CN102412245A - 发光组件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种发光组件包括多个发出不同波长光的微型发光二极管芯片组以及波长转换荧光材料。此发光组件是具有高电压驱动、高演色性以及光密度集中的高发光效率白光发光组件。本发明更提供一种堆叠不同发光二极管芯片组的制作方法，使得发光组件具有组件密集化的优点。
Description
所属技术领域
本发明涉及一种发光组件及其制作方法，且特别涉及一种具有高电压驱动、高演色性以及光密度集中的高发光效率白光发光组件以及一种堆叠微型发光二极管芯片组的制作方法。
背景技术
图1为美国专利第US5998925号所揭示的白光发光二极管的示意图。请参阅图1，白光发光组件1至少包含支架11、发出蓝光波长的氮化镓系发光二极管芯片12以及波长转换荧光材料13。波长转换荧光材料13与封盖树脂14相混合，且吸收部份氮化镓系发光二极管芯片12所发出的蓝光能量而转换发出绿光波长的光，因此获得由蓝光波长的光及绿光波长的光所混合出的白光。虽然此技术具有制作方法简单的优点，然而，白光发光组件1的光谱因缺乏红光成分而演色性不佳，因此应用上存在缺点。
图2为美国专利第US5851063号所揭示的高演色性的白光发光组件的光谱图。请参阅图2，白光组件由至少包含发出蓝光波段(455～490nm)的发光二极管、发出绿光波段(530～570nm)的发光二极管、以及发出红光波段(605～630nm)的发光二极管。白光发光组件通过各发光波段适当的色温调整以及组合而达成演色性大于80的目标。然而，由于白光是通过三种不同发光二极管经由光学混光的技术而实现的，在制作技术上，很难获得色度均匀性佳的白光发光组件，因此应用上也存在缺点。
另外，美国专利第US6351069号揭露了一种高演色性及色度均匀性佳的白光发光组件。此白光发光组件由可发出蓝光波段的发光二极管，特别是一种氮化镓系发光二极管芯片以及两种荧光材料所组合而成。这两种荧光材料分别吸收部份的蓝光波段能量而转换成绿光波段以及红光波段，通过此三种不同波长的蓝光、绿光以及红光相混合，进而获得高演色性及色度均匀性佳的白光发光组件。然而，由于可吸收蓝光波段能量而转换成红光所使用的荧光材料的光转换效率偏低，因此，无法提升白光发光组件的整体发光效率，应用上仍存在缺点。
图3是美国专利第US6234648号所揭露的一种高演色性及高发光效率的白光发光组件。请参阅图3，为了同时改善上述白光发光组件的缺点，白光发光组件20包括至少一发出蓝光波长的氮化镓系发光二极管21、至少一发出红光波长的发光二极管22以及波长转换荧光材料23。波长转换荧光材料23可吸收部分由发出蓝光波长的氮化镓系发光二极管21的能量而转换成发出绿光波长的光，通过此三种不同波长的蓝光、绿光以及红光相混合，进而获得高演色性及高发光效率的白光发光组件。
然而，由于发出蓝光波长的氮化镓系发光二极管21以及发出红光波长的发光二极管22采用分离方式放置于承载器24，因此，白光发光组件20的整体尺寸难以缩小而且光学混光上的均匀性不易设计，且应用于照明光源上，仍存在光源无法有效集中的缺点。
图4为美国公开专利第US20090109151号所揭示的发光装置示意图。请参阅图4，为了提高交流驱动白光发光二极管组件的演色性，白光发光二极管装置40包括两组发出不同波长光的交流驱动发光二极管群组41、42以及混合波长转换荧光材料43的封盖树脂。白光发光二极管装置40的配置方式一例如可为，其包括分别提供可发出蓝光以及可发出绿光的交流驱动发光二极管，于可发出蓝光的交流驱动发光二极管的上方加上混合可发出红光之荧光材料的封盖树脂。
另外，白光发光二极管装置40的配置方式二例如可为，其分别包括可发出蓝光以及可发出红光的交流驱动发光二极管，于该可发出蓝光的交流驱动发光二极管的上方加上混合可发出介于蓝光以及红光之间的荧光材料的封盖树脂。美国公开专利第US20090109151虽揭示提高演色性的方法，但目前制作的红色波段(600～630nm)荧光材料的转换效率仍然偏低，因此，方式一虽可以增加整体发光装置的演色性，但无法有效地提高整体装置的发光效率；方式二虽然可以有效地提高演色性且避免整体装置的发光效率下降，但发出蓝光以及红光的交流驱动发光二极管是采用分离方式放置，因此，白光发光二极管装置40的整体尺寸难以缩小而且光学混光上的均匀性不易设计，故应用上仍缺点存在。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种发光组件，其为高发光效率白光发光组件，并具有高电压驱动、高演色性以及光密度集中的特性。
本发明的另一目的在于，提供一种发光组件的制作方法，其堆叠微型发光二极管芯片以制作高发光效率白光发光组件，所制作的发光组件具有高电压驱动、高演色性以及光密度集中的特性。
本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。
本发明提出一种发光组件，其至少包括支架、第一绝缘性基板、第一发光二极管芯片组群、第二发光二极管芯片组及波长转换荧光材料。第一绝缘性基板，形成于支架上。第一绝缘性基板具有第一区域以及第二区域。第一发光二极管芯片组形成于第一绝缘性基板上，并位于第一区域，用以发出第一光线。第二发光二极管芯片组形成于第一绝缘性基板的第二区域上方，用以发出第二光线。波长转换荧光材料位于第一发光二极管芯片组及第二发光二极管芯片组上，用以吸收部分第一发光二极管芯片组所发出的第一光线并转换成第三光线。第一光线、第二光线和第三光线具有不同波长的光谱范围。
本发明还提供一种发光组件的制作方法，包括以下步骤。首先，设置第一绝缘性基板于支架上。接着，设置第一发光二极管芯片组于第一绝缘性基板上，并位于第一区域，用以发出第一光线。然后，设置第二发光二极管芯片组于第一绝缘性基板的第二区域上方，用以发出第二光线。之后，设置波长转换荧光材料于第一发光二极管芯片组及第二发光二极管芯片组上，用以吸收部分第一发光二极管芯片组所发出的第一光线并转换第三光线。其中第一光线、第二光线和第三光线具有不同波长的光谱范围。
本发明的有益效果是，发光组件是以多个可发出不同波长光的微型发光二极管芯片组以及波长转换荧光材料所组成，因此可改善发光组件的演色性以及发光效率。而且，发光组件由多个可发出不同波长光的微型发光二极管芯片组所堆叠可提高光密度以及组件密集化程度。另外，发光组件中的多个微型发光二极管芯片是串联的，因此可实现高电压驱动。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是现有白光发光组件的结构示意图。
图2是为现有另一白光发光组件的光谱图。
图3是现有又一白光发光组件的结构示意图。
图4是现有另一交流驱动发光二极管阵列结构的示意图。
图5是本发明的第一较佳实施例的发光组件的结构示意图。
图6(a)至6(c)是本发明的第一较佳实施例的堆叠贴合区域配置的示意图。
图7是本发明的第二较佳实施例的发光组件的结构示意图。
图8是本发明的第三较佳实施例的发光组件的结构示意图。
图9是本发明的第四较佳实施例颚发光组件的结构示意图。
图10是本发明的第五较佳实施例的发光组件的结构示意图。
图11是本发明的第六较佳实施例的发光组件的结构示意图。
图12是本发明的第七较佳实施例的发光组件的结构示意图。
图13是本发明的发光组件的制作方法流程图。
图14是本发明之发光组件的制作方法第一实施例流程图。
1、20：白光发光组件
11、61：支架
12、21：蓝光波长的氮化镓系发光二极管芯片
13、23、43、64：荧光材料
14、43、65：封盖树脂
22：红光波长的发光二极管芯片
24：承载器
40：白光发光二极管装置
41、42：交流驱动发光二极管群组
62：第一发光二极管芯片组
63：第二发光二极管芯片组
611：第一绝缘性基板
612：氮化铝铟镓系磊晶层
613：覆晶贴合区域
614：金属导线
615：金属接合垫
616：绝缘层
617、618：正负极打线接合垫
621：第二绝缘性基板
622：氮磷化铝铟镓系磊晶层
700：反射层
S1-S4、S11-S18：步骤
具体实施方式
图5是本发明的第一较佳实施例的发光组件的结构示意图。请参阅图5，发光组件包含支架61、第一发光二极管芯片组62、第二发光二极管芯片组63、波长转换荧光材料64以及封盖树脂65。其中，波长转换荧光材料64是位于第一发光二极管芯片组62、第二发光二极管芯片组63以及封盖树脂65上。另一可行之实施结构是将波长转换荧光材料64混合于封盖树脂65中以取代封盖树脂65。其中，波长转换荧光材料64可吸收部份由第一发光二极管芯片组62所发出的光，并转换成另一波长的光。第一发光二极管芯片组62包括由位于第一绝缘性基板611上的氮化铝铟镓系(AlInGaN-based)磊晶层612所构成的多个微型发光二极管芯片，第一发光二极管芯片组62中每个独立的微型芯片具有同面的正负电极且这些独立的微型芯片是以串联方式电气连接。其中，第一发光二极管芯片组62更包含至少一对正负极打线接合垫617可与外界进行电气连接。第二发光二极管芯片组63包括由位于第二绝缘性基板621上的氮磷化铝铟镓系(AlInGaPN-based)磊晶层622所构成的多个微型发光二极管芯片，第二发光二极管芯片组63中每个独立的微型芯片也具有同面的正负电极且这些独立的微型芯片亦是以串联方式电气连接。其中，第二发光二极管芯片组63也包含至少一对正负极打线接合垫618可与外界做电气连接。此外，第二发光二极管芯片组63是以第二绝缘性基板621与第一发光二极管芯片组62的第一绝缘性基板611以堆叠贴合方法相结合，并利用正负极打线接合垫617及618将第一发光二极管芯片组62与第二发光二极管芯片组63串联电气连接。另外，第一发光二极管芯片组62与第二发光二极管芯片组63也可以不串联而采用分别驱动及控制。
第一绝缘性基板611的形状为四边形，然而第二发光二极管芯片组63堆叠贴合的区域是配置于第一绝缘性基板611的中央区域、四个角落或四个边，并采用对称方式分布，如图6(a)至6(c)所示。第二发光二极管芯片组63堆叠贴合的区域的形成方法是，以蚀刻方法将第一绝缘性基板611对应区域内的氮化铝铟镓系磊晶层612移除。接着，提供粘胶材料于第一绝缘性基板611上已被蚀刻的区域。然后，将第二绝缘性基板621的一侧经由粘胶材料与第一绝缘性基板611上已被蚀刻的区域相贴合。之后，通过热处理将粘胶材料固化而完成第一发光二极管芯片组62与第二发光二极管芯片组63的堆叠贴合。支架61的材质可为陶瓷系列(Ceramic based)、氮化铝(AlN-based)、铜、铝、钼、钨、氧化铝(AlO-based)或上述材质所组合的复合材质。波长转换荧光材料64可为Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu2+F、(Sr1-x-yEuxMny)P2+zO7:Eu2+F、(Ba，Sr，Ca)Al2O4:Eu、((Ba，Sr，Ca)(Mg，Zn))Si2O7:Eu、SrGa2S4:Eu、((Ba，Sr，Ca)1-xEux)(Mg，Zn)1-xMnx)Al10O17、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu，Mn、((Ba，Sr，Ca，Mg)1-x Eux)2Si2O4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce，Tb、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce，Tb、BaMgAl10O17:Eu，Mn、(Sr，Ca，Ba)(Al，Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl，Eu，Mn、(Sr，Ca，Ba，Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、ZnS:Cu，Al、(Y，Gd，Tb，Lu，Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua以及Sr5(PO4)3Cl:Eua其中之一或上述材质所组成的混合材质，并且可以吸收部份第一发光二极管芯片组62所发出的光并转换成波长为550～590nm的黄绿光。
发光组件可应用于高电压的电源输入，例如：当施以3伏特之工作电压于第一发光二极管芯片组62中的单颗微型芯片时，此单颗微型芯片的相对应的工作电流为15毫安，而第一发光二极管芯片组62是由30颗微型芯片串联组成，当施以工作电压90伏特时，则每颗微型芯片可分配到3伏特的工作电压。此外，当施以2伏特的工作电压于第二发光二极管芯片组63中的单颗微型芯片时，此单颗微型芯片的相对应的工作电流为15毫安，而第二发光二极管芯片组63是由15颗微型芯片串联组成，当施以工作电压30伏特时，则每颗微型芯片可分配到2伏特的工作电压。
第一发光二极管芯片组62以及第二发光二极管芯片组63所串联组合而成的发光组件，当施以工作电压120伏特时，第一发光二极管芯片组62可发出波长介于430～490nm的蓝光波段的光，而第二发光二极管芯片组63可发出波长介于605～650nm的红光波段的光，也即第一发光二极管芯片组62、第二发光二极管芯片组63以及波长转换荧光材料64三者可发出不同波长的光，分别位于发光波段430～490nm、605～650nm以及550～590nm，进而获得兼具高演色性以及高发光效率的高压驱动白光发光组件。
图7为本发明的发光组件的第二较佳实施例的结构示意图。请参阅图7，本实施例的发光组件与第一实施例的发光组件的不同处在于，堆叠贴合区域为位于第一绝缘性基板611上的氮化铝铟镓系磊晶层612的表面，堆叠贴合区域并没有制作任何的微型芯片。具体地堆叠贴合的方法是，直接提供透明粘胶材料于氮化铝铟镓系磊晶层612上，然后，将第二绝缘性基板621之一侧通过透明粘胶材料与位于第一绝缘性基板611上的氮化铝铟镓系磊晶层612相贴合，之后，利用热处理将透明粘胶材料固化而完成第一发光二极管芯片组62与第二发光二极管芯片组63的堆叠贴合。
图8为本发明的发光组件的第三较佳实施例的结构示意图。请参阅图8，本实施例的发光组件与第一实施例的发光组件的不同处在于，第二发光二极管芯片组63是以覆晶方式与第一发光二极管芯片组62相结合。此外，覆晶贴合区域613是配置于第一绝缘性基板611的中央区域、四个角落或四个边，并且采用对称方式分布。覆晶贴合区域613的形成方法是以蚀刻方法将覆晶贴合区域613对应的氮化铝铟镓系磊晶层612移除。接着，制作金属导线614以及金属接合垫615于第一绝缘性基板611上，也即在氮化铝铟镓系磊晶层612已被蚀刻的区域制作金属导线614以及金属接合垫615。然后，将第二发光二极管芯片组63的一对正负极打线接合垫(如图5中的618所示)与第一绝缘性基板611上的金属接合垫615相粘合，从而完成第二发光二极管芯片组63的覆晶贴合。第二绝缘性基板621为一透光基板，且为本实施例中第二发光二极管芯片组63的出光面。
图9为本发明的发光组件的第四较佳实施例的结构示意图。请参阅图9，本实施例的发光组件与第二实施例的发光组件的不同处在于，第二发光二极管芯片组63是以覆晶方式与第一发光二极管芯片组62相结合。覆晶贴合区域613是配置于第一绝缘性基板611上的氮化铝铟镓系磊晶层612的中央区域、四个角落或四个边，并且采用对称方式分布，覆晶贴合区域613并没有制作任何的微型芯片。首先，形成覆晶贴合区域613的方法是沉积绝缘层616于覆晶贴合区域613的氮化铝铟镓系磊晶层612的表面。接着，制作金属导线614以及金属接合垫615于绝缘层616上。之后，将第二发光二极管芯片组63的一对正负极打线接合垫(如图5中618所示示)与绝缘层616上的金属接合垫615相粘合，从而完成第二发光二极管芯片组63的覆晶贴合。
图10为本发明的发光组件的第五较佳实施例的结构示意图。请参阅图10，本实施例的发光组件与第一以及第二实施例的发光组件的不同处在于，第一发光二极管芯片组62更包含至少一反射层700，反射层700设置于第一绝缘性基板611无第一发光二极管芯片组62的一侧，其作用是将由第一发光二极管芯片组62、第二发光二极管芯片组63以及波长转换荧光材料64射向第一绝缘性基板611的光线反射至具有波长转换荧光材料64的出光面。反射层700可为金属反射镜(Metal Reflector)、全方位反射镜(Omnidirectional Reflector)、布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector)以及光子晶体反射镜(Optical CrystalReflector)其中之一或上述反射镜的组合，反射层700对于可见光的反射率可达95％以上。
图11为本发明的发光组件的第六较佳实施例的结构示意图。请参阅图11，本实施例的发光组件与第一以及第二实施例的发光组件的不同处在于，第二发光二极管芯片组63更包含至少一反射层700，反射层700设置于第二绝缘性基板621无第二发光二极管芯片组63的一侧，其作用是将由第二发光二极管芯片组63以及波长转换荧光材料64射向第二绝缘性基板621的光线反射至具有波长转换荧光材料64的出光面。反射层700可为金属反射镜(Metal Reflector)、全方位反射镜(Omnidirectional Reflector)、布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector)以及光子晶体反射镜(Optical Crystal Reflector)其中之一或上述反射镜的组合，反射层700对于可见光的反射率可达95％以上。
图12为本发明的发光组件的第七较佳实施例的结构示意图。请参阅图12，本实施例的发光组件与第三以及第四实施例的发光组件的不同处在于，第二发光二极管芯片组63更包含至少一反射层700，反射层700设置于第二发光二极管芯片组63具有氮磷化铝铟镓系磊晶层622的一侧，其作用是将由第二发光二极管芯片组63以及波长转换荧光材料64射向第一绝缘基板611上的氮化铝铟镓系磊晶层612的光线反射至具有第二绝缘性基板621的出光面。反射层700可为金属反射镜(Metal Reflector)、全方位反射镜(Omnidirectional Reflector)、布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector)以及光子晶体反射镜(Optical CrystalReflector)其中之一或上述反射镜的组合，反射层700对于可见光的反射率可达95％以上。
图13为本发明的白光发光组件的制作方法流程图。请参阅图13，步骤S1，设置第一绝缘性基板于支架上。步骤S2，设置形成第一发光二极管芯片组于第一绝缘性基板上，并位于第一绝缘性基板的第一区域，用以发出第一光线。步骤S3，设置形成第二发光二极管芯片组于第二绝缘性基板，并设置于第一绝缘性基板的第二区域的上方，用以发出第二光线。第一发光二极管芯片组及第二发光二极管芯片组是发出不同波长的光。步骤S4，设置波长转换荧光材料于第一发光二极管芯片组及第二发光二极管芯片组上，用以吸收部分第一发光二极管芯片组发出的第一光线并转换成另一波长第三光线。其中，第一光线、第二光线和第三光线具有不同波长的光谱范围。
图14为本发明的发光组件的制作方法第一实施例的流程图。请参阅图14，步骤S11，提供第一绝缘性基板。步骤S12，形成氮化铝铟镓系磊晶层于第一绝缘性基板上。步骤S13，蚀刻部份氮化铝铟镓系磊晶层而露出部分第一绝缘性基板。步骤S14，形成多个微型氮化铝铟镓系发光二极管芯片并串联各个微型氮化铝铟镓系发光二极管芯片以形成第一发光二极管芯片组。步骤S15，提供第二绝缘性基板。步骤S16，形成多个微型氮磷化铝铟镓系发光二极管芯片于第二绝缘性基板上并串联各个微型氮磷化铝铟镓系发光二极管芯片以形成第二发光二极管芯片组。步骤S17，将第二发光二极管芯片组形成于部分露出的第一绝缘性基板上。步骤S18，串联第一发光二极管芯片组与第二发光二极管芯片组。
综上所述，本发明的发光组件包括多个发出不同波长的微型发光二极管芯片组以及波长转换荧光材料，因此可获得高电压驱动的高发光效率白光发光组件。另外，本发明的发光组件包括氮化铝铟镓系发光二极管芯片组、氮磷化铝铟镓系发光二极管芯片组以及波长转换荧光材料，因此可获得具有良好演色性的高发光效率白光发光组件。此外，本发明的发光组件是以堆叠贴合方法将氮化铝铟镓系发光二极管芯片组与氮磷化铝铟镓系发光二极管芯片组结合，因此可实现发光组件的发光密度集中的功效。
Claims (20)
1.一种发光组件，其特征是，其包括：
一支架；
一第一绝缘性基板，形成于该支架上，该第一绝缘性基板具有一第一区域以及一第二区域；
一第一发光二极管芯片组，形成于该第一绝缘性基板上，并位于该第一区域，用以发出一第一光线；
一第二发光二极管芯片组，形成于该第一绝缘性基板的该第二区域的上方，用以发出一第二光线；以及
一波长转换荧光材料，位于该第一发光二极管芯片组及该第二发光二极管芯片组上，用以吸收部分该第一发光二极管芯片组所发出的该第一光线并转换成一第三光线，该第一光线、该第二光线和该第三光线具有不同波长的光谱范围。
2.根据权利要求1所述的发光组件，其特征是，该第一发光二极管芯片组包括串联的多个氮化铝铟镓系微型发光二极管芯片，该第二发光二极管芯片组包括串联的多个氮磷化铝铟镓系微型发光二极管芯片，该第一光线是波长介于430至490纳米的蓝光，该第二光线是波长介于605至650纳米的红光，且该第三光线是波长介于550至590纳米的黄绿光。
3.根据权利要求1所述的发光组件，其特征是，用于配置该第二发光二极管芯片组的该第二区域位于该第一绝缘性基板的中央、边缘或者角落。
4.根据权利要求1所述的发光组件，其特征是，更包括一第二绝缘性基板，形成于该第一绝缘性基板与该第二发光二极管芯片组之间。
5.根据权利要求4所述的发光组件，其特征是，更包括一反射层，设置于该第一绝缘性基板下方，或该第一绝缘性基板与该第二发光二极管芯片组之间。
6.根据权利要求4所述的发光组件，其特征是，该第一发光二极管芯片组电气串联至该第二发光二极管芯片组。
7.根据权利要求4所述的发光组件，其特征是，更包括至少一金属接合垫，形成于该第一绝缘性基板，用作该第二发光二极管芯片组覆晶于该第一绝缘性基板上的接合垫。
8.根据权利要求4所述的发光组件，其特征是，更包括一氮化铝铟镓系磊晶层，设置于该第一绝缘性基板与该第二绝缘性基板之间。
9.根据权利要求8所述的发光组件，其特征是，更包括：
一绝缘层，设置于该氮化铝铟镓系磊晶层上；以及
至少一金属接合垫，形成于该绝缘层上，用作该第二发光二极管芯片组覆晶于该第一绝缘性基板上的接合垫。
10.根据权利要求8所述的发光组件，其特征是，更包括一反射层，设置于该绝缘层上，并位于该绝缘层与该第二发光二极管芯片组之间。
11.根据权利要求1所述的发光组件，其特征是，更包括至少一封盖树脂，该波长转换荧光材料与该封盖树脂相混合，混合有该波长转换荧光材料之该封盖树脂是均匀分布于该第一发光二极管芯片组上或是均匀分布于该第一发光二极管芯片组以及该第二发光二极管芯片组上。
12.根据权利要求1所述的发光组件，其特征是，该波长转换荧光材料包括Sr1-x-yBaxCaySiO4:Eu2+F、(Sr1-x-yEuxMny)P2+zO7:Eu2+F、(Ba，Sr，Ca)Al2O4:Eu、((Ba，Sr，Ca)(Mg，Zn))Si2O7:Eu、SrGa2S4:Eu、((Ba，Sr，Ca)1-xEux)(Mg，Zn)1-xMnx)Al10O17、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu，Mn、((Ba，Sr，Ca，Mg)1-x Eux)2Si2O4、Ca2MgSi2O7:Cl、SrSi3O8·2SrCl2:Eu、BAM:Eu、Sr-Aluminate:Eu、Thiogallate:Eu、Chlorosilicate:Eu、Borate:Ce，Tb、Sr4Al14O25:Eu、YBO3:Ce，Tb、BaMgAl10O17:Eu，Mn、(Sr，Ca，Ba)(Al，Ga)2S4:Eu、Ca2MgSi2O7:Cl，Eu，Mn、(Sr，Ca，Ba，Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、ZnS:Cu，Al、(Y，Gd，Tb，Lu，Yb)(AlyGa1-y)5O12:Ce、(Sr1-x-y-zBaxCayEuz)2SiO4、(Sr1-a-bCabBac)SixNyOz:Eua以及Sr5(PO4)3Cl:Eua其中之一或上述材质所组成的混合材质。
13.一种发光组件的制作方法，其特征是，其包括：
设置一第一绝缘性基板于一支架上；
设置一第一发光二极管芯片组于该第一绝缘性基板上，并位于该第一绝缘性基板的一第一区域，用以发出一第一光线；
设置一第二发光二极管芯片组于该第一绝缘性基板的一第二区域上方，用以发出一第二光线；以及
设置一波长转换荧光材料于该第一发光二极管芯片组及第二发光二极管芯片组上，用以吸收部分该第一发光二极管芯片组所发出的该第一光线并转换成一第三光线，该第一光线、该第二光线和该第三光线具有不同波长的光谱范围。
14.根据权利要求13所述的发光组件的制作方法，其特征是，设置该第一发光二极管芯片组的步骤包括：
形成一氮化铝铟镓系磊晶层于该第一绝缘性基板；以及
利用该氮化铝铟镓系磊晶层形成多个氮化铝铟镓系微型发光二极管芯片并串联成为该第一发光二极管芯片组，该第一发光二极管芯片组发出的该第一光线是波长介于430至490纳米的蓝光。
15.根据权利要求14所述的发光组件的制作方法，其特征是，更包括去除位于该第二区域的该氮化铝铟镓系磊晶层的步骤。
16.根据权利要求14所述的发光组件的制作方法，其特征是，该第二发光二极管芯片组以覆晶的方式设置于该第一绝缘性基板上方。
17.根据权利要求13所述的发光组件的制作方法，其特征是，设置该第一发光二极管芯片组的步骤更包括：
形成一磷氮化铝铟镓系磊晶层于一第二绝缘性基板；以及
利用该磷氮化铝铟镓系磊晶层形成多个氮磷化铝铟镓系微型发光二极管芯片并串联成为该第二发光二极管芯片组，该第二发光二极管芯片组发出的该第二光线是波长介于605至650纳米的红光。
18.根据权利要求13所述的发光组件的制作方法，其特征是，该第三光线是波长介于550至590纳米的黄绿光。
19.根据权利要求13所述的发光组件的制作方法，其特征是，更包括设置一反射层于该第一绝缘性基板下方，或该第一绝缘性基板与该第二发光二极管芯片组之间。
20.根据权利要求13所述的发光组件的制作方法，其特征是，更包括电气串联该第一发光二极管芯片组与该第二发光二极管芯片组的步骤。
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