CN102276587B

CN102276587B - 杂环化合物、有机发光装置和平板显示器装置

Info

Publication number: CN102276587B
Application number: CN201110156784.3A
Authority: CN
Inventors: 郭允铉; 黄晳焕; 金荣国; 郑惠珍; 李钟赫; 宋泂俊
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2010-06-03
Filing date: 2011-06-03
Publication date: 2016-12-14
Anticipated expiration: 2031-06-03

Abstract

本发明涉及由以下通式1或通式2表示的杂环化合物和包括该杂环化合物的有机发光装置：通式1通式2其中X₁、X₂和R₁至R₁₆与说明书的定义相同。本发明还提供了一种包括所述有机发光装置的平板显示器装置。

Description

杂环化合物、有机发光装置和平板显示器装置

对相关申请的交叉引用

本申请要求2010年6月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2010-0052349的权益，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各实施方式涉及由通式1或通式2表示的杂环化合物和包括该杂环化合物的有机发光装置。

背景技术

有机发光装置为半发光显示器装置，并具有宽视角、高对比度和短响应速度。由于这些特性，有机发光装置正引起更多关注。

这些有机发光装置可粗略地分成包括含有无机化合物的发光层的无机发光装置和包括含有有机化合物的发光层的有机发光装置。有机发光装置相比无机发光装置更倾向于具有高亮度、低驱动电压和短响应速度，并能够提供多色彩显示器。此外，有机发光装置形成多种色彩。因此，已对这些有机发光装置进行大量研究。

通常，有机发光装置具有包括阳极、阴极以及在阳极和阴极之间的有机发光层的堆叠结构。然而，可在阳极和有机发光层之间进一步堆叠空穴注入层和/或空穴传输层，和/或在有机发光层和阴极之间可进一步堆叠电子传输层。有机发光装置可具有阳极/空穴传输层/有机发光层/阴极结构或阳极/空穴传输层/有机发光层/电子传输层/阴极结构。

作为形成有机发光层的材料，可使用萘衍生物。然而，包括这些材料的有机发光装置不具有令人满意的寿命、效率和功耗特性，因而在这方面仍需改善。

发明内容

一些当前的实施方式涉及由以下通式1表示的杂环化合物：

通式1

其中，X₁为取代或未取代的C₁～C₅₀烷基、取代或未取代的C₃～C₅₀环烷基、取代或未取代的C₅～C₅₀芳硫基、取代或未取代的C₅～C₆₀芳基、被C₅～C₆₀芳基取代的氨基、取代或未取代的C₃～C₆₀杂芳基，或取代或未取代的C₆～C₆₀稠合多环基；且R₁至R₈各自独立地为氢原子、重氢原子、取代或未取代的C₁～C₅₀烷基、取代或未取代的C₃～C₅₀环烷基、取代或未取代的C₁～C₅₀烷氧基、取代或未取代的C₅～C₅₀芳氧基、取代或未取代的C₅～C₅₀芳硫基、取代或未取代的C₅～C₆₀芳基、取代或未取代的C₃～C₆₀杂芳基、取代或未取代的C₆～C₆₀稠合多环基、卤素原子、氰基、硝基、羟基或羧基，其中R₁至R₈中两个相邻的取代基可彼此连接形成芳环。

一种由以下通式2表示的杂环化合物：

通式2

其中，X₂为取代或未取代的C₁～C₅₀烷基、取代或未取代的C₃～C₅₀环烷基、取代或未取代的C₅～C₅₀芳硫基、取代或未取代的C₅～C₆₀芳基、被C₅～C₆₀芳基取代的氨基、取代或未取代的C₃～C₆₀杂芳基，或取代或未取代的C₆～C₆₀稠合多环基；且R₉至R₁₆各自独立地为氢原子、重氢原子、取代或未取代的C₁～C₅₀烷基、取代或未取代的C₃～C₅₀环烷基、取代或未取代的C₁～C₅₀烷氧基、取代或未取代的C₅～C₅₀芳氧基、取代或未取代的C₅～C₅₀芳硫基、取代或未取代的C₅～C₆₀芳基、取代或未取代的C₃～C₆₀杂芳基、取代或未取代的C₆～C₆₀稠合多环基、卤素原子、氰基、硝基、羟基或羧基，其中R₉至R₁₆中两个相邻的取代基可彼此连接形成芳环。

在一些实施方式中，R₁、R₂和R₆中至少一种，以及R₉、R₁₀和R₁₃的至少一种为芳基。

在一些实施方式中，R₁、R₂和R₆中至少一种，以及R₉、R₁₀和R₁₃中至少一种为选自由苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的未取代的单环至四环芳基；未取代的C₃～C₆₀杂芳基；未取代的C₅～C₅₀芳胺基；选自由被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基或卤素取代的苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的取代的单环至四环芳基；被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基或卤素取代的取代的C₃～C₆₀杂芳基；或被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基或卤素取代的取代的C₅～C₅₀芳胺基。

在一些实施方式中，X₁为选自由苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的未取代的单环至四环芳基；未取代的C₃～C₆₀杂芳基；选自由被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基、卤素或C₃～C₁₀杂芳基取代的苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的取代的单环至四环芳基；或被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基、卤素或C₃～C₁₀杂芳基取代的取代的C₃～C₆₀杂芳基。

在一些实施方式中，X₂为选自由苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的未取代的单环至四环芳基；未取代的C₃～C₆₀杂芳基；选自由被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基、卤素或C₃～C₁₀杂芳基取代的苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的取代的单环至四环芳基；或被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基、卤素或C₃～C₁₀杂芳基取代的取代的C₃～C₆₀杂芳基。

在一些实施方式中，R₁、R₂、R₉和R₁₀各自独立地为甲基或苯基。

一些实施方式涉及以下化合物中的一种：

一些实施方式涉及一种有机发光装置，包括：

第一电极；

第二电极；和

在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，

所述有机层包括第一层，所述第一层包含所述杂环化合物。

在一些实施方式中，所述第一层包括电子注入层、电子传输层、同时具有电子注入功能和电子传输功能的单层膜，或发光层。

在一些实施方式中，所述第一层包括发光层，且所述杂环化合物被用作荧光或磷光装置的主体或掺杂剂。

在一些实施方式中，所述第一层包括发光层、电子注入层或电子传输层，且所述发光层包括蒽化合物、芳胺化合物或苯乙烯基化合物。

在一些实施方式中，所述第一层包括发光层、电子注入层或电子传输层，且所述发光层包括红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层或白色发光层，所述红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层或白色发光层包含磷光化合物。

在一些实施方式中，所述有机层进一步包括选自由空穴注入层、空穴传输层、同时具有空穴注入和传输功能的功能层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层组成的组中的至少一层。

在一些实施方式中，所述空穴注入层、空穴传输层和同时具有空穴注入和传输功能的功能层中至少一个层进一步包括电荷产生材料。

在一些实施方式中，所述电子传输层包括电子传输有机材料和含金属的材料。

在一些实施方式中，所述含金属的材料包括锂络合物。

一些实施方式涉及具有第一电极/空穴注入层/发光层/第二电极的结构、第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/第二电极的结构，或第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极的结构的有机发光装置。

一些实施方式涉及一种有机发光装置，包括：

第一电极；

第二电极；和

在所述第一电极和第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括至少一层，所述至少一层包含所述杂环化合物，所述至少一层用湿法形成。

一些实施方式涉及包括所述有机发光装置的平板显示器装置，其中，所述有机发光装置的第一电极与薄膜晶体管的源极或漏极电连接。

附图说明

通过参照附图详细说明各实施例，本发明各实施方式的上述和其他特征和优点将变得更为明显，其中：

图1为根据实施方式的有机发光装置的结构简图。

具体实施方式

现将参照附图更完整地说明各实施方式，其中示出了各实施方式的实施例。

根据一个实施方式的杂环化合物由以下通式1表示：

通式1

根据另一个实施方式的杂环化合物由以下通式2表示：

通式2

用于形成构成有机发光装置的发光层或电子传输层的材料实例包括但不限于Alq3、2,2',2"-(1,3,5-亚苯基)三-(1-苯基)-1H-苯并咪唑(TPBI)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-[1,3,4]噁二唑(PBD)、过氟化的化学品(PF-6P)和2,5-双(6'-(2',2"-联吡啶))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯(PyPySPyPy)。

萘基和吲哚基稠合的通式1或通式2的杂环化合物由于包含杂环部分而具有高玻璃化转变温度(Tg)或高熔点。因而，上述杂环化合物对发光时在有机层内、有机层之间或有机层与金属电极之间产生的热具有高耐热性，并在高温环境下具有高耐久性。使用通式1或通式2的杂环化合物制造的有机发光装置在储存或操作时具有良好的耐久性。此外，由于包含如芴基等取代基，形成为薄膜的分子层可保持在良好状态，从而改善有机发光装置的特性。

现将详细说明通式1和通式2的杂环化合物中的取代基。

在通式1和通式2中，R₁和R₂中至少一种，以及R₉、R₁₀和R₁₃中至少一种可为被诸如那些稍后将结合C₁～C₅₀烷基说明的取代基取代的芳基。例如，R₁和R₂中至少一种，以及R₉、R₁₀和R₁₃中至少一种可为选自由苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的未取代的单环至四环芳基；未取代的C₃～C₆₀杂芳基；C₅～C₅₀芳胺基；选自由被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基或卤素取代的苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的取代的单环至四环芳基；被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基或卤素取代的取代的C₃～C₆₀杂芳基；或被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基或卤素取代的取代的C₅～C₅₀芳胺基。R₅可为选自由苯基、萘基、联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的未取代的单环至四环芳基；未取代的C₃～C₆₀杂芳基；C₅～C₅₀芳胺基；选自由被C₁～C₁₀烷基、C₁～C₁₀烷氧基、氰基、氨基、苯基或卤素取代的苯基、萘基、联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的取代的单环至四环芳基；或被C₁～C₁₀烷基、C₁～C₁₀烷氧基、氰基、氨基、苯基或卤素取代的取代的C₃～C₆₀杂芳基。

X₁或X₂可为选自由苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的未取代的单环至四环芳基；未取代的C₃～C₆₀杂芳基；选自由被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基、卤素或C₃～C₁₀杂芳基取代的苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的取代的单环至四环芳基；或被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、胺基、苯氧基、苯基、卤素或C₃～C₁₀杂芳基取代的取代的C₃～C₆₀杂芳基。

R₁、R₂、R₉和R₁₀可各自独立地为甲基或苯基。

在下文中，将详细说明关于通式1～2说明的取代基。在此，提供取代基中的碳数仅用于说明目的，并不限制取代基的特性。

在本文中使用的未取代的C₁～C₅₀烷基可为直链或支链的。未取代的C₁～C₅₀烷基的实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、辛基、壬基和十二烷基。上述烷基的至少一个氢原子可被以下基团取代：重氢原子、卤素原子、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C₁～C₁₀烷基、C₁～C₁₀烷氧基、C₂～C₁₀烯基、C₂～C₁₀炔基、C₆～C₁₆芳基或C₃～C₁₆杂芳基。

在本文中使用的取代的C₃～C₅₀环烷基是指环烷基中的至少一个氢原子可被诸如以上那些结合C₁～C₅₀烷基说明的取代基取代的C₃～C₅₀环烷基。

在本文中使用的未取代的C₁～C₅₀烷氧基为具有-OA结构的基团，其中A为上述的未取代的C₁～C₅₀烷基。未取代的C₁～C₅₀烷氧基的实例包括但不限于甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基和戊氧基。上述烷氧基的至少一个氢原子可被诸如以上那些结合烷基说明的取代基取代。

在本文中使用的未取代的C₅～C₆₀芳基是指包含至少一个环的碳环芳族系统。至少两个环可彼此稠合或通过单键互相连接。术语“芳基”是指芳族系统，如苯基、萘基或蒽基。芳基中的至少一个氢原子可被诸如以上那些结合C₁～C₅₀烷基说明的取代基取代。

取代或未取代的C₅～C₆₀芳基实例包括但不限于苯基、C₁～C₁₀烷基苯基(例如乙苯基)、卤代苯基(例如邻-、间-或对-氟代苯基、二氯苯基)、氰基苯基、二氰基苯基、三氟甲氧基苯基、联苯基、卤代联苯基、氰基联苯基、C₁～C₁₀烷基联苯基、C₁-C₁₀烷氧基联苯基、邻-、间-和对甲苯基、邻-、间-和对枯烯基、三甲苯基、苯氧基苯基、(α,α-二甲苯)苯基、(N,N'-二甲基)氨基苯基、(N,N'-二苯基)氨基苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、卤代萘基(例如氟代萘基)、C₁-C₁₀烷基萘基(例如甲基萘基)、C₁-C₁₀烷氧基萘基(例如甲氧基萘基)、氰基萘基、蒽基、甘菊环基、庚搭烯基、苊基、菲那烯基(phenalenyl group)、芴基、蒽醌基、甲基蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、稠二萘基、乙基稠二萘基、二萘品苯基、二萘嵌苯基、氯代二萘嵌苯基、五苯基、戊省基、四苯基、六苯基、己省基、玉红省基、六苯并苯基、亚三萘基、七苯基、庚省基、皮蒽基和间二蒽嵌四并苯基。

在本文中使用的未取代的C₃～C₆₀杂芳基包括选自N、O、P和S中的一个、两个或三个杂原子。至少两个环可彼此稠合或通过单键互相连接。未取代的C₃～C₆₀杂芳基的实例可包括吡唑基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、吲哚基、喹啉基和异喹啉基。杂芳基中的至少一个氢原子可被诸如以上那些结合C₁～C₅₀烷基说明的取代基取代。

未取代的C₅～C₅₀芳氧基由-OA₁表示，其中A₁可为C₅～C₅₀芳基。芳氧基的实例可包括苯氧基。芳氧基中的至少一个氢原子可被诸如以上那些结合C₁～C₅₀烷基说明的取代基取代。

未取代的C₅～C₅₀芳硫基由-SA₁表示，其中A₁可为C₅～C₅₀芳基。芳硫基的实例包括但不限于苯硫基和萘硫基。在芳硫基中，至少一个氢原子可被诸如以上那些结合C₁～C₅₀烷基说明的取代基取代。

在本文中使用的未取代的C₆～C₆₀稠合多环基是指包括至少两个环的取代基，其中至少一个芳环和/或至少一个非芳环彼此稠合。

C₅～C₅₀芳胺基是指具有C₅～C₅₀芳基作为取代基的胺基，取代的C₅～C₅₀芳胺基是指具有取代的芳基中的取代基的C₅～C₅₀芳胺基。

由通式1或通式2表示的杂环化合物的实例可包括以下提供的化合物1至52。然而，由通式1或通式2表示的化合物不限于此。

根据一个实施方式的有机发光装置包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的有机层，其中有机层包括上述通式1或通式2的杂环化合物。

包括通式1或通式2的杂环化合物的有机层可为电子注入层、电子传输层或同时具有注入和传输电子能力的单层。此外，包括通式1或通式2的杂环化合物的有机层可为发光层。当包括通式1或通式2的杂环化合物的有机层为发光层时，通式1或通式2的杂环化合物可用作荧光或磷光主体，或荧光掺杂剂。

在有机发光装置中，当发光层、电子注入层或电子传输层包含通式1或通式2的杂环化合物时，发光层可包括蒽化合物、芳胺化合物或苯乙烯基化合物，其中蒽化合物、芳胺化合物或苯乙烯基化合物可为未取代的，或者被诸如以上那些结合C₁～C₅₀烷基说明的取代基取代。

在有机发光装置中，当发光层、电子注入层或电子传输层包含通式1或通式2的杂环化合物时，发光层的红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层或白色发光层可包含磷光化合物。

在一些实施方式中，有机发光装置的有机层可进一步包括但不限于空穴注入层、空穴传输层、同时具有空穴注入和传输功能的功能层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或这些层的至少两层的组合。除了通式1的杂环化合物以及周知的空穴注入和传输材料，空穴注入层、空穴传输层和同时具有空穴注入和传输功能的功能层中至少一种还可进一步包括用于改善层的导电性的电荷产生材料。

电荷产生材料可包括例如p-掺杂剂。p-掺杂剂的非限制性实例包括奎宁衍生物，包括四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4TCNQ)；金属氧化物，包括氧化钨和氧化钼；以及含氰基的化合物，包括由下式100表示的化合物。

式100

在一些实施方式中，当空穴注入层、空穴传输层或同时具有空穴注入和传输功能的功能层进一步包括电荷产生材料时，电荷产生材料可在层内均匀或不均匀分布。

在一个实施方式中，有机发光装置的电子传输层可包括电子传输有机化合物和含金属的材料。电子传输有机化合物的非限制性实例包括ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)；和蒽类化合物，包括由下式101的化合物和下式102的化合物。

式101 式102

上述含金属的材料可包括锂络合物。锂络合物的非限制性实例包括喹啉锂(LiQ)和下式103的化合物。

第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，但也可颠倒。

在上述有机发光装置中，上述有机层根据需要可进一步包括选自由空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层组成的组中的至少一层。

例如，有机发光装置可具有第一电极/空穴注入层/发光层/第二电极的结构、第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/第二电极的结构，或第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极的结构。或者，有机发光装置可具有第一电极/同时具有空穴注入和空穴传输能力的单层/发光层/电子传输层/第二电极的结构，或第一电极/同时具有空穴注入和空穴传输能力的单层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极的结构。

根据一些实施方式，有机发光装置可为顶发光有机发光装置或底发光有机发光装置。

在下文中，将参照图1说明制造根据一个实施方式的有机发光装置的方法。图1示出了根据一个实施方式的有机发光装置的结构。参照图1，根据该实施方式的有机发光装置包括基板(未示出)、第一电极(阳极)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和第二电极(阴极)。

第一电极通过用沉积或溅射法形成在基板上。第一电极可包括具有高功函的第一电极材料。第一电极可构成阳极或阴极。基板可为有机发光装置中常用的基板，且可包括例如具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面平整度、易于处理和抗水性的玻璃基板或透明塑料基板。第一电极材料的实例包括具有优异的导电性的材料，如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)、铝(Al)、银(Ag)和镁(Mg)。第一电极可形成为透明或反射电极。

接着，HIL可用多种方法形成在第一电极上，如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛节塔(LB)沉积法等。

当用真空沉积法形成HIL时，沉积条件可根据用于形成HIL的材料以及HIL的结构和热特性而改变。例如，沉积条件可包括约100至约500℃的沉积温度、约10^-8至约10^-3托的真空压力和约0.01至约/sec的沉积速度。

当用旋涂法形成HIL时，涂布条件可根据用于形成HIL的材料以及HIL的结构和热性能而改变。例如，涂布条件可包括约2000rpm至约5000rpm的涂布速度和约80至约200℃的热处理温度，其中热处理用于涂布后除去溶剂。

HIL可包括常用于形成HIL的任何材料。上述可用于形成HIL的材料实例包括酞菁化合物如铜酞菁、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基联苯胺(NPB)、TDATA、2-TNATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3,4-乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)，但不限于此。

HIL可具有约至约的厚度，例如约至约的厚度。当HIL的厚度在这些范围内时，HIL会具有良好的空穴注入特性，而不增加驱动电压。

接着，HTL可用多种方法形成在HIL上，如真空沉积法、旋涂法、流延法、LB沉积法等。当用真空沉积法或旋涂法形成HTL时，尽管沉积或涂布条件可根据用于形成HTL的材料而改变，但沉积或涂布条件与用于形成HIL的条件相似。

或者，可使用已知的HTL材料。这种HTL材料的实例包括但不限于咔唑衍生物，如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑；和具有芳族稠环的胺衍生物，如NPB、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4’-二胺(TPD)等。

HTL可具有约至约的厚度，例如约至约的厚度。当HTL的厚度在这些范围内时，HTL会具有良好的空穴传输特性，而基本不增加驱动电压。

接着，EML可用多种方法形成在HTL上，如真空沉积法、旋涂法、流延法、LB沉积法等。当用真空沉积法或旋涂法形成EML时，尽管沉积或涂布条件可根据用于形成EML的材料而改变，但沉积或涂布条件与用于形成HIL的条件相似。

EML可包括上述通式1或通式2的杂环化合物。例如，通式1或通式2的杂环化合物可用作主体或掺杂剂。除了通式1或通式2的杂环化合物，可用多种已知发光材料形成EML。或者，可用已知的主体和掺杂剂形成EML。可用于形成EML的掺杂剂可包括本领域周知的荧光掺杂剂或磷光掺杂剂。

上述主体的实例可包括但不限于Alq3、4,4’-N,N’-二咔唑-联苯(CPB)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)和联苯乙烯(DSA)。

红色掺杂剂的实例包括但不限于八乙基卟啉合铂(II)(PtOEP)、Ir(piq)₃、Btp₂Ir(acac)和DCJTB。

绿色掺杂剂的实例包括但不限于Ir(ppy)₃(其中“ppy”表示苯基吡啶)、Ir(ppy)₂(acac)、Ir(mpyp)₃和C545T。

蓝色掺杂剂的实例包括但不限于F₂Irpic、(F₂ppy)₂Ir(tmd)、Ir(dfppz)₃、三芴、4,4’-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)和2,5,8,11-叔丁基二萘嵌苯(TBP)。

基于100重量份的EML材料(相当于主体和掺杂剂的总重量)，掺杂剂的量可在约0.1至约20重量份，或约0.5至约12重量份的范围内。当掺杂剂的量在这些范围内时，可基本上防止浓缩淬灭。

EML可具有约至约的厚度，例如约至约的厚度。当EML的厚度在这些范围内时，EML会具有良好的发光特性，而基本不增加驱动电压。

当EML包括磷光掺杂剂时，可在EML上形成空穴阻挡层(HBL，图1中未示出)以防止三线态激子或空穴扩散到ETL中。此时，HBL可包括常用于形成HBL的任何材料，而无限制。此HBL材料的实例包括但不限于噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、BAlq和BCP。

HBL可具有约至约的厚度，例如约至约的厚度。当HBL的厚度在这些范围内时，HBL会具有良好的空穴阻挡特性，而基本不增加驱动电压。

接着，ETL可用多种方法形成在EML(或HBL)上，如真空沉积法、旋涂法、流延法等。当用真空沉积法或旋涂法形成ETL时，尽管沉积或涂布条件可根据用于形成ETL的材料而改变，但沉积或涂布条件可与用于形成HIL的条件相似。

ETL材料可包括上述通式1或通式2的杂环化合物。或者，ETL可包括任何已知材料。ETL材料实例包括但不限于喹啉衍生物，如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、TAZ和BAlq。

ETL可具有约至约的厚度，例如约至约的厚度。当ETL的厚度在这些范围内时，ETL会具有良好的电子传输特性，而基本不增加驱动电压。

此外，促进电子由阴极注入的EIL可形成在ETL上。

EIL材料可包括上述通式1或通式2的杂环化合物。或者，可使用周知的EIL材料，如LiF、NaCl、CsF、Li₂O或BaO形成EIL。尽管沉积或涂布条件可根据用于形成EIL的材料而改变，但沉积或涂布条件可与用于形成HIL的条件相似。

EIL可具有约至的厚度，例如约至约的厚度。当EIL的厚度在这些范围内时，EIL会具有良好的电子注入特性，而基本不增加驱动电压。

第二电极可通过用例如真空沉积法、溅射法等形成在EIL上。第二电极可为阴极或阳极。第二电极材料可包括金属、合金、导电化合物或它们的混合物，它们均具有低功函。这种材料的实例包括但不限于锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)和镁-银(Mg-Ag)。此外，为了制造顶发光有机发光装置，可将包括透明材料的透明阴极，如ITO或IZO用作第二电极。

根据各实施方式的有机发光装置可包含在多种类型的平板显示器装置中，如无源矩阵有机发光显示器装置或有源矩阵有机发光显示器装置中。例如，当在有源矩阵有机发光显示器装置中使用上述有机发光装置时，布置在基板上的第一电极可起到像素电极的作用，并可与薄膜晶体管的源极或漏极电连接。而且，上述有机发光装置还可包含在具有双侧显示屏的平板显示器装置中。

根据一些实施方式，有机发光装置的至少一层可包括通式1或通式2的杂环化合物，该层用沉积法或涂布通式1或通式2的杂环化合物溶液的湿法形成。

在下文中，将详细说明化合物10、17、27、33和42的合成例和实施例。但提供这些实施例仅用于说明目的，并不限制各实施方式的范围。

合成例：化合物10的合成

中间体C-2的合成

将300ml甲苯加入到28.6g(100mmol)的化合物C-1、9.8g(50mmol)的二苯甲酮腙、330mg(3mol％)的Pd(OAc)₂和7.3g(75.0mmol)的KOt-Bu的混合物中，然后在氮气氛、90℃下加热4小时。冷却反应混合物至室温，对该反应混合物进一步加入100ml水，并用500ml二氯甲烷萃取两次。将有机相干燥、过滤、浓缩，然后用柱波谱法分离以得到14.4g的产率为72％的黄色固体形式的化合物C-2。化合物C-2的结构用高分辨率质谱分析仪(HR-MS)确定。(理论值：400.0575,观测值：400.0564)

中间体C-3的合成

将100ml甲苯和50ml乙醇加入到20.1g(50mmol)的化合物C-2、38.0g(200mmol)的pTSA·H₂O和50ml的甲乙酮的混合物中，然后在90℃下加热36小时。冷却反应混合物至室温，对该反应混合物进一步加入100ml水，并用200ml的二氯甲烷萃取两次。将有机相干燥、过滤、浓缩，然后用柱波谱法分离以得到10.7g的产率为78％的亮绿色固体形式的化合物C-3。化合物C-3的结构用HR-MS确定。(理论值：273.0153,观测值：273.0145)

中间体C-4的合成

将30ml水和100ml四氢呋喃(THF)加入到7.4g(30mmol)的化合物C-3、2.4g(33mmol)的2-萘-2-基-2-硼酸、1.7g(5mol％)的Pd(PPh₃)₄和4.8g(120mmol)的NaOH的混合物中，然后在氮气氛、70℃下加热12小时。冷却反应混合物至室温，对该反应混合物进一步加入50ml水，并用300mL的二氯甲烷萃取两次。将有机相干燥、过滤、浓缩，然后用柱波谱法分离以得到8.55g的产率为64％的浅黄色固体形式的化合物C-4。化合物C-4的结构用HR-MS确定。(理论值：321.1517,观测值：321.1508)

化合物10的合成

将100ml的甲苯加入到13.3g(30.0mmol)的化合物C-4、13.6g(39.0mmol)的2-(4-溴代苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、4.3g(45.0mmol)的NaOt-Bu、1.4g(1.5mmol)的Pd₂(dba)₃和0.30g(1.5mmol)的PtBu₃的混合物中，然后在氮气氛、90℃下加热6小时。冷却反应混合物至室温，对该反应混合物进一步加入30ml水，并用200ml的二氯甲烷萃取两次。将有机相干燥、过滤、浓缩，然后用柱波谱法分离以得到10.2g的产率为58％的亮黄色固体形式的化合物10。化合物10的结构用核磁共振(NMR)波谱法和HR-MS确定。

1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)；6.71-6.89(m,2H),7.45-7.98(m,23H),2.35(s,3H),2.31(s,3H).13-C NMR(CDCl3,100MHz)δ(ppm)；141.1,140.5,140.1,138.4,138.1,136.7,135.8,133.2,133.0,132.8,132.1,130.7,129.9,129.2,128,5,128.2,126.5,126.2,124.3,123.6,123.0120.9,120.7,120.5,120.0,116.7,116.4,116.0,114.2,112,1,12.5,8.9。

HRMS(理论值：589.2518,观测值：589.2511)

合成例：化合物17的合成

中间体C-5、C-6和化合物17的合成

以与化合物C-3的合成中使用的相同方法合成11.1g的产率为56％的浅黄色固体形式的化合物C-5，区别在于使用19.6g(100mmol)的苄基苯基酮代替甲乙酮。化合物C-5的结构用HR-MS确定。(理论值：397.0466,观测值：397.0454)

以与化合物C-4的合成中使用的相同方法，使用11.5g(30mmol)的化合物C-5和5.3g(33mmol)的咪唑硼酸合成9.9g的产率为76％的浅黄色固体化合物C-6。化合物C-6的结构用HR-MS确定。(理论值：435.1735,观测值：435.1727)

以与化合物10的合成中使用的相同方法，使用13.0g(30mmol)的化合物C-6和10.6g(39mmol)的溴代二甲基芴合成11.6g的产率为55％的亮黄色固体化合物17。化合物17的结构用核磁共振(NMR)波谱法和HR-MS确定。

1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)；6.89-7.78(m,31H),1.87(s,6H).13-C NMR(CDCl3,100MHz)δ(ppm)；143.2,142.5,142.1,140.4,140.1,138.7,138.8,138.2,136.0,135.8,135.1,134.7,133.9,133.2,132,5,132.2,131.5,131.2,130.3,129.6,129.0,128.6,128.2,127.5,127.0,125.4,124.7,124.1,123.6,123.1,122,1,121.1,119.7,116.7,116.4,116.0,114.2,112,1,38.2,27.5。

HRMS(理论值：627.2674,观测值：627.2662)

合成例：化合物27的合成

中间体C-7和化合物27的合成

以与化合物C-4的合成中使用的相同方法，使用11.9g(30mmol)的化合物C-5和6.6g(33mmol)的联吡啶硼酸合成10.1g的产率为71％的浅黄色固体化合物C-7。化合物C-7的结构用HR-MS确定。(理论值：473.1892,观测值：473.1881)

以与化合物10的合成中使用的相同方法，使用14.2g(30mmol)的化合物C-7和10.6g(39mmol)的2-(4-溴代苯基)H-咪唑并[1,2-a]吡啶合成8.9g的产率为45％的亮黄色固体化合物27。化合物27的结构用NMR波谱法和HR-MS确定。

1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)；6.89-7.02(m,2H),7.24-7.78(m,25H),8.01-8.88(m,4H).13-C NMR(CDCl3,100MHz)δ(ppm)；155.2,154.5,152.1,150.4,140.1,139.7,139.1,138.6,136.5,135.1,134.1,134.0,133.6,133.2,132,5,132.2,131.5,131.2,131.5,130.3,129.6,129.0,128.5,128.2,127.4,127.0,126.4,125.7,125.1,124.1,123.7,123.3,122.8,122,0,121.5,119.9,116.6,116.4,116.0,114.2,112.5。

HRMS(理论值：665.2579,观测值：665.2571)

合成例：化合物33的合成

以与化合物C-4的合成中使用的相同方法，使用11.9g(30mmol)的化合物C-5和9.0g(33mmol)的咪唑并嘧啶硼酸合成9.9g的产率为65％的浅黄色固体化合物C-8。化合物C-8的结构用HR-MS确定。(理论值：512.2001,观测值：512.1992)

以与化合物10的合成中使用的相同方法，使用14.2g(30mmol)的化合物C-8和10.6g(39mmol)的2-(4-溴代苯基)H-咪唑并[1,2-a]吡啶合成10.9g的产率为55％的亮黄色固体化合物33。化合物33的结构用NMR波谱法和HR-MS确定。

1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)；6.79-7.08(m,2H),7.21-7.74(m,27H),8.51-8.84(m,2H).13-C NMR(CDCl3,100MHz)δ(ppm)；156.2,154.6,153.1,150.6,143.1,141.7,140.1,139.6,138.5,138.1,137.1,136.7,135.6,135.2,134.6,134.2,131.5,131.2,131.0,130.7,129.6,129.1,128.5,128.2,127.4,127.0,126.5,125.7,125.1,124.8,123.7,123.2,122.8,122,2,121.5,119.0,116.6,116.4,116.0,114.2。

HRMS(理论值：704.2688,观测值：704.2680)

合成例：化合物42的合成

以与化合物C-3的合成中使用的相同方法合成6.77g的产率为34％的浅黄色固体形式的化合物C-9，区别在于使用19.6g(100mmol)的苄基苯基酮代替甲乙酮。化合物C-9的结构用HR-MS确定。(理论值：397.0466,观测值：397.0456)

以与化合物C-4的合成中使用的相同方法，使用11.9g(30mmol)的化合物C-9和7.39g(33mmol)的菲咯啉硼酸合成9.2g的产率为62％的浅黄色固体化合物C-10。化合物C-10的结构用HR-MS确定。(理论值：497.1892,观测值：497.1884)

以与化合物10的合成中使用的相同方法，使用14.9g(30mmol)的化合物C-10和6.79g(39mmol)的溴代萘合成12.1g的产率为65％的亮黄色固体化合物42。化合物42的结构用NMR波谱法和HR-MS确定。

1H-NMR(CDCl3,400MHz)δ(ppm)；8.56-8.87(m,2H),7.87-8.21(m,4H),7.21-7.76(m,23H).13-C NMR(CDCl3,100MHz)δ(ppm)；158.4,149.5,149.1,146.4,145.1,144.2,140.5,138.7,138.2,136.0,135.8,134.9,133.3,132,5,132.2,131.5,130.3,129.6,129.0,127.5,125.2,123.7,123.1,122.6,122.1,120,1,119.7,116.7,116.4,116.0,114.2,112,1,HRMS(理论值：704.2688,观测值：704.2680)

实施例1

通过将康宁15Ωcm² ITO玻璃基板切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水分别超声波清洗玻璃基板5分钟，然后照射UV光30分钟并暴露于臭氧中进行清洗来制备阳极。然后，将阳极装入真空沉积设备。

随后，在玻璃基板上真空沉积2-TNATA(HIL材料)以形成具有约厚度的HIL。然后，在HIL上真空沉积4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)(空穴传输化合物)以形成具有约厚度的HTL。

然后，在HTL上以98:2的重量比同时沉积绿色荧光主体(Alq3)和绿色荧光掺杂剂(C545T)以形成具有约厚度的EML。

随后，将化合物10沉积在EML上以形成具有约厚度的ETL，然后在ETL上沉积LiF(卤化的碱金属)以形成具有约厚度的EIL。然后在EIL上真空沉积Al至约的厚度以形成LiF/Al电极(阴极)，从而完成有机发光装置的制造。

该有机发光装置在50mA/cm²的电流密度下具有5.87V的驱动电压、8134cd/m²的高亮度、(0.310,0.644)的色坐标和16.27cd/A的发光效率。

实施例2

用与实施例1相同的方法制造有机发光装置，区别在于用化合物17代替化合物10形成ETL。

该有机发光装置在50mA/cm²的电流密度下具有6.17V的驱动电压、8384cd/m²的高亮度、(0.310,0.643)的色坐标和16.77cd/A的发光效率。

实施例3

用与实施例1相同的方法制造有机发光装置，区别在于用化合物27代替化合物10形成ETL。

该有机发光装置在50mA/cm²的电流密度下具有5.67V的驱动电压、8796cd/m²的高亮度、(0.309,0.642)的色坐标和17.59cd/A的发光效率。

实施例4

用与实施例1相同的方法制造有机发光装置，区别在于用化合物33代替化合物10形成ETL。

该有机发光装置在50mA/cm²的电流密度下具有5.47V的驱动电压、8904cd/m²的高亮度、(0.309,0.643)的色坐标和17.8cd/A的发光效率。

实施例5

用与实施例1相同的方法制造有机发光装置，区别在于用化合物42代替化合物10形成ETL。

该有机发光装置在50mA/cm²的电流密度下具有5.83V的驱动电压、8064cd/m²的高亮度、(0.310,0.642)的色坐标和16.13cd/A的发光效率。

对比例1

用与实施例1相同的方法制造有机发光装置，区别在于用Alq3代替化合物10形成ETL。

该有机发光装置在50mA/cm²的电流密度下具有7.45V的驱动电压、6012cd/m²的高亮度、(0.309,0.642)的几乎与实施例1的有机发光装置相同的色坐标和12.2cd/A的发光效率。

与使用Alq3制造的有机发光装置相比，包括作为ETL材料的通式1或通式2的杂环化合物的有机发光装置具有降低1V或更多的驱动电压，从而具有更高的效率和良好的I-V-L特性。特别是与对比例1的有机发光装置相比，实施例1～5的有机发光装置中的寿命特性明显改善了100％或更高。

表1

如上所述，根据一个或多个上述实施方式的新杂环化合物具有良好的电特性、良好的电荷传输能力和良好的发光特性，并可用于防止因高玻璃化转变温度(T_g)造成的结晶。上述杂环化合物可用作大部分彩色荧光和磷光装置的电子传输材料，如红色、绿色、蓝色和白色荧光和磷光装置，或者作为红色、绿色、蓝色或白色发光材料。因此，使用上述杂环化合物可制造具有高效率、低驱动电压、高亮度和长寿命的有机发光装置。

尽管已参照实施例具体示出并说明了各实施方式，但本领域技术人员应理解的是，可对其进行多种形式和内容变更而不背离由权利要求书所限定的本发明的精神和范围。

Claims

1.一种杂环化合物，由以下通式1表示：

通式1

其中，X₁为取代或未取代的C₅～C₆₀芳基、取代或未取代的C₃～C₆₀杂芳基，或未取代的C₆～C₆₀稠合多环基；且R₃至R₄和R₆至R₈各自独立地为氢原子；R₅为氢原子、取代或未取代的C₅～C₆₀芳基、取代或未取代的C₃～C₆₀杂芳基、或C₆～C₆₀稠合多环基；其中R₁和R₂各自独立地为甲基或苯基，其中术语“取代的”是指被以下基团取代：重氢原子、卤素原子、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C₁～C₁₀烷基、C₁～C₁₀烷氧基、C₂～C₁₀烯基、C₂～C₁₀炔基、C₆～C₁₆芳基或C₃～C₁₆杂芳基。

2.根据权利要求1所述的杂环化合物，其中R₅为重氢原子。

3.根据权利要求1所述的杂环化合物，其中R₅为取代或未取代的C₅～C₆₀芳基。

4.根据权利要求1所述的杂环化合物，其中R₅为选自由苯基、萘基、联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的未取代的单环至四环芳基；未取代的C₃～C₆₀杂芳基；选自由被C₁～C₁₀烷基、C₁～C₁₀烷氧基、氰基、苯基或卤素取代的苯基、萘基、联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的取代的单环至四环芳基；或被C₁～C₁₀烷基、C₁～C₁₀烷氧基、氰基、苯基或卤素取代的取代的C₃～C₆₀杂芳基。

5.根据权利要求1所述的杂环化合物，其中X₁为选自由苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的未取代的单环至四环芳基；未取代的C₃～C₆₀杂芳基；选自由被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、苯氧基、苯基、卤素或C₃～C₁₀杂芳基取代的苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的取代的单环至四环芳基；或被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、苯氧基、苯基、卤素或C₃～C₁₀杂芳基取代的取代的C₃～C₆₀杂芳基。

6.一种杂环化合物，其为以下化合物中的一种：

7.一种杂环化合物，由以下通式2表示：

通式2

其中，X₂为取代或未取代的C₅～C₆₀芳基、取代或未取代的C₃～C₆₀杂芳基，或未取代的C₆～C₆₀稠合多环基；且R₁₁至R₁₂和R₁₄至R₁₆各自独立地为氢原子；R₁₃为氢原子、取代或未取代的C₅～C₆₀芳基、取代或未取代的C₃～C₆₀杂芳基、C₆～C₆₀稠合多环基、卤素原子、氰基、硝基、羟基或羧基；其中R₉和R₁₀各自独立地为甲基或苯基，其中术语“取代的”是指被以下基团取代：重氢原子、卤素原子、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C₁～C₁₀烷基、C₁～C₁₀烷氧基、C₂～C₁₀烯基、C₂～C₁₀炔基、C₆～C₁₆芳基或C₃～C₁₆杂芳基。

8.根据权利要求7所述的杂环化合物，其中R₁₃为重氢原子。

9.根据权利要求7所述的杂环化合物，其中R₁₃为取代或未取代的C₅～C₆₀芳基。

10.根据权利要求7所述的杂环化合物，其中R₁₃为选自由苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的未取代的单环至四环芳基；未取代的C₃～C₆₀杂芳基；选自由被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、苯氧基、苯基或卤素取代的苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的取代的单环至四环芳基；或被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、苯氧基、苯基或卤素取代的取代的C₃～C₆₀杂芳基。

11.根据权利要求7所述的杂环化合物，其中X₂为选自由苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的未取代的单环至四环芳基；未取代的C₃～C₆₀杂芳基；选自由被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、苯氧基、苯基、卤素或C₃～C₁₀杂芳基取代的苯基、萘基、联苯基、三联苯基、蒽基、芴基和芘基组成的组中的取代的单环至四环芳基；或被C₁～C₅烷基、C₁～C₅烷氧基、氰基、苯氧基、苯基、卤素或C₃～C₁₀杂芳基取代的取代的C₃～C₆₀杂芳基。

12.一种杂环化合物，其为以下的化合物：

13.一种有机发光装置，包括：

第一电极；

第二电极；和

在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，

所述有机层包括第一层，所述第一层包含权利要求1至12中任意一项所述的杂环化合物。

14.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述第一层包括电子注入层、电子传输层、同时具有电子注入功能和电子传输功能的单层膜，或发光层。

15.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述第一层包括发光层，且所述杂环化合物被用作荧光或磷光装置的主体或掺杂剂。

16.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述第一层包括发光层、电子注入层或电子传输层，且所述发光层包括蒽化合物、芳胺化合物或苯乙烯基化合物。

17.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述第一层包括发光层、电子注入层或电子传输层，且所述发光层包括红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层或白色发光层，所述红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层或白色发光层包含磷光化合物。

18.根据权利要求13所述的有机发光装置，其中所述有机层进一步包括选自由空穴注入层、空穴传输层、同时具有空穴注入和传输功能的功能层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层组成的组中的至少一层。

19.根据权利要求18所述的有机发光装置，其中所述空穴注入层、空穴传输层和同时具有空穴注入和传输功能的功能层中至少一个层进一步包括电荷产生材料。

20.根据权利要求18所述的有机发光装置，其中所述电子传输层包括电子传输有机材料和含金属的材料。

21.根据权利要求18所述的有机发光装置，其中所述含金属的材料包括锂络合物。

22.根据权利要求18所述的有机发光装置，具有第一电极/空穴注入层/发光层/第二电极的结构、第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/第二电极的结构，或第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极的结构。

23.一种平板显示器装置，包括权利要求13所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置的第一电极与薄膜晶体管的源极或漏极电连接。

24.一种有机发光装置，包括：

第一电极；

第二电极；和

在所述第一电极和第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括包含权利要求1至12中任意一项所述的杂环化合物的至少一层，所述至少一层用湿法形成。