CN102324463B - 有机电致发光器件的制备方法 - Google Patents
有机电致发光器件的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102324463B CN102324463B CN 201110267763 CN201110267763A CN102324463B CN 102324463 B CN102324463 B CN 102324463B CN 201110267763 CN201110267763 CN 201110267763 CN 201110267763 A CN201110267763 A CN 201110267763A CN 102324463 B CN102324463 B CN 102324463B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- evaporation
- preparation
- layer
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 162
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 153
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 134
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 28
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 16
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 16
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000882 Ca alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical group [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZFXVRMSLJDYJCH-UHFFFAOYSA-N calcium magnesium Chemical compound [Mg].[Ca] ZFXVRMSLJDYJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 4
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910015243 LiMg Inorganic materials 0.000 description 33
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 229910010199 LiAl Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910020091 MgCa Inorganic materials 0.000 description 10
- 101100003996 Mus musculus Atrn gene Proteins 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 CsAg Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000573 alkali metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明一种有机电致发光器件的制备方法，其包含制备电子注入层，该制备电子注入层的方法中，对于材料具有如下要求：采用至少两种金属的混合物，并且，低升华温度的金属为相对活泼的金属；上述金属混合物相比活泼金属本身，安全性、稳定性高；上述混合物在蒸镀过程中，至少有一种金属能被蒸发出来，并且，至少有一种金属没有被蒸发出来；蒸镀温度控制在使得低升华温度金属蒸发，而另外的金属没有蒸发。本发明在蒸镀合金的过程中控制蒸发温度，使合金在相对较低温下蒸镀，使碱金属或活泼金属蒸发，而另外的合金金属没有蒸发。通过蒸发出的碱金属或活泼金属做电子注入层，提高注入效果，同时没有其他金属或气体蒸发，不影响腔体的蒸镀气氛，保证了器件的性能及稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机发光器件制备方法，尤其涉及有机电致发光器件电子注入层的制备方法改进。
背景技术
传统的阴极电子注入层结构一般采用活泼金属做电子注入层，但由于活泼金属在空气中极不稳定，同时蒸镀过程难以控制，蒸发速率不稳定等，给实际操作带来极大不便。柯达公司在专利US5,776,622、US6,278,236中公开了使用碱金属或碱土金属的卤化物提高电子注入能力，优选的氟化锂和铝构成的阴极目前已广泛应用。但氟化锂材料自身为绝缘材料，电子注入层的优化厚度很薄，不利于工艺控制，同时器件中的卤素原子的存在会导致发光的猝灭。
有一些学者采用活泼金属化合物或活泼金属化合物掺杂来达到提高电子注入效果。此方案的原理是：金属化合物蒸镀过程中分解释放出活泼金属，通过活泼金属提高电子注入效果，降低注入势垒。但金属化合物蒸镀的过程中同时也释放出其他气体，如碳酸铯蒸镀过程中释放二氧化碳及氧气，硼氢化钾蒸镀过程中释放出氢气等。这些气体会影响蒸镀腔室真空度，导致真空度下降，气氛变差。这样材料蒸镀过程中分子自由程变短，分子之间碰撞频繁。使制作的器件性能变差，寿命变短。
发明内容
因此，本发明所解决的技术问题在于提供一种电子注入性能好、电子注入效率高的有机电致发光器件的制备方法。
本发明的技术方案为：
一种有机电致发光器件的制备方法，其包含制备电子注入层，该制备电子注入层的方法中，对于材料具有如下要求：
(1)采用至少两种金属的混合物，并且，低升华温度的金属为相对活泼的金属；
(2)上述金属混合物相比活泼金属本身，安全性、稳定性高；(3)上述混合物在蒸镀过程中，至少有一种金属能被蒸发出来，并且，至少有一种金属没有被蒸发出来；
蒸镀温度控制在使得低升华温度金属蒸发，而另外的金属没有蒸发。
该混合物为两种金属的混合物。
该混合物中低升华温度的金属为碱金属或碱土金属。
低升华温度的金属与高升华温度的金属，其升华温度相差50℃以上。
低升华温度的金属与高升华温度的金属，其升华温度相差100℃以上。
该低升华温度的金属所占混合物的质量百分含量为0.1-99.9％。
其以Alq3掺杂活泼金属形成电子传输层及注入层，其中，掺杂比例为质量百分数10-30％。
该混合物为锂铝合金、锂镁合金、铝镁合金、镁钙合金、铯铝合金或铯银合金。
上述合金中，锂镁合金中锂的质量百分比例为65％-85％；锂铝合金中锂的质量百分比例为5％-35％；铝镁合金中镁的质量百分比例为50％-90％；镁钙合金中镁的质量百分比例为50％-90％；铯铝合金中铯的质量百分比例为1％-35％；先铯银合金中铯的质量百分比例为30％-65％。
其还包含制备阴极层和阳极层，该阴极层和阳极层为透明电极。
其还包含制备阴极层和阳极层，其在基板上先制备阴极，然后各功能层，最后制备阳极。
本发明的有益效果为：本发明通过控制合金中不同金属的质量百分比例，使合金相比于金属单质表现出较好的稳定性，同时使合金中相对活泼的金属相比另外一种金属易于蒸发；本发明在蒸镀合金的过程中控制蒸发温度，使合金在相对较低升华温度下蒸镀，使碱金属或活泼金属蒸发，而另外的合金金属没有蒸发。通过蒸发出的碱金属或活泼金属做电子注入层，提高注入效果，同时没有其他金属或气体蒸发，不影响腔体的蒸镀气氛，保证了器件的性能及稳定性。
附图说明
图1为本发明实施例1中记载的有机电致发光器件的结构剖面图。
图2为本发明实施例25中记载的有机电致发光器件的结构剖面图。
图3为本发明实施例28中记载的有机电致发光器件的结构剖面图。
具体实施方式
实施例1：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiMg(3nm)/Al(150nm)
如图1所示，其为本发明实施例1的结构剖面图，其包括基板10，阳极层20，空穴传输层30，发光层40，电子注入层50，阴极层60。
该有机发光器件的制备方法如下：
①利用洗涤剂超声和去离子水超声的方法对已经刻蚀好固定图形的ITO玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干。
②把上述处理好的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层膜上继续蒸镀空穴传输层(NPB)，该层成膜速率为0.1nm/s，膜厚为50nm。
③在空穴传输层上蒸镀Alq3作为发光层及电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，总膜厚为50nm。
④在电子传输层上蒸镀LiMg合金(锂的质量百分含量为75％)，由LiMg在蒸镀温度100℃-250℃左右，蒸发得到的Li作为器件的电子注入层，蒸镀速率控制在0.01nm/s，膜厚为3nm。
⑤在上述电子注入层上继续蒸镀Al层作为器件的阴极层，Al层的蒸镀速率为1nm/s，厚度为150nm。
实施例2：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiMg(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤④，在电子传输层上蒸镀LiMg合金(锂的质量百分含量为65％)，由LiMg在蒸镀温度100℃-250℃左右，蒸发得到的Li作为器件的电子注入层，蒸镀速率控制在0.01nm/s，膜厚为3nm
实施例3：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiMg(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤④，在电子传输层上蒸镀LiMg合金(锂的质量百分含量为85％)，由LiMg在蒸镀温度100℃-250℃左右，蒸发得到的Li作为器件的电子注入层，蒸镀速率控制在0.01nm/s，膜厚为3nm
实施例4：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiMg(1nm)/Ag(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤④、⑤，步骤④蒸镀1nm的LiMg合金(锂的质量百分含量为75％)，由LiMg在蒸镀温度100℃-250℃左右，蒸发得到的Li作为器件的电子注入层，步骤⑤在电子注入层上蒸镀Ag层为器件的阴极层，蒸镀速率为0.01-0.05nm/s，厚度为150nm。
实施例5：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiMg(3nm)/Ag(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤⑤，在电子注入层上蒸镀Ag层为器件的阴极层，蒸镀速率为0.01-0.05nm/s，厚度为150nm。
实施例6：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiMg(5nm)/Ag(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤④、⑤，步骤④蒸镀5nm的LiMg合金(锂的质量百分含量为75％)，由LiMg在蒸镀温度100℃-250℃左右，蒸发得到的Li作为器件的电子注入层，步骤⑤在电子注入层上蒸镀Ag层为器件的阴极层，蒸镀速率为0.01-0.05nm/s，厚度为150nm。
实施例7：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/Alq3(20nm):LiMg(10％)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤③、④，在空穴传输层上蒸镀Alq3作为发光层，厚度为30nm；电子传输层及注入层采用Alq3掺杂Li(Li由蒸镀LiMg合金，控制蒸镀温度100℃-250℃左右得到Li)，掺杂比例为10％，厚度为20nm。之后蒸镀150nm的Al作为阴极。
实施例8：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/Alq3(20nm):LiMg(20％)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤③、④，在空穴传输层上蒸镀Alq3作为发光层，厚度为30nm；电子传输层及注入层采用Alq3掺杂Li(Li由蒸镀LiMg合金，控制蒸镀温度100℃-250℃左右得到Li)，掺杂比例为20％，厚度为20nm。之后蒸镀150nm的Al作为阴极。
实施例9：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/Alq3(20nm):LiMg(30％)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤③、④，在空穴传输层上蒸镀Alq3作为发光层，厚度为30nm；电子传输层及注入层采用Alq3掺杂Li(Li由蒸镀LiMg合金，控制蒸镀温度100℃-250℃左右得到Li)，掺杂比例为30％，厚度为20nm。之后蒸镀150nm的Al作为阴极。
实施例10：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/CsAg(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀CsAg合金(铯的质量百分含量为30％)，由CsAg在蒸镀温度200℃-550℃左右，蒸发得到Cs作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01nm/s，膜厚为3nm。
实施例11：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/CsAg(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀CsAg合金(铯的质量百分含量为50％)，由CsAg在蒸镀温度200℃-500℃左右，蒸发得到Cs作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01nm/s，膜厚为3nm。
实施例12：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/CsAg(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀CsAg合金(铯的质量百分含量为65％)，由CsAg在蒸镀温度200℃-350℃左右，蒸发得到Cs作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01nm/s，膜厚为3nm。
实施例13：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/MgAl(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀MgAl合金(镁的质量百分含量为50％)，由MgAl在蒸镀温度600℃-950℃左右，蒸发得到Mg作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
实施例14：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/MgAl(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀MgAl合金(镁的质量百分含量为80％)，由MgAl在蒸镀温度600℃-950℃左右，蒸发得到Mg作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
实施例15：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/MgAl(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀MgAl合金(镁的质量百分含量为90％)，由MgAl在蒸镀温度600℃-950℃左右，蒸发得到Mg作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
实施例16：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/MgCa(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀MgCa合金(镁的质量百分含量为50％)，由MgCa在蒸镀温度550℃-1150℃左右，蒸发得到Mg作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
实施例17：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/MgCa(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀MgCa合金(镁的质量百分含量为75％)，由MgCa在蒸镀温度550℃-1150℃左右，蒸发得到Mg作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
实施例18：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/MgCa(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀MgCa合金(镁的质量百分含量为90％)，由MgCa在蒸镀温度550℃-1050℃左右，蒸发得到Mg作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
实施例19：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiAl(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀LiAl合金(锂的质量百分含量为5％)，由LiAl在蒸镀温度550℃-800℃左右，蒸发得到Li作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
实施例20：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiAl(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀LiAl合金(锂的质量百分含量为25％)，由LiAl在蒸镀温度550℃-750℃左右，蒸发得到Li作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
实施例21：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiAl(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀LiAl合金(锂的质量百分含量为35％)，由LiAl在蒸镀温度550℃-700℃左右，蒸发得到Li作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
实施例22：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/CsAl(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀CsAl合金(铯的质量百分含量为1％)，由CsAl在蒸镀温度550℃-900℃左右，蒸发得到Cs作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
实施例23：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/CsAl(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀CsAl合金(铯的质量百分含量为5％)，由CsAl在蒸镀温度550℃-800℃左右，蒸发得到Cs作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
实施例24：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/CsAl(3nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处就是步骤④，在电子传输层上蒸镀CsAl合金(铯的质量百分含量为35％)，由CsAl在蒸镀温度550℃-750℃左右，蒸发得到Cs作为电子注入层，蒸镀速率控制在0.01-0.05nm/s，膜厚为3nm。
对比例1：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于制作完Alq3后，蒸镀0.5nm的LiF，速率为0.01-0.02nm/s。后蒸镀150nm的Al。
对比例2：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Ag(150nm)
制备方法同对比例1，不同之处在于制作完0.5nm的LiF后，蒸镀150nm的Ag。
实施例25：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiMg(3nm)/Ag(30nm)/NPB(50nm)
图2为实施例25的结构剖面图，10～60同于实施例1，70为增透层NPB。
制备方法同实施例1，不同之处在于阴极为30nm的Ag，之后蒸镀50nm的NPB。该阴极层和阳极层可以为透明电极，器件不点亮情况下，人眼视线可穿过器件，看到器件后面的物体。
实施例26：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/Alq3(20nm):LiMg(10％)/Ag(30nm)/NPB(50nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤③、④，在空穴传输层上蒸镀Alq3作为发光层，厚度为30nm；电子传输层及注入层采用Alq3掺杂Li(Li由蒸镀LiMg合金，控制蒸镀温度100℃-250℃左右得到Li)，掺杂比例为10％，厚度为20nm。之后蒸镀30nm的Ag作为阴极。阴极之后蒸镀50nm的NPB。该阴极层和阳极层可以为透明电极，器件不点亮情况下，人眼视线可穿过器件，看到器件后面的物体。
实施例27：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/Alq3(20nm):LiMg(10％)/ITO(100nm)
制备方法同实施例1，不同之处在于步骤③、④，在空穴传输层上蒸镀Alq3作为发光层，厚度为30nm；电子传输层及注入层采用Alq3掺杂Li(Li由蒸镀LiMg合金，控制蒸镀温度100℃-350℃左右得到Li)，掺杂比例为10％，厚度为20nm。之后采用直流磁控溅射法制备ITO阴极，靶材为铟锡合金，其成份比例In∶Sn＝90％∶10％。制备过程中氧分压为0.4Sccm，氩分压为20Sccm。制备过程中防止溅射ITO过程中对有机层的损伤，先用对靶控制速率为0.6A/s，制备10nm后，再用直靶控制速率为1.5A/s，制备90nm。该阴极层和阳极层可以为透明电极，器件不点亮情况下，人眼视线可穿过器件，看到器件后面的物体。
对比例3：
ITO/NPB(50nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Ag(30nm)/NPB(50nm)
制备方法同对比例2，不同之处在于阴极为30nm的Ag，后蒸镀50nm的NPB。
实施例28：
ITO/LiMg(3nm)/Alq3(50nm)/NPB(50nm)/Al(150nm)
图3为实施例28的结构剖面图，210为基板，220为阴极层，230为电子注入层，240为电子传输兼发光层，250为空穴传输层，260为阳极层。制备方法为：
在清洗好的ITO玻璃基板上，蒸镀3nm的Li(Li由蒸镀LiMg合金，控制蒸镀温度100℃-250℃左右得到Li)，后蒸镀50nm的Alq3作为电子传输层兼发光层，之后蒸镀50nm的NPB，最后蒸镀150nm的Al作为阳极。
本实施例中，其在基板上先制备阴极，然后各功能层(如空穴注入层、空穴传输层等)，最后制备阳极，其与常规器件的制备方法相反。
实施例29：
ITO/Alq3(20nm)：LiMg(10％)/Alq3(30nm)/NPB(50nm)/Al(150nm)
制备方法为：
在清洗好的ITO玻璃基板上，蒸镀20nm的Alq3掺杂Li(Li由蒸镀LiMg合金，控制蒸镀温度100℃-250℃左右得到Li)，掺杂比例为10％，之后蒸镀30nm的Alq3作为发光层，发光层之后蒸镀50nm的NPB，最后蒸镀150nm的Al作为阳极。
本实施例中，其在基板上先制备阴极，然后各功能层(如空穴注入层、空穴传输层等)，最后制备阳极，其与常规器件的制备方法相反。
对比例4：
ITO/LiF(0.5nm)/Alq3(50nm)/NPB(50nm)/Al(150nm)
制备方法为：
在清洗好的ITO玻璃基板上，蒸镀0.5nm的LiF作为电子注入层，电子注入层后蒸镀50nm的Alq3作为发光层及电子传输层，之后蒸镀50nm的NPB，最后蒸镀150nm的Al作为阳极。
表1
通过以上实施例与对比例对比可以看出，常规器件，实施例1-24器件性能均要好于对比例1水平，远好于对比例2水平，表明采用通过蒸镀LiMg、CsAg、MgAl、MgCa、LiAl、CsAl合金的方式得到活泼金属作为电子注入层，有很好的电子注入性能，对阴极没有选择性，即使采用较不活泼的Ag金属作为阴极，也表现出了很好的注入效果；透明器件，实施例25、26器件性能，bottom面可达到2cd/A，top面达到0.9cd/A，均好于对比例3水平，实施例27采用ITO做阴极，器件两面效率几乎相同，两面之和为3CD/A；倒置底发光器件，实施例28、29器件性能达到了3.3cd/A，远远高于对比例4器件性能，表明蒸镀LiMg合金得到的碱金属Li，减低了ITO阴极与发光层之间的能垒，器件得到了较低的驱动电压及很高的效率。通过以上实验，表明本发明采用蒸镀碱金属合金的方式得到碱金属作为电子注入层，明显改善了电子注入效率，提高了器件性能。表明本发明的思想是有效的。
本发明在蒸镀合金的过程中控制蒸发温度，使合金在低温下蒸镀，使碱金属或活泼金属蒸发，而另外的合金金属没有蒸发。通过蒸发出的碱金属或活泼金属做电子注入层，提高注入效果，同时没有其他金属或气体蒸发，不影响腔体的蒸镀气氛，保证了器件的性能及稳定性。
Claims (9)
1.一种有机电致发光器件的制备方法，其包含制备电子注入层，其特征在于，该制备电子注入层的方法中，对于材料具有如下要求：
（1）采用两种金属的混合物，并且，低升华温度的金属为相对活泼的金属；
（2）上述金属混合物相比活泼金属本身，安全性、稳定性高；
（3）上述混合物在蒸镀过程中，有一种金属能被蒸发出来；
蒸镀温度控制在使得低升华温度金属蒸发，而另外的金属没有蒸发；
其中，低升华温度的金属与高升华温度的金属，其升华温度相差50℃以上。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，该混合物中低升华温度的金属为碱金属或碱土金属。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，低升华温度的金属与高升华温度的金属，其升华温度相差100℃以上。
4.如权利要求1-3任一所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，该低升华温度的金属所占混合物的质量百分含量为0.1-99.9%。
5.如权利要求1-3任一所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，其以Alq3掺杂活泼金属形成电子传输层及注入层，其中，掺杂比例为质量百分数10-30%。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，该混合物为锂铝合金、锂镁合金、铝镁合金、镁钙合金、铯铝合金或铯银合金。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，上述合金中，锂镁合金中锂的质量百分比例为65%-85%；锂铝合金中锂的质量百分比例为5%-35%；铝镁合金中镁的质量百分比例为50%-90%；镁钙合金中镁的质量百分比例为50%-90%；铯铝合金中铯的质量百分比例为1%-35%；先铯银合金中铯的质量百分比例为30%-65%。
8.如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，其还包含制备阴极层和阳极层，该阴极层和阳极层为透明电极。
9.如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，其还包含制备阴极层和阳极层，其在基板上先制备阴极，然后各功能层，最后制备阳极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110267763 CN102324463B (zh) | 2011-09-09 | 2011-09-09 | 有机电致发光器件的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110267763 CN102324463B (zh) | 2011-09-09 | 2011-09-09 | 有机电致发光器件的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102324463A CN102324463A (zh) | 2012-01-18 |
| CN102324463B true CN102324463B (zh) | 2013-07-10 |
Family
ID=45452164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110267763 Active CN102324463B (zh) | 2011-09-09 | 2011-09-09 | 有机电致发光器件的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102324463B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108281556A (zh) * | 2017-01-05 | 2018-07-13 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled器件及其制造方法以及显示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6692326B2 (en) * | 2001-06-16 | 2004-02-17 | Cld, Inc. | Method of making organic electroluminescent display |
| CN100454603C (zh) * | 2005-01-10 | 2009-01-21 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件 |
| CN1937279B (zh) * | 2006-10-30 | 2010-08-18 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件电子注入层的制备方法 |
| JP2008124316A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| CN101368264B (zh) * | 2007-08-16 | 2012-01-04 | 清华大学 | 有机电致发光器件 |
-
2011
- 2011-09-09 CN CN 201110267763 patent/CN102324463B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102324463A (zh) | 2012-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100448058C (zh) | 一种有机电致发光器件 | |
| TWI667781B (zh) | 有機電場發光裝置 | |
| CN101438627B (zh) | 有机电子器件的制备方法及用该方法制备的有机电子器件 | |
| JP6280234B2 (ja) | 有機電界発光素子及びその制作方法 | |
| CN104183774A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
| JP5094781B2 (ja) | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 | |
| CN102881841B (zh) | 以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件 | |
| CN100454603C (zh) | 一种有机电致发光器件 | |
| CN102394275A (zh) | 一种具有多层阴极的有机电致发光器件 | |
| CN101339976B (zh) | 一种有机电致发光器件 | |
| CN101222027B (zh) | 一种有机发光器件及其制备方法 | |
| CN203288658U (zh) | 具有双层空穴注入层的有机发光器件结构 | |
| CN100557852C (zh) | 一种有机电致发光器件 | |
| CN102324463B (zh) | 有机电致发光器件的制备方法 | |
| JP2005063910A (ja) | 有機発光素子及びその製造方法 | |
| US20160372695A1 (en) | Laminated organic electroluminescent device and method of manufacturing the same, and display device | |
| CN102208431B (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN102336644A (zh) | 烷基取代乙酸盐及其在有机电致发光器件中的应用 | |
| CN103427045A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
| Shi et al. | Improved electron injection in organic light-emitting devices with a lithium acetylacetonate [Li (acac)]/aluminium bilayer cathode | |
| CN104009188A (zh) | 一种提高ito透明导电薄膜空穴注入能力的方法及其应用 | |
| JP2008108423A (ja) | 酸化物透明導電膜およびアルカリ金属含有酸化物透明導電膜の成膜方法ならびにその酸化物透明導電膜を利用した有機光装置 | |
| Deng et al. | Solution-processed phosphorus-tungsten oxide film as hole injection layer for application in efficient organic light-emitting diode | |
| CN104518102A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
| CN112993176A (zh) | 一种基于tadf材料的白光电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |