CN102339744A - 一种超高频晶片的抛光方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种超高频晶片的抛光方法,该方法主要包括以下步骤:(1)频率测定;(2)全数分类;(3)LOT构成;(4)中性洗涤剂与超声波洗净;(5)超纯水超声波洗净;(6)干燥;(7)硫酸洗净;(8)硫酸洗净后纯水洗净;(9)第一次化学抛光;(10)第二次化学抛光;(11)送至下一流程。本发明使用化学抛光可以降低晶片破损率,提高晶片的加工频率,同时减少了机器的维护,有效地提高了抛光效率。
Description
技术领域
本发明涉及晶片的抛光方法,特别涉及一种用于频率为50.0MHz以上的超高频水晶频率片的抛光方法。
背景技术
抛光机是一种电动工具,抛光机由底座、抛盘、抛光织物、抛光罩及盖等基本元件组成。抛光机操作的关键是要设法得到最大的抛光速率,以便尽快除去磨光时产生的损伤层。同时也要使抛光损伤层不会影响最终观察到的组织,即不会造成假组织。前者要求使用较粗的磨料,以保证有较大的抛光速率来去除磨光的损伤层,但抛光损伤层也较深;后者要求使用最细的材料,使抛光损伤层较浅,但抛光速率低。
传统的物理抛光是使用专用的抛光机,使用专用的抛光砂,抛光砂的粒子非常细,通过研磨的方法进行表面抛光,使用这种方法,晶片破损率高,约为60%,最高频率只能做到基本波80MHz,抛光机维护起来困难。
发明内容
为了解决传统物理抛光晶片破损率高,机器维护起来困难的问题,提高工业生产的效率,本发明提出以下技术方案:
一种超高频晶片的抛光方法,其特征在于,该方法主要包括以下步骤:
(1)频率测定,使用频率测量仪测量频率;
(2)全数分类,将所有晶片的频率都进行测量,并按照从小到大的顺序排列,插在晶片架中;
(3)LOT构成,LOT构成指的是将晶片构成批次进行流动;
(4)中性洗涤剂与超声波洗净,中性洗涤剂指的是普通的洗涤剂;
(5)纯水超声波洗净,这里所述的超纯水洗净和下面所述的纯水洗净的是一样的,超声波洗净的好处是可以利用超声波清洗晶片表面的细微粒子;
(6)干燥,通过IPA脱水,然后用烘箱(150度)干燥;
(7)硫酸洗净,硫酸的浓度是98%;
(8)硫酸洗净后纯水洗净;
(9)第一次化学抛光;
(10)第二次化学抛光;
(11)送至下一流程,(下一流程指的是切割、尺寸加工、频率调整等)。
优选的,所述第一次化学抛光还应包括第一次抛光后的洗净和最大1枚频率测定;所述第二次化学抛光还应包括第二次抛光后的洗净、超纯水超声波洗净、干燥以及全数周波数测定。
优选的,第一次化学抛光使用氟化铵和氢氟酸的混合液,比例为1∶1,第二次化学抛光使用氢氟酸和纯水的混合液,比例为1∶1,第一次和第二次的腐蚀量为2/3∶1/3。
优选的,全数周波数测定后,若晶片不符合要求,则按照以下步骤进一步加工:
(12)追加蚀刻构成,将频率不到要求的晶片重新构成LOT;
(13)超纯水超声波洗净;
(14)追加蚀刻,根据频率计算蚀刻时间,并按照时间再进行第二次抛光;
(15)追加蚀刻后纯水洗净;
(16)纯水超声波洗净;
(17)干燥。
本发明带来的有益效果是:
1.使用化学抛光可以降低晶片破损率,提高晶片的加工频率。
2.减少了机器的维护,有效地提高了抛光效率。
具体实施方式
本发明所述的超高频晶片的加工工艺流程具体如下:
一种超高频晶片的抛光方法,其特征在于,该方法主要包括以下步骤:
(1)频率测定,使用频率测量仪测量频率;
(2)全数分类,将所有晶片的频率都进行测量,并按照从小到大的顺序排列,插在晶片架中;
(3)LOT构成:将晶片构成批次进行流动;
(4)中性洗涤剂与超声波洗净,中性洗涤剂为是普通的洗涤剂即可;
(5)纯水超声波洗净(这里所述的超纯水洗净和下面所述的纯水洗净的是一样的),超声波洗净的好处是可以利用超声波清洗晶片表面的细微粒子;
(6)干燥,通过IPA脱水,然后用烘箱(150度)干燥;
(7)硫酸洗净,使用的硫酸浓度为98%;
(8)硫酸洗净后纯水洗净;
(9)第一次化学抛光;
(10)第二次化学抛光;
(11)送至下一流程,下一流程指的是切割、尺寸加工、频率调整等)
所述第一次化学抛光还应包括第一次抛光后的洗净和最大1枚频率测定,这里的最大1枚频率测定是指测量第一次抛光后频率最大的晶片,目的是根据这枚频率最大的晶片计算第二次抛光所需要的时间,防止第二次抛光后频率超出规格;所述第二次化学抛光还应包括第二次抛光后的洗净、超纯水超声波洗净、干燥以及全数周波数测定。全数周波数测定是指所有抛光完成的晶片进行频率测量,根据频率范围判断是否OK。
第一次化学抛光使用氟化铵和氢氟酸的混合液,比例为1∶1,第二次化学抛光使用氢氟酸和纯水的混合液,比例为1∶1,第一次和第二次的腐蚀量为2/3∶1/3;第一次抛光后晶片表面呈现内凹的形状,第二次抛光后晶片呈现外凸的形状,两次抛光结合起来,使晶片表面达到抛光效果。
全数周波数测定后,若晶片不符合要求,则按照以下步骤进一步加工:
(12)追加蚀刻构成,将频率不到要求的晶片重新构成LOT;
(13)超纯水超声波洗净;
(14)追加蚀刻,根据频率计算蚀刻时间,并按照时间再进行第二次抛光;
(15)追加蚀刻后纯水洗净;
(16)纯水超声波洗净;
(17)干燥。
晶片的破损率为1%,最高频率可加工到基本波180MHz,不需要专用的抛光机,减少了机器的维护,有效地提高了抛光效率。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种超高频晶片的抛光方法,其特征在于,该方法主要包括以下步骤:
(1)频率测定,使用频率测量仪测量频率;
(2)全数分类,将所有晶片的频率都进行测量,并按照从小到大的顺序排列,插在晶片架中;
(3)LOT构成;
(4)中性洗涤剂与超声波洗净;
(5)纯水超声波洗净;
(6)干燥,通过IPA脱水,然后用烘箱(150度)干燥;
(7)硫酸洗净;
(8)硫酸洗净后纯水洗净;
(9)第一次化学抛光;
(10)第二次化学抛光;
(11)送至下一流程。
2.根据权利要求1所述的一种超高频晶片的抛光方法,其特征在于,所述第一次化学抛光还应包括第一次抛光后的洗净和最大1枚频率测定;所述第二次化学抛光还应包括第二次抛光后的洗净、超纯水超声波洗净、干燥以及全数周波数测定。
3.根据权利要求1或2所述的一种超高频晶片的抛光方法,其特征在于,第一次化学抛光使用氟化铵和氢氟酸的混合液,比例为1∶1,第二次化学抛光使用氢氟酸和纯水的混合液,比例为1∶1,第一次和第二次的腐蚀量为2/3∶1/3。
4.根据权利要求1或2所述的一种超高频晶片的抛光方法,其特征在于,全数周波数测定后,若晶片不符合要求,则按照以下步骤进一步加工:
(12)追加蚀刻构成,将频率不到要求的晶片重新构成LOT;
(13)超纯水超声波洗净;
(14)追加蚀刻,根据频率计算蚀刻时间,并按照时间再进行第二次抛光
(15)追加蚀刻后纯水洗净;
(16)纯水超声波洗净;
(17)干燥。
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