CN102375900A - 考虑趋肤效应的模拟射频mim电容的电路结构 - Google Patents

考虑趋肤效应的模拟射频mim电容的电路结构 Download PDF

Info

Publication number
CN102375900A
CN102375900A CN2010102572702A CN201010257270A CN102375900A CN 102375900 A CN102375900 A CN 102375900A CN 2010102572702 A CN2010102572702 A CN 2010102572702A CN 201010257270 A CN201010257270 A CN 201010257270A CN 102375900 A CN102375900 A CN 102375900A
Authority
CN
China
Prior art keywords
skin effect
metal
mim
model
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010102572702A
Other languages
English (en)
Inventor
王生荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd filed Critical Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority to CN2010102572702A priority Critical patent/CN102375900A/zh
Publication of CN102375900A publication Critical patent/CN102375900A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种考虑趋肤效应的模拟射频MIM电容的电路结构;包括:模拟上极板趋肤效应的子电路为:串联连接的电阻(Rtp)、电感(Ltp)作为一条支路和由单独一个电阻(Rskin_t)组成的另一支路并联;模拟下极板趋肤效应的子电路为:串联连接的电阻(Rbp)、电感(Lbp)作为一条支路和由单独一个电阻(Rskin_b)组成的另一支路并联。本发明子电路模型和器件结构紧密联系,具有很强的物理性;从仿真结果来看,和传统的模型相比在很宽的频率范围,本发明模型可以准确模拟上下极板电阻值;并且可以在很宽频率范围内准确模拟MIM电容器件的品质因数。

Description

考虑趋肤效应的模拟射频MIM电容的电路结构
技术领域
本发明涉及一种模拟半导体器件的电路结构,具体涉及一种模拟射频MIM电容的电路结构。
背景技术
金属-绝缘体-金属电容(MIM,Metal-Insulator-Metal)是射频CMOS或BiCMOS集成电路的重要元件之一,广泛应用在压控振荡器等射频电路模块中。
传统的MIM电容建模方法一般采用等效的Pi型网络或者基于器件结构的物理模型,等效Pi模型没有很明显的物理性,和传统的基于器件结构的物理模型一样,等效Pi模型和传统的物理模型都没有考虑到寄生电阻随频率增大而逐渐增大的现象(趋肤效应),高估了高频下器件的品质因数,从而限制了模型的精度。
MIM电容器的剖面图见图1,传统的物理模型拓扑结构如图2所示,传统的Pi型等效电路拓扑结构如图3所示。Pi型等效电路和传统的物理模型均不能模拟电容上下极板寄生电阻随频率增加而增大的现象。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种考虑趋肤效应的模拟射频MIM电容的电路结构,它可以在很宽的频率范围,准确模拟上下极板电阻值。
为了解决以上技术问题,本发明提供了一种考虑趋肤效应的模拟射频MIM电容的电路结构;包括:模拟上极板趋肤效应的子电路为:串联连接的电阻(Rtp)、电感(Ltp)作为一条支路和由单独一个电阻(Rskin_t)组成的另一支路并联;模拟下极板趋肤效应的子电路为:串联连接的电阻(Rbp)、电感(Lbp)作为一条支路和由单独一个电阻(Rskin_b)组成的另一支路并联。
本发明的有益效果在于:子电路模型和器件结构紧密联系,具有很强的物理性;从仿真结果来看,和传统的模型相比在很宽的频率范围,本专利模型可以准确模拟上下极板电阻值;并且可以在很宽频率范围内准确模拟MIM电容器件的品质因数。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是传统的MIM电容剖面图;
图2是传统的RF MIM电容物理模型拓扑结构示意图;
图3是传统的RF MIM电容Pi型模型拓扑结构示意图;
图4是本专利实施例所述的考虑趋肤效应得RF MIM电容模型拓扑结构示意图;
图5是传统Pi型和物理模型拟合效果示意图;
图6是本专利实施例所述的考虑趋肤效应得RF MIM电容模型拟合效果示意图。
具体实施方式
本发明所要解决的问题模拟MIM电容上下极板寄生电阻随频率增加而增大的现象,可以在很宽的频率范围内准确模拟器件的电阻值,提高模型的精度。
本发明考虑了高频下趋肤效应的MIM电容电路模型;电容的上下层金属极板均考虑高频下的趋肤效应;上极板趋肤效应子电路模型的具体的连接方法为:串联连接的电阻(Rtp)、电感(Ltp)作为一条支路和由单独一个电阻(Rskin_t)组成的另一支路并联;下极板趋肤效应子电路模型的具体的连接方法为:串联连接的电阻(Rbp)、电感(Lbp)作为一条支路和由单独一个电阻(Rskin_b)组成的另一支路并联;下极板对地寄生参数分布在下极板两端;上下极板均采用趋肤效应子电路实现等比例缩放模型的方法。
新的MIM电容模型的拓扑结构如图3所示。其中上下极板寄生电阻均考虑了趋肤效应,其中趋肤效应子电路模型的连接方法为:串联连接的电阻、电感作为一条支路和由单独一个电阻组成的另一支路并联。下极板对地电容采用分布式电容的连接方式。
本专利提出的射频MIM电容模型采用图4的拓扑结构,其中采用串联连接的电阻、电感作为一条支路和由单独一个电阻组成的另一支路并联的结构来模拟MIM电容上下极板寄生电阻阻值随频率增加而增大的现象。下极板对地电容分布在趋肤电阻两端的值分别为Cox/2的分布电容来模拟。
与传统的MIM电容建模方法相比,本文提出的模型拓扑结构具有以下技术效果:
1)子电路模型和器件结构紧密联系,具有很强的物理性。
2)如图5、图所示,从仿真结果来看,和传统的模型相比在很宽的频率范围,本专利模型可以准确模拟上下极板电阻值。
3)如图5、图6所示,在很宽频率范围内准确模拟MIM电容器件的品质因数。
本发明并不限于上文讨论的实施方式。以上对具体实施方式的描述旨在于为了描述和说明本发明涉及的技术方案。基于本发明启示的显而易见的变换或替代也应当被认为落入本发明的保护范围。以上的具体实施方式用来揭示本发明的最佳实施方法,以使得本领域的普通技术人员能够应用本发明的多种实施方式以及多种替代方式来达到本发明的目的。

Claims (2)

1.一种考虑趋肤效应的模拟射频MIM电容的电路结构;其特征在于,包括:
模拟上极板趋肤效应的子电路为:串联连接的电阻(Rtp)、电感(Ltp)作为一条支路和由单独一个电阻(Rskin_t)组成的另一支路并联;
模拟下极板趋肤效应的子电路为:串联连接的电阻(Rbp)、电感(Lbp)作为一条支路和由单独一个电阻(Rskin_b)组成的另一支路并联。
2.如权利要求1所述的考虑趋肤效应的模拟射频MIM电容的电路结构;其特征在于,下极板对地寄生参数模拟电路分布在下极板两端。
CN2010102572702A 2010-08-19 2010-08-19 考虑趋肤效应的模拟射频mim电容的电路结构 Pending CN102375900A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010102572702A CN102375900A (zh) 2010-08-19 2010-08-19 考虑趋肤效应的模拟射频mim电容的电路结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010102572702A CN102375900A (zh) 2010-08-19 2010-08-19 考虑趋肤效应的模拟射频mim电容的电路结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102375900A true CN102375900A (zh) 2012-03-14

Family

ID=45794505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102572702A Pending CN102375900A (zh) 2010-08-19 2010-08-19 考虑趋肤效应的模拟射频mim电容的电路结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102375900A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110008489A (zh) * 2018-11-23 2019-07-12 杭州电子科技大学 一种THz频段InP DHBT器件在片测试结构建模方法
CN112217480A (zh) * 2019-08-07 2021-01-12 成都优蕊光电科技有限公司 一种基于电容器反馈的跨阻放大器及光电传感器
CN112217487A (zh) * 2020-10-09 2021-01-12 苏州英嘉通半导体有限公司 Mim电容的等效电路、mim电容等效电路的参数获取方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101149762A (zh) * 2006-09-20 2008-03-26 上海华虹Nec电子有限公司 一种用于片上电感的高频等效电路结构及其参数计算方法
CN101553982A (zh) * 2006-11-30 2009-10-07 锡安公司 有源lc带通滤波器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101149762A (zh) * 2006-09-20 2008-03-26 上海华虹Nec电子有限公司 一种用于片上电感的高频等效电路结构及其参数计算方法
CN101553982A (zh) * 2006-11-30 2009-10-07 锡安公司 有源lc带通滤波器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
曾山 等: "一种简化的片上螺旋电感双 等效电路模型", 《电子器件》 *
王生国 等: "GaAs MIM电容模型", 《半导体技术》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110008489A (zh) * 2018-11-23 2019-07-12 杭州电子科技大学 一种THz频段InP DHBT器件在片测试结构建模方法
CN112217480A (zh) * 2019-08-07 2021-01-12 成都优蕊光电科技有限公司 一种基于电容器反馈的跨阻放大器及光电传感器
CN112217487A (zh) * 2020-10-09 2021-01-12 苏州英嘉通半导体有限公司 Mim电容的等效电路、mim电容等效电路的参数获取方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101466879B1 (ko) 등가 회로 작성방법 및 등가 회로 작성 프로그램
CN103647440B (zh) 一种软启动电路及包括该软启动电路的dc-dc电路
Devi et al. Design of an RF-DC conversion circuit for energy harvesting
CN102375900A (zh) 考虑趋肤效应的模拟射频mim电容的电路结构
CN106777483A (zh) 用于集成电路的片上电感等效电路模型及参数提取方法
CN101149762A (zh) 一种用于片上电感的高频等效电路结构及其参数计算方法
CN105720798A (zh) 一种基于阻尼取能电路的高压直流输电换流阀的等值电路
CN102254065A (zh) 双极型晶体管参数提取方法及其等效电路
CN106356867B (zh) 一种节点无功电压灵敏度的确定方法
Hu et al. Lossless CMOS active reciprocal two-port inductor and application in a series LC filter
CN101840441A (zh) 一种用于片上变压器的高频等效电路结构
CN106911463A (zh) 一种基于有源带通滤波器的蔡氏忆阻混沌电路
CN109683078A (zh) 肖特基二极管测试方法及装置
CN102129485A (zh) 磁珠建模方法
Kamarudin et al. Impulse Generator and Lightning characteristics simulation using Orcad Pspice software
CN110046472B (zh) 基于电流传输器的二次非线性磁控忆阻模拟器
CN104899344A (zh) 射频电路仿真方法和系统
Tangsrirat et al. Current-mode universal filter topology with electronic tuning property using single current follower
Singh Equivalent forms of single-operational transconductance amplifier RC oscillators with application to grounded-capacitor oscillators
CN102376701A (zh) 模拟顶层次顶层金属不等厚的多电流路径叠层电感的电路结构
CN207020866U (zh) 一种高精度中压配电线路真型等效模型
CN106782647B (zh) 一种基于二极管和电解电容串联实现忆阻功能的电路
Saberhosseini et al. Modeling & simulation of MEMS spiral inductor
Mousavi et al. A wide-range model for surge arresters: verification analysis
CN205986787U (zh) 除时钟倍数跟随的高线性度正弦波发生器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20120314