CN102361138A - 阻抗为50ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板120瓦负载片，其包括一6*9*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。该结构阻抗为50Ω氮化铝陶瓷基板120瓦负载片具有良好的VSWR性能，在6*9*1mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到120W，同时使其特性达到了3G，使得此尺寸的氮化铝陶瓷基板负载片在性能卓越的前提下功率达到120W。

Description

阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片
技术领域
本发明涉一种氮化铝陶瓷基板负载片，特别涉及一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片。 
背景技术
氮化铝陶瓷基板负载片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向输入的功率，如果不能承受要求的功率，负载就会烧坏，可能导致整个设备烧坏。目前国内的氮化铝陶瓷基板负载片都是应用在民用通信领域，民用通信频率要求为3G以及3G以内。对于负载片来说，能够达到应用的要求，一是需要能够满足高功率的要求，一是产品的特性也就是VSWR(驻波比)要越小越好，目前市场基础需要满足1.25∶1以内.随着频段的增高，产品的VSWR也就会越高。 
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种尺寸为6*9*1mm能够承受120W的功率性能良好的氮化铝陶瓷基板负载片。 
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案： 
一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片，其包括一6*9*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。 
优选的，所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。 
优选的，所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。 
上述技术方案具有如下有益效果：该结构的阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片具有良好的VSWR性能，在6*9*1.0mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到120W，也更加能够与设备进行良好的匹配。 
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。 
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图。 
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。 
如图1所示，该阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片包括一6*9*1mm的氮化铝基板1，氮化铝基板1的背面印刷有背导层，氮化铝基板1的正面印刷有电阻3及导线2，导线2连接电阻3形成负载电路，负载电路的接地端与背导层通过银浆电连接，从而使负载电路接地导通。背导层及导线2由导电银浆印刷而成，电阻3由电阻浆料印刷而成。电阻3上印刷有玻璃保护膜4。导线2及玻璃保护膜4的上表面还印刷有一层黑色保护膜5。 
该结构的阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片具有良好的VSWR性能，在6*9*1mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到120W，同时使其特性达到了3G，使该尺寸的氮化铝陶瓷基板使用范围更广，也更加能够与设备进行良好的匹配。据检测该氮化铝陶瓷基板负载片能承受的功率非常稳定，能够完全达到通信期间吸收所需要功率的要求， 
以上对本发明实施例所提供的一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。 

Claims (3)

1.一种阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片，其特征在于：其包括一6*9*1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻及导线，所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与所述背导层电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
2.根据权利要求1所述的阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片，其特征在于：所述导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。
3.根据权利要求1所述的阻抗为50Ω大功率氮化铝陶瓷基板120瓦负载片，其特征在于：所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。
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