CN102456783B - 垂直结构的紫外光发光二极管芯片及其制造方法 - Google Patents
垂直结构的紫外光发光二极管芯片及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102456783B CN102456783B CN201010513661.6A CN201010513661A CN102456783B CN 102456783 B CN102456783 B CN 102456783B CN 201010513661 A CN201010513661 A CN 201010513661A CN 102456783 B CN102456783 B CN 102456783B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type semiconductor
- semiconductor layer
- light
- ultraviolet light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 86
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000013517 stratification Methods 0.000 claims description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/405—Reflective materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其包括导电基板及依次堆叠于该导电基板的一个表面的P型半导体层、半导体激发层及N型半导体层，导电基板与P型半导体层之间设置反射层，发光二极管芯片还包括光路转换层，该光路转换层位于该发光二极管芯片的电流扩散区域之外并通过间隙与半导体激发层隔开，半导体激发层侧向发出的光线经过反射层的反射后射入该光路转换层内，该光路转换层对光线进行会聚。与现有技术相比，本发明在保证不影响发光二极管芯片的电流扩散的情况下，充分利用在电流扩散区域之外的区域对半导体激发层发出的光线进行会聚，提升整个发光二极管芯片的出光效率。本发明还提供一种垂直结构的紫外光发光二极管芯片的制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种垂直结构的发光二极管芯片，特别是指一种垂直结构的紫外光发光二极管芯片及其制造方法。
背景技术
垂直结构的发光二极管芯片包括一导电基板及依次堆叠于导电基板上的P型半导体层、半导体激发层及N型半导体层。由于导电基板与P型半导体层的热膨胀系数差异较大，在N型半导体层上无法通过高温回火生长电流扩散层。因此，电流无法流至发光二极管芯片的边缘，造成发光面积的损失和浪费，致使发光二极管芯片的发光效率降低。
发明内容
本发明旨在提供一种提升发光效率的垂直结构的紫外光发光二极管芯片及其制造方法。
一种垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其包括导电基板及依次堆叠于该导电基板的一个表面的P型半导体层、半导体激发层及N型半导体层，所述导电基板与P型半导体层之间设置反射层，所述发光二极管芯片还包括光路转换层，该光路转换层位于该发光二极管芯片的电流扩散区域之外并通过间隙与半导体激发层隔开，半导体激发层侧向发出的光线经过反射层的反射后射入该光路转换层内，该光路转换层对光线进行会聚。
一种垂直结构的紫外光发光二极管芯片的制造方法，包括如下步骤：
1)提供一绝缘基板，在该绝缘基板上依次生长N型半导体层、半导体激发层及P型半导体层；
2)利用晶圆结合技术将导电基板与P型半导体层结合，并在导电基板与P型半导体层之间形成反射层；
3)利用激光剥离(Laser Lift-Off)技术将所述绝缘基板与N型半导体层分离；
4)在电流扩散区域之外，蚀刻N型半导体层、半导体激发层及P型半导体层形成若干不连续的沟槽，沟槽外侧形成光路转换层。
上述发光二极管芯片中，在保证不影响发光二极管芯片的电流扩散的情况下，充分利用在电流扩散区域之外的区域对半导体激发层发出的光线进行会聚，提升整个发光二极管芯片的出光效率。
下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明一实施例的垂直结构的紫外光发光二极管芯片的剖面图。
图2为图1的垂直结构的紫外光发光二极管芯片的俯视图。
图3为制造本发明一实施例的垂直结构的紫外光发光二极管芯片的流程。
主要元件符号说明
导电基板 10
P型半导体层 20
半导体激发层 30
N型半导体层 40
反射层 50
电极 60
沟槽 70
光路转换层 80
电流扩散区域 90
具体实施方式
图1示出了本发明的一实施例的垂直结构的紫外光发光二极管芯片。该垂直结构的紫外光发光二极管芯片包括一导电基板10、一设置于导电基板10上表面的反射层50、一堆叠于反射层50上表面的磊晶层及一设置于磊晶层上的电极60。该磊晶层包括依次堆叠于反射层50上的一P型半导体层20、一半导体激发层30及一N型半导体层40。反射层50用以反射由半导体激发层30发出的光线。P型半导体层20及N型半导体层40用于提供流动的电子/空穴，使电子与空穴能在介于P型半导体层20及N型半导体层40之间的半导体激发层30相结合而向四周辐射出光子。
在本实施例中，导电基板10可由氮化镓(GaN)基板、碳化硅(SiC)、硅(Si)、铜(Cu)、钨化铜(CuW)等导电材质所制成。
在本实施例中，N型半导体层40可为N型氮化铝镓层或N型氮化镓层，因为氮化铝镓对紫外光的吸收较小，所以本实施例中的N型半导体层40优选为N型氮化铝镓层。本实施例中的P型半导体层20为P型氮化镓层。本实施例中的半导体激发层30可为单量子阱或多量子阱层。
在本实施例中，反射层50可为铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)中的一种材料或者铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)中的任意两种或者两种以上材料的合金。
在本实施例中，电极60为圆形。在其他实施例中，电极60可为其他形状，例如，方形。
请同时参阅图2，所述发光二极管芯片在电极60的周围开设有若干沟槽70。这些沟槽70在电极60的周围呈不连续分布。在本实施例中，这些沟槽70位于电极60周围的同一个圆周内，也就是说，这些沟槽70共同围成一个不连续的圆圈。在其他实施例中，这些沟槽70在电极60外形成的形状可为其他形状，例如方形、椭圆形，只要保证这些沟槽70开设之后，沟槽70外侧的磊晶层与沟槽70内侧磊晶层通过两相邻沟槽70之间的部分(如图2所示的长度为L的部分)而仍然保持电连接关系。在本实施例中，每一沟槽70由发光二极管芯片的顶面延伸至所述反射层50的顶面。每一沟槽70的外侧对应形成有一光路转换层80。每一沟槽70作为间隙将该光路转换层80与半导体激发层30分隔开。该光路转换层80与磊晶层的结构相同。该光路转换层80会聚半导体激发层30侧向发出的光线。如图1所示，沟槽70内侧的磊晶层的侧向发出的光线投射到反射层50上，经过反射层50的反射后进入该光路转换层80内，经过光路转换层80的反射、折射将光线会聚至发光二极管芯片的上方。
由于导电基板10与P型半导体层20的热膨胀系数差异较大，在N型半导体层40上无法通过高温回火生长电流扩散层。因此，所述发光二极管芯片会形成一电流扩散区域90。该电流扩散区域90的面积小于N型半导体层40与电极60的面积差。在该电流扩散区域90内，电子与空穴在半导体激发层30相结合而辐射出光子。在电流扩散区域90之外，极少数电子与空穴在半导体激发层30结合而辐射出光子。所述沟槽70开设于该电流扩散区域90之外，使得沟槽70对电流的分布没有影响或影响不大。通过实验验证，由于在N型半导体层40上无法生长电流扩散层，且紫外光的发光二极管芯片所用的N型氮化铝镓层的阻值较高，所以电流扩散区域90的范围相对较小。以长度与宽度均为300um的垂直结构的紫外光发光二极管芯片为例，该发光二极管芯片的电流扩散区域90为距离电极60的外缘90um的面积内，也就是说，在与电极60外缘距离大于90um之外，电流密度急剧下降至原来的电流密度的0.36倍。因此，在电流扩散区域90之外，发光二极管芯片的发光效率很差。在电流扩散区域90之外开设沟槽70，在不影响发光二极管芯片的主要发光区域下，充分利用电流扩散区域90之外的区域。
在本实施例中，所述电极60为圆形，电流扩散区域90大致为一圆环形区域。在其他实施例中，当电极60为方形时，电流扩散区域90为方环状。总之，电流扩散区域90的外围与电极60的外缘形状相一致。
以长度与宽度均为300um的垂直结构的紫外光发光二极管芯片为例，两相邻沟槽70之间的部分沿周向的长度L取值为10um～50um，沟槽70沿径向的宽度d取值为1um～20um。
所述沟槽70开设于该电流扩散区域90之外且沟槽70呈不连续发布，使得两相邻沟槽70之间的部分(如图2所示的长度为L的部分)附近的电流集中于此，提高光路转换层80的发光效率，进而提高整个发光二极管芯片的发光效率。
本实施例在保证不影响发光二极管芯片的电流扩散的情况下，充分利用在电流扩散区域90之外的区域对半导体激发层30发出的光线进行会聚，提升整个发光二极管芯片的出光效率。本实施例的提升出光效率的效果对于采用铜(Cu)基板或钨化铜(CuW)基板的垂直结构的紫外光发光二极管芯片尤为显著。
请同时参阅图3，本发明同时还提供一种制造上述发光二极管芯片的方法，包括以下步骤：
a)提供一绝缘基板，在该绝缘基板上生长一磊晶层，该磊晶层包括依次堆叠于该绝缘基板上的N型半导体层40、一半导体激发层30及一P型半导体层20；
b)在P型半导体层20上蒸镀反射层50；
c)利用电镀或晶圆结合技术将一导电基板10与反射层50结合；
d)利用激光剥离(Laser Lift-Off)技术将绝缘基板与N型半导体层40分离；
e)在电流扩散区域之外，自磊晶层的远离该导电基板10的表面向该导电基板10的方向上蚀刻磊晶层而形成若干不连续的沟槽70，磊晶层位于每一沟槽70外的部分形成一光路转换层80，该沟槽70将光路转换层80与电流扩散区域90内的磊晶层分隔开；
上述步骤还包括在步骤d)与步骤e)之间增加在磊晶层的远离导电基板10的表面(即N型半导体层40的表面)上蒸镀电极60的过程。
上述步骤b)和c)可以合二为一成为步骤a’)利用晶圆结合技术将一导电基板10与磊晶层的P型半导体层20结合，其中的结合材料(bonding material)与反射层50的材料相同，从而在导电基板10与P型半导体层20之间形成反射层50。
Claims (10)
1.一种垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其包括导电基板及依次堆叠于该导电基板的一个表面的P型半导体层、半导体激发层及N型半导体层，其特征在于：所述导电基板与P型半导体层之间设置反射层，所述发光二极管芯片还包括光路转换层，该光路转换层位于该发光二极管芯片的电流扩散区域之外并通过间隙与半导体激发层隔开，半导体激发层侧向发出的光线经过反射层的反射后射入该光路转换层内，该光路转换层对光线进行会聚。
2.如权利要求1所述的垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其特征在于：所述发光二极管芯片还包括一堆叠于N型半导体层上方的一电极，所述光路转换层是通过围绕于该电极周围的沟槽与所述半导体激发层相互分隔。
3.如权利要求2所述的垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其特征在于：所述沟槽在所述电极的周围呈不连续分布。
4.如权利要求3所述的垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其特征在于：所述沟槽在围绕于所述电极周围的同一个圆周内呈不连续分布。
5.如权利要求2所述的垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其特征在于：所述沟槽是通过蚀刻所述N型半导体层、半导体激发层及P型半导体层而成，所述沟槽的外侧形成所述光路转换层。
6.如权利要求第1项至第5项任意一项所述的垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其特征在于：所述导电基板为铜基板或钨化铜基板。
7.如权利要求6所述的垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其特征在于：所述反射层为铝、银、金、镍中的一种材料或者铝、银、金、镍中的两种或两种以上材料的合金。
8.如权利要求6所述的垂直结构的紫外光发光二极管芯片，其特征在于：所述N型半导体层为N型氮化铝镓层。
9.一种如权利要求1所述的垂直结构的紫外光发光二极管芯片的制造方法，包括如下步骤：
步骤1，提供一绝缘基板，在该绝缘基板上依次生长N型半导体层、半导体激发层及P型半导体层；
步骤2，利用晶圆结合技术将导电基板与P型半导体层结合，并在导电基板与P型半导体层之间形成反射层；
步骤3，利用激光剥离技术将所述绝缘基板与N型半导体层分离；
步骤4，在电流扩散区域之外，蚀刻N型半导体层、半导体激发层及P型半导体层形成若干不连续的沟槽，沟槽外侧形成光路转换层。
10.如权利要求9所述的垂直结构的紫外光发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤2中分为两个步骤a和b，其中步骤a为在P型半导体层上蒸镀反射层；步骤b为利用晶圆结合技术将导电基板与反射层结合。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010513661.6A CN102456783B (zh) | 2010-10-20 | 2010-10-20 | 垂直结构的紫外光发光二极管芯片及其制造方法 |
| US13/214,254 US8536597B2 (en) | 2010-10-20 | 2011-08-22 | Light emitting diode with peripheral circular slots and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010513661.6A CN102456783B (zh) | 2010-10-20 | 2010-10-20 | 垂直结构的紫外光发光二极管芯片及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102456783A CN102456783A (zh) | 2012-05-16 |
| CN102456783B true CN102456783B (zh) | 2014-11-05 |
Family
ID=45972222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201010513661.6A Expired - Fee Related CN102456783B (zh) | 2010-10-20 | 2010-10-20 | 垂直结构的紫外光发光二极管芯片及其制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8536597B2 (zh) |
| CN (1) | CN102456783B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107706275B (zh) * | 2017-09-29 | 2023-10-13 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管芯片、面板及其制作方法 |
| CN109728150A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-07 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种垂直led芯片及其制备方法 |
| CN110931614B (zh) * | 2019-05-08 | 2021-08-13 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种正装集成单元二极管芯片 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003015185A1 (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-20 | Comlase Ab | A method to gaas based lasers and a gaas based laser |
| CN101355128A (zh) * | 2007-07-26 | 2009-01-28 | 三垦电气株式会社 | 半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4894411B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2012-03-14 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子 |
-
2010
- 2010-10-20 CN CN201010513661.6A patent/CN102456783B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-08-22 US US13/214,254 patent/US8536597B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003015185A1 (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-20 | Comlase Ab | A method to gaas based lasers and a gaas based laser |
| CN101355128A (zh) * | 2007-07-26 | 2009-01-28 | 三垦电气株式会社 | 半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP特开2008-53344A 2008.03.06 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102456783A (zh) | 2012-05-16 |
| US8536597B2 (en) | 2013-09-17 |
| US20120097976A1 (en) | 2012-04-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6530442B2 (ja) | 反射構造を有する半導体発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| US9142742B2 (en) | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate | |
| JP4770785B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| CN102130285B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| JP2010157679A (ja) | 発光ダイオードのチップレベルパッケージ | |
| JP6410870B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| CN102332521A (zh) | 具有点状分布n电极的氮化镓基发光二极管及其制备方法 | |
| CN106981550B (zh) | 一种易封装易散热倒装高压led芯片 | |
| KR20180070673A (ko) | 텍스처화된 기판을 갖는 파장 변환된 발광 디바이스 | |
| JP2023100814A (ja) | 発光ダイオードデバイス及びその製作方法 | |
| US20180108810A1 (en) | Flip-chip Light Emitting Diode and Fabrication Method | |
| CN110021691B (zh) | 一种半导体发光器件 | |
| KR101047647B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 | |
| CN102456783B (zh) | 垂直结构的紫外光发光二极管芯片及其制造方法 | |
| US20120032183A1 (en) | GaN Based LED having Reduced Thickness and Method for Making the Same | |
| CN102130252B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| TW201318236A (zh) | 具增大面積之氮化鎵發光二極體及其製造方法 | |
| TWI425663B (zh) | 垂直結構之紫外光發光二極體晶片及其製造方法 | |
| KR101648809B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 | |
| CN219800889U (zh) | 一种通照两用的深紫外led | |
| CN108630720B (zh) | 发光二极管阵列 | |
| CN102468418B (zh) | 垂直结构发光二极管芯片及其制造方法 | |
| KR20100095211A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US20110186884A1 (en) | LED Reflective Structure and Method of Fabricating the Same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20141105 Termination date: 20201020 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |