CN102386251A - 一种用软基片制备的柔性太阳能电池光伏组件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及由改性基片制备高透光率的太阳能光伏组件，属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明目的在于提供一种用软基片做透光型柔性电池组件及其制备方法的解决方案。主要技术特征是用不锈钢模板生成改性聚酰亚胺PI基片（简称PI基片），其上的透光通孔包括引流孔和汇流孔，贯通、分布于PI基片上，导电膜层及光电转换层各叠层膜面上。本发明创造效果显著，减少了因激光刻划透明导电膜对光电层加工界面晶化所造成的短路和漏电，减小了电池表面的复合，减少工序，降低生产成本。本发明工艺使太阳能电池的转换效率和带负载能力和性价比有显著地提高。透光型加柔性太阳能电池光伏组件用途广泛。

Description

一种用软基片制备的柔性太阳能电池光伏组件
技术领域
本发明专利涉及由改性基片制备高透光率的太阳能光伏组件，属于薄膜太阳能电池技术领域。
背景技术
目前，商业化应用太阳能电池光伏组件分为两大类，一类是块状晶体硅太阳能电池、多晶硅，另一类是以薄膜太阳能电池硅基系列、铜铟镓硒系列、碲化镉系列等太阳能电池。薄膜太阳能电池基片类型，又可分为硬基底和软基。薄膜太阳能电池市场，主要以玻璃为基底，属于硬基底电池，产品占有份额最大，软基片薄膜太阳能电池市场较小。软基还包括导电类的不锈钢带和铜带等,绝缘类的聚酰亚胺。美国专利US6858461和US4795500分别提出了在透明TCO玻璃基材上采用激光刻蚀光吸收层和背金属电极层薄膜制成一种具有不同光透率的太阳能电池组件。日本专利JP2003003956及中国专利CN200480001786.3在上述美国专利的基础上通过控制激光开断频率和激光与基板之间的相对扫描速度实现开孔大小（直径30~500µm）、孔间距（1.01~2倍于直径距离）和点阵的有序控制。这类专利的共同特征在于采用激光刻蚀光吸收层和背金属电极层薄膜实现光透。其缺陷在于激光刻蚀产生的高能等离子体熔化背金属直接导致在刻蚀区域的界面上形成前后电极的直接短路和非晶硅颗粒的晶化，增大了漏电流，降低了填充因子，因而破坏了电池电性能。中国专利200710073014.6公开了柔性太阳能电池使用改性聚酰亚胺基片，利用其聚酰亚胺膜重量轻，成本低，和改性后完全透明，透光率达93%，提高了光电转换效率。但仍需改进汇流技术,如电池基片与封装材料之间的亲和力，提高透光率，降低产品成本，以满足市场多方面要求，尤其在绿色环保光伏伏建筑一体化领域。
发明内容
如以上所说本发明目的在于提供一种柔性电池及其制备方法的解决方案。本发明利用不锈钢模板成模改性聚酰亚胺PI基片（简称PI基片），其上的透光通孔包括引流孔和汇流孔，分布在前电极图形区域内。PI基片上引流孔、汇流孔等透光通孔，贯通、分布于PI基片上沉积的导电膜层及光电转换层各叠层膜面上。预制通孔减少了后序激光刻划导电膜层对光电层加工界面晶化所造成的短路和漏电，使工序减少，生产成本降低。
本发明目的还在利用柔性电池任意弯曲，形状多变，透光通孔可调节，易封装的特性，制成抗风荷力，美观、符合建筑标准要求透光的柔性电池组件和电池光伏建筑组件，可融于绿色节能、BIPV光伏建筑中。
本发明结合以上所提出的技术问题和实现的任务，技术解决方案是：以聚酰亚胺为基片的柔性薄膜太阳能电池及其封装组件，包括单结或多结硅基系列柔性薄膜太阳能电池芯片（以下简称电池芯片或电池），通常本行业对没有封装的电池称电池芯片或芯片，封装过的电池称电池组件。本发明柔性电池的技术特征由完全透明，透光度90%-95%以上的改性聚酰亚胺PI做基片，该PI基片上前电极图形区域内分布的透光通孔，包括电流导引孔（或简称引流孔）和汇流孔，是复制于0.45mm至0.65mm厚的不锈钢模板图形（或简称模板），并与模板前电极图形区域内分布的透光通孔一一对应。通孔贯通分布于透明导电膜TCO和PIN型硅基各膜层上，形成透光型，有透光图案柔性电池芯片，该芯片放于有亲和力材料透明前板和背板之间，通过层压或高压釜制成透光型太阳能电池组件或光伏建筑组件。柔性封装则要求封装的前板透明材料和背板材料皆为柔性聚合物材料。如果是刚性透光BIPV光伏组件，前板和背板均是透明玻璃或封装所用的前板透明材料和背板材料中至少一种为刚性。将前板透明材料、胶黏剂、电池芯片、胶黏剂、背板材料在层压机或高压釜中热压封装。
所说的柔性电池或称电池芯片，包括单结薄膜非晶硅电池，是以柔性透明的PI基片为衬底，在PI基片的透明导电膜TCO层上，依序沉积：P型非晶硅P+ a-Si、本征非晶硅 I a-Si、N型非晶硅N+ a-Si和金属膜Al。多结电池包括双结或三结叠层电池，可以是同质结或异质结。以双结的异质结电池为例，改性聚酰亚胺PI透明基片，其上依顺序沉积形成的薄膜层：由复合透明导电膜TCO；P型非晶硅P+ a-Si；本征非晶硅I a-Si；N型微晶硅；P型微晶硅；本征非晶硅I a-Si；N型非晶硅N+ a-Si；金属膜Al所组成。
不锈钢模板是0.45mm至0.65mm厚的不锈钢片或带，其上设有本发明前电极图形及分布图形区域内的透光通孔包括电流收集和汇流孔，在该不锈钢片上用丝网印刷或喷涂制备PI基片，加温固化而成的PI基片与不锈钢模板具有相应图形和透光通孔。透光型电池光伏组件，还包括导线引出口焊线、安装接线盒及灌胶。
本发明用软基片制备柔性太阳能电池光伏组件，区别于现有技术。
现有技术没有解决柔性电池PI基片，在不锈钢模板一次性成形透光通孔包括引流孔和汇流孔，并贯通分布于改性PI基片、TCO透明导电膜、PIN叠层和金属膜层上；这就会优化工艺，使后工序简化，节省了工时。避免因激光加工透明导电膜TCO导致光电层界面晶化微短路，漏电等电性能下降。
本发明用软基片制备柔性太阳能电池光伏组件的方法，包括改性高分子聚合物PI基片的制备和由该方法直接获得的硅基系列薄膜太阳能电池和组件封装。改性聚酰亚胺透明基片按摩尔比配方制备，首先制备聚酰胺酸浆料，经真空抽滤；在不锈钢模片或带上丝网印刷或喷涂聚酰胺酸浆料，经高温350℃处理，冷却后脱去不锈钢模，制成改性聚酰亚胺透明PI 基片，在其前电极区域内分布的透光通孔包括引流孔和汇流孔通孔贯通分布于IP基片、透明导膜及各光电转换薄膜层上。用不锈钢模一次性套模，制成的改性聚酰亚胺透明PI 基片，在PI基片的透明导电膜上，至少有一个依序层叠的P型非晶硅膜层、I本征非晶硅层、N型非晶硅膜层和金属膜层；制成电池芯片后用高分子材料，封装层压制成透光型的柔性太阳能电池光伏组件或光伏建筑组件。
本发明经过巧妙的构思和处理，首选不锈钢模板：在0.45mm至0.65mm厚的不锈钢模板上设计顶电池图形；在其上丝网印刷或喷涂改性聚酰胺浆料；在350℃条件下烘干；冷却后脱去不锈钢模板后，成为完全透明，透光度高达95%左右的PI基片。由于透明导电膜上的引流孔和汇流孔等是透光通孔，在PI基片两面磁控溅射制备SnO2或ITO或ZnO透明导电膜时，在所有透光孔径范围内均无膜。
本发明还可以制备单结、双结、三结等柔性非晶硅太阳能电池，选以上透明改性聚酰亚胺做PI基片。其中以双结电池芯片为例，沉积温度于250℃条件下真空沉积非晶硅薄膜层：顶电池的P型，膜层厚120 Å、顶电池的I型膜层厚910Å，在温度于400℃沉积顶电池的N型膜层厚250 Å与底电池的P型微晶硅薄膜层厚250 Å形成隧道结，在温度于400℃沉积底电池的I型膜层厚3500Å、底电池的N型膜层厚250 Å，成透光的柔性双结电池芯片，经封装后成为太阳能电池光伏组件或BIPV光伏建筑一体化组件。它的封装过程是双结电池芯片用透明的前板和背板有机或无机材料通过层压或高压釜工艺制备成一种透光型柔性太阳能电池光伏组件。经热压后的透光型柔性组件可以剪裁，在导线引出口焊线、安装接线盒及灌胶。
与现有不透明PI基片制成柔性非晶硅太阳能电池的区别主要在于电池的薄膜叠层结构顺序不同，本发明提出的单结或多结，都是在基片上依次制作P I N薄膜层，而后者的顺序则是N I P薄膜层。对于微观结构的薄膜电池来说，凡涉及到工艺有所不同，都会直接影响产品的光电转换效率。
本发明在PI基片上，先沉积P层，再沉积I层，原理很简单，其意义是有利于本征I层性能的改善。通常本征I层非晶硅I a-Si呈弱N型，先沉积P型非晶硅P+ a-Si，有利于提高本征I层非晶硅a-Si的光敏特性，从而提高电池的转化效率。 本发明选用改性的透明的聚酰亚胺PI基片，做异质结电池，它的优点是顶电池的透光好，因而减小了电池表面的复合损失。
现有技术采用不透明的PI基片和NIP的电池结构。必须在PI基片上先沉积非晶硅膜，后沉积TCO膜，致使因TCO膜的沉积温度350℃-400℃大于非晶硅膜的沉积温度220℃-250℃，导致先前沉积的非晶硅膜在350℃-400℃高温下，会出现大量的高温释氢现象。造成非晶硅膜出现大量微空洞，非晶硅性能急剧衰减，电池电性能随之衰减。最终会影响太阳能电池的转换效率和带负载的能力。而本发明工艺步骤，采用先沉积TCO膜，因此可在350℃-400℃的最佳工艺温度沉积TCO膜，会获得透光率和面电阻均优良的TCO膜。
本发明地积极意义在于突破禁忌，调整工艺结构，给沉积温度的提升，找到了理据，避免非晶硅膜在高温下大量释氢，以防止P，I和I，N界面在高温下的杂质扩散，对I层性能所造成的衰减。
本发明解决了用软基片制备柔性太阳能电池光伏组件，其制造方法，区别现有技术主要有以下几点：
1）首先采用不锈钢模板设计，其模板上的导电图形内分布的透光通孔，包括电流导引孔和汇流孔，使材料和改性PI基片一次性成型；
2）制备改性聚酰亚胺PI基片：其透光通孔和功能完全与不锈钢模板一样；
3）在透明基片上装特制的框架；可以在改性PI基片的两个面上同时磁控溅射复合透明导电膜TCO；
4）预热：透明基片装沉积夹具，在温度220℃-250℃,预热1.5-2小时；
5）沉积：真空室中，温度220℃-250℃,沉积非晶硅P、I、N膜；在300℃-400℃下沉积P型和N型微晶硅薄膜层,形成薄膜非晶硅电池的隧道结。
按照本发明提出改性聚酰亚胺基片，采用按摩尔比配方：3,3`-三氟代二甲基-4,4`二氨基二苯甲烷: N,N-二甲基乙酰胺：2,3,3`,4`-联苯四甲酸二酐=(0.9～1.1) : (45～50) : (0.9～1.1)制得改性的透明基片。
使用这种基片，由于高的透光性，可获得比以玻璃为基片的太阳能电池更高的转换效率。
本发明产生的积极效果主要采用改性聚酰亚胺PI基片，减小了电池表面的复合，高温耐受性强，在后期封装应用中，显现柔性薄膜太阳能电池光电转换效率和性价比有显著地提高。
以下继续详细说明本发明柔性非晶硅太阳能电池的制造工艺流程和步骤：
一、按3,3`-三氟代二甲基-4,4`二氨基二苯甲烷: N,N-二甲基乙酰胺：2,3,3`,4`-联苯四甲酸二酐=(0.9～1.1) : (45～50) : (0.9～1.1)的摩尔比配方制得的
聚酰胺酸浆料,经真空抽滤,然后采用丝网印刷或喷涂方法在0.5mm厚的不锈钢模板上有前电极导电图形，其区域内的透光通孔主要包括引流孔和汇流孔，在模板上制作一层薄膜，经固化烘干得到均匀的透明改性聚酰亚胺基片，其上透光通孔与模板一样能位置和功能一样。
二、将改性聚酰亚胺基片装于基片框架上并绷紧拉平。
三、在350℃温度下用磁控溅射法在改性聚酰亚胺基片上沉积层透明导电膜SnO2,ITO或ZnO。
四、通孔处无膜，省略激光刻划透明导电膜。
五、清洁改性聚酰亚胺基片。
六、将改性聚酰亚胺基片装入沉积夹具中并推入220℃-250℃的预烘箱预热1.5-2小时。
七、将预热好的沉积夹具推入真空室中，在220℃-250℃的真空室温度下沉积非晶硅P、I、N膜，在300℃温度下沉积P型和N型微晶硅薄膜层形成隧道结。
八、沉积夹具出炉后，将沉积夹具中的基片架和其上的改性聚酰亚胺基片取出并在20℃以下的环境下进行快速降温。
九、激光刻划已沉积在改性聚酰亚胺基片上的非晶硅膜，形成连接相邻两节单元电池正负极的通道。
十、将已激光刻好非晶硅膜的改性聚酰亚胺基片连同其固定框架，置于镀铝机中镀制铝金属薄膜。
十一、将已镀上铝金属薄膜的改性聚酰亚胺基片连同框架置于激光刻划机中对金属薄膜按与非晶硅刻划相应的位置对金属薄膜进行刻划。
十二、将已刻划金属薄膜的改性聚酰亚胺基片从固定框架上快速卸下即可到完整的柔性非晶硅太阳能电池。
附图说明
以下结合附图进一步说明本发明原理
图1、是本发明的柔性太阳能电池芯片的结构示意图。其中1为金属薄膜层，2为底电池的N型非晶硅，3为底电池的I型非晶硅，4为底电池的P型微晶硅，5为顶电池的N型微晶硅，6为顶电池的I型非晶硅，8为顶电池的P型非晶硅，7为透明导电膜，9为透明改性聚酰亚胺的PI基片，见图1柔性太阳能电池，为双结叠层非晶硅电池结构，由耐高温的改性透明柔性PI基片为基底9依次是透明导电膜7、顶电池的P型非晶硅8、顶电池的本征I型非晶硅6、顶电池的N型微晶硅5、底电池的P型微晶硅4，底电池的本征非晶硅3，底电池的N型非晶硅2，金属薄膜层1组成。
图2、是本发明柔性太阳能光伏组件的结构示意图。其中303为透光弯曲玻璃、302为胶黏剂、301为太阳能电池芯片、304为透光弯曲玻璃。柔性太阳能电池芯片由透光弯曲玻璃封装成透光型太阳能光伏组件。
以下根据附图进一步说明本发明的工作原理，传统的在低温200℃以下，软基片上沉积的透明导电膜性能较差，往往透明导电膜的面电阻高，不利于提高太阳能电池的转换效率。
本发明300℃以上的基片温度下，在改性聚酰亚胺基片上，沉积组成叠层非晶硅电池隧道结的优质N型和P型微晶硅。通常基片温度越高，300℃以上沉积在基片上的原子的能量就越大，越有可能挣脱基片的束缚在基片表面自由移动，调整在基片上所处的位置，并达到最佳状态，从而减少微晶硅膜中的缺陷，制备出优质的微晶硅膜。反之，基片温度低于200℃时，制备的微晶硅膜缺陷较多，性能较差。
本发明夹紧绷直PI基片的装置，采用一种坚固耐高温的刚性材料，使改性聚酰亚胺基片的安装和拆卸方便，不易破裂，完全可与现有玻璃衬底非晶硅太阳能电池的生产工艺兼容，在较高温度下可取出电池，缩短降温等待时间，可以与玻璃为基片的非晶硅太阳能电池生产设备和工艺相兼容，不需要另外再新建生产线，本设备投资成本低。
使用完全透光的高分子聚合物基片的非晶硅太阳能电池的结构以单结电池为例可采用:改性透明基片PI、透明导电膜TCO、P型非晶硅P+ a-Si、本征非晶硅I a-Si、N型非晶硅N+ a-Si、金属膜Al的结构。
具体实施例
例1 制备柔性非晶硅太阳能电池的工艺：
采用0.5毫米厚的不锈钢薄片模板（或简称模板），其上设有前电极图形内分布的透光通孔（图中未画出），包括电流导引孔（或简称引流孔）和汇流孔；
按摩尔比配方制得的聚酰胺酸浆料；
将聚酰胺酸浆料丝网印刷在模板上，经高温350℃处理，得到均匀的透明，具有透光通孔，包括电流导引孔和汇流孔的改性聚酰亚胺基片；
在350℃温度下用磁控溅射法在改性聚酰亚胺基片上沉积一层面电阻
Figure 220430DEST_PATH_IMAGE002
15Ω/ ，透光率93%的ZnO透明导电膜；
无需用激光刻划ZnO透明导电膜；
将PI基片装入沉积夹具推入真空室在220℃温度下沉积P型非晶硅100 Å、顶电池的I型非晶硅900Å、底电池的I型非晶硅2800Å、底电池的N型非晶硅200 Å，在300℃温度下沉积底电池的P型微晶硅薄膜层200 Å和顶电池的N型微晶硅薄膜层200 Å形成隧道结；
沉积夹具出炉后，将沉积夹具中的基片架和其上的改性聚酰亚胺基片取出并在20℃以下的环境下进行快速降温；
激光刻划沉积在改性聚酰亚胺基片上的非晶硅膜，形成连接相邻两节单元电池正负极的通道；
然后置于镀铝机中镀制铝金属薄膜；
激光刻划铝金属薄膜；
最后制成本发明电池组件的核心部件透光型柔性非晶硅太阳能电池或称电池芯片。
例2
采用0.5毫米厚的不锈钢薄片模板（或简称模板），其上设有前电极图形内分布的透光通孔（图中未画出），包括电流导引孔和汇流孔制备改性；制造步骤同例1，仅改变改性PI基片制作配方、非晶硅薄膜沉积温度和各层膜的厚度：
按3,3`-三氟代二甲基-4,4`二氨基二苯甲烷: N,N-二甲基乙酰胺：2,3,3`,4`-联苯四甲酸二酐=1.0 : 47 : 1.0的摩尔比例将二胺单体3,3`-三氟代二甲基-4,4`二氨基二苯甲烷加入到N,N-二甲基乙酰胺DMAc溶液中,充入氮气,室温下搅拌5分钟后,开始加入的2,3,3`,4`-联苯四甲酸二酐a-BPDA.在氮气保护下,室温搅拌反应20小时.真空脱泡过滤后,得到无色透明的聚酰胺酸粘稠溶液.将该溶液涂布在干净的玻璃板上,再放入烘箱中按下列程序烘干:120℃/1h;170℃/1h;280℃/1h;350℃/1h.冷却后得到均匀的透明改性PI基片。
在235℃的真空室温度下沉积顶电池的P型非晶硅120 Å、顶电池的I型非
晶硅800Å、底电池的I型非晶硅3100Å、底电池的N型非晶硅150 Å，在350℃温度下沉积底电池的P型微晶硅薄膜层150 Å和顶电池的N型微晶硅薄膜层150 Å形成隧道结。
例3
不锈钢薄片模板，改性PI基片同例2，柔性非晶硅太阳能电池芯片制造步骤同例1，其封装步骤如下：
1）采用厚度为25µm~75µm的透明柔性前板聚合物薄膜（如聚氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物等）和厚度为25µm~75µm的胶黏剂（如EVA、PE等）形成一个叠层平面。
2）将涂锡铜带压粘在电池芯片的两端。
3）贴好涂锡带的电池片和支撑的胶黏剂/透明柔性前板聚合物薄膜传送至热压机前，与此同时，厚度为25µm~75µm的胶黏剂（如EVA、PE等），厚度为25µm~75µm柔性背板聚合物薄膜（一层高分子薄膜或多层有机无机复合材料）。根据BIPV组件长度的设计要求，这上面两层材料将在一定间隔的位置预留出线孔。
4）热压好的柔性组件将根据组件模块尺寸剪裁。并在导线引出口焊线、安装接线盒及灌胶。
例4
采用厚度为0.55mm不锈钢模板，制得柔性非晶硅太阳能电池芯片制造步骤同例1仅改变PI基片制作配方，以及ZnO透明导电膜沉积温度：
按3,3`-三氟代二甲基-4,4`二氨基二苯甲烷: N,N-二甲基乙酰胺：2,3,3`,4`-联苯四甲酸二酐=1.1 : 50 : 1.1的摩尔比例将二胺单体3,3`-三氟代二甲基-4,4`二氨基二苯甲烷加入到N,N-二甲基乙酰胺DMAc溶液中,充入氮气,室温下搅拌5分钟后,开始加入的2,3,3`,4`-联苯四甲酸二酐a-BPDA，在氮气保护下,室温搅拌反应20小时。真空脱泡过滤后,得到无色透明的聚酰胺酸粘稠溶液。将该溶液涂布在干净的不锈钢板上，再放入烘箱中按下列程序烘干:120℃/1h;170℃/1h;280℃/1h;350℃/1h。冷却后得到均匀的透明改性PI基片。
Figure 2011103784233100002DEST_PATH_IMAGE003
在400℃温度下用磁控溅射法在改性PI基片上沉积一层面电阻13Ω/ ，透光率92%的ZnO透明导电膜。
例5
采用厚度为0.55mm不锈钢模板，制备改性PI基片柔性非晶硅太阳能电池制造步骤同例1，仅改变步骤七中的非晶硅和微晶硅薄膜沉积温度：
将预热好的沉积夹具推入真空室中，在250℃的真空室温度下沉积顶电池的P型非晶硅70 Å、顶电池的I型非晶硅700Å、底电池的I型非晶硅3500Å、底电池的N型非晶硅250 Å，在350℃温度下沉积底电池的P型微晶硅薄膜层250 Å和顶电池的N型微晶硅薄膜层250 Å形成隧道结。

Claims (15)

1.一种用软基片制备的柔性太阳能电池光伏组件，包括以软基片为衬底的硅基系列薄膜太阳能电池芯片及封装材料，其特征在于软基片是改性的完全透明、高透光度的聚合物PI基片，在其基片前电极图形区域内分布透光通孔包括引流孔和汇流孔；
改性PI基片成模于不锈钢模板上的丝网印刷或喷涂；
在改性PI基片上还有TCO透明导电膜，其上至少有一个PIN型硅基薄膜层和金属膜层；
所说的透光通孔贯通分布于改性PI基片、TCO透明导电膜、PIN叠层和金属膜层上；
所说透光柔性电池光伏组件，由电池芯片放置在有亲和力的透明前板和背板之间层压制成。
2.根据权利要求1所述的一种用软基片制备的柔性太阳能电池光伏组件，其特征在于所说不锈钢模板是0.45mm至0.65mm厚的不锈钢片或带，其上透光通孔是预置分布在前电极图形区域内的汇流孔和引流孔。
3.根据权利要求1所述的一种用软基片制备的柔性太阳能电池光伏组件，其特征在于所说的封装材料包括柔性和刚性，刚性封装包括电池芯片的前板和背板均是透明玻璃，或其中至少有一个刚性材料。
4.根据权利要求3所述的一种用软基片制备的柔性太阳能电池光伏组件，其特征在于所说的柔性封装包括其前板和背板均是透明的柔性高分子聚合物。
5.根据权利要求4所述的一种用软基片制备的柔性太阳能电池光伏组件，其特征在于所说的透光型电池光伏组件，还包括导线引出口焊线、安装接线盒及灌胶。
6.根据权利要求4所述的一种用软基片制备的柔性太阳能电池光伏组件，其特征在于所说的透光型电池光伏组件包括单结的或多结的电池芯片。
7.根据权利要求6所述的一种用软基片制备的柔性太阳能电池光伏组件，其特征在于所说的电池光伏组件封装的电池芯片还包括单结，或多结的同质结或异质结。
8.根据权利要求4所述的一种用软基片制备的柔性太阳能电池光伏组件，其特征在于所说的电池光伏组件的电池芯片前板和背板中至少包括聚氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物薄膜封装。
9.根据权利要求1所述的一种用软基片制备的柔性太阳能电池光伏组件，其特征在于所说的PI基片是完全透明，透光度达90%-95%，改性聚酰亚胺透明材料，耐高温350℃以上四小时不变形。
10.一种用软基片制备柔性太阳能电池光伏组件的方法，包括改性高分子聚合物PI基片的制备和由该方法直接获得的硅基系列薄膜太阳能电池芯片和封装组件,其特征在于所说的改性聚酰亚胺透明基片，按摩尔比配方制备，首先制备聚酰胺酸浆料，经真空抽滤；在不锈钢模板或带上丝网印刷或喷涂聚酰胺酸浆料，制成改性聚酰亚胺透明PI 基片，其前电极区域内分布的透光通孔包括引流孔和汇流孔均成型于不锈钢模板；
在改性PI基片的透明导电膜上依次沉积的，至少是一单结的P型非晶硅膜层、I本征非晶硅层、N型非晶硅膜层和金属膜层；
所说透光通孔贯通分布于IP基片、透明导膜、光电转换层各膜层上；
所说的电池芯片用高分子材料封装层压制成透光型的柔性太阳能电池光伏组件。
11.根据权利要求10所述的一种用软基片制备柔性太阳能电池光伏组件的方法，其特征在于所说的不锈钢模板是0.45mm至0.65mm厚的不锈钢片或带，其上分布的透光通孔包括引流孔和汇流孔，是在前电极图形区域内。
12.
根据权利要求10所述的一种用软基片制备柔性太阳能电池光伏组件的方法，其特征在于所说的透明导电膜，是在透明的改性聚酰亚胺PI基片前后面上沉积一层透明的导电膜SnO2或ITO或ZnO。
13.根据权利要求10所述的一种用软基片制备柔性太阳能电池光伏组件的方法，其特征在于所说的双结电池芯片，用透明改性聚酰亚胺PI基片，温度250℃真空沉积非晶硅薄膜层：顶电池的P型，膜层厚120 Å、顶电池的I型膜层厚910Å，温度400℃沉积：顶电池的N型膜层厚250 Å与底电池的P型微晶硅薄膜层厚250 Å形成隧道结，温度400℃沉积：底电池的I型膜层厚3500Å、底电池的N型膜层厚250 Å，形成透光型柔性电池芯片。
14.根据权利要求13所述的一种用软基片制备柔性太阳能电池光伏组件的方法，其特征在于所说电池芯片用透明的前板和背板有机或无机材料通过层压或高压釜工艺制备成一种透光型柔性太阳能电池光伏组件。
15.根据权利要求14所述的一种用软基片制备柔性太阳能电池光伏组件的方法，其特征在于所说电池芯片封装热压后可以剪裁，在导线引出口焊线、安装接线盒及灌胶。
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