CN102398208A - 半导体工艺处理系统以及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种半导体工艺处理系统及方法，适用于减少对于一半导体晶片在执行背面研磨胶带贴片工艺过程中所产生的工艺缺陷，该系统包括：平台，具有一个或多个孔洞在其中形成，其中平台为工作盘或支撑台，以及其中孔洞和发生预先背面研磨胶带贴片工艺时的上方表面呈垂直；一个或多个传感器，配置在孔洞，用以监控上述预先背面研磨胶带贴片工艺过程中的参数；控制盒，耦接一个或多个传感器，用以将从一个或多个传感器接收到的感测信号组转换为数字形式；以及电脑实施工艺控制工具，耦接至控制盒，用以根据数字形式的感测信号组决定是否继续进行预先背面研磨胶带贴片工艺。
Description
技术领域
本说明书主要涉及改善半导体晶片背面研磨工艺的缺陷的系统和方法。
背景技术
在半导体元件尺寸持续缩小下，将面临许多设计上的挑战。为了适应此趋势的工艺在集成电路制造中使用一种非常薄的晶片。在半导体工业中的一些目前方案会使用对集成电路晶片(也可归类为半导体晶片)背面研磨的方法来减少其厚度。此实施方式关系着晶片正面或有源面的完成以及随后从晶片背面移除过多的衬底。
在晶片正面形成有源电路之后，两种工艺方式之一会发生。假如使用倒装芯片球格阵列(Flip Chip ball grid array，FCBGA)的晶片工艺，根据此法，电路以研磨胶带(laminating tape)覆盖且接续于背面研磨工艺。假如使用硅穿孔(Through Silicon Vias，TSV)的载体胶合工艺，则在背面研磨移除过多衬底前使用粘着剂使载体晶片和集成电路晶片胶合。
使用上述的方法并不是没有缺点，原因在于缺陷会发生在保护有源电路步骤的过程中。举例来说，假如在倒装芯片球格阵列工艺中使用研磨胶带，需要注意研磨胶带的压力和速度。假如压力且/或速度不正确的话，研磨胶带的气泡会造成残胶留在晶片中。不适当的粘贴胶带会导致晶片在背面研磨工艺时破损。使用硅穿孔的方式，施加不适当的压力在粘着剂和载体晶片上，会再一次在背面研磨时导致像是晶片弯曲和破损的问题。
发明内容
为克服现有技术缺陷，本发明一实施例提供一种半导体工艺处理系统，适用于减少对于一半导体晶片于执行背面研磨胶带贴片工艺过程中所产生的工艺缺陷，包括：一平台，具有一个或多个孔洞在其中形成，其中上述平台为一工作盘或一支撑台，以及其中上述孔洞和发生一预先背面研磨胶带贴片工艺时的上方表面呈垂直；一个或多个传感器，配置在上述孔洞，用以监控上述预先背面研磨胶带贴片工艺过程中的一参数；一控制盒，耦接一个或多个上述传感器，用以将从一个或多个上述传感器接收到的感测信号组转换为一数字形式；以及一电脑实施工艺控制工具，耦接至上述控制盒，用以根据上述数字形式的上述感测信号组决定是否继续进行上述预先背面研磨胶带贴片工艺。
本发明一实施例提供一种半导体工艺处理方法，适用于减少一背面研磨胶带贴片工艺所导致一半导体晶片弯曲和破损，包括：在一预先背面研磨胶带贴片机装置接收上述半导体晶片，上述预先背面研磨胶带贴片机装置具有在内部形成的一个或多个孔洞，其中上述孔洞和上述半导体晶片的上方表面呈垂直，且上述半导体晶片的上述孔洞内包括一个或多个传感器；根据上述预先背面研磨工艺所测量出一个或多个参数，从而得到一个或多个预先背面研磨胶带贴片测量参数；通过一控制盒将所测得的上述预先背面研磨胶带贴片测量参数转换为一数字形式；决定是否上述数字形式的上述预先背面研磨胶带贴片测量参数落在一可接受的工艺值的一既定范围；以及假如上述预先背面研磨胶带贴片测量参数并未落入至上述可接受的工艺值的上述既定范围，则中断上述预先背面研磨胶带贴片工艺。
本发明一实施例提供一种半导体工艺处理系统，适用于在一倒装芯片球格阵列工艺时，减少对于一半导体晶片在执行背面研磨之前的研磨胶带贴片工艺过程中所产生的工艺缺陷，上述系统包括：一工作盘，为了接收上述半导体晶片以及一支撑台，其中上述工作盘或上述支撑台内具有通过一电脑数值控制车床所形成的一个或多个孔洞，其中上述孔洞和接收上述半导体晶片的上方表面呈垂直；在一研磨胶带贴片工艺的过程中，上述半导体晶片背面一个或多个传感器配置在上述孔洞以监控压力和速度参数；一控制盒，从上述一个或多个传感器接收一感测信号组；以及一电脑实施工艺控制工具，根据上述控制盒所接收的上述感测信号组和可接受范围内对应的一参数组相比，是否超出可接受范围，用以决定是否中断上述研磨胶带贴片工艺。
附图说明
一个或多个实施例以举例的方式描述于附图中，但并非用以限制本发明，在附图中，具有相同参考标号的元件代表类似的元件，其中：
图1显示根据本发明一实施例所述的倒装芯片球格阵列系统100的高层次图。
图2显示根据本发明一实施例所述的倒装芯片球格阵列系统200的高层次图。
图3显示根据本发明一实施例所述的倒装芯片球格阵列系统300的高层次图。
图4显示根据本发明一实施例所述的倒装芯片球格阵列系统400的高层次图。
图5显示根据本发明一实施例所述的硅穿孔工艺系统500的高层次图。
图6显示根据一个或多个所公开的实施例，用以执行电脑监控工艺工具的计算元件600的高层次图。
图7显示根据本发明一实施例所述的半导体晶片工艺的流程图700。
其中，附图标记说明如下：
14～背面研磨胶带；
16～滚轮；
30～半导体晶片；
100、200、300、400、500、600～系统；
110、210、310、410、510～工作盘；
112、212、312、412、512～上方表面；
114、214、324、424、520～传感器；
120、220、320、420、520～支撑台；
130、230、330、430、530～控制盒；
140、240、340、440、540～电脑工艺控制工具；
516～载体晶片；
518～滚筒；
612～处理器；
614～输入/输出装置；
616～存储器；
618～总线；
142～接收参数设定；
144～既定可接受范围参数设定；
700～流程图；
710、715、720、725、730、740～步骤；
P～压力。
具体实施方式
下文描述了在半导体晶片工艺中，准备背面研磨胶带贴片工艺时，减少产生缺陷的系统和方法的实施例。说明书中所提到的“一实施例”或“实施例”所提到的特定的特征，并不表示此实施例只和所描述的单一实施例本身有关，但其实施可显示在本说明书的至少一实施例中。相似的技术特征，一般会使用相似的索引标号，但并不表示在每一实施例中必须具有相同的技术特征。此外，附图所描述的技术特征，并未依照特定尺寸描绘，因此不应该使用特定的尺寸来限制在此系统所描述的特征。
图1显示根据本发明一实施例所述的倒装芯片球格阵列系统100的高层次图，用以减少在芯片尺寸封装工艺中所产生的缺陷。倒装芯片球格阵列系统100以研磨胶带装置相连结，其中只显示部分结构，以使得所描述的实施例不致混淆。研磨胶带装置包括背面研磨(BG)胶带14，其中滚轮16施用在一半导体晶片30上。施用背面研磨胶带14至半导体晶片30的过程中，滚轮16横跨半导体晶片30移动以透过施用背面研磨层压带14施加一压力(一般以字母P表示)至半导体晶片30。
一工作盘(chuck table)110在应用背面研磨胶带14工艺过程中直接或间接承载半导体晶片30。半导体晶片30的背面静止在接近工作盘110的上表面112。支撑台120配置在工作盘110的一侧或两侧，用以确保滚轮16正确的配置以施用背面研磨胶带14至半导体晶片30的正面或有源表面。发明人发现的工艺缺陷，例如若压力P没有在可接受或既定的范围内，可能发生背面研磨胶带14起泡或半导体晶片30弯曲的情形。同样地，假如在研磨胶带贴片工艺中滚轮16没有以既定的速度移动，也可能产生类似的缺陷。
工作盘110包括至少一个孔洞，例如在内部形成从一平台上方表面112垂直延伸的三个孔洞，也就是说，在半导体晶片30上方的表面来配置。压力传感器114分别放置在每一孔洞中，用以测量在研磨胶带贴片工艺过程中通过滚轮16施加在半导体晶片30所产生的压力P。举例来说，压力传感器114为万机科技股份有限公司(MKS instruments of Andover，Mass)生产的一Baratron压力转换器。压力传感器114配置在接近工作盘110边缘以及平台的中央。
在不同的实施例中，工作盘110包括很多或很少孔洞且/或压力传感器114。在一些其它实施例中，压力传感器114配置于接近工作盘110的边缘、中点以及中心，用以测量位于半导体晶片30上的滚轮16，经过施用背面研磨胶带14在半导体晶片30上所产生的压力P。至少在一些实施例中，压力传感器114可整合为工作盘110或支撑台120的一部分。其它由压力传感器的配置且/或孔洞的组成所产生的结构，对于所属技术领域中普通技术人员而言，根据本说明书所公开的实施例，能够达成且非常明显的。
在至少一实施例中，电脑数值控制(Computer Numerical Control，CNC)车床，在倒装芯片球格阵列系统100的工作盘110钻了一连串的孔洞。图2显示根据另一实施例的高层次图，其中一电脑数值控制车床在工作盘210内钻了一个孔洞，此孔洞和平台212的表面相垂直。支撑台220和上述支撑台120类似。一压力传感器214为在工作盘210中心的单一传感器。在更进一步的实施例中，在平台生产过程中，一个孔洞或一连串孔洞会限定于一工作盘中。系统200包括一控制盒230和一电脑工艺控制工具240，其和上述控制盒130和电脑工艺控制工具140类似，将会在下面详细说明。
回到图1，压力传感器114耦接至一控制盒130，控制盒130将接收到的传感器信号转换成在电脑工艺控制工具140直接可用的形式。举例来说，控制盒130，将来自一电压测量的压力传感器所接受到的传感器信号(感测信号组)转换成数字输出值。在一些实施例中，压力传感器114为压力转换器，可以借读取在1牛顿精确值内的测量产生压力。控制盒130转换范围从10牛顿至200牛顿的读取值为数字的类型。在其它实施例中，在不同范围的压力传感器114具有不同精确标准或检测压力值。同样地，在一些实施例中，控制盒130透过不同范围的数值，转换接收到的传感器信号。在其它实施例中，压力转换器根据测量出的压力，产生一电流测量值(而不是电压测量值)到控制盒130。在其它实施例中，控制盒130由压力传感器114所整合。在更进一步的实施例中，控制盒130通过执行一电脑工艺控制工具140的计算系统来做整合，在下面将会有更详细的描述。
电脑工艺控制工具140，为执行包括一电脑实施统计程序控制(statisticprocess control，SPC)的一组指令。一计算系统(在第6图呈现和描述)执行统计程序控制，用以监控和控制生产工艺的每一个步骤。一些通过统计程序控制的工艺具有根据统计产生的参数，例如，使用经过一段时间的平均值决定生产工艺是否在一既定可接受的范围值(既定参数组)。其它生产工艺(像是研磨胶带贴片工艺)操作在一既定临界值或范围值。电脑工艺控制工具140接收从半导体生产设备中的控制盒130且/或其它工具且/或机器产生的数据。在生产工艺过程中，统计程序控制利用测量值产生一链条排列图，用以监控参数是否以有系统和有相互关系的方式产生。因此，假如任何工艺参数未在规定的既定限制内，监控的生产工艺将会中断。举例来说，假如从控制盒130接收的数据表示读取的压力过高或过低，为了调整滚轮，研磨胶带贴片工艺将会暂停。
图3显示根据本发明另一实施例所述的倒装芯片球格阵列系统300的高层次图，系统300用以改善在芯片尺寸封装工艺中所产生的缺陷。系统300包括许多与系统100类似的特征，包括一工作盘310、一支撑台320、一控制盒330，以及一电脑程序控制工具340。然而，在系统300中，传感器324设置于支撑台320。在一些实施例中，传感器324为压力转换器，且传感器324配置在支撑台320中以允许在实际配置研磨胶带在晶片之前即检测由研磨胶带贴片设备所施加的压力测量值。虽然图3只显示两个传感器，但在不同实施例中，可以使用更多或更少传感器。在至少一实施例中，单一压力传感器根据支撑台和工作盘有关的位置(也就是说在工作盘前方或后方)测量在卷带应用之前或之后所施加压力值。
图4显示根据本发明一实施例所述的倒装芯片球格阵列系统400的高层次图，系统400用以改善在芯片尺寸封装工艺中所产生的缺陷。系统400包括一工作盘410、一支撑台420、一控制盒430，以及一电脑程序控制工具440。位置传感器424配置在支撑台420中，支撑台420在工作盘其中一侧或是两侧都有。系统400包括两个或多个位置传感器424，用以监控滚轮施用在研磨胶带的位置。两个位置传感器424配置在支撑台420中，支撑台420在工作盘的两侧，所以总共有四个位置传感器424。再一次说明，上述只是本说明书的一实施例，在其它实施例中，可以使用更多或更少传感器来实现。
通过使用至少两个位置传感器424，可以测量施用研磨胶带贴片的速度。如上述卷带施加的压力，发明人认定在卷带所施用的速度影响了在晶片起泡和伴随而来的缺陷。因此，假如位于不同点的位置传感器424(例如光学或磁力传感器)检测到滚轮产生测量值的时间，则滚轮施用在卷带的速度是可计算出来的。在至少一实施例中，使用超过两传感器来增强监控研磨胶带贴片工艺。额外的位置传感器424增加了测量的精确性，确保在此应用或其它类似应用得到想要的速度。在至少一些实施例中，位置传感器424被配置在支撑台420中不同位置。在一些实施例中，除了位置传感器外的其它传感器也可用来检测滚轮的速度。在一些实施例中，包括结合(i)根据图1-3公开的至少一压力传感器以及(ii)根据图4公开的至少一位置/速度传感器，以确保研磨胶带贴片工艺执行于理想的贴片压力且/或速度范围。
图5显示根据本发明一实施例所述的系统500的高层次图，系统500用以改善硅穿孔工艺中处理半导体晶片所产生的缺陷。系统500和先前描述的实施例间的不同之处就是少了支撑台。在至少一硅穿孔工艺实施例中，只有一工作盘支配晶片。半导体晶片30在表面512上支撑工作盘510。
粘着剂添加在半导体晶片30(有源晶片)的前方(即有源面)，而载体晶片516胶合至半导体晶片30(有源晶片)。此胶合工艺执行于提高温度的一真空密封胶合室内的工作盘510。系统500具有一滚筒518，用以取代滚轮16(第1图)，在胶合工艺过程中，滚筒518集中和施加压力P至半导体晶片30。发明人认定假如在胶合工艺过程中所施加的压力P未在既定的规格内，半导体晶片30可能会变成弯曲因而造成半导体晶片30的损害。
在系统500，使用电脑数值控制车床以在工作盘510上钻孔洞。在孔洞中嵌入传感器520使得在胶合工艺过程中可直接监控施加在半导体晶片30的压力。传感器520的配置在先前许多实施例中谈论过。在一些实施例中，传感器520大体上类似关于在系统100-300所描述的压力转换器。传感器520在一些实施例中，需要有抵抗加热压力的能力，像是有关于执行胶合工艺时发生温度上升的情况。
接着，传感器520连接至控制盒530，控制盒530转换传感器信号(感测信号组)为电脑监控工艺工具540可用的形式。电脑监控工艺工具540为一组执行的指令，包括一电脑所实施的统计程序控制。假如工艺参数不在既定和规格的限制中(既定参数组)，此工艺就中断。在至少一实施例中，假如任何工艺的工艺参数超出既定和规格的限制，此工艺就中断。
此外，图6显示用以执行电脑监控工艺工具140(或电脑监控工艺工具240、340、440或540)的计算元件600的高层次图。计算元件600包括耦接处理器612的总线618、存储器616，以及一输入/输出(I/O)装置614。存储器616耦接至总线618，用以储存数据和信息(上述数据和信息可为即将由计算元件600(例如处理器612)所执行的指令)。在执行通过计算元件600产生的指示过程中，存储器616也可用以储存暂时变量或其它的中间信息。存储器616也包括只读存储器(read only memory，ROM)或其它耦接至总线618的静态储存元件，总线618用以计算元件600储存静态信息和指令。存储器616包括静态且/或动态储存元件，例如光学、磁力且/或电力介质且/或其结合。
根据一些实施例，控制盒530(第5图)经由输入/输出装置614连接计算元件600。在至少一些实施例中，输入/输出装置614包括连接网络的机制。在至少一些实施例中，输入/输出装置614包括有线且/或无线连接机制。在至少一些实施例中，计算元件600经由输入/输出装置614连接其它计算元件(例如电脑系统)。输入/输出装置614包括一串联且/或并联通信结构。在没有任何架构的限制下，输入/输出装置614的示范实施例包括至少一有线或无线通用串行总线(Universal Serial Bus，USB)接口、一以太网络接口、一无线保真(Wifi)或全球互通微波存取(WiMAX)或蓝牙接口、一蜂巢式系统接口、串联电缆、并联电缆、红外线等。
电脑监控工艺工具140储存在存储器616的一部分中(存储器616也可表示为非暂时性电脑可读取介质)。接收参数组142(感测信号组)以及既定可接受范围参数组144(既定参数组)也都储存于存储器616。既定可接受范围参数组144包括和接收参数设定142相比较的数值，电脑监控工艺工具140利用此数值决定监控研磨胶带贴片工艺持续或中断。在一些实施例中，既定可接受范围参数组144包括在芯片尺寸封装工艺中研磨胶带贴片工艺的压力值。在其它实施例中，既定可接受范围参数设定144包括在芯片尺寸封装工艺中发生适当的研磨胶带贴片工艺的速度值范围。在至少一些实施例中，既定可接受范围参数设定144包括压力值和速度值两者的数值或范围。在更进一步的实施例中，既定可接受范围参数设定144包括载体胶合工艺时的压力值，例如，在一硅穿孔工艺中，最佳值产生。
图7显示根据本发明一实施例所述的半导体晶片工艺的流程图700，用以说明改善半导体晶片工艺缺陷的方法。在步骤710中，一预先背面研磨胶带贴片装置接收一半导体晶片。背面研磨胶带贴片装置(举例来说，为一研磨胶带装置或一载体晶片胶合装置)由具有孔洞的平台以及包括一个或多个传感器所组成。如上述，在一些实施例中压力传感器放置在工作盘或一个或多个支撑台中。在一些实施例中，光学或磁力传感器放置在支撑台之中。在更进一步的实施例中，使用压力和光学传感器两者。
在步骤715中，传感器测量一个或多个和预先背面研磨胶带贴片工艺相关的参数。举例来说，在一些实施例中，测量参数包括位在工作盘或一个或多个支撑台中的压力转换器所测量出的压力值。在其它实施例中，测量参数包括测量滚轮从一光学传感器到另一光学传感器的时间周期而产生的速度测量值。在更进一步的实施例中，测量参数包括压力和速度测量值两者。
接着在步骤720中，一控制盒转换测量出的预先背面研磨胶带贴片参数为数字形式。在步骤725中，一统计程序控制工具决定所测量出的预先背面研磨胶带贴片参数是否为在规定范围内可接受的数值。上述方法根据预先背面研磨胶带贴片工艺参数是否落在规定范围内可接受的数值来进行。假如上述参数落在可接受的范围，进入步骤730持续预先背面研磨胶带贴片工艺。假如上述参数落在超出规定范围内可接受的数值，就进入步骤740中断预先背面研磨胶带贴片工艺，因此可调整预先背面研磨胶带贴片工艺以修正此错误。一旦调整正确了，预先背面研磨胶带贴片工艺就会继续进行先前的步骤。
举例来说，假如上述预先背面研磨贴片工艺为研磨胶带贴片工艺，且上述参数为，通过使用滚轮在胶带至晶片过程中所施加的压力，且/或施用滚轮在胶带的速度。假如上述两参数或其中之一未落在规定的范围，也就是说，施加的压力过大或过小，或施用滚轮在胶带的速度过快或过慢，所应用的研磨胶带贴片工艺将会被中断。通过研磨胶带贴片装置调整错误的参数至正确值，以及调整完后，研磨胶带贴片工艺再重新开始。在其它实施例中，上述预先背面研磨工艺为载体胶合工艺。假如在载体晶片以及有源晶片在胶合在一起时压力过高或低，载体胶合装置会调整施用的压力至在正确范围内可接受的数值。
上述的实施例公开了可改善半导体晶片在背面研磨贴片工艺过程前所产生的工艺缺陷的系统以及方法。在至少一些实施例中，在具有一个或多个孔洞形成在其中的平台，此平台具有至少一传感器配置在其孔洞中，用以监控在预先背面研磨贴片工艺过程中所产生的参数。一控制盒转换一个或多个传感器所接收到的信号组为数字的形式。一电脑实施工艺控制工具耦接至控制盒，用以接收数字形式的接收信号。电脑实施工艺控制工具根据数字形式的传感器信号来决定预先背面研磨贴片工艺是否持续下去。
本说明书所公开的实施例，对于任何本领域普通技术人员，将很快可以理解上述的优点。在阅读完说明书内容后，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可以广义的方式作适当的更动和替换。因此，本说明书所公开的实施例，是用以保护本发明的权利要求，并非用以限定本发明的范围。
Claims (10)
1.一种半导体工艺处理系统，适用于减少对于一半导体晶片在执行背面研磨之前的研磨胶带贴片工艺过程中所产生的工艺缺陷，包括：
一平台，具有一个或多个孔洞在其中形成，其中上述平台为一工作盘或一支撑台，以及其中上述孔洞和发生一预先背面研磨胶带贴片工艺时的上方表面呈垂直；
一个或多个传感器，配置在上述孔洞，用以监控上述预先背面研磨胶带贴片工艺过程中的一参数；
一控制盒，耦接一个或多个上述传感器，用以将从一个或多个上述传感器接收到的一感测信号组转换为一数字形式；以及
一电脑实施工艺控制工具，耦接至上述控制盒，用以根据上述数字形式的上述感测信号组决定是否继续进行上述预先背面研磨胶带贴片工艺。
2.如权利要求1所述的半导体工艺处理系统，其中一个或多个上述传感器包括一个或多个压力传感器；以及
其中一个或多个上述压力传感器配置在上述工作盘或上述支撑台。
3.如权利要求1所述的半导体工艺处理系统，其中上述一个或多个传感器包括一个或多个位置传感器；以及
其中一个或多个上述位置传感器配置在上述支撑台。
4.如权利要求1所述的半导体工艺处理系统，其中上述传感器用以监控在一背面研磨胶带贴片工艺规格下的一芯片尺寸封装工艺；
其中上述传感器用以监控施用在上述背面研磨胶带贴片工艺；以及
其中上述传感器包括至少一压力传感器或一最佳化传感器。
5.如权利要求1所述的半导体工艺处理系统，其中上述传感器用以监控在一背面研磨胶带贴片工艺规格下的一载体胶合工艺；
其中上述传感器用以监控一载体胶合工艺，上述载体胶合工艺用以胶合一载体晶片和上述半导体晶片；以及
其中上述传感器为压力传感器。
6.如权利要求1所述的半导体工艺处理系统，其中上述电脑实施工艺控制工具决定是否上述背面研磨胶带贴片工艺在一既定参数组内，以及其中假如上述数字形式的上述感测信号组在上述既定参数组内，上述电脑实施工艺控制工具允许上述预先背面研磨胶带贴片工艺继续进行，以及假如上述数字形式的上述感测信号组在超出上述既定参数组外，则上述预先背面研磨胶带贴片工艺就中断。
7.一种半导体工艺处理方法，适用于减少一背面研磨胶带贴片工艺所导致一半导体晶片弯曲和破损，包括：
在一预先背面研磨胶带贴片装置接收上述半导体晶片，上述预先背面研磨胶带贴片装置具有在内部形成的一个或多个孔洞，其中上述孔洞和上述半导体晶片的上方表面呈垂直，且上述半导体晶片的上述孔洞内包括一个或多个传感器；
根据上述预先背面研磨胶带贴片工艺所测量出一个或多个参数，从而得到一个或多个预先背面研磨胶带贴片测量参数；
通过一控制盒将所测得的上述预先背面研磨胶带贴片测量参数转换为一数字形式；
决定是否上述数字形式的上述预先背面研磨胶带贴片测量参数落在一可接受的工艺值的一既定范围；以及
假如上述预先背面研磨胶带贴片测量参数并未落入至上述可接受的工艺值的上述既定范围，则中断上述预先背面研磨胶带贴片工艺。
8.如权利要求7所述的半导体工艺处理方法，其中上述参数的测量包括测量上述预先背面研磨胶带贴片装置的元件所施加的压力；以及
其中上述参数的测量包括测量一研磨胶带的滚轮所施加的压力。
9.如权利要求7所述的半导体工艺处理方法，其中上述参数的测量包括测量于一载体胶合工艺时所使用的一滚筒所施加的压力；
其中上述参数的测量包括测量一研磨胶带滚轮的一滚轮速率；以及
其中上述预先背面研磨胶带贴片测量参数的转换包括将一压力转换器的电压转换至一对应压力测量值。
10.一种半导体工艺处理系统，适用于在一倒装芯片球格阵列工艺时，减少对于一半导体晶片于执行背面研磨之前的一胶带贴片工艺过程中所产生的工艺缺陷，上述系统包括：
一工作盘，为了接收上述半导体晶片以及一支撑台，其中上述工作盘或上述支撑台内具有通过一电脑数值控制车床所形成的一个或多个孔洞，其中上述孔洞和接收上述半导体晶片的上方表面呈垂直；
在一研磨胶带贴片工艺的过程中，上述半导体晶片在贴片的前，将一个或多个传感器配置在上述孔洞以监控压力和速度参数；
一控制盒，从上述一个或多个传感器接收一感测信号组；以及
一电脑实施工艺控制工具，根据上述控制盒所接收的上述感测信号组和可接受范围内对应的一既定参数组相比，是否超出可接受范围，用以决定是否中断上述研磨胶带贴片工艺。
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|---|---|---|---|---|
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| KR20180093966A (ko) * | 2015-12-10 | 2018-08-22 | 아이오니어 엘엘씨 | 프로세스 동작의 파라미터들을 결정하기 위한 장치 및 방법 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5827112A (en) * | 1997-12-15 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for grinding wafers |
| US5827111A (en) * | 1997-12-15 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for grinding wafers |
| US6572444B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-06-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods of automated wafer-grinding using grinding surface position monitoring |
| US20030224581A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-04 | Robert Bosch Gmbh | Flip chip packaging process using laser-induced metal bonding technology, system utilizing the method, and device created by the method |
| WO2004043647A1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-05-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Apparatus for and method of wafer grinding |
| US6845695B2 (en) * | 2000-12-19 | 2005-01-25 | Micron Technology, Inc. | In-process tape bur monitoring |
| JP2007098487A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り装置 |
| KR20070046767A (ko) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | 도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드 | 반도체 웨이퍼 배면 연마 방법 및 반도체 웨이퍼 연마 장치 |
| CN101511539A (zh) * | 2006-09-12 | 2009-08-19 | 株式会社荏原制作所 | 研磨装置及研磨方法 |
| US20100059183A1 (en) * | 2008-09-10 | 2010-03-11 | Hiwin Mikrosystem Corp. | Wafer taping and detaping machine |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637177A (en) * | 1994-12-07 | 1997-06-10 | Van Os Enterprises | Laminating apparatus having a reciprocating press roller |
| US6080263A (en) * | 1997-05-30 | 2000-06-27 | Lintec Corporation | Method and apparatus for applying a protecting film to a semiconductor wafer |
| US6428641B1 (en) * | 1998-08-31 | 2002-08-06 | Amkor Technology, Inc. | Method for laminating circuit pattern tape on semiconductor wafer |
| US6940181B2 (en) * | 2003-10-21 | 2005-09-06 | Micron Technology, Inc. | Thinned, strengthened semiconductor substrates and packages including same |
| JP4540403B2 (ja) * | 2004-06-16 | 2010-09-08 | 株式会社東京精密 | テープ貼付方法およびテープ貼付装置 |
| WO2006057720A1 (en) | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Rajeev Bajaj | Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor |
| JP2007329315A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 剥離テープ貼付方法および剥離テープ貼付装置 |
| US8018172B2 (en) | 2009-04-13 | 2011-09-13 | Magtech Industries Corporation | Method and apparatus for LED dimming |
| US8574398B2 (en) * | 2010-05-27 | 2013-11-05 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Apparatus and method for detaping an adhesive layer from the surface of ultra thin wafers |
-
2010
- 2010-09-10 US US12/879,278 patent/US8571699B2/en active Active
-
2011
- 2011-03-04 TW TW100107282A patent/TWI424488B/zh active
- 2011-03-15 CN CN201110064974.2A patent/CN102398208B/zh active Active
-
2013
- 2013-10-03 US US14/045,440 patent/US10534353B2/en active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5827112A (en) * | 1997-12-15 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for grinding wafers |
| US5827111A (en) * | 1997-12-15 | 1998-10-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for grinding wafers |
| US6572444B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-06-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods of automated wafer-grinding using grinding surface position monitoring |
| US6845695B2 (en) * | 2000-12-19 | 2005-01-25 | Micron Technology, Inc. | In-process tape bur monitoring |
| US20030224581A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-04 | Robert Bosch Gmbh | Flip chip packaging process using laser-induced metal bonding technology, system utilizing the method, and device created by the method |
| WO2004043647A1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-05-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Apparatus for and method of wafer grinding |
| JP2007098487A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り装置 |
| KR20070046767A (ko) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | 도쿄 세이미츄 코퍼레이션 리미티드 | 반도체 웨이퍼 배면 연마 방법 및 반도체 웨이퍼 연마 장치 |
| CN101511539A (zh) * | 2006-09-12 | 2009-08-19 | 株式会社荏原制作所 | 研磨装置及研磨方法 |
| US20100059183A1 (en) * | 2008-09-10 | 2010-03-11 | Hiwin Mikrosystem Corp. | Wafer taping and detaping machine |
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