CN102339744A - 一种超高频晶片的抛光方法 - Google Patents

一种超高频晶片的抛光方法 Download PDF

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任剑锋
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Abstract

本发明公开一种超高频晶片的抛光方法，该方法主要包括以下步骤：(1)频率测定；(2)全数分类；(3)LOT构成；(4)中性洗涤剂与超声波洗净；(5)超纯水超声波洗净；(6)干燥；(7)硫酸洗净；(8)硫酸洗净后纯水洗净；(9)第一次化学抛光；(10)第二次化学抛光；(11)送至下一流程。本发明使用化学抛光可以降低晶片破损率，提高晶片的加工频率，同时减少了机器的维护，有效地提高了抛光效率。

Description

一种超高频晶片的抛光方法
技术领域
本发明涉及晶片的抛光方法，特别涉及一种用于频率为50.0MHz以上的超高频水晶频率片的抛光方法。
背景技术
抛光机是一种电动工具，抛光机由底座、抛盘、抛光织物、抛光罩及盖等基本元件组成。抛光机操作的关键是要设法得到最大的抛光速率，以便尽快除去磨光时产生的损伤层。同时也要使抛光损伤层不会影响最终观察到的组织，即不会造成假组织。前者要求使用较粗的磨料，以保证有较大的抛光速率来去除磨光的损伤层，但抛光损伤层也较深；后者要求使用最细的材料，使抛光损伤层较浅，但抛光速率低。
传统的物理抛光是使用专用的抛光机，使用专用的抛光砂，抛光砂的粒子非常细，通过研磨的方法进行表面抛光，使用这种方法，晶片破损率高，约为60％，最高频率只能做到基本波80MHz，抛光机维护起来困难。
发明内容
为了解决传统物理抛光晶片破损率高，机器维护起来困难的问题，提高工业生产的效率，本发明提出以下技术方案：
一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，该方法主要包括以下步骤：
(1)频率测定，使用频率测量仪测量频率；
(2)全数分类，将所有晶片的频率都进行测量，并按照从小到大的顺序排列，插在晶片架中；
(3)LOT构成，LOT构成指的是将晶片构成批次进行流动；
(4)中性洗涤剂与超声波洗净，中性洗涤剂指的是普通的洗涤剂；
(5)纯水超声波洗净，这里所述的超纯水洗净和下面所述的纯水洗净的是一样的，超声波洗净的好处是可以利用超声波清洗晶片表面的细微粒子；
(6)干燥，通过IPA脱水，然后用烘箱(150度)干燥；
(7)硫酸洗净，硫酸的浓度是98％；
(8)硫酸洗净后纯水洗净；
(9)第一次化学抛光；
(10)第二次化学抛光；
(11)送至下一流程，(下一流程指的是切割、尺寸加工、频率调整等)。
优选的，所述第一次化学抛光还应包括第一次抛光后的洗净和最大1枚频率测定；所述第二次化学抛光还应包括第二次抛光后的洗净、超纯水超声波洗净、干燥以及全数周波数测定。
优选的，第一次化学抛光使用氟化铵和氢氟酸的混合液，比例为1∶1，第二次化学抛光使用氢氟酸和纯水的混合液，比例为1∶1，第一次和第二次的腐蚀量为2/3∶1/3。
优选的，全数周波数测定后，若晶片不符合要求，则按照以下步骤进一步加工：
(12)追加蚀刻构成，将频率不到要求的晶片重新构成LOT；
(13)超纯水超声波洗净；
(14)追加蚀刻，根据频率计算蚀刻时间，并按照时间再进行第二次抛光；
(15)追加蚀刻后纯水洗净；
(16)纯水超声波洗净；
(17)干燥。
本发明带来的有益效果是：
1.使用化学抛光可以降低晶片破损率，提高晶片的加工频率。
2.减少了机器的维护，有效地提高了抛光效率。
具体实施方式
本发明所述的超高频晶片的加工工艺流程具体如下：
一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，该方法主要包括以下步骤：
(1)频率测定，使用频率测量仪测量频率；
(2)全数分类，将所有晶片的频率都进行测量，并按照从小到大的顺序排列，插在晶片架中；
(3)LOT构成：将晶片构成批次进行流动；
(4)中性洗涤剂与超声波洗净，中性洗涤剂为是普通的洗涤剂即可；
(5)纯水超声波洗净(这里所述的超纯水洗净和下面所述的纯水洗净的是一样的)，超声波洗净的好处是可以利用超声波清洗晶片表面的细微粒子；
(6)干燥，通过IPA脱水，然后用烘箱(150度)干燥；
(7)硫酸洗净，使用的硫酸浓度为98％；
(8)硫酸洗净后纯水洗净；
(9)第一次化学抛光；
(10)第二次化学抛光；
(11)送至下一流程，下一流程指的是切割、尺寸加工、频率调整等)
所述第一次化学抛光还应包括第一次抛光后的洗净和最大1枚频率测定，这里的最大1枚频率测定是指测量第一次抛光后频率最大的晶片，目的是根据这枚频率最大的晶片计算第二次抛光所需要的时间，防止第二次抛光后频率超出规格；所述第二次化学抛光还应包括第二次抛光后的洗净、超纯水超声波洗净、干燥以及全数周波数测定。全数周波数测定是指所有抛光完成的晶片进行频率测量，根据频率范围判断是否OK。
第一次化学抛光使用氟化铵和氢氟酸的混合液，比例为1∶1，第二次化学抛光使用氢氟酸和纯水的混合液，比例为1∶1，第一次和第二次的腐蚀量为2/3∶1/3；第一次抛光后晶片表面呈现内凹的形状，第二次抛光后晶片呈现外凸的形状，两次抛光结合起来，使晶片表面达到抛光效果。
全数周波数测定后，若晶片不符合要求，则按照以下步骤进一步加工：
(12)追加蚀刻构成，将频率不到要求的晶片重新构成LOT；
(13)超纯水超声波洗净；
(14)追加蚀刻，根据频率计算蚀刻时间，并按照时间再进行第二次抛光；
(15)追加蚀刻后纯水洗净；
(16)纯水超声波洗净；
(17)干燥。
晶片的破损率为1％，最高频率可加工到基本波180MHz，不需要专用的抛光机，减少了机器的维护，有效地提高了抛光效率。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，该方法主要包括以下步骤：
(1)频率测定，使用频率测量仪测量频率；
(2)全数分类，将所有晶片的频率都进行测量，并按照从小到大的顺序排列，插在晶片架中；
(3)LOT构成；
(4)中性洗涤剂与超声波洗净；
(5)纯水超声波洗净；
(6)干燥，通过IPA脱水，然后用烘箱(150度)干燥；
(7)硫酸洗净；
(8)硫酸洗净后纯水洗净；
(9)第一次化学抛光；
(10)第二次化学抛光；
(11)送至下一流程。
2.根据权利要求1所述的一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，所述第一次化学抛光还应包括第一次抛光后的洗净和最大1枚频率测定；所述第二次化学抛光还应包括第二次抛光后的洗净、超纯水超声波洗净、干燥以及全数周波数测定。
3.根据权利要求1或2所述的一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，第一次化学抛光使用氟化铵和氢氟酸的混合液，比例为1∶1，第二次化学抛光使用氢氟酸和纯水的混合液，比例为1∶1，第一次和第二次的腐蚀量为2/3∶1/3。
4.根据权利要求1或2所述的一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，全数周波数测定后，若晶片不符合要求，则按照以下步骤进一步加工：
(12)追加蚀刻构成，将频率不到要求的晶片重新构成LOT；
(13)超纯水超声波洗净；
(14)追加蚀刻，根据频率计算蚀刻时间，并按照时间再进行第二次抛光
(15)追加蚀刻后纯水洗净；
(16)纯水超声波洗净；
(17)干燥。
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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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