的磁场，电阻对应该磁场的大小而变化。因而，再现元件22的电压变化。由此，控制部8能够将从盘D漏出的磁场的变化作为电压的变化而检测。而且，控制部8根据该电压的变化而进行信号的再现，从而能够进行记录于盘D的信息的再现。
(记录再现头的制造方法)
接着，对具有上述的近场光产生元件26的记录再现头2的制造方法进行说明。图10～图13是与图7相当的图，是用于说明近场光产生元件的制造方法的工序图。此外，在图10～图13中，(a)相当于图7(c)，(b)相当于图7(a)。另外，在以下的说明中，对记录再现头2的制造工序中主要是近场光产生元件的制造工序具体地进行说明。
在本实施方式中，在将记录元件21、近场光产生元件26以及再现元件22按照顺序形成于成为滑块20的基板120(例如，AlTiC(碳化铝钛)等)上之后，通过切割而制造记录再现头2。
首先，如图10所示，在基板120上形成记录元件21(参照图6)，用绝缘体35模制。随后，在绝缘体35上成膜近场光产生元件26和金属膜25的母材(第1包层形成工序和芯部形成工序)。具体而言，按照第1包层24a、金属膜25(例如，20nm左右)、芯部23(数μm左右)的顺序将母材(第1包层母材124a、金属膜母材125以及芯部母材123)成膜在基板120(绝缘体35)上。此外，在各母材124a、125、123成膜之后，通过CMP(化学机械抛光：ChemicalMechanicalPolishing)等将各个表面研磨以形成平坦面。
此外，优选，金属膜母材125在成膜于第1包层母材124a上的整个面之后，以仅残存于既定的区域的方式预先进行构图。在本实施方式中，以至少在Z方向上残存于芯部母材123的与近场光生成部23b(参照图6)相当的区域的方式(以除去与光束会聚部23a(参照图6)相当的区域的金属膜母材125的方式)对金属膜母材125进行构图。在这种情况下，如图10(b)所示，在与近场光生成部23b相当的区域，将金属膜母材125夹持在芯部母材123和第1包层母材124a之间，如图10(a)所示，在除此以外的区域，芯部母材123和第1包层母材124a密合。
接下来，如图11所示，在芯部母材123上，使用光刻技术来形成应该除去芯部母材123的区域开口的掩模图案(图中未显示)，经由该掩模图案而进行反应性离子蚀刻(RIE)(第1构图工序)。由此，对掩模图案开口的区域的芯部母材123垂直地进行蚀刻，形成从Z方向观看时矩形状的芯部母材123。另外，芯部母材123形成为从X方向观看时从上端侧至下端侧前端渐细的梯形状。
接着，如图12所示，在氩(Ar)等等离子体中，对芯部母材123和金属膜母材125进行溅射蚀刻(第2构图工序)。在第2构图工序中，如果对截面矩形状的芯部母材123进行溅射蚀刻，则选择性地对芯部母材123的各角部进行蚀刻而形成斜面。然后，如果在该状态下进一步继续蚀刻，那么，斜面一边相对于底面(在图7中相当于侧面23g)保持固定的角度一边被蚀刻。
随后，如果进一步继续蚀刻，则芯部母材123一边保持相似形状，一边缩小宽度(Y方向上的宽度)和高度(X方向上的高度)。
此外，如果在该状态下进一步继续蚀刻，那么，芯部23依然保持相似形状地被蚀刻，并且，金属膜母材125被蚀刻。由此，形成具有与芯部23的侧面23g相同的宽度的金属膜25。
这样，通过对在第1构图工序中形成为矩形状的芯部母材123进行溅射蚀刻，从而能够将芯部23形成为从Z方向观看时任意的宽度或高度。此时，如图12(a)所示，通过使顶面(侧面23j)残存于芯部母材123的与光束会聚部23a的上端部相当的区域，从而能够将芯部23的上端侧形成为从Z方向观看时的截面形状为梯形状的梯形部41。
接着，如图13所示，以覆盖芯部23的方式形成遮光膜27(遮光膜形成工序)。具体而言，以遮光膜27残存于芯部23的的侧面23d的相当于近场光生成部23b的区域的方式进行构图。
然后，以覆盖芯部23和遮光膜27的方式形成第2包层24b(第2包层形成工序)。随后，通过CMP等将第2包层24b的表面研磨而形成为平坦面。然后，在第2包层24b上形成再现元件22。由此，在基板120上形成记录元件21、近场光产生元件26以及再现元件22。
接下来，将基板120切割成长方状，形成多个滑块20沿着一个方向(Y方向)相连的状态的棒(图中未显示)。随后，研磨所切割的棒的侧面(切断面)(研磨工序)。
随后，以成为每个滑块20的大小的方式将棒切断(滑块工序)。
最后，在滑块20的上表面搭载激光光源29。具体而言，半导体激光器芯片44以激光L的出射侧端面朝向下方的状态且以与芯部23的梯形部41的上端面41a相对的方式配置。
通过以上，完成具有上述的近场光产生元件26的记录再现头2。
这样，在本实施方式中，构成为芯部23的上端面41a的长度方向和宽度方向的长度与入射至芯部23的激光L的长轴方向和短轴方向的长度配合地形成。
依据该构成，在使例如半导体激光等光斑形状为椭圆形状的激光L导入的情况下，也能够将从激光光源29出射的激光L不泄漏地导入。另外，与仅增大现有的芯部形状(例如，三角形状等)的情况不同，能够尽可能地减小芯部23的上端面41a的长度方向和宽度方向的长度。
结果，在谋求芯部23的小型化的基础上，能够确保足够的光量，能够提高近场光R的产生效率。
另外，通过在滑块20直接搭载激光光源29，从而能够将从激光光源29出射的激光L直接导入芯部23。由此，与例如将激光光源设置于记录再现头的外部的情况不同，由于没有必要使用用于将激光L引导至芯部23的光波导等，因而不考虑光波导等上的激光的损失。所以，能够使更足够的光量导入芯部23。另外，能够削减设置光波导的部分的成本和制造工时。
而且，由于本发明的信息记录再现装置1具备上述的记录再现头2，因而能够抑制上述的热波动现象等的影响而进行稳定的记录。因而，能够正确且高密度地进行信息的记录再现，能够谋求高品质化。
(第2实施方式)
接着，对本发明的第2实施方式进行说明。图14是将第2实施方式的记录再现头的前侧放大的剖面图。此外，在以下的说明中，对与上述的第1实施方式同样的构成标记同样的符号，省略说明。在本实施方式中，在芯部23的下端侧为2层构造这点上与上述的第1实施方式不同。
如图14所示，本实施方式的记录再现头2将近场光产生元件26、记录元件21以及再现元件22按照顺序沿着X方向配置于滑块20的前端面上。
近场光产生元件26的芯部23的下端侧从Z方向观看时由三角形状的第1芯部64和形成为覆盖第1芯部64的第2芯部65构成。在这种情况下，第1芯部64在Z方向上形成于滑块20的前端面的整个区域，构成芯部23的整体(上述的光束会聚部23a至近场光生成部23b)。另一方面，第2芯部65在Z方向上形成为覆盖第1芯部64的下端侧，构成光束会聚部23a的下端侧至近场光生成部23b。此外，第2芯部65的形成区域不限于上述的范围，也可以形成为覆盖第1芯部64整体。
另外，记录元件21被模制在第2包层24b内，并且，主磁极33的前端部分33b配置为覆盖芯部23的侧面23d(参照图7(a))。即，本实施方式的主磁极33的前端部分33b还兼具与上述的遮光膜27(参照图7)同样的作用。
依据该构成，在滑块20的侧面上，沿着盘D的旋转方向配置有近场光产生元件26、记录元件21以及再现元件22。在这种情况下，盘D在由先从近场光产生元件26产生的近场光R加热之后，以保持力可靠地下降的状态通过记录元件21的下方，因而能够顺利地且高精度地进行向盘D的记录。
尤其是，在本实施方式中，通过以覆盖第1芯部64的方式形成第2芯部65，从而，与第1芯部64配合而形成的金属膜25的宽度与芯部23整体(第1芯部64和第2芯部65)的侧面23g的宽度相比形成得较窄。因此，在抑制在芯部23内传播的激光L的传播效率的下降的基础上，能够谋求近场光R的光斑尺寸的缩小。由此，由于能够在确保光量的基础上缩小近场光R的光斑尺寸，因而能够更局部地加热盘D。
(第3实施方式)
接着，对本发明的第3实施方式进行说明。图15是将第3实施方式的记录再现头的前侧放大的剖面图，图16是图15的E向视图。
如图15、图16所示，本实施方式的记录再现头2在记录元件21的线圈34和主磁极33之间配置有近场光产生元件26。本实施方式的记录元件21具备被模制在第1包层24a内的辅助磁极31和线圈34、被模制在第2包层24b内的主磁极33以及配置于辅助磁极31和主磁极33之间的磁轭135。
辅助磁极31配置于再现元件22上，并且，与沿着X方向延伸的磁轭135的一端侧连接。线圈34以磁轭135为中心在磁轭135的周围以螺旋状形成。另外，在磁轭135，形成有沿Z方向贯通的贯通孔135a，以贯通于该贯通孔135a内的方式配置有芯部23。而且，在磁轭135的下端(将芯部23夹在其间而与辅助磁极31相反的一侧)，连接有主磁极33。
另外，如上所述，在盘D旋转时，如果记录再现头2通过凸条部20b而受到浮起的力，则记录再现头2浮起至从盘D上离开既定距离H的位置(参照图2)。此时，如果对浮起时的滑块20的姿势更详细地进行说明，则滑块20相对于盘面D1不是水平，而且稍微倾斜。具体而言，在滑块20的流出端侧最接近盘D的状态下，以盘面D1和滑块20的ABS20c所构成的角度保持微小角度的方式倾斜。
于是，依据本实施方式，由于能够在滑块20的最前端侧配置近场光产生元件26和主磁极33，因而能够以最接近盘D的状态产生近场光产生元件26所导致的近场光R和主磁极33所导致的磁场。由此，能够顺利地且高精度地进行向盘D的记录。
(第4实施方式)
接着，对本发明的第4实施方式进行说明。图17是将第4实施方式的记录再现头的前侧放大的剖面图。在上述的各实施方式中，对从半导体激光器芯片44朝向下方出射激光L的构成进行了说明，但在本实施方式中，对朝向前方出射激光L的构成进行说明。
如图17所示，本实施方式的激光光源129具备搭载于滑块20的上表面的半导体激光器芯片144。半导体激光器芯片144以激光L的出射侧端面朝向前方的状态配置。此外，本实施方式的半导体激光器芯片144出射光斑形状是以Y轴方向作为长轴方向、以Z方向作为短轴方向的椭圆形状的激光L。
另外，在半导体激光器芯片144的出射端面侧，设有微镜150。因此，从半导体激光器芯片144出射的激光L由微镜150以90度反射而导入芯部23内。在这种情况下，上端面41a的宽度方向(前后方向)的长度T1(侧面23g、23h之间的长度)形成为光斑形状的短轴方向的长度以上，前后方向中央部的长度方向的宽度T2形成为光斑形状的长轴方向的长度以上(参照图7(c))。
这样，从半导体激光器芯片144出射的激光L的出射方向朝向前方，由此，与如现有技术那样出射方向朝向下方而配置的情况相比，能够缩小记录再现头2的上下方向(Z方向)的宽度。
此外，本发明的技术范围并不限定于上述的各实施方式，还包括在不脱离本发明的要旨的范围内对上述的实施方式施加各种变更的实施方式。即，在上述的实施方式中列举的构成等只不过是一个示例，能够适当变更。
例如，在上述的实施方式中，举例说明了使记录再现头浮起的空气浮起类型的信息记录再现装置，但不限于这种情况，如果与盘面相对配置，则盘和记录再现头也可以接触。即，本发明的记录再现头也可以是接触滑块类型的记录再现头。在这种情况下，也能够起到同样的作用效果。
另外，也可以将各实施方式适当组合。
另外，在上述的实施方式中，将本发明的记录再现头2用于对盘D施加垂直的记录磁场的垂直磁记录方式的情况进行了说明，但不限于此，也可以用于对盘D施加水平的记录磁场的面内记录方式。
另外，在上述的实施方式中，在第1构图工序中，对芯部母材123进行垂直蚀刻，在第2构图工序中，进行除去芯部母材123的角部的倾斜蚀刻，由此，形成本实施方式的芯部23。然而，不限于此，也可以对形成于基板120上的芯部母材123进行一次蚀刻而形成芯部23。
而且，也可以在金属膜25和第1包层24a之间也形成遮光膜27。即，也可以遍及芯部23的整周而形成遮光膜27。在这种情况下，不在金属膜25引起等离子体激元共振而使透射金属膜25的激光L反射返回至芯部23内，由此，能够使激光L再次入射至金属膜25。由此，能够进一步提高近场光R的产生效率。
另外，本实施方式的芯部23(梯形部41)的上端面41a的形状能够与激光L的光斑直径配合地适当设计变更。而且，上端面41a的形成不限于梯形状，能够适当设计变更为矩形状或五边形状、六边形状等多边形状或者圆形状或椭圆形状、扇形状等具有弯曲部的形状等。
另外，也可以构成为不在滑块20的上表面侧直接搭载激光光源29而将从激光光源29出射的激光L经由光波导入射至近场光产生元件26。

Claims (4)

1.一种记录头，具备：
滑块，与沿一定方向旋转的磁记录介质的表面相对配置；
光束传播元件，被保持在所述滑块，将从光源出射的光束朝向所述磁记录介质的表面一边会聚一边传播；以及
记录元件，对所述磁记录介质施加记录磁场，
所述记录头的特征在于：
所述光束传播元件具有一边使所述光束反射一边将所述光束向所述磁记录介质的方向引导的芯部和将所述芯部包入内部的包层，
所述芯部的所述光束的入射侧端面的长度方向和宽度方向的长度，与入射至所述芯部的光束的长轴方向和短轴方向的长度配合地形成，
所述芯部的所述入射侧端面的形状形成为梯形状，另一方面，出射侧端面的形状形成为三角形状。
2.如权利要求1所述的记录头，其特征在于：
所述光源直接搭载于所述滑块。
3.一种记录头的制造方法，是权利要求1或2所述的记录头的制造方法，其特征在于，具有：
第1包层形成工序，在所述滑块上形成所述包层中的第1包层；
芯部形成工序，在所述第1包层上形成所述芯部的母材；
构图工序，对所述芯部的母材进行构图；以及
第2包层形成工序，以将所述芯部夹入与所述第1包层之间的方式形成所述包层中的第2包层，
在所述构图工序中，
使所述芯部的所述光束的入射侧端面的长度方向和宽度方向的长度与入射至所述芯部的光束的长轴方向和短轴方向的长度配合地进行构图。
4.一种信息记录再现装置，其特征在于，具备：
权利要求1或2所述的记录头；
悬架，能够沿与所述磁记录介质的表面平行的方向移动，以围绕与所述磁记录介质的表面平行且互相正交的2轴转动自如的状态在前端侧支撑所述记录头；
致动器，支撑所述悬架的基端侧，并且，使所述悬架朝向与所述磁记录介质的表面平行的方向移动；
旋转驱动部，使所述磁记录介质沿所述一定方向旋转；以及
控制部，控制所述记录元件和所述光源的工作。
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