CN102318005B - 信息存储介质、记录再现装置和记录再现方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种信息记录介质，所述信息记录介质包括多个记录层。每个记录层可包括至少一个光功率控制(OPC)区域，并且以不与给定半径中的相邻层的OPC区域重叠的方式分配每一OPC区域。

Description

信息存储介质、记录再现装置和记录再现方法

技术领域

下面的描述涉及一种信息记录介质、记录/再现设备和记录/再现方法，更具体地讲，涉及一种包括多个记录层的高容量信息记录介质。

背景技术

为了实现高容量信息存储介质或者经由有线网络或无线网络来发送信息，正在开发各种方法，诸如将数据记录在高密度或者多层结构的信息存储介质上。由于信息存储介质具有多层结构，因此，信息存储介质的每层一般具有用于盘记录/再现管理的区域。

用于盘记录/再现管理的区域的示例是光功率控制(OPC)区域。OPC区域是用于校准功率的测试区域，并且用于找出用于将数据记录在信息存储介质上或者从信息记录介质再现数据的合适功率电平。由于执行测试以找出最佳功率电平，因此高于正常记录功率的功率可被应用，因而可能损坏相邻层的区域。此外，与OPC区域相邻的层的区域(具体地讲，沿光束行进方向的下层)可能被损坏。这样，多层结构一般使用多个OPC区域。例如，蓝光盘(BD)具有用于单层(SL)或双层(DL)的多个OPC区域以及用于三层(TL)或四层(QL)盘的多个附加OPC区域。

发明内容

技术问题

本发明提供一种信息记录介质、用于在包括三层或更多层的信息记录介质中有效地排列多个光功率控制(OPC)区域的设备和方法，从而减小了当再现记录的数据时的OPC操作的影响，并且主动地再现记录在另一层中的数据。

本发明还提供一种当用户区和备用区被使用的方向彼此相反时有效地管理连续缺陷替换的信息记录介质、设备和方法。

技术方案

在一个总体方面，提供了一种信息记录介质，包括：至少三个记录层；其中，所述至少三个记录层中的每一个包括至少一个光功率控制(OPC)区域，并且以不与特定半径内的相邻记录层的OPC区域重叠的方式分配所述至少三个记录层的每一OPC区域。

在另一方面，提供了一种信息记录介质，包括：至少三个记录层；其中，至少一个记录层包括永久信息和控制数据(PIC)区域，至少两个记录层不具有PIC区域，并且OPC区域被分配到不具有PIC区域的所述至少两个记录层且被排列在不同的半径中，并且分配到不具有PIC区域的所述至少两个记录层的OPC区域中的至少一个OPC区域被分配到包括PIC区域的所述至少一个记录层中的分配了PIC区域的半径中，并且至少一个其他OPC区域被分配以与包括PIC区域的所述至少一个记录层中的分配了PIC区域的半径部分重叠。

在另一方面，提供了一种信息记录介质，包括：至少三个记录层，所述至少三个记录层包括：在其中分配了PIC区域的至少两个记录层以及在其中没有分配PIC区域的至少一个记录层，其中，分配到不具有PIC区域的所述至少一个记录层的OPC区域所分配到的半径与分配到包括PIC区域的所述至少两个记录层的OPC区域所分配到的半径不同，分配到所述至少两个记录层的PIC区域被分配到相同的半径，并且分配到不具有PIC区域的所述至少一个记录层的OPC区域与分配到所述至少两个记录层的PIC区域中的至少一个所分配到的半径部分重叠，或者分配到不具有PIC区域的所述至少一个记录层的OPC区被分配到分配给所述至少两个记录层的PIC区域中的至少一个所分配到的半径。

有益效果

根据本发明，多个光功率控制(OPC)区域被有效地排列在包括三层或更多层的信息记录介质中，从而减小了当再现记录的数据时OPC操作的影响，并且主动地再现记录在另一层中的数据。

此外，根据本发明，当用户区和备用区被使用的方向彼此相反时，有效地管理连续缺陷替换。

附图说明

图1是示出考虑到偏心距将多个光功率控制(OPC)区域分配到多层信息存储介质的盘的布局的示例的示图。

图2是示出可记录三层/四层蓝光盘(BD-R TL/QL)(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例的示图。

图3是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例的示图。

图4是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第三示例的示图。

图5是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第四示例的示图。

图6是示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第五示例的示图。

图7是示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例的示图。

图8是示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例的示图。

图9是示出可重写蓝光盘(BD-RE)TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例的示图。

图10是示出BD-RE TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例的示图。

图11是示出关于每层的容量的多个参考盘参数的示例的表。

图12是示出高容量可记录四层蓝光盘(HC BD-R QL)的不充足的内部区域容量的示例的参考表。

图13是示出内部区域布局选项1的示例的示图。

图14是示出HC BD-可重写(RE)盘的INFO 1和INFO 2的示例的表。

图15是示出HC BD-RE盘的INFO 1和INFO 2的另一示例的表。

图16是示出RE/R三层(TL)盘的内部区域布局选项2的示例的示图。

图17是示出HC BD-可重写(RE)盘的INFO 1和INFO 2的另一示例的表。

图18是示出HC BD-RE盘的INFO 1和INFO 2的另一示例的表。

图19是示出R QL盘的内部区域布局选项2的示例的示图。

图20是示出当用户数据区被使用的方向与备用区被使用的方向相同时，在备用区中的连续缺陷替换的示例的示图。

图21是示出当用户数据区被使用的方向与备用区被使用的方向相反时，连续替换记录状态的示例的示图。

图22是示出当光道方向与使用备用区的方向相反时减小用于连续缺陷替换记录的时间的方法的示例的示图。

图23是示出记录/再现设备的示例的示图。

图24是示出包括图23中示出的记录/再现设备的驱动器的示例的示图。

图25是示出记录方法的示例的流程图。

图26是示出再现方法的示例的流程图。

具体实施方式

在下文中，将参照本发明的示例性实施例来更加全面地描述本发明。

在多层信息存储介质中，每层可具有朝向内圆周且以不与处于相同半径的相邻层的OPC区域重叠的方式分配的至少一个光功率控制(OPC)区域。

每层的OPC区域可在该层上具有至少一个相邻缓冲区域，并且对应于层数量的多个OPC区域中的两个OPC区域之间的一个OPC区域可在盘的相同半径中具有多个相邻缓冲区域。

缓冲区域可具有大于与根据盘标准的层间偏心距对应的物理区域的大小。例如，如果限定了盘必须制造有小于0.1毫米半径的层间偏心距的误差，则缓冲区域可具有等于或大于0.1毫米半径的大小。

层间偏心距是指从标准点(例如，完成制造的盘的中心)到处于相同半径的多个区域之间的半径误差。例如，如果限定了每个记录层的数据区域开始于24毫米半径，则由于制造特性，数据区域可能并不总是在精确的位置开始。此外，由于粘合多个记录层来制造多层盘，因此在多层之间会存在误差。

因此，如果每个记录层通常具有±0.05毫米的允许误差并且必须开始于24.0±0.05毫米半径，则一个记录层可具有开始于距离完成制造的盘的标准点23.95毫米半径的数据区域，而另一记录层可具有开始于24.05毫米半径的数据区域。在此示例中，多个记录层之间的最大层间偏心距可以是0.1毫米。由于层间偏心距，当分配多个OPC区域时，必须考虑多个相邻层之间的层间偏心距来分配缓冲区域。具体地讲，不能忽略沿光束的行进方向光束对下层的影响。

图1示出考虑到偏心距将多个光功率控制(OPC)区域分配到多层信息存储介质的布局的示例。

参照图1，信息存储介质包括四个记录层，诸如L0 10、L1 20、L2 30和L3 40。光束入射在L3 40上。通常，多个OPC区域可排列在导入区上并且还可排列在导出区中。然而，在图1中，多个OPC区域(诸如，OPC0 21、OPC122、OPC2 23和OPC3 24)排列在朝向内圆周的导入区50上。在此示例中，OPC0 21排列在L0 10上，OPC1 22排列在L1 20上，OPC2 23排列在L2 30上，并且OPC3 24排列在L3 40上。排列在两个相邻层上的OPC区域以在径向上彼此不重叠的方式被排列。

例如，考虑到层间偏心距，作为两个相邻层L0 10和L1 20的OPC0 21和OPC1 22以缓冲区域0 11为间隙排列，从而它们在径向上彼此不重叠。同样，考虑到层间偏心距，L1 20和L2 30的OPC1 22和OPC2 23以缓冲区域112为间隙排列，从而它们在径向上彼此不重叠。此外，考虑到层间偏心距，L2 30和L3 40的OPC2 23和OPC3 24以缓冲区域2 13为间隙排列，从而它们在径向上彼此不重叠。

相邻缓冲区域被排列在层(所述层排列在具有OPC区域的两个层之间)的OPC区域的内部和外部。例如，相邻缓冲区域1 12和缓冲区域2 13排列在L2 30(L2 30排列在具有OPC1 22的L1 20和具有OPC3 24的L3 40之间)的OPC2 23的内部和外部。此外，相邻缓冲区域0 11和缓冲区域1 12排列在L1 20(L1 20排列在具有OPC0 21的L0 10和具有OPC2 23的L2 30之间)的OPC1 22的内部和外部。

缓冲区域可具有等于或大于与按照盘标准限定的层间偏心距对应的物理区域的大小。例如，如果盘应该被制造为使得相邻层之间的层间偏心距的误差在0.1毫米半径内，则缓冲区域可具有等于或大于0.1毫米半径的大小。

在图1中，数据区域60开始于朝向内圆周的导入区50结束的点。在图1中，信息存储介质具有逆光道路径(OTP)。在图1的示例中，光道路径开始于L0 10的内圆周并朝向L0 10的外圆周继续，并且开始于L1 20的外圆周并朝向L1 20的内圆周继续。同样，光道路径开始于L2 30的内圆周并朝向L2 30的外圆周继续，并且开始于L3 40的外圆周并朝向L3 40的内圆周继续。在此示例中，使用每层的OPC区域的方向(即OPC区域中的数据记录方向)与光道路径的方向相反。例如，L0 10上的光道路径是从内圆周朝向外圆周，而使用OPC0 21的方向是从外圆周朝向内圆周。

因此，多个OPC区域可以以各种方式排列在L0 10至L3 40上。如果OPC区域以OPC区域排列在L0 10和L1 20上的方式排列在L2 30和L3 40上，则可根据记录管理更加方便地使用盘。

图2至图10示出可记录三层或四层蓝光盘(BD-R TL/QL)/可重写三层或四层蓝光盘(BD-RE TL/QL)32GB/L或者33GB/L的布局的示例。接近盘表面的层(即L3)被称为上层，接近L0的层被称为下层。处于与分配到上层的OPC区域相同半径的下层的区域都被保留。

在图2至图10中，括号中的数字表示区域的大小并且仅标记在区域上用于描述。区域的大小仅是示例并且不应被解释为限制各种区域的大小。

图2显示BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例。

参照图2，OPC0 201、OPC1 202、OPC2 203和OPC3 204分别排列在L0至L3上，并且考虑到层间偏心距排列缓冲区域0 211、缓冲区域1 212和缓冲区域2 213，以防止相邻层的OPC区域的重叠。处于与分配列上层的OPC区域相同半径的下层的区域都是保留区域221、222和223。例如，处于与分配到L3的OPC3 204相同半径的L1和L2的区域223都被保留。在此示例中，L0上的永久信息和控制数据(PIC)区域231是个例外，这是因为：与具有摆动凹槽的区域不同，PIC区域231具有高频调制(HFM)凹槽，因此可忽略上层的OPC区域的影响。

此外，为了管理信息存储介质的记录/再现，临时盘(或者缺陷)管理区域(TDMA)(例如，TDMA0 241、TDMA1 242、TDMA2 243和TDMA3 244)、缺陷管理区域(DMA)、物理访问控制(PAC)区域、驱动区域和控制数据区域被分配。

在图2中，TDMA0 241至TDMA3 244被分别排列在L0至L3上，并且以不干预分配到L0至L3的OPC0 201至OPC3 204或与分配到L0至L3的OPC0 201至OPC3 204不重叠的方式被分配。也就是，TDMA0 241至TDMA3244被排列在OPC0 201的外侧，其中，OPC0 201被排列在OPC0 201至OPC3204中从内圆周朝向外圆周的最外侧。在此示例中，由于TDMA被排列在单独的空间，而没有受到OPC区域的影响，因此可实现更简单的结构，并且当使用OPC区域时可保证安全。然而，导入区可能需要高容量来单独地排列TDMA。

如果OPC区域、TDMA、DMA、PAC区域、驱动区域和控制数据区域被分配到22.512毫米半径，则可根据记录行的密度和OPC区域、缓冲区域、TDMA和信息区域(诸如为盘管理而分配的INFO1和INFO2)的大小，来确定数据区域的开始。

因此，数据区域开始的半径r可被确定为满足下面的等式。

π×(r^2-y^2)＝″RUB的信道比特#″×″y和r之间的RUB的#″×″光道间距″×″信道比特长度″。

在此示例中，π＝3.141592，y＝PIC开始半径，″y和r之间的RUB的#″＝摆动凹槽的记录单位块(RUB)的数量。

可根据OPC区域、TDMA、缓冲区域和信息区域的大小(RUB的数量也可被称为大小)来确定数据区域的开始。

在图2中，相同层(即，L0)上OPC0 201的相邻区域是不同区域。例如，OPC0 201的朝向内圆周的相邻区域是缓冲区域0 211，而朝向外圆周的相邻区域是INFO2。如在此所描述的，如果使用OPC区域的相邻区域，例如，如果相邻区域被用于存储预定数据，则过大的功率会被施加到OPC区域，因此在测试过程中，相同层上的OPC区域的相邻区域很可能被损坏。

为了防止损坏，基于行的密度，通过使用合适数量的RUB，至少两个光道(由于光道间距是0.32微米，因此所述至少两个光道位于距离光束的中心0.64微米)可用作缓冲区域，并且缓冲区域可形成在OPC区域的开始部分和/或结束部分，或者形成在OPC区域的相邻区域。在32GB或33GB蓝光盘(BD)中，由于光道在22.5毫米和24.5毫米之间的半径中包括2.6至2.8RUB(1932×498信道比特)，因此至少六个RUB可用作缓冲区域。

图3示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例。

在图3中，OPC区域的排列与图2的OPC区域的排列相同，TDMA的排列与图2的TDMA的排列不同。在图3中，TDMA的排列被标记阴影。尽管在图2中TDMA被排列在与排列OPC区域的部分分离的部分中，但是在图3中，每层的TDMA穿过缓冲区域与该层的OPC区域相邻排列。在此示例中，对应于OPC2 203，保留区域222排列在下层(即L2)，TDMA3 244排列在上层(即，L3)。以上排列可被实现，这是因为入射在上层的光束会比影响上层更多地影响目标层的下层。例如，如果对L2的OPC2 203执行测试记录，则用于测试记录的光束会严重影响L1，而仅会轻微影响L3。因此，TDMA3244可被排列在仅被轻微影响的L3上。

这样，导入区所需的容量可被减少。

图4示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第三示例。

除了TDMA2 243和TDMA3 244的排列之外，图4的布局与图3的布局相同。由于L0具有吸热部件并且热量沿一个方向传递，因此TDMA1 242排列在L1的相应区域上。然而，由于热量在L1至L3上沿两个方向传递，因此TDMA2 243和TDMA3 244不与OPC1 202和OPC2 203对应地排列。

图5示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第四示例。

除了TDMA0 241和TDMA1 242的排列之外，图5的布局与图3的布局相同。也就是，为了与定义数据区域开始于盘的24.0毫米半径的传统盘标准兼容，TDMA0 241的大小可被减小到1024字节，TDMA1 242的大小可按照TDMA0 241所减小的大小而增加(例如，增加到3072字节)。图5显示了32GB/L的示例。在32GB/L中，值β被增加到缓冲区域0 211、缓冲区域1 212和缓冲区域2 213。值β表示增加的RUB的数量。

图6示出BD-R TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第五示例。

除了由阴影区域指示的TDMA2243和TDMA3244的排列之外，图6的布局与图5的布局相同。如在这里关于图4所描述的，由于L0具有吸热部件并且热量沿一个方向传递，因此TDMA1 242被排列在L1的相应区域上。然而，由于热量在L1至L3上沿两个方向传递，因此TDMA2 243和TDMA3 244不与OPC1 202和OPC2 203对应地排列。

图7示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例。

由于图7显示了TL盘，因此除了没有排列L3之外，图7的布局与图3的布局相同。

图8示出BD-R TL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例。

除了TDMA2243的排列之外，图8的布局与图7的布局相同。如在这里关于图4和图6所描述的，由于L0具有吸热部件并且热量沿一个方向传递，因此TDMA1 242排列在L1的相应区域上。然而，由于热量在L1至L2上沿两个方向传递，因此TDMA2 243不与OPC1 202对应地排列。OPC1 202和OPC2 203的排列也与图7中的OPC1 202和OPC2 203的排列不同。

图9示出BD-RE TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第一示例。

BD-R盘仅允许一次记录并且不允许重写，而BD-RE盘允许重写。由于TDMA被用于临时记录用于管理BD-R盘的记录和再现的信息，因此BD-RE盘不需要TDMA。

因此，除了不排列TDMA区域并且PIC区域921排列在L0上并且还排列在L1上之外，图9的布局与图2至图6的布局类似。BD-RE双层(DL)不具有缓冲区域。尽管由于缓冲区域的特性，BD-RE盘不需要缓冲区域，但是为了使用BD-R TL的结构，BD-RE TL可将BD-R TL的缓冲区域用作保留区域。

图10示出BD-RE TL/QL(32GB/L或33GB/L)的布局的第二示例。

除了OPC0 901、OPC1 902、OPC2 903和OPC3 904之外，图10的布局与图9的布局相同。

在图2至图10的以上布局中，每个区域的大小可改变。例如，在图2至图10中，OPC区域的大小是2048字节并且TDMA的大小通常也是2048字节，然而，区域的大小也可例如基于盘的总容量而改变。

如果OPC区域被分配到包括多层的记录介质中的每个记录层，则可能发生导入容量的缺乏。参照图11至图19，考虑到导入容量的缺乏来描述导入区的有效排列的示例。

图11是示出关于每层的容量的参考盘参数的示例的表。

参照图11，容量结构包括：例如，每层具有25GB的25GB/L结构1110、每层具有32GB的32GB/L结构1120和每层具有33.4GB的33.4GB/L结构1130。

例如，参考盘参数包括光道间距、RUB(记录单位块)大小、pi、信息区域/PZ1的开始半径、可记录区域/PIC的开始半径、数据区域的范围、信道比特长度、数据区域容量和导入容量。在此示例中，PZ1表示保护区域1。

图12是示出高容量可记录四层蓝光盘(HC BD-R QL)的不充足的内部区域容量的示例的参考表。

在使用每层的OPC区域的示例中，由于数据区域的内部直径公差(最大0.2纳米)造成的OPC缓冲区域被使用，并且至少一个TDMA区域被使用，用于4层盘(QL盘)的导入容量可能是不充足的，如图12所示。

例如，如果OPC区域和缓冲区域被分配到不同的半径，并且以23.5～23.6毫米的半径来计算OPC缓冲大小，则32GB/L结构1120具有不充足的导入容量。在图12中，X在QL(4层盘)中是826，X在TL(3层盘)中是861。

25GB/L结构1110是没有问题的，这是因为必需的导入容量是9472RUB，而实际的导入容量是9749RUB。33.4GB/L结构1130是没有问题的，这是因为必需的导入容量是10426RUB，而实际的导入容量是12656RUB。然而，32GB/L结构1120具有不充足的导入容量，这是因为必需的导入容量是13230RUB，而实际的导入容量是12134RUB。

在这里描述了解决不充足的导入容量的内部区域布局的示例。内部区域和导入区具有相同的含义。

内部区域布局选项1：

选项1对于TL盘和QL盘都使用相同的内部区域布局结构。在此示例中，PZ1的开始半径被维持。PIC区域被分配到L0和L1。没有PIC区域被分配到L2。数据区域的开始半径被维持。TDMA0大小从2048减小到1024。为RE盘保留了TDMA区域。INFO 2大小从256减小到128。从INFO 2中去除了保留的128RUB。用于抵偿数据区域的半径直径的公差的OPC缓冲区域被分配。为RE盘保留了R盘的OPC缓冲区域。

图13示出内部区域布局选项1的示例。

参照图13，在RE盘中保留了TDMA区域和缓冲区域。在RE盘(即可重写盘)中，没有TDMA是必需的，因此指示为TDMA的区域和指示为缓冲区域的区域在图13中可以是保留区域。

在TL盘(RE/R 33.4GB/L)中，正增加值被增加到缓冲区域，并且L3被去除。在此示例中，由于TL盘具有3层结构，因此不必要的L3被去除，并且缓冲区域容量具有通过将正增加值求和获得的值。例如，TL盘中的缓冲区域2的容量是844+164。

参照图13，PIC区域1350被分配到L0和L1，并且OPC区域分配到没有分配PIC区域1350的两个记录层L2和L3。分配到L2的OPC区域2 1330和分配到L3的OPC区域3 1340被排列在不同的半径。

OPC区域3 1340被分配在分配了PIC区域1350的半径内。以这样的方式来分配OPC区域2 1330：使OPC区域2 1330与分配了PIC区域1350的半径部分重叠。

如在这里所描述，信息记录介质包括至少三个记录层，其中，PIC区域被分配到至少一个记录层。对至少两个记录层不分配PIC区域。分配到所述至少两个记录层(没有PIC区域被分配到所述至少两个记录层)的OPC区域被排列在不同的半径。分配到所述至少两个记录层(没有PIC区域被分配到所述至少两个记录层)的OPC区域中的至少一个被分配在分配了PIC区域的半径内。此外，至少一个OPC区域被分配以部分重叠在分配了PIC区域的半径内，从而有效地利用导入区的容量。

图14是示出HC BD-可重写(RE)盘的INFO 1 1360和INFO 2 1370的示例的表。

参照图14，PAC表示物理访问控制，DMA表示缺陷管理区域，并且CD表示控制数据。在此示例中，在TL盘(RE/R 33.4GB/L)中去除了L3。

图15是示出HC BD-RE盘的INFO 1 1360和INFO 2 1370的示例的表。

参照图15，在TL盘(RE/R 33.4GB/L)中去除了L3。

内部区域布局选项2：

TL盘和QL盘使用不同的内部区域布局结构。在此示例中，TL盘和QL盘具有如下共同点：

1)PZ1的开始半径被维持。

2)PIC区域被分配到L0和L1。没有PIC区域被分配到L2。

3)TDMA0大小被维持。为RE盘保留了TDMA区域。

4)抵偿数据区域的半径直径的公差的OPC缓冲区域被分配。为RE盘保留了R盘的OPC缓冲区域。

在HC BD-RE/R TL盘(33.4GB/L)内部区域布局中，数据区域的开始半径被维持。例如，在HC BD-R QL盘(32GB/L)内部区域布局中，数据区域的开始半径可从24毫米移动到24.11毫米。在此示例中，数据区域容量可以是31.97GB/L。

图16示出RE/R三层(TL)盘的内部区域布局选项2的示例。

在RE盘中保留了TDMA区域和缓冲区域。

参照图16，PIC区域1640被分配到L0和L1，而没有分配到L2。

分配到L2的OPC区域21630所分配到的半径与被分配到L0的OPC区域0 1610以及被分配到L1的OPC区域1 1620所分配到的半径不同。

分配到L2(PIC区域1640没有被分配到L2)的OPC区域2 1630被分配在分配了PIC区域1640的半径内。分配到L2(PIC区域1640没有被分配到L2)的OPC区域2 1630可被分配，以部分重叠在分配了PIC区域1640的半径内。

如在这里所描述，信息记录介质包括至少三个记录层，其中，PIC区域被分配到至少两个记录层。在此示例中，对至少一个记录层不分配PIC区域。分配到所述至少一个记录层(没有PIC区域被分配到所述至少一个记录层)的OPC区域被分配在与被分配到所述至少两个记录层(PIC区域被分配到所述至少两个记录层)的OPC区域的半径不同的半径。分配到所述至少两个记录层的PIC区域被分配到相同半径，并且分配到所述至少一个记录层(PIC区域没有分配到所述至少一个记录层)的OPC区域部分重叠或者被分配在分配到所述至少两个记录层的PIC区域中的至少一个所分配到的半径，从而有效地利用导入区的容量。

图17是示出HC BD-可重写(RE)盘的INFO 1 1650和INFO 2 1660的示例的表。

在此示例中，CD表示控制数据。

图18是示出HC BD-RE盘的INFO 1 1650和INFO 2 1660的示例的表。

在此示例中，CD表示控制数据。

图19示出R QL盘的内部区域布局选项2的示例。

除了TDMA排列、数据区域的开始半径、缓冲大小等之外，图19的布局类似于图13的布局。

包括缺陷管理的信息记录介质一般包括备用区以线性地替换出现在用户数据区中的缺陷。如果出现在用户数据区中的缺陷是连续的，则该缺陷可在备用区中被连续替换，并且这样的替换被指示为连续缺陷入口，从而减小了缺陷信息的大小。

图20示出当用户数据区2010被使用的方向与备用区2020被使用的方向相同时，备用区中的连续缺陷替换的示例。

参照图20，在连续缺陷出现之前，两个替换簇存在于备用区2020中，并且紧邻这两个簇之后的簇指示备用簇，该备用簇被指定为“备用区2020中的下一可用PSN”。

在连续缺陷出现之后，1至N个缺陷簇出现在用户数据区2010中，因此1至N个替换簇连续地替换所述1至N个缺陷簇。

如果使用用户数据区2010的方向(光道方向)与使用备用区2020的方向相同，则可沿光道方向将数据记录在备用区2010的连续替换簇1至N中。作为另一示例，在初始化或格式化过程期间，可通过改变备用区2020的大小来分配备用区2020，并且在使用备用区2020的同时可扩充备用区2020。也就是，备用区2020的大小可以是灵活的。

用于管理用户数据的文件系统通常被存储在卷空间的开始和结束处，其中，所述卷空间存储用户数据(所述用户数据被存储在卷空间的头)。在此示例中，可通过使得用户数据的记录方向与备用区2010的使用顺序相反来容易地扩充备用区2020。在此示例中，盘上用户数据的记录(光道)方向与使用可扩充备用区的方向彼此相反。

在一些示例中，如果用户数据的记录方向与使用可扩充备用区的使用方向彼此不同，则可能难于替换连续缺陷，这是因为用户数据主要沿光道方向被记录，而备用区沿与光道方向相反的方向被使用。

图21示出当用户数据区被使用的方向与备用区2020被使用的方向相反时连续替换记录状态的示例。

参照图21，如果缺陷簇1、2和3连续出现在用户数据区2010，则数据被记录在用于替换连续缺陷簇1、2和3的备用区2020中的连续替换簇1、2和3中。在此示例中，由于使用用户数据区2010和备用区2020的方向彼此相反，因此从最右边的替换簇到第二和第三替换簇来记录数据。

然而，由于光道方向仍然是从左到右，因此在连续替换簇1、2和3的每个中从左到右记录数据。也就是，从备用区2020的替换簇1的最左边向右记录数据，如果数据完全记录在替换簇1中，则拾取器跳到替换簇3的最左边，因此从替换簇3的最左边向右记录数据。

因此，如果使用备用区2020的方向与光道方向相反，则甚至在数据被记录在连续替换簇1、2和3的每一个中之后拾取器才跳转(这在记录数据方面花费了太多时间)，因此效率被大大减小。这应用在数据被再现时。例如，当数据被再现时，尽管数据被连续替换，但是拾取器在替换簇1被再现之后跳转。在替换簇2被再现之后，拾取器再次跳转，并且替换族3被再现，这在再现数据方面花费了太多时间。因此，在这里描述减小在光道方向和使用备用区2020的方向彼此相反时所花费的时间的方法。

图22示出当光道方向与使用备用区2020的方向相反时减小用于连续缺陷替换记录的时间的方法的示例。

在连续缺陷出现之前，两个替换簇存在于备用区2020中，并且紧邻这两个替换簇之后的簇指示备用簇，该备用簇被指定为“备用区2020中的下一可用PSN”。

在连续缺陷出现之后，1至N个缺陷簇出现在用户数据区2010，因此1至N个替换簇连续地替换缺陷簇1至N。由于驱动器预先知道出现了连续缺陷，因此驱动器知道所述1至N个替换簇的总大小。因此，驱动器知道备用区2020中的哪些簇将被确定为连续替换簇。在此示例中，驱动器确定连续替换簇中的开始簇和结束簇，并且沿光道方向在开始簇和结束簇的范围内从左到右记录数据。也就是，参照图22，通过在将数据记录在替换簇1中之后将数据记录在替换簇2中来将数据记录到替换簇N。

图23至图26示出根据本发明实施例的使用信息存储介质的记录/再现设备，以及将数据记录在信息存储介质和从信息存储介质再现数据的方法的流程图。参照图23至图26来描述涉及信息存储介质的记录/再现设备和方法。

图23示出记录/再现设备的示例。

参照图23，记录/再现设备包括记录/读取单元2310和控制单元2320。

记录/读取单元2310可通过控制单元2320的控制将数据记录在信息存储介质(诸如记录介质100)上并且可从信息存储介质(诸如记录介质100)读取数据。

控制单元2320可控制记录/读取单元2310将数据记录在记录介质100上或者从记录介质100读取数据。在记录过程中，数据可被记录在记录介质100上或者可在OPC区域上执行测试记录。在再现处理中，从记录介质100读取数据。

记录设备和再现设备可以是单独的设备或者可包括在相同的设备中，如图24所示。

图24示出包括图23中示出的记录/再现设备的驱动器的示例。

参照图24，驱动器包括作为记录/读取单元的拾取器2310。记录介质100被安装在拾取器2310上。另外，驱动器作为控制单元2320，包括主机接口(I/F)1、数字信号处理器(DSP)2、射频(RF)放大器(AMP)3、伺服器4和系统控制器5。

在记录过程的示例中，主机I/F 1从主机(未显示)接收将被记录的数据和记录命令。系统控制器5执行用于记录数据的初始化过程。DSP 2通过添加辅助数据(诸如奇偶校验比特)来对从主机I/F 1接收的数据执行纠错(ECC)编码，并且通过使用预定方法来调制ECC编码的数据。RF AMP 3将从DSP 2输出的数据变换为RF信号。拾取器2310将从RF AMP 3输出的RF信号记录在记录介质100上。伺服器4从系统控制器5接收用于伺服控制的命令，并且伺服控制拾取器2310。

例如，系统控制器5可控制将数据记录在记录介质上，其中，OPC区域和TDMA区域被排列在所述记录介质上，诸如在图1至图19中显示的信息存储介质的示例。

例如，系统控制器5可将数据记录在信息记录介质上，所述信息记录介质包括用于记录用户数据的用户数据区以及用于替换在用户数据区中检测到的缺陷的备用区，其中，用户数据区的光道方向和使用备用区的方向彼此相反。系统控制器5可控制拾取器：当将数据记录在用于替换在用户数据区中检测到的连续缺陷簇的备用区的连续替换簇中时，沿光道方向从连续替换簇的第一替换簇开始记录数据(图25的操作2510)。

在再现过程的示例中，主机I/F 1从主机(未显示)接收再现命令。系统控制器5执行用于再现数据的初始化过程。拾取器2310输出光信号，其中，通过将激光束辐射到记录介质100并且接收在记录介质100上反射的激光束来获得所述光信号。RF AMP3将从拾取器2310输出的光信号变换为RF信号，将从RF信号获得的调制数据提供给DSP 2，并且将从RF信号获得的用于控制的伺服信号提供给伺服器4。DSP 2对调制数据进行解调，对解调的数据执行ECC编码，并且输出ECC编码的数据。在此示例中，伺服器4从RF AMP3接收伺服信号，从系统控制器5接收伺服控制所需的命令并且伺服控制拾取器2310。主机I/F 1将从DSP2接收的数据发送给主机。

在此示例中，系统控制器5可控制从记录介质再现数据，其中，OPC区域和TDMA区域被排列在所述记录介质上，诸如在图1至图19中显示的信息存储介质的示例。

此外，系统控制器5可从信息记录介质再现数据，所述信息记录介质包括用于记录用户数据的用户数据区和用于替换在用户数据区中检测到的缺陷的备用区，其中，用户数据区的光道方向与使用备用区的方向彼此相反。系统控制器5可控制拾取器：当数据在用于替换在用户数据区中检测到的连续缺陷簇的备用区的连续替换簇中被再现时，沿光道方向从连续替换簇的第一替换簇开始再现数据(图26的操作2610)。

本发明还可被实现为计算机可读记录介质上的计算机可读代码。计算机可读记录介质是可存储其后可由计算机系统读取的数据的任何数据存储装置。计算机可读记录介质的示例包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、CD-ROM、磁带、软盘、光学数据存储装置等。计算机可读记录介质还可以分布在联网的计算机系统上，从而以分布式方式来存储和执行计算机可读代码。此外，可由本技术领域的普通编程人员来容易地解释用于实现本发明的功能程序、代码和代码段。

尽管已经参照本发明的示例性实施例具体显示和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将理解，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。示例性实施例应该仅被认为是描述性的并且不是用于限制的目的。因此，本发明的范围不是由本发明的详细描述来限定，而是由权利要求来限定，并且该范围内的所有差别将被解释为包括在本发明中。

Claims (3)

1.一种信息记录介质，包括：

至少三个记录层，其中，至少一个记录层包括永久信息和控制数据PIC区域，至少两个记录层不具有PIC区域；

其中，OPC区域被分配到所述至少三个记录层，并且所述至少三个记录层的OPC区域被排列在不同的半径中，并且

分配到不具有PIC区域的所述至少两个记录层的OPC区域中的至少一个OPC区域被分配到包括PIC区域的所述至少一个记录层中的分配了PIC区域的半径中，并且至少一个其他OPC区域仅一部分与包括PIC区域的所述至少一个记录层中的分配了PIC区域的半径重叠。

2.一种信息记录介质，包括：

至少三个记录层，包括：在其中分配了PIC区域的至少两个记录层以及在其中没有分配PIC区域的至少一个记录层，

其中，OPC区域被分配到所述至少三个记录层，并且所述至少三个记录层的OPC区域被排列在不同的半径中，

分配到所述至少两个记录层的PIC区域被分配到相同的半径，并且

分配到不具有PIC区域的所述至少一个记录层的OPC区域仅一部分与所述至少两个记录层的PIC区域所分配到的半径重叠。

3.一种将数据记录在信息记录介质上和/或者从信息记录介质再现数据的设备，所述信息记录介质包括至少三个记录层，所述设备包括：

拾取器，用于针对信息记录介质记录数据和/或再现数据；

控制单元，用于控制拾取器针对信息记录介质记录数据和/或再现数据，

其中，至少一个记录层包括永久信息和控制数据PIC区域，并且至少两个记录层不具有PIC区域，

OPC区域被分配到所述至少三个记录层，并且所述至少三个记录层的OPC区域被排列在不同的半径中，并且

分配到不具有PIC区域的所述至少两个记录层的OPC区域中的至少一个OPC区域被分配到包括PIC区域的所述至少一个记录层中的分配了PIC区域的半径中，并且至少一个其他OPC区域仅一部分与包括PIC区域的所述至少一个记录层中的分配了PIC区域的半径重叠。