CN102456767B - 金属贯穿式太阳电池的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，包括先提供硅基板，再表面结构化这个硅基板。然后，进行n型掺质扩散工艺，以至少于硅基板的正面与背面形成一n型扩散层。之后，在硅基板的正面形成一抗反射层，再将背面的n型扩散层移除。然后，在硅基板的背面与正面分别形成第一与第二金属胶层，再进行一共烧结工艺，使第一与第二金属胶层成为第一与第二电极。然后，在第一与第二电极以外的区域形成贯穿硅基板的贯穿孔。最后，在硅基板中的各贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成通孔电极的温度需低于600℃。本发明在制作电极时采用二次烧结的方式，避免因制作通孔电极时的温度过高而使电极与基板的硅发生反应，而能防止电极与基板的短路。

Description

金属贯穿式太阳电池的制造方法
技术领域
本发明涉及一种太阳电池的制造方法，且尤其涉及一种金属贯穿式太阳电池(metal wrap through solar cell)的制造方法。
背景技术
金属贯穿式太阳电池是利用在硅芯片上贯穿硅芯片正、背面的数个贯穿孔将正面指状(finger)电极收集的电流导引至背面的汇流电极(Busbar)，其不仅可增加正面照光面积，减低串连电阻，也可简易封装工艺，为硅晶太阳电池未来发展的趋势之一。
一般金属贯穿式太阳电池通常以p型硅基板为主，在正面扩散n型掺质形成pn接面，其技术重点之一为如何防止正面的负电极(n型半导体侧电极)，在贯穿孔孔壁及背表面与p型半导体基板的短路。而目前所发表的金属贯穿式太阳电池，其所使用的技术为在孔壁与背面汇流电极的负电极金属与基板之间，制作n型半导体扩散区域或绝缘层来防止其间的短路。
由于传统硅晶太阳电池的金属电极的制作方法为金属胶料印刷涂布后，再以高温烧结固化，而在烧结的过程中，金属胶料中的铅玻璃会与硅基板、氮化硅、氧化硅等反应，而会破坏氮化硅、氧化硅薄膜，并嵌入硅基板产生连结。而且，在贯穿孔孔壁的绝缘层或n型半导体层通常较薄，故在上述高温烧结以形成通孔电极的过程中，金属胶料常会与硅基板、氮化硅、氧化硅等反应过度，而破坏该氮化硅、氧化硅、或n型半导体层，而与基板产生短路。
对于此种短路的形成，近来提出的解决方式有在正面指状电极(Finger)与填孔金属使用不同金属胶料，利用两种胶料的不同穿透性，来加以控制，然此种方式需要有特殊的胶料选择，不仅材料取得不易，且不同胶料共烧结的工艺范围狭窄，生产控制困难。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，以防止金属胶料与硅基板反应过度。
本发明另提供一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，能避免n型半导体层与基板产生短路。
本发明再提供一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，能使贯穿孔精准对位并且能避免制作正、背面电极所用的金属胶料误填入贯穿孔。
本发明又提供一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，在硅基板背面毋须额外的激光绝缘步骤。
本发明提出一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，包括先提供一硅基板，其具有一正面及一背面。然后，在硅基板中形成数个贯穿孔，这些贯穿孔贯穿其正面与背面。接着，表面结构化硅基板，再对硅基板进行n型掺质扩散工艺，以至少于硅基板的正面与背面形成一n型扩散层。之后，在硅基板的正面形成一抗反射层，再将位于硅基板的背面的n型扩散层移除。然后，在硅基板的背面与正面分别形成第一与第二金属胶层，再进行一共烧结工艺，以使第二金属胶层穿过抗反射层而与n型扩散层接触，并使第一与第二金属胶层成为第一与第二电极。最后，在硅基板中的各贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成通孔电极的温度需低于600℃。
本发明另提出一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，包括先提供一硅基板，其具有一正面及一背面。接着，表面结构化硅基板，再对硅基板进行n型掺质扩散工艺，以至少于硅基板的正面与背面形成一n型扩散层。之后，在硅基板的正面形成一抗反射层，再将位于硅基板的背面的n型扩散层移除。然后，在硅基板的背面与正面分别形成第一与第二金属胶层，再进行一共烧结工艺，以使第二金属胶层穿过抗反射层而与n型扩散层接触，并使第一与第二金属胶层成为第一与第二电极。然后，在第一与第二电极以外的区域形成贯穿硅基板的数个贯穿孔。最后，在硅基板中的各贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成通孔电极的温度需低于600℃。
在本发明的第一与第二实施例中，上述移除位于背面的n型扩散层的方法包括研磨上述硅基板的该背面，以形成一平面。
本发明再提出一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，包括先提供一硅基板，其具有一正面及一背面。接着，表面结构化硅基板，再于硅基板的背面形成一阻障层(barrier layer)。然后，对硅基板进行n型掺质扩散工艺，以于硅基板的正面形成一n型扩散层。之后，移除上述阻障层，再于硅基板的正面形成一抗反射层。接着，在硅基板的背面与正面分别形成一第一金属胶层与一第二金属胶层，再进行一共烧结工艺，以使第二金属胶层穿过抗反射层而与n型扩散层接触，并使第一与第二金属胶层成为第一与第二电极。然后，在第一与第二电极以外的区域形成贯穿硅基板的数个贯穿孔，再在硅基板中的各贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成通孔电极的温度需低于600℃。
本发明又提出一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，包括先提供一硅基板，其具有一正面及一背面，再在硅基板中形成数个贯穿孔，这些贯穿孔贯穿其正面与背面。接着，表面结构化硅基板，再于硅基板的背面形成一阻障层。然后，对硅基板进行n型掺质扩散工艺，以于硅基板的正面形成一n型扩散层。之后，移除上述阻障层，再于硅基板的正面形成一抗反射层。接着，在硅基板的背面与正面分别形成一第一金属胶层与一第二金属胶层，再进行一共烧结工艺，以使第二金属胶层穿过抗反射层而与n型扩散层接触，并使第一与第二金属胶层成为第一与第二电极。然后，在硅基板中的各贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成通孔电极的温度需低于600℃。
在本发明的第三与第四实施例中，上述阻障层例如氮化硅层。
在本发明的第三与第四实施例中，移除上述阻障层的方法例如使用氢氟酸去除。
在本发明的各实施例中，形成上述通孔电极的步骤包括先在各贯穿孔内填满一填孔胶料并将其干燥，然后进行一烧结工艺，以使填孔胶料成为上述通孔电极。
在本发明的各实施例中，上述烧结工艺的温度约在400℃～500℃之间。
在本发明的各实施例中，形成上述通孔电极的步骤包括使用焊枪将焊锡填入各贯穿孔内。
在本发明的各实施例中，上述共烧结工艺的温度大于上述烧结工艺的温度。
在本发明的各实施例中，上述第一金属胶层包括铝胶，且上述第二金属胶层包括银胶。
基于上述，本发明在制作电极时采用二次烧结的方式，避免因制作通孔电极时的温度过高而使电极与基板的硅发生反应，而能防止电极与基板的短路。而且，本发明在基板的背面无n型扩散层，所以毋须额外的激光绝缘步骤。另外，本发明能在完成基板的正面与背面电极之后才形成贯穿孔，所以能精准对位并且还能避免制作正面与背面电极所用的金属胶误填入贯穿孔的缺点。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A～图1J是依照本发明的第一实施例的一种金属贯穿式太阳电池的制造流程剖面示意图；
图2A～图2I是依照本发明的第二实施例的一种金属贯穿式太阳电池的制造流程剖面示意图；
图3A～图3H是依照本发明的第三实施例的一种金属贯穿式太阳电池的制造流程剖面示意图；
图4A～图4G是依照本发明的第三实施例的一种金属贯穿式太阳电池的制造流程剖面示意图。
其中，附图标记：
100、200、300、400：硅基板
100a、200a、300a、400a：正面
100b、200b、300b、400b：背面
102、214、316、402：贯穿孔
102a、402a：表面
104、202、304、406：n型扩散层
106、204、306、408：抗反射层
108、110、206、208、308、310、410、412：金属胶层
112、114、210、212、312、314、414、416：电极
116、216、318、418：通孔电极
302、404：阻障层
具体实施方式
图1A～图1J是依照本发明的第一实施例的一种金属贯穿式太阳电池的制造流程剖面示意图。
请参照图1A，提供一硅基板100，其具有一正面100a及一背面100b。
请参照图1B，在硅基板100中形成贯穿孔102，贯穿孔102贯穿硅基板100的正面100a与背面100b。在图中虽然只画出一个贯穿孔，但是实际上可依照需要形成数个贯穿孔。
请参照图1C，表面结构化硅基板100。此时，硅基板100的正面100a、背面100b和贯穿孔102的表面102a都会变粗糙。
请参照图1D，对硅基板100进行n型掺质扩散工艺，以至少于硅基板100的正面100a与背面100b形成一n型扩散层104。此时，贯穿孔102的表面102a通常也会形成n型扩散层104。
请参照图1E，在硅基板100的正面100a形成一抗反射层106。此时，抗反射层106也可能因为工艺关系而形成在贯穿孔102的表面102a。
请参照图1F，将位于硅基板100的背面100b的n型扩散层104移除。移除方式例如研磨硅基板100的背面100b，使其成为平面。在本实施例中因为背面100b无n型扩散层，所以毋须额外的激光绝缘步骤，降低填充因子(F.F.)。
请参照图1G，在硅基板100的背面100b形成第一金属胶层108。上述第一金属胶层108包括铝胶。
请参照图1H，在硅基板的正面100a的抗反射层106上形成第二金属胶层110。上述第二金属胶层110包括银胶。
请参照图1I，进行一共烧结工艺，以使第二金属胶层(图1H的110)穿过抗反射层106而与n型扩散层104接触，并使第一金属胶层(图1H的108)与第二金属胶层成为第一电极112与第二电极114。共烧结工艺的温度大于600℃，例如700℃以上。
请参照图1J，在硅基板100中的贯穿孔102内形成一通孔电极116，其中形成通孔电极116的温度需低于600℃。例如，形成上述通孔电极116如果是先在贯穿孔102内填满一填孔胶料并将其干燥，然后进行一烧结工艺，以使填孔胶料成为上述通孔电极116，则上述烧结工艺的温度约在400℃～500℃之间。此外，如果是使用焊枪将焊锡填入贯穿孔102内，来形成通孔电极116，其温度约在180℃左右。从图中可知，通孔电极116与第二电极114相连，但不与第一电极112接触。
第一实施例因为在制作电极时采用二次烧结的方式，所以能避免现有因制作通孔电极时的温度过高而使通孔电极116与硅基板100的硅发生反应，而能利用金属与半导体之间存在肖克莱阻障(Shockley barrier)的高电阻特性防止两者间的短路。
图2A～图2I是依照本发明的第二实施例的一种金属贯穿式太阳电池的制造流程剖面示意图。
请参照图2A，提供一硅基板200，其具有一正面200a及一背面200b。
请参照图2B，表面结构化硅基板200。此时，硅基板200的正面200a和背面200b都会变粗糙。
请参照图2C，对硅基板200进行n型掺质扩散工艺，以于硅基板200的正面200a与背面200b形成一n型扩散层202。
请参照图2D，在硅基板200的正面200a形成一抗反射层204。
请参照图2E，将位于硅基板200的背面200b的n型扩散层202移除。移除方式例如研磨硅基板200的背面200b，使其成为平面。本实施例在硅基板200的背面200b无n型扩散层，所以毋须额外的激光绝缘步骤。
请参照图2F，在硅基板200的背面200b形成第一金属胶层206，如铝胶。在硅基板的正面200a的抗反射层204上形成第二金属胶层208，如银胶。
请参照图2G，进行一共烧结工艺，以使第二金属胶层(图2F的208)穿过抗反射层204而与n型扩散层202接触，并使第一金属胶层(图2F的206)与第二金属胶层成为第一电极210与第二电极212。共烧结工艺的温度大于600℃，例如700℃以上
请参照图2H，在第一电极210与第二电极212以外的区域形成贯穿硅基板200的贯穿孔214。在图中虽然只画出一个贯穿孔214，但是实际上可依照需要形成数个贯穿孔。由于本实施例在完成基板200的第一与第二电极210、212之后才形成贯穿孔214，所以能精准对位并且还能避免制作第一与第二电极210、212所用的金属胶误填入贯穿孔214的问题。
请参照图2I，在硅基板200中的贯穿孔214内形成一通孔电极216，其中形成通孔电极216的温度需低于600℃。例如，形成上述通孔电极216如果是先在贯穿孔214内填满一填孔胶料并将其干燥，然后进行一烧结工艺，以使填孔胶料成为上述通孔电极216，则上述烧结工艺的温度约在400℃～500℃之间。此外，如果是使用焊枪将焊锡填入贯穿孔214内来形成通孔电极216，其温度约在180℃左右。从图中可知，通孔电极216与第二电极212相连，但不与第一电极210接触。
由于第二实施例在制作通孔电极216时用了比制作第一与第二电极210、212的温度低的二次烧结方式，所以可避免现有因制作通孔电极时的温度过高，而使电极与基板的硅发生反应的问题，且能利用金属与半导体之间存在肖克莱阻障的高电阻特性防止短路发生。
图3A～图3H是依照本发明的第三实施例的一种金属贯穿式太阳电池的制造流程剖面示意图。
请参照图3A，提供具有正面300a及背面300b的硅基板300，且硅基板300已经过表面结构化，所以正面300a和背面300b都会变粗糙。
请参照图3B，于硅基板300的背面300b形成一阻障层(barrier layer)302，阻障层302例如氮化硅层或其它适合的材料。这层阻障层302可在后续进行n型掺质扩散工艺时阻隔n型掺质扩散进入硅基板300的背面300b，所以背面300b无n型扩散层，电极完成后不需要额外的激光绝缘步骤。
请参照图3C，对硅基板300进行n型掺质扩散工艺，以于硅基板300的正面300a形成一n型扩散层304。
请参照图3D，先将阻障层302移除，移除方法例如使用氢氟酸去除。通常在制作金属贯穿式太阳电池期间会使用氢氟酸去除玻璃质，所以这道移除阻障层302的步骤并非额外新增的，而是与现有工艺兼容的步骤。之后，在硅基板300的正面300a形成一抗反射层306。
请参照图3E，在硅基板300的背面300b形成第一金属胶层308，如铝胶。在硅基板的正面300a的抗反射层306上形成第二金属胶层310，如银胶。
请参照图3F，进行一共烧结工艺，以使第二金属胶层(图3F的310)穿过抗反射层306而与n型扩散层304接触，并使第一金属胶层(图3F的308)与第二金属胶层成为第一电极312与第二电极314。共烧结工艺的温度大于600℃，例如700℃以上。
请参照图3G，在第一电极312与第二电极314以外的区域形成贯穿硅基板300的贯穿孔316。在图中虽然只画出一个贯穿孔316，但是实际上可依照需要形成数个贯穿孔。本实施例在完成硅基板300的第一电极312与第二电极314后才形成贯穿孔316，所以能精准对位并且还能避免制作第一电极312与第二电极314所用的金属胶误填入贯穿孔316。
请参照图3H，在硅基板300中的贯穿孔316内形成一通孔电极318，其中形成通孔电极318的温度需低于600℃。例如，形成上述通孔电极318如果是先在贯穿孔316内填满一填孔胶料并将其干燥，然后进行一烧结工艺，以使填孔胶料成为上述通孔电极318，则上述烧结工艺的温度约在400℃～500℃之间。此外，如果是使用焊枪将焊锡填入贯穿孔316内来形成通孔电极318，其温度约在180℃左右。在图3H的通孔电极318与第二电极314相连，但不与第一电极312接触。
第三实施例因为在制作第一电极312、第二电极314以及通孔电极318时采用二次烧结的方式，所以能避免现有共烧时温度过高导致通孔电极318与硅基板300间的短路。
图4A～图4G是依照本发明的第三实施例的一种金属贯穿式太阳电池的制造流程剖面示意图。
请参照图4A，提供具有正面400a及背面400b的硅基板400，并在硅基板400中形成贯穿孔402，贯穿孔402贯穿硅基板400的正面400a与背面400b。在图中虽然只画出一个贯穿孔，但是实际上可依照需要形成数个贯穿孔。
请参照图4B，表面结构化硅基板400。此时，硅基板400的正面400a、背面400b和贯穿孔402的表面402a都会变粗糙。然后，于硅基板400的背面400b形成一阻障层(barrier layer)404，此时阻障层404可能因为工艺关系而形成在贯穿孔402的表面402a。上述阻障层404例如氮化硅层或其它适合的材料。这层阻障层404可在后续进行n型掺质扩散工艺时阻隔n型掺质扩散进入硅基板400的背面400b，所以在背面400b没有n型扩散层的情况下，完成电极后将不再需要额外的激光绝缘步骤。
请参照图4C，对硅基板400进行n型掺质扩散工艺，以于硅基板400的正面400a形成一n型扩散层406。
请参照图4D，先将阻障层404移除，移除方法例如使用氢氟酸去除。如上述，这道移除阻障层404的步骤并非额外新增的。之后，在硅基板400的正面400a形成一抗反射层408。此时，抗反射层408可能因为工艺关系而形成在贯穿孔402的表面402a。
请参照图4E，在硅基板400的背面400b形成第一金属胶层410，如铝胶。在硅基板的正面400a的抗反射层408上形成第二金属胶层412，如银胶。
请参照图4F，进行一共烧结工艺，以使第二金属胶层(图4F的412)穿过抗反射层408而与n型扩散层406接触，并使第一金属胶层(图4F的410)与第二金属胶层成为第一电极414与第二电极416。共烧结工艺的温度大于600℃，例如700℃以上。
请参照图4G，在硅基板400中的贯穿孔402内形成一通孔电极418，其中形成通孔电极418的温度需低于600℃。例如，形成上述通孔电极418如果是先在贯穿孔402内填满一填孔胶料并将其干燥，然后进行一烧结工艺，以使填孔胶料成为上述通孔电极418，则上述烧结工艺的温度约在400℃～500℃之间。此外，如果是使用焊枪将焊锡填入贯穿孔402内来形成通孔电极418，其温度约在180℃左右。在图4G的通孔电极418与第二电极416相连，但不与第一电极414接触。
第四实施例因为在制作第一电极414与第二电极416以及通孔电极418时采用二次烧结的方式，所以能避免现有共烧温度过高导致通孔电极418与硅基板400间的短路。
以下列举几个实例来证明本发明的效果。
实例一
首先，按照下面步骤制作实例一的金属贯穿式太阳电池：
步骤1.以激光在p型硅基板上进行钻孔。
步骤2.以氢氧化钾(KOH)碱蚀刻硅基板，在硅基板上进行表面结构化。
步骤3.在POCl3气体环境中将硅基板表面扩散为n型，以制作pn接面。
步骤4.以缓冲氧化物蚀刻(buffer oxide etch，BOE)溶液将进行扩散时形成的含磷氧化硅(PSG)层去除。
步骤5.以等离子化学气相沉积(PECVD)进行p型硅基板正面的抗反射层的镀膜。
步骤6.以氢氧化钠(NaOH)进行p型硅基板背面的平坦化，以便去除n型扩散层。
步骤7.以网印进行正面银栅状电极(银胶)的印刷，并干燥。
步骤8.以网印进行背面铝平面电极(铝胶)的印刷，并干燥。
步骤9.以红外线炉，约700℃的高温进行正、背面电极的烧结。
步骤10.以网印从硅基板的正面进行填孔胶料(银胶)的印刷，并干燥。
步骤11.以网印从硅基板的背面进行填孔胶料(银胶)，以及背面汇流电极(busbar)的印刷，并干燥。
步骤12.以红外线炉，约400℃的较低温，进行填孔胶料以及背面汇流电极的烧结。
比较例一
除了将步骤9的高温烧结改到步骤12，进行共烧以外，均按照实例一的流程制作比较例一的金属贯穿式太阳电池。
以上实例一与比较例一的金属贯穿式太阳电池的效率如下表一所示。
表一
  Voc(V)   Jsc(mA/cm2)   F.F.   η(％)
  实例一   0.626   36.19   79.02   17.89
  比较例一   0.621   34.96   68.47   14.867
从表一可知，实例一可得到很高的F.F.及效率(η)。
实例二
按照下面步骤制作实例二的金属贯穿式太阳电池：
步骤1.以酸蚀刻在p型硅基板上进行表面结构化。
步骤2.以PECVD在硅基板背面沉积氮化硅，做为阻障层。
步骤3.由于背面已有阻障层，在POCl3气体环境中，只有硅基板正面会扩散成n型，形成pn接面。
步骤4.以BOE溶液将扩散时形成的PSG层与阻障层同时去除。
步骤5.以PECVD进行p型硅基板正面抗反射层的镀膜。
步骤6.以网印进行正面银栅状电极(银胶)与背面铝平面电极(铝胶)的印刷，并干燥。
步骤7.以红外线炉在最高温度约760℃的环境下，进行正、背面电极的烧结。
步骤8.以激光在硅基板上进行钻孔，以形成贯穿硅基板正、背面的数个贯穿孔。
步骤9.以网印从硅基板正面进行贯穿孔的填孔胶料(银胶)、背面进行背面汇流电极(银胶)的印刷并干燥。
步骤10.以红外线炉，约400℃的温度，进行填孔胶料与背面汇流电极的烧结。
实例三
按照实例二的流程制作实例三的金属贯穿式太阳电池，除了步骤9～10改为使用焊枪将焊锡直接填入贯穿孔。
以上实例二与实例三的金属贯穿式太阳电池的效率如下表二所示。
表二
  Voc(V)   Jsc(mA/cm2)   F.F.   η(％)   Rs(Ω)
  实例二   0.624   35.81   76.51   17.10   0.011
  实例三   0.623   35.73   75.64   16.83   0.012
从表一可知，实例二与实例三的F.F.接近，且实例三的电阻0.012Ω接近实例二(银胶)的0.011Ω。
比较例二
除了将步骤7的高温烧结改到步骤10进行共烧以外，均按照实例二的流程制作比较例二的金属贯穿式太阳电池。
以上实例二与比较例二的金属贯穿式太阳电池的效率如下表三所示。
表三
  Voc(V)   Jsc(mA/cm2)   F.F.   η(％)
  实例二   0.617   35.58   75.24   16.53
  比较例二   0.617   35.70   70.15   15.43
从表三可知，若将正、背面电极的烧结(实例二的步骤7)与填孔胶料与背面汇流电极的烧结(实例二的步骤10)同时进行，则势必需要高温烧结。如此一来，贯穿孔孔壁与背面汇流电极处会形成短路，造成F.F.下降。
综上所述，本发明因为采用二次烧结的方式制作电极，所以可避免现有因制作通孔电极时的共烧结温度过高，导致电极与硅基板反应的问题，并因而能防止电极与基板的短路。借此，本发明不必考虑填胶料的选用，以一般常用胶料即可，使工艺具有更大的参数调整空间及工艺稳定性。再者，本发明在基板的背面无n型扩散层，所以毋须额外的激光绝缘步骤，能大幅提升电池的填充因子及效率。另外，本发明可选择在完成基板的正面与背面电极之后才形成贯穿孔，所以能精准对位并且还能避免制作正面与背面电极所用的金属胶误填入贯穿孔的情形发生。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (12)

1.一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，包括：
提供一硅基板，具有一正面及一背面；
在该硅基板中形成数个贯穿孔，该些贯穿孔贯穿该正面与该背面；
表面结构化该硅基板；
对该硅基板进行n型掺质扩散工艺，以至少于该硅基板的该正面与该背面形成一n型扩散层；
于该硅基板的该正面形成一抗反射层；
移除位于该硅基板的该背面的该n型扩散层；
在该硅基板的该背面与该正面分别形成一第一金属胶层与一第二金属胶层；
进行一共烧结工艺，以使该第二金属胶层穿过该抗反射层与该n型扩散层接触，并使该第一金属胶层与该第二金属胶层成为一第一电极与一第二电极；以及
在该硅基板中的各该贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成该通孔电极的温度低于600°C。
2.一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，包括：
提供一硅基板，具有一正面及一背面；
表面结构化该硅基板；
对该硅基板进行n型掺质扩散工艺，以至少于该硅基板的该正面与该背面形成一n型扩散层；
于该硅基板的该正面形成一抗反射层；
移除位于该硅基板的该背面的该n型扩散层；
在该硅基板的该背面与该正面分别形成一第一金属胶层与一第二金属胶层；
进行一共烧结工艺，以使该第二金属胶层穿过该抗反射层而与该n型扩散层接触，并使该第一金属胶层与该第二金属胶层成为一第一电极与一第二电极；
在该第一电极与该第二电极以外的区域形成贯穿该硅基板的数个贯穿孔；以及
在该硅基板中的各该贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成该通孔电极的温度低于600°C。
3.根据权利要求1或2所述的金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，移除位于该硅基板的该背面的该n型扩散层的方法包括研磨该硅基板的该背面，以形成一平面。
4.一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，包括：
提供一硅基板，具有一正面及一背面；
表面结构化该硅基板；
于该硅基板的该背面形成一阻障层；
对该硅基板进行n型掺质扩散工艺，以于该硅基板的该正面形成一n型扩散层；
移除该阻障层；
于该硅基板的该正面形成一抗反射层；
在该硅基板的该背面与该正面分别形成一第一金属胶层与一第二金属胶层；
进行一共烧结工艺，以使该第二金属胶层穿过该抗反射层而与该n型扩散层接触，并使该第一金属胶层与该第二金属胶层成为一第一电极与一第二电极；
在该第一电极与该第二电极以外的区域形成贯穿该硅基板的数个贯穿孔；以及
在该硅基板中的各该贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成该通孔电极的温度低于600°C。
5.一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，包括：
提供一硅基板，具有一正面及一背面；
在该硅基板中形成数个贯穿孔，该些贯穿孔贯穿该正面与该背面；
表面结构化该硅基板；
于该硅基板的该背面形成一阻障层；
对该硅基板进行n型掺质扩散工艺，以于该硅基板的该正面形成一n型扩散层；
移除该阻障层；
于该硅基板的该正面形成一抗反射层；
在该硅基板的该背面与该正面分别形成一第一金属胶层与一第二金属胶层；
进行一共烧结工艺，以使该第二金属胶层穿过该抗反射层而与该n型扩散层接触，并使该第一金属胶层与该第二金属胶层成为一第一电极与一第二电极；以及
在该硅基板中的各该贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成该通孔电极的温度低于600°C。
6.根据权利要求4或5所述的金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，该阻障层包括氮化硅层。
7.根据权利要求6所述的金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，移除该阻障层的方法包括使用氢氟酸去除。
8.根据权利要求1、2、4或5中任一项所述的金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，形成该通孔电极的步骤包括：
在各该贯穿孔内填满一填孔胶料；
干燥该填孔胶料；以及
进行一烧结工艺，以使该填孔胶料成为该通孔电极。
9.根据权利要求8所述的金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，该烧结工艺的温度在400°C～500°C之间。
10.根据权利要求1、2、4或5中任一项所述的金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，形成该通孔电极的步骤包括使用焊枪将焊锡填入各该贯穿孔内。
11.根据权利要求8所述的金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，该共烧结工艺的温度大于该烧结工艺的温度。
12.根据权利要求1、2、4或5中任一项所述的金属贯穿式太阳电池的制造方法，其特征在于，该第一金属胶层包括铝胶，且该第二金属胶层包括银胶。
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