CN102386247B - 太阳能晶片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种太阳能晶片，其包括：一N型基底；一位于该N型基底表面上的P型掺杂层，该P型掺杂层是通过对以离子注入方式注入的P型离子进行退火处理形成的，其中退火温度高于900℃，退火时间大于30秒；一位于该N型基底背面的N+型掺杂层；位于该P型掺杂层表面的第一钝化层；位于该第一钝化层表面的第二钝化层；以及位于该第二钝化层上的表面电极和位于该N+型掺杂层背面的背面电极。本发明公开了一种太阳能晶片的制备方法。本发明采用离子注入方法制作太阳能晶片能更有效、更精确地控制掺杂离子的剂量、掺杂深度和均匀性，由此能得到理想的方块电阻，使实际获得的产品的太阳能转换效率更高，更为接近实验室的理论设计值。

Description

太阳能晶片及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种太阳能晶片及其制备方法，特别是涉及一种以N型太阳能晶片为基底的太阳能晶片及其制备方法。
背景技术
新能源是二十一世纪世界经济发展中最具决定力的五大技术领域之一。太阳能是一种清洁、高效和永不衰竭的新能源。在新世纪中，各国政府都将太阳能资源利用作为国家可持续发展战略的重要内容。而光伏发电具有安全可靠、无噪声、无污染、制约少、故障率低、维护简便等优点。近几年，国际光伏发电迅猛发展，太阳能晶片供不应求，于是提高太阳能晶片的光电转化效率和太阳能晶片的生产能力成为重要的课题。
现在常见的形成太阳能晶片背面场的方法为采用P型基底晶片热扩散方法掺杂制作太阳能晶片。该种方法成本较低，目前为大多数太阳能晶片生产厂家所采用，但这种方法生产的太阳能晶片的太阳能转换效率一般在17％左右，而且难以进一步提高。
在太阳能晶片领域，由于P型基底晶片少数载流子的自由程小于N型基底晶片，所以也有人采用N型基底晶片热扩散方法掺杂制作太阳能晶片。这种方法太阳能转换效率相较采用P型基底晶片热扩散方法掺杂有所提高，但由于热扩散方法掺杂的固溶度的限制以及掺杂均匀性和剂量难以得到精确控制，所以实际产品难以达到实验室理论的太阳能转换效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术热扩散工艺中掺杂的固溶度的限制以及掺杂均匀性和剂量难以得到精确控制的缺陷，提供一种采用离子注入工艺、精确控制掺杂剂量并且转换效率较高的N型太阳能晶片以及其制备方法。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：
一种太阳能晶片，其特点在于，其包括：
一N型基底；
一位于该N型基底表面上的P型掺杂层，该P型掺杂层是通过对以离子注入方式注入的P型离子进行退火处理形成的，其中退火温度高于900℃，退火时间大于30秒；
一位于该N型基底背面的N+型掺杂层；
位于该P型掺杂层表面的第一钝化层；
位于该第一钝化层表面的第二钝化层；
以及位于该第二钝化层上的表面电极和位于该N+型掺杂层背面的背面电极。
优选地，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
优选地，所述第一钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，所述第一钝化层的厚度大于10nm。
优选地，该第二钝化层为SiNx。
本发明还提供一种制作如上所述的太阳能晶片的制备方法，其特点在于，其包括以下步骤：
S11、在该N型基底晶片的表面通过离子注入的方式注入P型离子，并对P型离子进行退火处理，其退火温度高于900℃，退火时间大于30秒，以形成P型掺杂层；
S12、在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层；
S13、在该N型基底晶片的背面形成N+型掺杂层；
S14、在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层；
S15、在该N型基底晶片的表面制作金属电极，并烧结成表面电极；
S16、在该N型基底晶片的背面制作金属电极，并烧结成背面电极。
优选地，步骤S11中通过注入能量为5keV、浓度为5E14-1E16的硼离子形成P型掺杂层，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
优选地，步骤S12中通过热氧化法或者PECVD(等离子体化学气相沉淀)方法在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层，所述第一钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，该第一钝化层的厚度大于10nm。
优选地，步骤S13中通过离子注入的方式注入能量为30keV的磷离子或砷离子以形成该N+型掺杂层。
优选地，步骤S14中通过PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层，该第二钝化层为SiNx。
优选地，步骤S15中使用银/铝浆并采用丝网印刷法制作表面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行，所述铝的含量大于3％，百分比为铝占银/铝浆总量的质量百分比。
优选地，步骤S16中使用银浆并采用丝网印刷法制作背面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行。
本发明还提供一种太阳能晶片，其特点在于，其包括：
一N型基底；
一位于该N型基底表面上的P型掺杂层；
一位于该N型基底背面的N+型掺杂层；
位于该P型掺杂层表面的第一钝化层；
位于该第一钝化层表面的第二钝化层；
位于该N+型掺杂层背面的第三钝化层；
以及位于该第二钝化层上的表面电极和位于该第三钝化层背面的背面电极。
优选地，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
优选地，所述第一钝化层和/或第三钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，所述第一钝化层和/或第三钝化层的厚度大于10nm。
优选地，该第二钝化层为SiNx。
本发明还提供一种制作如上所述的太阳能晶片的制备方法，其特点在于，其包括以下步骤：
S21、在该N型基底晶片的表面通过离子注入的方式注入P型离子，以形成P型掺杂层；
S22、在该N型基底晶片的背面形成N+型掺杂层；
S23、在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层，在该N型基底晶片的背面形成第三钝化层；
S24、在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层；
S25、在该N型基底晶片的表面制作金属电极，并烧结成表面电极；
S26、在该N型基底晶片的背面制作金属电极，并烧结成背面电极。
优选地，步骤S21中通过注入能量为5keV、浓度为5E14-1E16的硼离子形成P型掺杂层，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
优选地，步骤S22中通过离子注入的方式注入能量为30keV的磷离子或砷离子以形成该N+型掺杂层。
优选地，步骤S23中通过热氧化法或者PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层以及在该N型基底晶片的背面形成第三钝化层，所述第一钝化层和/或第三钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，该第一钝化层和/或第三钝化层的厚度大于10nm。
优选地，步骤S24中通过PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层，该第二钝化层为SiNx。
优选地，步骤S25中使用银/铝浆并采用丝网印刷法制作表面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行，所述铝的含量大于3％，百分比为铝占银/铝浆总量的质量百分比。
优选地，步骤S26中使用银浆并采用丝网印刷法制作背面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行。
本发明还提供另一种太阳能晶片，其特点在于，其包括：
一N型基底；
一位于该N型基底表面上的P型掺杂层，该P型掺杂层是通过对以离子注入方式注入的P型离子进行退火处理形成的，其中退火温度高于900℃，退火时间大于30秒；
一位于该N型基底背面的N+型掺杂层；
位于该P型掺杂层表面的第一钝化层；
位于该第一钝化层表面的第二钝化层；
位于该N+型掺杂层背面的第三钝化层；
以及位于该第二钝化层上的表面电极和位于该第三钝化层背面的背面电极。
优选地，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
优选地，所述第一钝化层和/或第三钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，所述第一钝化层和/或第三钝化层的厚度大于10nm。
优选地，该第二钝化层为SiNx。
本发明还提供一种制作如上所述的太阳能晶片的制备方法，其特点在于，其包括以下步骤：
S31、在该N型基底晶片的表面通过离子注入的方式注入P型离子，并对P型离子进行退火处理，其退火温度高于900℃，退火时间大于30秒，以形成P型掺杂层；
S32、在该N型基底晶片的背面形成N+型掺杂层；
S33、在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层，在该N型基底晶片的背面形成第三钝化层；
S34、在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层；
S35、在该N型基底晶片的表面制作金属电极，并烧结成表面电极；
S36、在该N型基底晶片的背面制作金属电极，并烧结成背面电极。
优选地，步骤S31中注入能量为5keV、浓度为5E14-1E16的硼离子形成P型掺杂层，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
优选地，步骤S32中通过离子注入的方式注入能量为30keV的磷离子或砷离子以形成该N+型掺杂层。
优选地，步骤S33中通过热氧化法或者PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层以及在该N型基底晶片的背面形成第三钝化层，所述第一钝化层和/或第三钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，该第一钝化层和/或第三钝化层的厚度大于10nm。
优选地，步骤S34中通过PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层，该第二钝化层为SiNx。
优选地，步骤S35中使用银/铝浆并采用丝网印刷法制作表面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行，所述铝的含量大于3％，百分比为铝占银/铝浆总量的质量百分比。
优选地，步骤S36中使用银浆并采用丝网印刷法制作背面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行。
本发明的积极进步效果在于：
1、N型基底制作的太阳能晶片相比P型的基底材料而言对于晶片中的杂质有着更好的耐受性，使之在制成太阳能晶片后少数载流子的自由程更长，所以其太阳能转换效率比以P型基底的太阳能晶片的转换效率更高。
2、随着使用时间的推移，N型基底的太阳能晶片由于光照导致的太阳能转换效率衰减的影响远小于P型基底的太阳能晶片。
3、采用离子注入方法掺杂比热扩散方法掺杂可以更有效、更精确地控制掺杂离子的剂量、掺杂深度和均匀性，由此能得到理想的方块电阻，使实际获得的产品的太阳能转换效率更高，更为接近实验室的理论设计值。
4、采用本发明所述的方法所制成的太阳能晶片可两面(背面和表面)吸收太阳光，即提高了对太阳光的利用率，以此进一步提高太阳能晶片的效率。
附图说明
图1a-1g为本发明实施例一的工艺步骤示意图。
图2a-2g为本发明实施例二、实施例三的工艺步骤示意图。
具体实施方式
下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。
实施例一
参考图1a-1g，详细介绍本发明实施例一所述的太阳能晶片的制备方法。
首先清洗晶片，本领域技术人员可以参考现有技术选择合适的公知手段进行清洗。参考图1a，步骤S11，在该N型基底11晶片的表面通过离子注入的方式注入P型离子，例如硼离子，以形成P型掺杂层12。优选地，通过注入能量为5keV、浓度为5E14-1E16的硼离子形成P型掺杂层，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。其中对以离子注入方式注入的P型离子进行退火处理，其退火温度高于900℃，退火时间大于30秒，以使掺杂杂质活化，另外本领域技术人员还可根据实际需要选择其他的退火温度和时间。
参考图1b，步骤S12，在该N型基底11晶片的表面形成第一钝化层13，例如SiOx，并且该第一钝化层的厚度大于10nm。可以通过热氧化法或者PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层13，本领域技术人员还可根据实际需要选择其他的材料例如SiCx或Al2O3等以及材料的其他合适厚度。
参考图1c，步骤S13，在该N型基底11晶片的背面形成N+型掺杂层14，其中通过离子注入的方式注入能量为30keV的磷离子或砷离子以形成该N+型掺杂层，本领域技术人员可以根据需要选择其他的离子注入的工艺参数。
参考图1d，步骤S14，在该N型基底11晶片的表面形成第二钝化层15，其中通过PECVD方法在该N型基底11晶片的表面形成第二钝化层15，该第二钝化层为SiNx。
参考图1e-1g，步骤S15，在该N型基底11晶片的表面制作金属电极，并烧结成表面电极16；步骤S16，在该N型基底11晶片的背面制作金属电极，并烧结成背面电极17，其中使用银/铝浆并采用丝网印刷法制作表面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行，所述铝的含量大于3％，百分比为铝占银/铝浆总量的质量百分比，使用银浆并采用丝网印刷法制作背面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行。
采用如上所述的方法之所以能提高太阳能电池转换效率是由于：
1、采用热扩散方法形成P极较难，而且均匀度、浓度分布难以精确控制，采用离子注入方法则没有上述问题，所以可以使产品转化效率更能接近设计值。
2、采用N型太阳能电池，比P型太阳能电池转化效率要高。
3、采用背场结构，可以提高太阳能电池转化效率。
参考图1g，本发明所述的一种太阳能晶片包括以下结构：
一N型基底11；
一位于该N型基底11表面上的P型掺杂层12，该P型掺杂层12是通过对以离子注入方式注入的P型离子进行退火处理形成的，其中退火温度高于900℃，退火时间大于30秒；
一位于该N型基底11背面的N+型掺杂层14；
位于该P型掺杂层12表面的第一钝化层13；
位于该第一钝化层13表面的第二钝化层15；
以及位于该第二钝化层15上的表面电极16和位于该N+型掺杂层14背面的背面电极17。
实施例二
参考图2a-2g，详细介绍本发明实施例二所述的太阳能晶片的制备方法。
首先清洗晶片，本领域技术人员可以参考现有技术选择合适的公知手段进行清洗。参考图2a，步骤S21、在该N型基底21晶片的表面通过离子注入的方式注入P型离子，例如硼离子，以形成P型掺杂层22，优选地，可以通过注入能量为5keV、浓度为5E14-1E16的硼离子形成P型掺杂层，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
参考图2b，步骤S22，在该N型基底21晶片的背面形成N+型掺杂层23，其中通过离子注入的方式注入能量为30keV的磷离子或砷离子以形成该N+型掺杂层，本领域技术人员可以根据需要选择其他的离子注入的工艺参数。
参考图2c，步骤S23，在该N型基底21晶片的表面形成第一钝化层24，在该N型基底21晶片的背面形成第三钝化层24’，其中通过热氧化法或者PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层，在该N型基底晶片的背面形成第三钝化层，所述第一钝化层和/或第三钝化层为SiOx，第一钝化层和/或该第三钝化层的厚度大于10nm。本领域技术人员还可根据实际需要选择其他的材料例如SiCx或Al2O3等以及材料的其他合适厚度。
参考图2d，步骤S24，在该N型基底21晶片的表面形成第二钝化层25，其中通过PECVD方法在该N型基底21晶片的表面形成第二钝化层25，该第二钝化层为SiNx。本领域技术人员还可采用其他公知手段形成第二钝化层。
参考图2e-2g，步骤S25，在该N型基底21晶片的表面制作金属电极，并烧结成表面电极26，其中使用银/铝浆并采用丝网印刷法制作表面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行，所述铝的含量大于3％，百分比为铝占银/铝浆总量的质量百分比，。
步骤S26，在该N型基底21晶片的背面制作金属电极，并烧结成背面电极27。其中使用银浆并采用丝网印刷法制作背面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行。
参考图2g，本实施例所述的一种太阳能晶片包括以下结构：
一N型基底21；
一位于该N型基底21表面上的P型掺杂层22；
一位于该N型基底21背面的N+型掺杂层23；
位于该P型掺杂层22表面的第一钝化层24；
位于该第一钝化层24表面的第二钝化层25；
位于该N+型掺杂层23背面的第三钝化层24’；
以及位于该第二钝化层25上的表面电极26和位于该第三钝化层24’背面的背面电极27。
实施例三
实施例三制备太阳能晶片的方法原理与实施例二基本相同，不同之处在于，以如下所述的步骤S31替换实施例二中的步骤S21：在该N型基底晶片的表面通过离子注入的方式注入P型离子，并对P型离子进行退火处理，其退火温度高于900℃，退火时间大于30秒，以形成P型掺杂层，以使掺杂杂质活化，另外本领域技术人员还可根据实际需要选择其他的退火温度和时间。
实施例三制备的太阳能晶片的结构与实施例二基本相同，不同之处在于，位于该N型基底表面上的P型掺杂层是通过对以离子注入方式注入的P型离子进行退火处理形成的，其中退火温度高于900℃，退火时间大于30秒。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (33)

1.一种太阳能晶片，其特征在于，其包括：
一N型基底；
一位于该N型基底表面上的P型掺杂层，该P型掺杂层是通过对以离子注入方式注入的P型离子进行退火处理形成的，其中退火温度高于900℃，退火时间大于30秒；
一位于该N型基底背面的N+型掺杂层；
位于该P型掺杂层表面的第一钝化层；
位于该第一钝化层表面的第二钝化层；
以及位于该第二钝化层上的表面电极和位于该N+型掺杂层背面的背面电极。
2.如权利要求1所述的太阳能晶片，其特征在于，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
3.如权利要求1所述的太阳能晶片，其特征在于，所述第一钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，所述第一钝化层的厚度大于10nm。
4.如权利要求1所述的太阳能晶片，其特征在于，该第二钝化层为SiNx。
5.一种制作如权利要求1所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
S11、在该N型基底晶片的表面通过离子注入的方式注入P型离子，并对P型离子进行退火处理，其退火温度高于900℃，退火时间大于30秒，以形成P型掺杂层；
S12、在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层；
S13、在该N型基底晶片的背面形成N+型掺杂层；
S14、在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层；
S15、在该N型基底晶片的表面制作金属电极，并烧结成表面电极；
S16、在该N型基底晶片的背面制作金属电极，并烧结成背面电极。
6.如权利要求5所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S11中通过注入能量为5keV、浓度为5E14-1E16的硼离子形成P型掺杂层，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
7.如权利要求5所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S12中通过热氧化法或者PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层，所述第一钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，该第一钝化层的厚度大于10nm。
8.如权利要求5所述的太阳能晶片，其特征在于，步骤S13中通过离子注入的方式注入能量为30keV的磷离子或砷离子以形成该N+型掺杂层。
9.如权利要求5所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S14中通过PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层，该第二钝化层为SiNx。
10.如权利要求5所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S15中使用银/铝浆并采用丝网印刷法制作表面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行，所述铝的含量大于3％，百分比为铝占银/铝浆总量的质量百分比。
11.如权利要求5所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S16中使用银浆并采用丝网印刷法制作背面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行。
12.一种太阳能晶片，其特征在于，其包括：
一N型基底；
一位于该N型基底表面上的P型掺杂层；
一位于该N型基底背面的N+型掺杂层；
位于该P型掺杂层表面的第一钝化层；
位于该第一钝化层表面的第二钝化层；
位于该N+型掺杂层背面的第三钝化层；
以及位于该第二钝化层上的表面电极和位于该第三钝化层背面的背面电极。
13.如权利要求12所述的太阳能晶片，其特征在于，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
14.如权利要求12所述的太阳能晶片，其特征在于，所述第一钝化层和/或第三钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，所述第一钝化层和/或第三钝化层的厚度大于10nm。
15.如权利要求12所述的太阳能晶片，其特征在于，该第二钝化层为SiNx。
16.一种制作如权利要求12所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
S21、在该N型基底晶片的表面通过离子注入的方式注入P型离子，以形成P型掺杂层；
S22、在该N型基底晶片的背面形成N+型掺杂层；
S23、在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层，在该N型基底晶片的背面形成第三钝化层；
S24、在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层；
S25、在该N型基底晶片的表面制作金属电极，并烧结成表面电极；
S26、在该N型基底晶片的背面制作金属电极，并烧结成背面电极。
17.如权利要求16所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S21中通过注入能量为5keV、浓度为5E14-1E16的硼离子形成P型掺杂层，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
18.如权利要求16所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S22中通过离子注入的方式注入能量为30keV的磷离子或砷离子以形成该N+型掺杂层。
19.如权利要求16所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S23中通过热氧化法或者PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层以及在该N型基底晶片的背面形成第三钝化层，所述第一钝化层和/或第三钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，该第一钝化层和/或第三钝化层的厚度大于10nm。
20.如权利要求16所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S24中通过PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层，该第二钝化层为SiNx。
21.如权利要求16所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S25中使用银/铝浆并采用丝网印刷法制作表面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行，所述铝的含量大于3％，百分比为铝占银/铝浆总量的质量百分比。
22.如权利要求16所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S26中使用银浆并采用丝网印刷法制作背面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行。
23.一种太阳能晶片，其特征在于，其包括：
一N型基底；
一位于该N型基底表面上的P型掺杂层，该P型掺杂层是通过对以离子注入方式注入的P型离子进行退火处理形成的，其中退火温度高于900℃，退火时间大于30秒；
一位于该N型基底背面的N+型掺杂层；
位于该P型掺杂层表面的第一钝化层；
位于该第一钝化层表面的第二钝化层；
位于该N+型掺杂层背面的第三钝化层；
以及位于该第二钝化层上的表面电极和位于该第三钝化层背面的背面电极。
24.如权利要求23所述的太阳能晶片，其特征在于，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
25.如权利要求23所述的太阳能晶片，其特征在于，所述第一钝化层和/或第三钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，所述第一钝化层和/或第三钝化层的厚度大于10nm。
26.如权利要求23所述的太阳能晶片，其特征在于，该第二钝化层为SiNx。
27.一种制作如权利要求23所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：
S31、在该N型基底晶片的表面通过离子注入的方式注入P型离子，并对P型离子进行退火处理，其退火温度高于900℃，退火时间大于30秒，以形成P型掺杂层；
S32、在该N型基底晶片的背面形成N+型掺杂层；
S33、在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层，在该N型基底晶片的背面形成第三钝化层；
S34、在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层；
S35、在该N型基底晶片的表面制作金属电极，并烧结成表面电极；
S36、在该N型基底晶片的背面制作金属电极，并烧结成背面电极。
28.如权利要求27所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S31中注入能量为5keV、浓度为5E14-1E16的硼离子形成P型掺杂层，该P型掺杂层的方块电阻为40-200Ω/m2。
29.如权利要求27所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S32中通过离子注入的方式注入能量为30keV的磷离子或砷离子以形成该N+型掺杂层。
30.如权利要求27所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S33中通过热氧化法或者PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第一钝化层以及在该N型基底晶片的背面形成第三钝化层，所述第一钝化层和/或第三钝化层为SiOx、SiCx或Al2O3，该第一钝化层和/或第三钝化层的厚度大于10nm。
31.如权利要求27所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S34中通过PECVD方法在该N型基底晶片的表面形成第二钝化层，该第二钝化层为SiNx。
32.如权利要求27所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S35中使用银/铝浆并采用丝网印刷法制作表面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行，所述铝的含量大于3％，百分比为铝占银/铝浆总量的质量百分比。
33.如权利要求27所述的太阳能晶片的制备方法，其特征在于，步骤S36中使用银浆并采用丝网印刷法制作背面的金属电极，其中烧结温度为850-1150℃，使得烧结和退火同时进行。
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