CN102315348A - 发光器件及其制造方法 - Google Patents

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CN102315348A CN2011101922351A CN201110192235A CN102315348A CN 102315348 A CN102315348 A CN 102315348A CN 2011101922351 A CN2011101922351 A CN 2011101922351A CN 201110192235 A CN201110192235 A CN 201110192235A CN 102315348 A CN102315348 A CN 102315348A
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宋俊午
文智炯
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Abstract

本发明提供了一种发光器件及其制造方法。发光器件包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间的有源层，该有源层由半导体材料形成。而且，发光器件进一步包括第一和第二导电类型半导体层中的一个上的电流扩展层，该电流扩展层包括彼此物理地连接的多个碳纳米管束。

Description

发光器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光器件。
背景技术
近来，已经广泛地进行了关于使用发光二极管(LED)的器件作为用于发光的器件的研究。
LED使用化合物半导体的特性来将电信号转换为光。LED具有发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层。
发明内容
实施例提供一种具有新结构的发光器件。
实施例还提供一种具有改进的光效率的发光器件。
实施例还提供一种具有优异的电流扩展特性的发光器件。
在一个实施例中，发光器件封装包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；有源层，其在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述有源层由半导体材料形成；以及电流扩展层，其在第一和第二导电类型半导体层中的一个上、包括彼此物理连接的多个碳纳米管束。
在另一实施例中，发光器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；有源层，其在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，所述有源层由半导体材料形成；以及在第二导电类型半导体层上的电流扩展层，在所述电流扩展层中，多个碳纳米管束通过网络彼此连接，所述碳纳米管束中的每一个包括多个单壁碳纳米管。
在又一实施例中，一种制造发光器件的方法包括：在衬底上形成发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；蚀刻第二导电类型半导体层以及有源层以暴露第一导电类型半导体层；以及重复地执行涂覆工艺以形成电流扩展层，其中使用单壁碳纳米管形成的碳纳米管束通过网络彼此连接。
在附图以及下面的描述中阐述一个或多个实施例的细节。根据说明书以及附图并且根据权利要求，其他特征将是显而易见的。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件以及制造发光器件的工艺。
图2是单个碳纳米管以及碳纳米管束的视图。
图3A至图3C是示出碳纳米管束的密度的视图。
图4是示出根据第二实施例的发光器件以及制造发光器件的工艺的视图。
图5是示出根据第三实施例的发光器件以及制造发光器件的工艺的视图。
图6是示出根据实施例的发光器件的光学功率的视图。
图7-8是示出根据实施例的发光器件的光学透射率的视图。
图9是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。
图10是包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。
图11是包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装的发光单元的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将理解的是，当层(或膜)、区域、图案或者结构被称为在衬底、层(或膜)、区域、焊盘、或者图案“上”时，其能够直接地在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称为在另一层下方时，其能够直接地在另一层下方，并且也可以存在一个或多个中间层。此外，基于附图进行关于每层的“上”和“下”的参考。
在下文中，将参考附图来描述实施例。在附图中，为了描述的方便和清楚起见而夸大、省略或者示意性地示出每层的厚度或者尺寸。而且，每个元件的尺寸不完全反映实际尺寸。
图1是示出根据实施例的发光器件和制造发光器件的工艺的视图。图1示出横向类型发光器件作为示例。
参考图1，可以制备生长衬底10。例如，生长衬底10可以由从由蓝宝石(Al2O3)单晶体、SiC、GaAs、GaN、MgO、ZnO、Si、Ga2O3、GaP、InP、Ge以及玻璃组成的组中选择的至少一种形成，但是不限于此。
多个图案可以形成在生长衬底10的顶表面上，以促进将在以后形成的发光结构60的生长，并且改进发光器件的发光效率，但是不限于此。
缓冲层20可以形成在生长衬底10上。缓冲层20可以由未掺杂的氮化物形成。例如，缓冲层20可以由未掺杂的GaN基半导体材料形成。
因为掺杂物没有掺杂在缓冲层20中，因此缓冲层20在与发光结构60的第一导电类型半导体层30的导电性相比时可以具有低得多的导电性。
可以生长缓冲层20，以改进第一导电类型半导体层30的结晶性。也就是说，缓冲层20可以减少第一导电类型半导体层30和生长衬底10之间的晶格常数差。
当使用与发光结构60不同的、具有较少的晶格常数差的生长衬底10时，可以省略缓冲层20。
发光结构60可以形成在缓冲层20上。
发光结构60可以包括第一导电类型半导体层30、有源层40以及第二导电类型半导体层50。发光结构60，即第一导电类型半导体层30、有源层40以及第二导电类型半导体层50可以由III-V族化合物半导体材料中的至少一种形成。
第一导电类型半导体层30可以形成缓冲层20上。当没有形成缓冲层20时，第一导电类型半导体层30可以直接形成在生长衬底10上。
例如，第一导电类型半导体层30可以是包含N型掺杂物的N型半导体层。第一导电类型半导体层30可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如，由从由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN以及AlInN组成的组中选择的至少一种形成。这里，第一导电类型半导体层30可以掺杂有诸如Si、Ge或Sn的N型掺杂物。
有源层40可以被设置在第一导电类型半导体层30上。
有源层40是下述层，其中通过第一导电类型半导体层30注入的电子(或空穴)以及通过第二导电类型半导体层50注入的空穴(或电子)可以彼此复合，以发射具有与取决于有源层40的形成材料的能带的带隙差相对应的波长的光。
有源层40可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构以及量子线结构中的一种。有源层40可以具有由III-V族化合物半导体材料形成的阱层和势垒层的重复周期。
例如，有源层40可以具有InGaN阱层/GaN势垒层的周期、InGaN阱层/AlGaN势垒层的周期或者InGaN阱层/InGaN势垒层的周期。势垒层可以具有大于阱层的带隙的带隙。
第二导电类型半导体层50可以形成在有源层40上。例如，第二导电类型半导体层50可以是包含P型掺杂物的P型半导体层。第二导电类型半导体层50可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成，例如由从由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN以及AlInN组成的组中选择的至少一种形成。这里，第二导电类型半导体层50可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba的P型掺杂物。
如上所述，第一导电类型半导体层30可以包括P型半导体层，并且第二导电类型半导体层50可以包括N型半导体层。而且，包括N型或者P型半导体层的第三导电类型半导体层(未示出)可以形成在第二导电类型半导体层50上。因此，发光器件100可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构以及PNP结结构中的至少一种。而且，杂质可以均匀地或者非均匀地掺杂在第一和第二导电类型半导体层30和50中。即，发光结构60层可以具有各种结构，但是不限于此。
可以执行用于选择性地蚀刻发光结构60的蚀刻工艺，以部分地暴露第一导电类型半导体层30的上区域。即，可以执行台面蚀刻工艺，以相继地去除发光结构60的第二导电类型半导体层50的一部分和有源层40的一部分，从而部分地暴露以在距离第一导电类型半导体层30的顶表面预定深度处蚀刻的第一导电类型半导体层30的上区域。
电流扩展层70可以形成在发光结构60上。也就是说，电流扩展层70可以形成在第二导电类型半导体层50上。
电流扩展层70可以具有与至少第二导电类型半导体层50的面积相同的面积。而且，电流扩展层70可以接触第二导电类型半导体层50的整个区域。
电流扩展层70可以在与第二导电类型半导体层50的表面的侧方向平行的侧方向上快速地扩展电流。如上所述，由于电流被快速地扩展到电流扩展层70的整个区域中，并且还均匀地提供到接触电流扩展层70的第二导电类型半导体层50的整个区域中，因此可以从有源层40的整个区域均匀地发射光以最大化光提取效率。
电流扩展层70可以包括多个碳纳米管束。碳纳米管束可以表示其中捆绑多个单壁碳纳米管(SWCNT)的束。
通常，SWCNT可以具有柱形结构，其具有大约1nm的直径。SWCNT可以具有优异的光学透射率和半导体特性。
另一方面，多壁碳纳米管(以下称为“MWCNT”)可以包括多卷层。
尽管MWCNT仅具有非常优异的金属特性，但是在与SWCNT的光学透射率相比较时，其光学透射率显著低。
实施例可以提供其中多个碳纳米管束彼此物理地连接的网络结构，在碳纳米管束中，多个SWCNT被彼此捆绑在一起。即，实施例可以具有其中多个碳纳米管束彼此连接的网络结构，并且碳纳米管束中的每一个可以包括多个SWCNT。
如图2中所示，SWCNT中的每一个具有非常小的直径和半导体特性。然而，碳纳米管束具有其中多个SWCNT彼此捆绑到一起的结构，碳纳米管束可以具有非常优异的金属特性。
因此，像实施例那样，看到当SWCNT彼此捆绑到一起以形成碳纳米管束时半导体特性变为金属特性。
此外，由于多个碳纳米管束彼此物理地连接以形成网络结构，因此碳纳米管束可以具有与SWCNT的光学透射率相类似的光学透射率并且具有比SWCNT的导电性更优异的导电性。因此，可以快速地扩展电流。
可以通过浸渍涂覆的数目来调整多个碳纳米管束的密度。也即是说，多个碳纳米管束的密度可以随着浸渍涂覆的数目的增加而增加。
可以通过浸渍涂覆来制造碳纳米管束。
生长衬底10被浸没在包含碳纳米管溶液的容器(未示出)中以将碳纳米管溶液涂覆在生长衬底10的发光结构60上。
详细地，生长衬底10的第二导电类型半导体层50的上部的表面接触碳纳米管溶液持续预定时间，并且然后，将生长衬底10与碳纳米管溶液隔开。
当重复地执行该浸渍涂覆工艺时，包括彼此物理地连接的多个碳纳米管束并且具有网络结构的电流扩展层70可以被设置在生长衬底10的第二导电类型半导体层50上。
如图3A中所示，当浸渍涂覆的数目相对较少时，可以形成小数目的碳纳米管束并且会存在多个SWCNT。因此，整体上导电性降低。
如图3B中所示，当浸渍涂覆的数目增加超过图3A中所示的数目时，碳纳米管束的数目可以增加以整体地增加导电性。
如图3C中所示，当浸渍涂覆的数目增加超过图3B中所示的数目时，碳纳米管束的数目可以进一步增加并且碳纳米管束可以物理地彼此连接并且具有网络结构。因此，可以快速地扩展电流并且可以很好地改进导电性。
包括多个碳纳米管束并且具有网络结构的电流扩展层70可以具有大约10nm至大约70nm的厚度。
当电流扩展层70具有大约10nm或更少的厚度时，多个碳纳米管束不会形成网络结构。因此，会降低导电性。
另外，当电流扩展层70具有大约70nm或更多的厚度时，当在相继的工艺中通过透明导电层热处理碳纳米管束时，碳纳米管束之间的空隙的体积可能由于热而扩展，使得透明导电层会剥离。
在实施例中，碳纳米管束的密度(或分布)可以处于第二导电类型半导体层50的整个面积的大约30％至大约90％的范围。
当碳纳米管束的密度等于或小于第二导电类型半导体层50的整个面积的大约30％时，会降低导电性。当碳纳米管束的密度等于或小于第二导电类型半导体层50的整个面积的大约90％时，透明导电层会由于碳纳米管束之间的空隙的体积扩展而剥离。
在实施例中，电流扩展层70具有非常优异的电流扩展特性和大约90％或更多的光学透射率。具体地，当提供根据实施例的电流扩展层70时，与不提供电流扩展层70相比时，光学功率可以增加大约60％或更多。
由于在形成电流扩展层70之前执行用于暴露第一导电类型半导体层30的蚀刻工艺，因此，不需要蚀刻电流扩展层70，以暴露第一导电类型半导体层30。
如果在形成电流扩展层70之后蚀刻电流扩展层70以暴露第一导电类型半导体层30，则可能发生由于碳纳米管材料导致的设备污染。
透明导电层80可以被设置在电流扩展层70上。例如，透明导电层80可以由从由诸如铟锡氧化物(ITO)、ZnO、掺铝的锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)、锑锡氧化物(ATO)以及锌铟锡氧化物(ZITO)的透明导电氧化物材料组成的组中选择的一种形成。
第一电极110可以被设置在第一导电类型半导体层30上，并且第二电极120可以被设置在透明导电层80上以制造根据实施例的发光器件100。
由于透明导电层80由氧化物基材料形成，以具有比金属材料相对高的电阻，因此，可以电流扩展会减少。
因此，可以不提供透明导电层80。在该情况下，第二电极120可以直接地设置在电流扩展层70上。
当将电力提供到第一和第二电极110和120中时，电流可以从第二电极120通过发光结构流到第一电极。
可以通过电流扩展层70将第二电极120的电流快速地扩展到电流扩展层70的整个区域中。另外，可以将电流均匀地提供到与电流扩展层70表面接触的第二导电类型半导体层50的整个区域中以从有源层40的整个区域发射光。因此，可以最大化光提取效率。
图4是示出根据第二实施例的发光器件和制造发光器件的工艺的视图。
在根据第二实施例的发光器件的描述中，将省略与图1中重复的描述。图4示出倒装芯片类型发光器件作为示例。
即，根据第二实施例的发光器件100A可以具有将根据第一实施例的发光器件颠倒的形状。
第二实施例与第一实施例相类似，不同之处在于反射层90形成在透明导电层80上并且第二电极120形成在反射层90上。
参考图4，根据第二实施例的发光器件100A具有与根据第一实施例的发光器件100相同的操作特性。然而，它们具有根据发光器件的安装类型导致的结构差异。
即，反射层90可以形成在透明导电层80上。当透明导电层没有提供在根据第一实施例的发光器件100中时，反射层90可以直接地形成在电流扩展层70上。即，反射层90可以与电流扩展层70表面接触。
反射层90可以反射从有源层40发射的光。
反射层90可以由从由具有高反射效率的银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)和钯(Pd)组成的组中选择的至少一种形成。
第二电极120可以形成在反射层90上。
第二电极120、反射层90、电流扩展层70和第二导电类型半导体层可以具有彼此相同的面积。第二电极120、反射层90和电流扩展层70以及第二导电类型半导体层50可以被相继地蚀刻，以暴露第一导电类型半导体层30，从而容易地实现相同的面积。
在倒装芯片类型发光器件中，从有源层发射的光可以由反射层90反射。因此，倒装芯片类型可以是其中发射大多数光的顶发射类型。
图5是示出根据第三实施例的发光器件和制造发光器件的工艺的视图。
在根据第三实施例的发光器件100B的描述中，将省略与图1和图4中重复的描述。图5示出垂直型发光器件作为示例。
参考图5，如图1中所示，缓冲层20、发光结构60以及电流扩展层70可以相继地形成在生长衬底10上。第一导电类型半导体层30、有源层40以及第二导电类型半导体层50可以相继地形成在生长衬底10上，以形成发光结构60。
然后，支撑构件160可以形成在电流扩展层70上。欧姆接触层130、反射构件140以及导电支撑构件150可以相继地形成在电流扩展层170上，以形成支撑构件160。
欧姆接触层130可以由与图2和图3的透明导电层80相同的材料形成。例如，可以选择性地使用透明导电材料和金属作为欧姆接触层150。即，可以通过使用从由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni、Ag、Pt、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO组成的组中选择的至少一种，将欧姆接触层150实现为单层或者多层。
例如，反射构件140可以由包含从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf组成的组中选择的至少一种的金属或者合金形成，但是不限于此。而且，反射构件140可以具有使用IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga-ZnO)、IGZO(In-Ga-ZnO)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)以及ATO(铝锡氧化物)中的至少一种透明导电材料的多层结构。
导电支撑构件150可以包括具有导电性的支撑构件。
例如，导电支撑构件150可以由从由钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铜钨(Cu-W)以及诸如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe以及GaN的载体晶片组成的组中选择的至少一种形成。
然后，生长衬底10可以被上侧朝下翻转，并且可以去除生长衬底10和缓冲层20。然后，电极170可以形成在第一导电类型半导体层30上以制造根据第三实施例的发光器件100B。
如上所述，电流扩展层70可以被施加到根据第一实施例的横向型发光器件(图1的附图标记100)、根据第二实施例的倒装芯片类型发光器件(图4的附图标记100A)以及根据第三实施例的垂直型发光器件100B。
图6是示出根据实施例的发光器件的光学功率的视图。
在比较示例中，示出光学功率作为当GaN用于第二导电类型半导体层50并且ITO用于第二导电类型半导体层50上的透明导电层80时的示例。在实施例中，示出光学功率作为当GaN用于第二导电类型半导体层50，ITO用于透明导电层80，并且电流扩展层70被设置在第二导电类型半导体层50以及透明导电层80之间时的示例。
如图6中所示，由于电流扩展层70提供在根据第一至第三实施例的发光器件100、100a以及100b，因此在施加相同的电流的情况下，当与比较示例的光学功率相比时，可以改进光学功率。此外，看到电流增加得越多，当与比较示例相比时，根据实施例的光学功率增加得也越多。
图7是示出根据实施例的发光器件的光学透射率的视图。
比较示例可以使用与图6的比较示例的材料相同的材料。
图7示出使用高密度电流扩展层70的情况下的光学透射率。图8示出使用低密度电流扩展层70的情况下的光学透射率。
如图7中所示，即使在实施例中使用高密度电流扩展层70，实施例的光学透射率也仅在具有大约400nm或更少的波长的光方面略微不同于比较示例的光学透射率。然而，在具有大约400nm或更多的波长的光方面，实施例和比较示例具有基本上彼此相同的光学透射率。
如图8中所示，当使用低密度电流扩展层70时，实施例和比较示例在具有整个波长的光方面具有基本上彼此相同的光学透射率。
此外，即使使用高密度或低密度电流扩展层70，根据实施例和比较示例的光学透射率可以彼此相同。
参考图6至8，看到当光学透射率保持为基本上等于现有的发光器件的光学透射率时，可以显著地改进光学功率。
图9是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。
参考图9，根据实施例的发光器件封装200包括主体330；设置在主体330上的第一和第二导电层310和320；设置在主体330上以从第一和第二导电层310和320接收电力的发光器件100；以及模制构件340，其围绕发光器件100。
主体330可以由硅材料、合成树脂材料、或者金属材料形成。倾斜表面可以设置在发光器件100周围。
第一导电层310和第二导电层320彼此电分离并且将电力提供到发光器件100。
而且，第一和第二导电层310和320可以反射在发光器件100中产生的光，以提高光效率并且可以将在发光器件100中产生的热释放到外部。
发光器件100可以被设置在第一导电层310、第二导电层320以及主体330中的一个上。而且，发光器件100可以通过布线工艺或者管芯结合工艺电连接到第一和第二导电层310和320。
尽管示出根据第一实施例的发光器件100作为示例，但是第一和第二导电层310和320可以通过两个布线350彼此电连接。可替选地，在根据第二实施例的发光器件100的情况下，第一和第二导电层310和320可以在不使用布线350的情况下彼此电连接。而且，在根据第三实施例的发光器件100的情况下，第一和第二导电层310和320可以使用一个布线350彼此电连接。
模制构件340可以围绕发光器件100以保护发光器件100。模制构件340可以包括荧光体，以改变从发光器件100发射的光的波长。
而且，发光器件封装200可以包括板上芯片(COB)型发光器件封装。主体330可以具有平坦顶表面并且多个发光器件100可以设置在主体330上。
根据实施例的多个发光器件封装200可以排列在板上。诸如导光板、棱镜片、扩散片以及荧光片的光学构件可以设置在从发光器件封装200发射的光的路径上。发光器件封装200、板、光学构件可以用作背光单元。在另一实施例中，发光器件封装200、板、光学构件可以用作包括根据前述实施例的发光器件100或者发光器件封装200的光单元。例如，发光单元可以包括显示装置、指示装置、灯以及街灯。
图10是包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图。然而，描述图10的背光单元1100作为发光系统的示例。因此，本公开不限于此。
参考图10，背光单元1100可以包括底盖1140、设置在底盖1140内的导光构件1120、以及设置在导光构件1120的底表面或者至少一侧上的发光模块1110。而且，反射片1130可以被设置在导光构件1120下方。
底盖1140可以具有盒子形状，其具有打开的上侧以容纳导光构件1120、发光模块1110以及反射片1130。底盖1140可以由金属材料或者树脂材料形成，但是不限于此。
发光模块1110可以包括板300以及安装在板300上的多个发光器件100或者发光器件封装200。多个发光器件100或者发光器件封装200可以将光提供给导光构件1120。这里，将描述设置在板300上的发光器件封装200作为示例。
如图10中所示，发光模块1110可以被设置在底盖1140的内表面中的至少一个上。因此，发光模块1110可以朝着导光构件1120的至少一个侧表面提供光。
然而，发光模块1110可以被设置在底盖1140下方，以朝着导光构件1120的下表面提供光。由于该结构根据背光单元1100的设计而不同地变化，因此本公开不限于此。
导光构件1120可以被设置在底盖1140内。导光构件1120可以接收从发光模块1110提供的光以产生平面光，从而将平面光引导到显示面板(未示出)。
例如，导光构件1120可以是导光面板(LGP)。LGP可以由从由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂的树脂基材料组成的组中选择的一种形成。
光学片1150可以设置在导光构件1120上方。
例如，光学片1150可以包括扩散片、聚光片、亮度增强片以及荧光片中的至少一种。例如，扩散片、聚光片、亮度增强片以及荧光片可以被堆叠以形成光学片1150。在该情况下，扩散片1150可以均匀地扩散从发光模块1110发射的光，并且扩散的光可以通过聚光片被收集在显示面板(未示出)中。这里，从聚光片发射的光是任意偏振的光。亮度增强片可以增强从聚光片发射的光的偏振的程度。例如，聚光片可以是水平和/或垂直棱镜片。而且，亮度增强片可以是双亮度增强膜。而且，荧光片可以是包括荧光体的膜或者透光板。
反射片1130可以被设置在导光构件1120下方。反射片1130朝着导光构件1120的发光表面反射通过导光构件1120的底表面发射的光。
反射片1130可以由具有优异反射性的材料形成，例如可以由PET树脂、PC树脂或者PVC树脂形成，但是不限于此。
图11是使用根据实施例的发光器件100或者发光器件封装200的发光单元的透视图。然而，描述图11的发光单元1200作为发光系统的示例。因此，本公开不限于此。
参考图11，发光单元1200可以包括壳体1210、设置在壳体1210上的发光模块1230、设置在壳体1210上以接收来自于外部电源的电力的连接端子1220。
壳体1210可以由具有良好的散热性质的材料形成，例如可以由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1230可以包括板300以及安装在板300上的多个发光器件100或者发光器件封装200。这里，将描述设置在板300上的发光器件封装200作为示例。
电路图案可以印刷在电介质上以制造板300。例如，板300可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB以及陶瓷PCB。
而且，板300可以由可以有效地反射光的材料形成或者可以具有通过其有效地反射光的颜色，例如白色或者银色。
至少一个发光器件封装200可以安装在板300上。发光器件封装200可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括分别发射具有红色、绿色、蓝色以及白色的彩色LED以及发射UV射线的紫外线(UV)LED。
发光模块1230可以具有发光器件的各种组合以获得想要的色调或者亮度。例如，白色LED、红色LED以及绿色LED可以彼此组合以确保高显色指数。而且，荧光片可以进一步设置在从发光模块1230发射的光的路径上。荧光片可以改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，当从发光模块1230发射的光具有蓝色波长段时，荧光片可以包括黄色荧光体。因此，从发光模块1230发射的光通过荧光片以最终发射白光。
连接端子1220可以电连接到发光模块1230以提供电力。参考图10，连接端子1220被旋拧耦合到插座方式的外部电源，但是不限于此。例如，连接端子1220可以具有插头形状，并且因此可以被插入到外部电源中。可替选地，连接端子1220可以通过布线连接到外部电源。

Claims (16)

1.一种发光器件，包括：
第一导电类型半导体层；
第二导电类型半导体层；
有源层，所述有源层在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层由半导体材料形成；以及
电流扩展层，所述电流扩展层在所述第一和第二导电类型半导体层中的一个上、包括彼此物理地连接的多个碳纳米管束。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流扩展层具有包括所述多个碳纳米管束的网络结构。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述碳纳米管束中的每一个具有其中多个单壁碳纳米管被彼此捆绑到一起的结构。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述碳纳米管束中的每一个具有的密度处于所述第一和第二导电类型半导体层中的一个的面积的大约30％至大约90％的范围内。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流扩展层具有大约10nm至大约70nm的厚度。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流扩展层与所述第一和第二导电类型半导体层中的一个进行表面接触。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流扩展层具有与所述第一和第二导电类型半导体层中的一个的面积相同的面积。
8.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：
第一电极，所述第一电极在所述第一和第二导电类型半导体层中的另一个上；以及
第二电极，所述第二电极在所述电流扩展层上。
9.根据权利要求8所述的发光器件，进一步包括在所述电流扩展层和所述第二电极之间的欧姆接触层以及反射构件中的一个。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述第二电极包括具有导电性的支撑构件。
11.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：
第一电极，所述第一电极在所述第一和第二导电类型半导体层中的另一个上；
反射层，所述反射层在所述电流扩展层上；以及
第二电极，所述第二电极在所述反射层上。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述第二电极、所述反射层以及所述电流扩展层中的每一个具有与所述第一和第二导电类型半导体层中的一个的面积相同的面积。
13.一种发光器件，包括：
第一导电类型半导体层；
第二导电类型半导体层；
有源层，所述有源层在所述第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间，所述有源层由半导体材料形成；以及
在所述第二导电类型半导体层上的电流扩展层，在电流扩展层中，多个碳纳米管束通过网络彼此连接，所述碳纳米管束中的每一个包括多个单壁碳纳米管。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述碳纳米管束中的每一个具有所述第二导电类型半导体层的面积的大约30％至大约90％的范围内的密度。
15.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述电流扩展层具有大约10nm至大约70nm的厚度。
16.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述电流扩展层具有与所述第二导电类型半导体层的面积相同的面积。
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